「surface process」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

With radiation of high frequency oxygen plasma, the surface of reaction product (4) is physically shocked and such reactive product can be removed easily with a post-processing (ashing and wet process with an organic solvent).例文帳に追加

この高周波を伴う酸素プラズマ照射により、反応生成物（４）の最表面が物理的な衝撃を受け、後処理（アッシング及び有機溶剤によるウエット処理）によって、容易に除去することができる。 - 特許庁

The dot structures in the GaN single crystal substrate 10 can be formed by a simple heat-treatment alone, which does not necessarily need a particular surface heat-treatment process or many steps.例文帳に追加

すなわち、このＧａＮ単結晶基板１４は、簡便な熱処理のみでドット構造が形成され、特別な表面処理や多くの工程を必ずしも必要とはしないため、ドット構造を容易に形成することができる。 - 特許庁

Protective protrusions are formed around bonding pads on a board using a printing ink applied in a printing step in a manufacturing process of the board, thereby protecting the bonding pad surface with the protective protrusions.例文帳に追加

基板のボンディングパッドの周囲に、当該基板の製造工程における印刷工程にて施される印刷インキによって保護凸部を形成し、当該保護凸部によってボンディングパッドの表面を保護することを特徴とする。 - 特許庁

The particle removing process is carried out on a buffing platen 2, so that a semiconductor device manufacturing method for restraining defects from occurring on the surface of the wafer 7 and improving throughput at the same time is provided.例文帳に追加

また、この除去工程をバフプラテン２上で行うことが出来るため、ウェハ７の表面欠陥の抑制と処理能力向上の両立を可能にする半導体装置の製造方法を提供することが出来る。 - 特許庁

Next, while conveying the film-shaped base material a from the second winding roller 2_2 to the first winding roller 2_1, a deposition process is performed by forming an electrode film on the plasma-treated surface of the film substrate a by a deposition unit 5.例文帳に追加

次に、第２巻出巻取ローラ２_２から第１巻出巻取ローラ２_１にフィルム状基材ａを搬送しつつ、成膜ユニット５によりフィルム基材ａのプラズマ処理面に電極膜を形成する成膜工程を行う。 - 特許庁

To provide a production process of shock absorber with film capable of arranging a resin film easily and precisely on the shock absorber regardless of complication in surface shape of the shock absorber.例文帳に追加

衝撃吸収材の表面形状が複雑であっても、衝撃吸収材に樹脂フィルムを容易に精度良く配置することができるフィルム付き衝撃吸収材の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the base material production process, the base material 2 comprising the aluminum alloy having surface roughness Ra of 0.001-0.05 μm is produced by one of transfer by rolling, chemical polishing, electrolytic polishing and mechanical polishing.例文帳に追加

基材作製工程においては、圧延による転写、化学研磨、電解研磨、又は機械研磨のいずれかにより、表面粗さＲａが０．００１〜０．０５μｍのアルミニウム合金からなる基材２を作製する。 - 特許庁

To solve a problem of brittleness of a substrate surface layer of a silicon substrate subjected to a low oxygen treatment to stress to cause generation of cracks and warpage in the course of a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

低酸素処理を施したシリコン基板は基板表面層が応力に対して非常にもろくなってしまい、ハンド津愛想うちの製造プロセスの過程でクラックや反りが発生する原因ともなってしまう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of restricting an extension direction of a coil from inclining relative to a lamination direction of a component member without performing a flattening process to a surface of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の表面に対して平坦化する工程を行わなくても、コイルの延設方向が構成部材の積層方向に対して傾くことを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composition for manufacturing a protective film used for protecting a wafer and/or a device surface at the time of etching the protective film of a substrate, especially a silicon film, in a working process of the substrate in MEMS manufacturing.例文帳に追加

ＭＥＭＳ製造における基板の加工工程において、基板の保護膜、特にシリコンのエッチング時のウエハおよび／またはデバイス面を保護するために用いられる保護膜を作製するための塗布組成物を提供する。 - 特許庁

After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14.例文帳に追加

他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。 - 特許庁

The invention is directed to a computer-implemented process for computing a closed triangulated polyhedral surface resulted from a first modeled object and a second modeled object in a computer-aided geometric design system.例文帳に追加

計算機支援幾何学的デザインシステムにおける、第１のモデル化オブジェクトおよび第２のモデル化オブジェクトから結果として得られる三角形分割多面体閉曲面を計算するコンピュータで実行するプロセスを対象とする。 - 特許庁

The vinylcyclohexane production process comprises subjecting 2-cyclohexyl alcohol to a dehydration reaction in the presence of aluminum oxide having a specific surface area of 150-500 m^2/g and a pore volume of 0.5-1.5 ml/g.例文帳に追加

比表面積が１５０〜５００ｍ^２／ｇであり、かつ細孔容積が０．５〜１．５ｍｌ／ｇである酸化アルミニウムの存在下に、２−シクロヘキシルアルコールを脱水反応に付すことによって、ビニルシクロヘキサンを製造する方法。 - 特許庁

The method for measuring the film thickness of the epitaxial layer in the manufacturing step of the epitaxial wafer includes forming the epitaxial layer on the surface of a semiconductor wafer by subjecting the semiconductor wafer to the epitaxial growth process.例文帳に追加

半導体ウェーハをエピタキシャル成長工程に付すことにより、該半導体ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含むエピタキシャルウェーハの製造工程におけるエピタキシャル層の膜厚測定方法。 - 特許庁

To increase terminals by forming an external terminal on the lower surface of a lead frame while suppressing the complication of a manufacturing process and/or the decline of mounting reliability in a resin sealed semiconductor device using the lead frame.例文帳に追加

リードフレームを用いた樹脂封止型の半導体装置において、製造プロセスの複雑化及び／又は実装信頼性の低下を抑制しながら、リードフレームの下面に外部端子を形成して多端子化を実現する。 - 特許庁

In a production process for the bolt with the vertical groove, at an axial center part of a shaft part 26 in a bolt material 25a, a vertical hole 27 opened to the end surface of the shaft part 26 is formed by a cold-forging.例文帳に追加

本発明にかかる縦溝付きボルトの製造プロセスにおいては、ボルト材料２５ａの軸部２６の軸芯部に、冷間鍛造により、軸部２６の先端面に開口する円柱形の縦穴２７を形成する。 - 特許庁

The tilting or the lifting and lowering type cradle for removing the liquid adherent to the inner surface of the steel pipe is capable of setting the steel pipe after the cold working or the pickling to the tilting angle of 1-10° or lifting and lowering it in the production process of the steel pipe.例文帳に追加

鋼管の製造工程において冷間加工や酸洗処理後の鋼管を１°〜１０°の傾斜角度の設定ないし昇降可能とする鋼管内面付着液体除去用の傾斜・昇降型クレードル。 - 特許庁

Therefore, the rotary type cutting mat does not require a complicated manufacturing process where the rivet head is embedded in the laminated structure by making the rotary mat into the laminated structure in order to prevent the rivet head from being exposed from the mat surface.例文帳に追加

したがって、リベット頭部がマット表面に露出するのを防ぐために、回転マットを積層構造として当該積層構造中にリベット頭部を埋め込むといった複雑な製造工程は不要となる。 - 特許庁

In an insulating substrate pretreatment process 41, a reinforcement film 62 is formed on a substrate 60 by a glass paste 61 in advance, and the glass paste 61 is filled in a pore 70 near a surface of the substrate 60 simultaneously.例文帳に追加

絶縁基板前処理工程４１では、予め基板６０上にガラスペースト６１による強化膜６２を形成するとともに、基板６０の表面近傍の空孔７０へガラスペースト６１を充填するものである。 - 特許庁

When the methylpolysiloxane composed of hydrophobic groups of Si-CH_3 bonds is used as the interlayer dielectric, the surface of the interlayer dielectric is damaged in an etching process and the carbon concentration is decreased due to defect of methyl group.例文帳に追加

Ｓｉ−ＣＨ_3結合たる疎水基からなるメチルポリシロキサンを層間絶縁膜に用いた場合、エッチング工程等において前記層間絶縁膜表面がダメージを受け、メチル基の欠陥により炭素濃度が減少する。 - 特許庁

To provide a picture display device which can improve a product property by surface treatment of a front face by beginning an outer light reflection prevention as well as facilitating a manufacturing process.例文帳に追加

外光反射防止などをはじめとして前面プレートの表面処理によって得ることができる製品特性を良くするだけでなく、製造工程も便利にすることができるようにした画像表示装置を提供する。 - 特許庁

In the etching apparatus, pressure exerted on the object is minimized during an etching process for thinning the thickness of the object, and the etching solution is applied to entire surface of the object under uniform pressure.例文帳に追加

エッチング装置は対象物の厚さを薄くエッチングする過程において対象物に加えられる圧力を最小化し、エッチング溶液を対象物の全領域に均一の圧力でエッチング溶液を提供する。 - 特許庁

The metal surface treatment method comprises: a process where a metal work is subjected to the conventional type bottom face lacquer treatment, and, thereafter, a vacuum plating film stage is introduced, thus a metal thin film layer is applied thereto, and transparent hard film lacquer protection is performed.例文帳に追加

金属ワークに対し、従来式の底面ラッカを経た後、真空めっき膜工程を導入することによって、金属薄膜層を被覆し、透明硬膜ラッカ保護を施す工程を含む金属表面処理方法。 - 特許庁

In Fig.2(d), a mold material 50 is formed on an upper surface on the structure, i.e. on the side, on which an electronic component 20 is mounted, on a metal pattern, and the electronic component 20 etc. is sealed (sealing process).例文帳に追加

図２（ｄ）に示されるように、この構造上の上側の面、すなわち、この金属パターン上の電子部品２０が搭載された側に、モールド材５０を形成し、電子部品２０等を封止する（封止工程）。 - 特許庁

In the process of growing a carbon-doped silicon single crystal by the CZ (Czochralski) method from a silicon melt to which carbon is added, a quartz crucible having an aluminum low concentration layer with aluminum concentration of ≤0.1 ppm on the inner surface is used.例文帳に追加

炭素が添加されたシリコン溶融液からＣＺ法により炭素ドープシリコン単結晶を育成するに際し、内表面側にアルミニウム濃度が０．１ｐｐｍ以下のアルミニウム低濃度層を有する石英ルツボを用いる。 - 特許庁

At the peripheral surface of a hub 3, a spline is formed by a hobbing process from one end till near the other end, and a plurality of spline cogs 4 are produced, wherein a cut-up part 13 is formed at the termination of each cog groove.例文帳に追加

ハブ３の外周面において一端側から他端の手前までホブ切りによりスプライン加工が施され、複数のスプライン歯４が形成され、歯溝１２の終端側に切り上げ部１３が形成される。 - 特許庁

During the process of inflation of the airbag 14, a cover part 142 not bound by the deployment regulating member 31 and the upper half of the fold 141 are first inflated and deployed into the automobile compartment along the inner surface of the windshield.例文帳に追加

エアバッグ１４が膨張する過程で、先ず展開規制部材３１で拘束されていないカバー部１４_2 および折畳部１４_1 の上半部が膨張してフロントガラスの内面に沿って車室内に展開する。 - 特許庁

PROCESS OF TREATMENT OF WATER AND OF SURFACE IN CONTACT WITH THE WATER IN ORDER TO PREVENT ATTACHMENT OF AND/OR TO REMOVE AND/OR TO CONTROL MACROORGANISM, COMPOSITION AND PAINT FOR THE TREATMENT例文帳に追加

マクロ生物の付着を防止し、および／またはマクロ生物を除去し、および／またはマクロ生物を制御するために、水および該水と接触する表面を処理する方法、該処理のための組成物およびペイント - 特許庁

To provide a coating device capable of easily varying the coating thickness of an active material and simply stabilizing the coating thickness in a process for coating the paste-like active material for a battery on the surface of an electrode core.例文帳に追加

ペースト状をした電池用活物質を電極芯材の表面に塗工する工程において、活物質の塗工厚さがバラツキ易く、簡便に塗工厚さを安定させることが出来る塗工装置を供給する。 - 特許庁

To obtain a method for cleaning the surface of a compound semiconductor capable of realizing a heat treatment at the optimum temperature enabling removal of an oxide film without dissociation of constituting atoms from a substrate in the process of removing the oxide film by the heat treatment.例文帳に追加

熱処理による酸化膜除去工程において，構成原子の基板解離がなく酸化膜除去ができる最適温度での熱処理が実現できる化合物半導体の表面清浄化方法を得る。 - 特許庁

To provide a clip for a writing utensil which, despite the adoption of a simple production process, when a decorative plate 4 is mounted in an opening window 3B of a clip 3, does not cause any gap between a backside 4B of the decorative plate 4 and the surface of the clip 3.例文帳に追加

簡単な製造工程にもかかわらず、クリップ３の開口窓３Ｂに飾り板４を取り付けた時に、飾り板４の裏面４Ｂとクリップ３の表面に隙間が生じない筆記具のクリップを提供する。 - 特許庁

To provide a hot rolling process whereby low-friction hot rolling can be realized at a coefficient of friction of 0.15 or below without encountering poor bite at the stand of each finishing rolling mill provided with abrasion- resistant cast iron work rolls, and the surface roughening of work rolls can be prevented.例文帳に追加

熱間圧延において、噛込み不良を起こすことなく、耐摩耗性鋳鉄ロールを用いたスタンドで摩擦係数０．１５以下の低摩擦熱延を実現すると同時にロールの肌荒れを抑制する。 - 特許庁

To prevent the generation of strain in an optical reflection surface due to the anisotropic deformation caused by rotation or sliding of crystal or crystal orientation during plastic deformation, in a process for press-forming a reflection optical element composed of an amorphous metal.例文帳に追加

非晶質金属の反射光学素子をプレス成形する工程で、塑性変形時の結晶の回転や滑りあるいは結晶配向による異方変形のために、光学反射面に歪が生じるのを防ぐ。 - 特許庁

The method of manufacturing the rare-earth magnet includes a noncrystallizing process of preparing a polycrystalline elemental magnet body 10 containing a rare-earth element and noncrystallizing the surface layer of the magnet body 10.例文帳に追加

本発明に係る希土類磁石の製造方法では、希土類元素を含みかつ多結晶質の磁石素体１０を用意し、この磁石素体１０の表層を非晶質化する非晶質化工程を備える。 - 特許庁

To provide a batch type vacuum processing apparatus capable of efficiently performing surface processing such as removal of a natural oxide film of a wafer by using remote plasma processing process and capable of reducing deterioration in wafer yield, device loads and so on.例文帳に追加

遠隔プラズマ処理プロセス処理を用い、ウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、ウェハの歩留り悪化や装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供する。 - 特許庁

A ceramic porous sheet 3 is used as a spacer in a process where a zirconia green sheet 2 is calcined, the end faces of the ceramic porous sheet 3 having a lower porosity than at a middle part on the upper surface thereof.例文帳に追加

セラミック多孔質シート３はジルコニアグリーンシート２を焼成する工程でスペーサーとして用いられ、当該多孔質シート３の端面が、上表面の中央部よりも気孔率が低いことを特徴とする。 - 特許庁

Then, the cured resin layer is stripped from the third die 15 and a diffraction optical element 16 which is made of the glass substrate 12 and the ultraviolet curing resin layer 14 and is formed of the relief pattern on the boundary surface is completed (process (f)).例文帳に追加

そして、第３の金型１５から剥離すると、ガラス基板１２と紫外線硬化型樹脂層１４とからなり、その境界面にレリーフパターンが形成された回折光学素子１６が完成した（ｆ）。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having the MOS structure where the gate insulating film with thickness of 100 nm or thicker is formed by LPCVD process on the surface of a region containing boron as a dopant element.例文帳に追加

不純物元素としてボロンを含有する領域の表面に、１００ｎｍ以上の厚さのゲート絶縁膜がＬＰＣＶＤ法により形成されるＭＯＳ構造を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing an article having a fine structure which has a complicated fine structure pattern and also has high surface smoothness and high shape accuracy.例文帳に追加

微細構造を有する物品を製造するためのプロセスに関し、複雑な微細構造パターンを有し、かつ、高い表面平滑度と高い形状精度とを有する微細構造を備えた物品を製造することを目的とする。 - 特許庁

This separator is constructed of a non-woven fabric or a woven fabric mainly composed of a polyolefin system resin, and an activation process with ozone e.g. and afterward a grafting treatment with vinyl monomer are subjected on its surface.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂を主構成成分とする不織布又は織布からなり、かつその表面に、オゾン等による活性化処理と、それに続くビニル単量体によるグラフト化処理が施されている、アルカリ電池用セパレータ。 - 特許庁

To provide a structure capable of preventing water from intruding the boundary surface between a metal case and a resin part without complicating a manufacturing process in a temperature sensor having a thermistor sealed in the metal case with resin.例文帳に追加

金属ケース内にサーミスタを樹脂封止した温度センサにおいて、製造工程を複雑にすることなく金属ケースと樹脂部との境界面から水分が浸入することを防止できる構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a separation membrane preventing a membrane forming raw liquid from reaching at the back surface of a porous support in a membrane manufacturing process, high in the adhesiveness of the separation function membrane and thin in the porous support.例文帳に追加

製膜工程における製膜原液の多孔性支持体裏面側への到達を防ぐことができ、分離機能膜と多孔性支持体との接着性が高く、さらに薄膜化が可能な分離膜を提供する。 - 特許庁

To provide an element mounting board and an element mounting method capable of reducing a manufacturing cost by enabling the formation of soldering bump even when the surface of electric wiring having soldering wettability is exposed and shortening a manufacturing process.例文帳に追加

半田濡れ性を有する電気配線の表面が露出していても半田バンプの形成が可能となり、製造工程を短縮し、製造コストを低減できる素子実装基板および素子実装方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solar cell element capable of reducing the resistance value of a collector electrode by reducing irregularities on the surface of the collector electrode formed by screen printing process and also contributing to the improvement of photoelectric transfer characteristics.例文帳に追加

スクリーン印刷工程にて形成する集電極の表面の凹凸を低減してその抵抗値の低減化を図り、光電変換特性の向上にも寄与できる太陽電池素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor surface treating agent in this invention is useful as a developing solution, remover, or cleaning solution used for a semiconductor manufacturing process, and also useful as a polishing solution of CMP and its post-treatment cleaning solution.例文帳に追加

本発明の半導体表面処理剤は、半導体製造工程で用いられる現像液、剥離液あるいは洗浄液として有用であるほか、ＣＭＰの研磨液やその後処理洗浄液としても有用である。 - 特許庁