「きんせいちょう２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

今回の成長戦略を始めとする三本の矢を実施することなどを通じて、中長期的に、２%以上の労働生産性の向上を実現する活力ある経済を実現し、今後10 年間の平均で名目GDP 成長率３%程度、実質GDP 成長率２%程度の成長を実現することを目指す。2010 年代後半には、より高い成長の実現を目指す。例文帳に追加

Through the implementation of the three “arrows,” including this Growth Strategy, among other measures, Japan aims to achieve a vibrant economy that will register over 2% labor productivity improvement in the medium- to long-term, and around 3% nominal gross domestic product (GDP) growth and around 2% real GDP growth, on average, over the next ten years. By the late 2010s, the goal will be to achieve even higher growth.  - 経済産業省

有機金属気相成長法によって基板２の表面にこれと格子定数及び熱膨張係数を有する結晶層３を成長させた半導体エピタキシャルウェハ１において、上記基板２の裏面側に、その基板２に引張り応力を付与すべく応力相殺層４を備える。例文帳に追加

The semiconductor epitaxial wafer 1 which is grown with a crystalline layer 3 having a lattice constant and coefficient of thermal expansion on the front surface of a substrate 2 by a vapor phase growth method of an organic metal is provided with a stress offsetting layer 4 for imparting a tensile stress to the substrate 2 on the rear surface side of the substrate 2. - 特許庁

経済成長への途を歩み始めたアフリカではありますが、20カ国程度の国は、様々な理由により、過去10年間、平均２％の成長にとどまっています。例文帳に追加

Many African countries have begun to show steady economic growth.Some 20 countries, however, faced with various difficulties, have been stagnating at around 2 percent growth for the past ten years.  - 財務省

基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。例文帳に追加

The diamond film 2 is formed on a substrate 1, and has abnormal growth diamond projection parts 4, defined to have a transverse direction span size 5 of ≥3/4 of an average film thickness 6 of the diamond film 2 on the growth surface of the film 2, of 100 or less per 1 cm^2. - 特許庁

エピタキシャル結晶成長層２内においては、表面付近の一部の領域に第２導電型領域３が配置されている。例文帳に追加

Inside the epitaxial crystal growth layer 2, a second conductivity type region 3 is arranged in a partial region near the surface. - 特許庁

損傷部位２の近傍を切除面が結晶の優先成長方位である［００１］方位を向くように除去する。例文帳に追加

The vicinity of a damaged part 2 is removed in a way that the cutout plane is directed to the direction [001] in which crystals preferentially grow. - 特許庁

次いで、部品本体２に対して電解めっきを実施したとき、複数の内部電極３の各露出端が集まっている領域およびその近傍には、めっき成長が生じるが、その他の領域には、めっき成長が起こらないようにすることができる。例文帳に追加

Subsequently, when the component body 2 is subjected to electrolytic plating, plating growth occurs in or in the vicinity of a region where the exposed ends of a plurality of internal electrodes 3 are collected, but plating growth can be prevented from occurring in other regions. - 特許庁

そして、皿保持部材３５に装着した貼付皿２の底面（基準面）２ｃとレンズ素材１の貼付面１ａとの距離が一定になるように、レンズ素材１を貼付皿２に近接させ、貼付面１ａ，２ｄ間の熱溶解性貼付剤を硬化する。例文帳に追加

To keep a distance between the bottom surface (the reference plane) 2c of the pasting pan 2 mounted on the tray holding member 35 and the pasted surface of the lens material 1 constant, the lens material 1 is moved closer to the pasting pan 2, and the heat soluble pasting agent between the pasted surface 1a and the pasting surface 2d is hardened. - 特許庁

炭素繊維被覆伝熱部材は、金属等よりなる伝熱部材１と、この伝熱部材１の表面に担持された炭素繊維の合成触媒等よりなる成長核２と、この成長核２から伝熱部材１の外方へ延びるように合成された炭素繊維３とよりなる。例文帳に追加

The heat transfer member coated with carbon fibers comprises a heat transfer member 1 of metal, or the like, growth cores 2 of the synthetic catalyst of carbon fiber carried on the surface of the heat transfer member 1, and carbon fibers 3 synthesized to extend outward of the heat transfer member 1 from the growth cores 2. - 特許庁

また、現下の厳しい経済金融情勢の中、財政政策が成長や雇用の下支えにとって重要であることは国際社会の共通の認識であり、四月二日の金融サミットにおいて、成長や雇用等を回復するため、必要な規模の継続した財政努力を行うこととされたところであります。例文帳に追加

International society shares the view that fiscal policy is crucial to shoring up growth and employment under the current severe economic situation. This is reflected in the fact that at the financial summit on April 2, world leaders agreed to deliver sustained fiscal effort on a scale sufficient to restore growth and employment. - 財務省

2004年以降EUに加盟した中・東欧諸国は、その経済規模こそ、欧州経済の実質GDPに占める割合で約5％（2007年）と小さいが、その成長率は中・東欧諸国12か国平均で6.3％と、EU15の2倍以上の高成長を遂げている（第1-2-38図）。例文帳に追加

For the very reason of their economic magnitude, the Central and Eastern European countries that have joined the EU since 2004 account for only a small proportion (5%, 2007) of the real GDP in Europe. However, the 12 Central and Eastern European countries have achieved rapid growth at a rate of 6.3%, which is more than double the EU15 (see Table 1-2-38). - 経済産業省

本発明の製造方法は、ＳｉＯ_2の含有率が５７〜６５質量％でアルカリ金属酸化物の含有率が２質量％以下であるガラスが得られるように調製された、炭酸塩を含むガラス原料を溶解させて溶融ガラスを得る溶解工程と、溶融ガラスをさらに昇温させて清澄する清澄工程と、清澄された溶融ガラスを板状に成形する成形工程と、を含む。例文帳に追加

The production method includes: a melting step of obtaining a molten glass by melting a glass material containing carbonate which has been adjusted in order to obtain a glass containing 57-65 mass% of SiO_2 and at most 2 mass% of an alkali metal oxide; a clearing step of clearing by raising the temperature of the molten glass further; and a molding step of molding the cleared molten glass to a plate. - 特許庁

成長用基板８の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層９が形成された反りのある窒化物結晶基板６を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座２及びプレス板４の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板６とすることができる。例文帳に追加

The flat nitride crystal substrate 6 free from warpages can be obtained by heating the nitride crystal substrate 6 having the curvatures constructed by forming an epitaxial growing layer 9 of the nitride crystal of the group III element on a substrate 8 for heating close to a growing temperature by a heater element and cooling it down under a condition of sandwiching it between parallel surfaces of a pedestal 2 and a press plate 4 to correct the warpage. - 特許庁

基板上に結晶成長で得られる第１のｐ型窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層上に別の結晶成長からなるｐ型窒化物半導体層２とを有しており、第１と第２の窒化物半導体層の界面近傍がｐ型の導電性を有するようにする。例文帳に追加

The vicinity of the interface of a first and a second nitride semiconductor layers is constituted such that it may possess p-type conductivity comprising the first p-type nitride semiconductor layer obtained with crystal growth on the substrate, and p-type nitride semiconductor layer 2 consisting of another crystal growth on the first nitride semiconductor layer. - 特許庁

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。例文帳に追加

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method. - 特許庁

さらに、そのガードリング４の内側で埋込層６上のエピタキシャル成長層２の表面側に凹部７が形成され、凹部７に露出するエピタキシャル成長層２の表面上に、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）などの半導体層２とショットキーバリア（ショットキー接合）を形成する金属層３が前述のガードリング４にかかるように設けられている。例文帳に追加

A recessed part 7 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 on the embedded layer 6, inside the guard ring 4, and on the surface of the epitaxial growth layer 2 exposed to the recessed part 7, a metal layer 3 which forms a Schottky barrier (Schottky junction) with the semiconductor layer 2, such as molybdenum (Mo) and titanium (Ti), is provided so as to overlap the guard ring 4. - 特許庁

導電性粒子２と、導電性粒子２の表面に担持した遷移金属からなる触媒微粒子３と、触媒微粒子３上に成長したナノ炭素繊維４とからなる。例文帳に追加

The nanocarbon material composite is comprised of an electrically conductive particle 2, catalytic fine particles 3 that are carried on the surface of the electrically conductive particle 2, and nanocarbon fiber 4 that is grown on the catalytic fine particles 3. - 特許庁

中間相から析出されるニッケルは基体表面に微小サイズで、均一かつ緻密に配列されるため、このニッケルから成長するカーボンナノファイバー２も微細で、均一かつ緻密なものとなる。例文帳に追加

Since the nickel deposited from the intermediate phase is uniformly and densely disposed on the surface of the substrate in a fine size, the carbon nanofibers 2 grown from the nickel are also fine, uniform and dense. - 特許庁

基体２に底面を介して固定された半導体から成る円錐又は多角錐の構造体３の頂点３ａから成長した、先端に金属ナノドット４を有する半導体ナノ細線６を有する。例文帳に追加

The semiconductor nano thin line 6 has a metallic nano dot 4 on an end extending from an apex 3a of a conic or polygonal pyramid structure body 3 comprising a semiconductor body fixed on a base 2 through a bottom surface. - 特許庁

第2-5-4図①及び②は、研究開発に取り組む中小企業と、研究開発に取り組んでいない中小企業の資金調達先を、成長ステージごとに示したものである。例文帳に追加

Fig. 2-5-4 [1] and Fig. 2-5-4 [2] show the funding sources of SMEs that carry out research and development and those that do not with their answers grouped according to each of the developmental phases. - 経済産業省

第2-5-5図①及び②は、研究開発に取り組む中小企業と、研究開発に取り組んでいない中小企業が、それぞれ希望していた資金調達先を成長ステージごとに示したものである。例文帳に追加

Fig. 2-5-5 [1] and Fig. 2-5-5 [2] show the desired funding sources of SMEs that carry out research and development and those that do not, grouped according to the developmental phase they are in. - 経済産業省

だが近年、木に結ぶと成長が悪くなるため、参拝者が神籤を結ぶために、2本の木の柱の間に張られた縄を用意している寺社もある。例文帳に追加

However in recent years some temples and shrines prepare a rope between two tree trunks for visitors to tie the mikuji to because tying the mikuji to the trees is bad for the tree growth.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

第２節で中国経済の高度成長に関して記述したが、近時中国を含めた新興工業国が世界経済の中で存在感を高め、新たな世界経済の牽引役として期待されている。例文帳に追加

In Section 2, we have described China’s strong economic growth. China is one of the emerging economies that are expected to be the new drivers of the global economy. Economic forecasts of major international agencies predict that emerging countries will continue to enjoy higher growth rates compared to developed countries. - 経済産業省

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。例文帳に追加

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1). - 特許庁

下触媒層２においては、セリア系酸化物から10重量％未満で含まれる他の酸化物へ移動する貴金属の割合がきわめて小さいので、貴金属の粒成長を効果的に抑制することができる。例文帳に追加

In the lower catalyst layer 2, since a ratio of the noble metal which moves from ceria oxide to other oxide included at less than 10 wt% there into is significantly small, the particle growth of the noble metal can effectively be suppressed. - 特許庁

金融庁といたしましては、もう皆様方にも発表させて頂きましたように、全ての投資一任業者に対する一斉調査（第2次調査）を行っておりまして、（現在）この調査等を通じて、投資一任業者の実態把握を進めているところでございます。例文帳に追加

As I already announced, the FSA is conducting a survey on all companies managing customers' assets under discretionary investment contracts (second-round survey). We are trying to grasp the actual circumstances of such companies through this survey.  - 金融庁

本発明のIII族窒化物半導体基板は、下地基板１上に無数の微細な貫通孔を設けた網目構造の金属膜又は金属窒化物膜２'を形成し、金属膜又は金属窒化物膜２'を介してIII族窒化物半導体結晶層３を成長させてなる。例文帳に追加

The group III nitride semiconductor substrate is prepared by forming on a substrate 1 a network-structure metallic film or metal nitride film 2' having innumerable fine through-holes and growing the group III nitride semiconductor crystal layer 3 through the metallic film or the metallic nitride film 2'. - 特許庁

多孔質担体１上に担持された貴金属２粒子は、新たに形成された酸化物層３によって物理的に拘束された状態となり、移動が規制されるため粒成長が抑制される。例文帳に追加

The grain of the noble metal 2 depositing on the carrier 1 is physically restricted by the freshly formed oxide layer 3, hence the movement is controlled, and the grain growth is suppressed. - 特許庁

金属ナノ粒子は、導電材２と導電材３とで形成される隙間５に充填され、加熱、硬化させたときに、金属ナノ粒子が成長または析出して、導電材２，３の各粒子で形成される隙間５内の金属の充填率が高められ、比抵抗を下げることができる。例文帳に追加

The metal nanoparticles fills the gaps formed between the conductive members 2, 3, and the filling ratio of the metal in the gaps 5 formed between the conductive members 2, 3 increases by the growth or deposition of the metal nanoparticles when the composition is heated and hardened, and a specific resistance can be reduced. - 特許庁

Ａｌ_２Ｏ_３層２に担持された貴金属は粒成長が抑制され、耐久後も微細な粒子として存在し表面の活性点が多く存在する。例文帳に追加

The gain growth of the noble metals supported on the Al_2O_3 layer 2 is controlled, the noble metals exist as fine particles even after endurance, and lots of active points exist on the surface. - 特許庁

更に好ましくは、該金属窒化物膜３が、ＡｌＮ及び／又はＳｉＮを主成分とし、化学気相成長（ＣＶＤ）法により、透明基板２の温度を４０℃以下で形成される。例文帳に追加

More preferably, the metal nitride film 3 contains AlN and/or SiN as principal components and can be deposited at a temperature of transparent substrate 2 of 40°C or less by a chemical vapor deposition (CVD) method. - 特許庁

また、焼成用バーナー２とともに付着物用バーナー３に着火し、付着物用バーナー３によって内壁面１ａに付着した付着物又は付着物の近傍を加熱し、付着物の成長を抑制することもできる。例文帳に追加

Also, the burner 3 for the deposit is ignited together with the calcination burner 2 to heat the deposit adhering to the inner wall surface 1a or the vicinity of the deposit by the burner 3 for the deposit, and thereby the growth of the deposit can be suppressed. - 特許庁

最近のアフリカ経済は、世界経済の好調、一次産品の好況、域内の紛争の減少等により好調であり、なかでも、ここ3年連続してアフリカの成長が5％を超え、GDP per capitaも2年連続して3％の伸びを示していることは勇気づけられる材料の一つです。例文帳に追加

In recent years, the African economy has shown steady growth, driven by a brisk world economy, higher commodity prices, and a decrease in regional conflicts. It is particularly encouraging that this region has maintained a strong growth rate of more than 5% for three consecutive years and it has also registered 3 % growth of GDP per capita for two straight years.  - 財務省

（ｂ）金属層１ａが設けられた半導体基板１を、金属層１ａが形成された主表面側が一定の間隙部２を有するように、略平行に対置させると共に、その間隙部２に、両性不純物を含む液相エピタキシャル成長用溶液４を充填する。例文帳に追加

The semiconductor wafer 1 provided with the metal layer 1a is almost parallel so that the side of the principal surface formed with the metal layer 1a can have a fixed gap 2, and that the gap 2 is filled with a solution 4 for liquid phase epitaxial growth containing the amphoteric (b). - 特許庁

半導体素子１と金属板２との間において、突起３を中心に放射状にメッキ４が成長する構成としたことにより、半導体素子１と金属板２との接合部分にボイドが発生することがなく、確実に接合することができる。例文帳に追加

Plating 4 is radially grown at the center of a projection 3 between the semiconductor element 1 and a metal plate 2, so that the semiconductor element 1 and the metal plate 2 can be surely bonded without void in the bonding section therebetween. - 特許庁

同実践計画では、アジア通貨危機以降、韓国が成長の鈍化、設備投資の伸び悩み、国内消費の低迷に加え、米国をはじめとする諸外国の経済成長見通しの悪化や資源価格の高騰等の不安要因に直面していることに触れ、①投資・消費基盤の拡充を通じた景気回復、②規制緩和や金融のグローバル化等の企業環境の改善を通じた持続的成長、③研究開発投資の拡大やサービス産業の競争力強化、人的資本の拡充等、新しい成長をけん引する基盤強化を通じた長期的な成長の三つを柱とする実践課題を打ち出している。例文帳に追加

By highlighting serious issues facing the country, such as slowdown in national economic growth following the Asian Currency Crisis, sluggish growth in domestic capital spending and consumption, deterioration in the global economic outlook, concerns over rising resource prices, etc., the Plan proposed the following 3 pillars of actions: (1) economic recovery through expansion of investment and consumption, (2) sustainable growth through improvement of corporate environment through, for example, deregulation and financial globalization, etc., and (3) long-term growth by enhancing the economic foundation that would lead new growth by, for example, increasing R&D investment, enhancing competitiveness in the service industry, and enhancing human resources. - 経済産業省

反射防止材１を、透明基材２、ハードコート層２、金属酸化物の透明導電性超微粒子を含有し、中屈折率層でもある導電性層４、および低屈折率層５等を順に積層した構造として課題を解決することができた。例文帳に追加

The antireflection material 1 is made into a layered structure of a transparent substrate 2, a hard coat layer 2, a conductive layer as a medium refractive index layer containing transparent conductive ultrafine particles of a metal oxide, a low refractive index layer 5, and so on successively deposited. - 特許庁

北アフリカ地域のいくつかの非産油国では政情不安によるリスクの高まりから、本年に入って観光や投資による海外からの資金流入が滞っていますが、他方で、サブサハラ・アフリカ地域は、特に低所得国の成長に牽引され、アジアの途上国に次いで世界で2番目の速度で成長を遂げ、更に成長が加速していくと見込まれるなど、開発・貧困削減を進めていく好機を提供しております。例文帳に追加

Some non-oil producing countries in the North Africa have been experiencing a stagnant inflow of funds through tourism and investments since the beginning of this year due to the growing risk caused by political instability. On the other hand, the countries in the Sub-Saharan region, driven by the growth in low-income countries, have achieved growth at the world's second highest rate only behind the developing Asia, and they are expected to further accelerate their speed of growth. Such economic situation provides a favorable environment for promoting development and poverty reduction.  - 財務省

力を競争的に誇示するという習慣の成長に好ましい条件は、（１）大きなしかも突然の緊張を呼び寄せるような危機が何度も繰り返すことと、（２）個人が、大きな、特に移行的な、その是認が求められている人間環境に曝されていることである。例文帳に追加

The conditions favorable to the growth of a habit of emulative demonstration of force are (1) the frequent recurrence of conjunctures that call for a great and sudden strain, and (2) exposure of the individual to a large, and especially to a shifting, human environment whose approval is sought.  - Thorstein Veblen『ワークマンシップの本能と労働の煩わしさ』

本発明に係るIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、反応炉５内に配置した基板上にＳｅを含むIII−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル結晶を層成長させた後、次回のエピタキシャル結晶成長を行う前に、反応炉５の導入配管３に有機金属ガス２のみを流し、導入配管３内に残留したＳｅを取り除くものである。例文帳に追加

In the method of a group III-V, after epitaxial crystal of the group III-V compound semiconductor containing Se is grown by a layer on a substrate arranged in a reactor 5, only an organic metal gas 2 is put into the introduction piping 3 of the reactor 5 before the succeeding epitaxial crystal growth is started, and Se remaining in the introduction piping 3 is removed. - 特許庁

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁

本発明の成膜方法では、カルボニル基を含む有機金属化合物ガスと、シリコン原料ガスとを導入管２０内で混合させた後、真空槽２内に注入し、予め加熱したシリコン基板１２の表面に金属シリサイド薄膜を気相成長させている。例文帳に追加

In this film deposition method, gaseous organometallic compound containing a carbonyl group and a gaseous silicon starting material are mixed in an introduction tube 20, this mixture is thereafter charged into a vacuum tank 2, and a metallic silicide thin film is vapor-phase-grown on the surface of a preheated silicon substrate 12. - 特許庁

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。例文帳に追加

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object. - 特許庁

有機金属化合物または無機化合物のゾル溶液を、円柱形基材１の曲面上に作製した結晶核２に塗布し、固化、熱処理して結晶形状が柱状を成す酸化チタン結晶３を該結晶核２より成長させるた。例文帳に追加

A sol of an organometallic compound or an inorganic compound is applied to crystal nuclei 2 formed on the curved surface of a cylindrical support 1 and is solidified and heat-treated to grow titanium oxide crystals in a columnar crystal form on the nuclei 2. - 特許庁

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。例文帳に追加

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2. - 特許庁