「回縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(199ページ目) - Weblio英語例文検索

基材Ａは、高周波電力が印加されるサセプタ３７１に対して絶縁されており、且つ基材ＡはグラウンドＥに接地されているので、基材Ａに電荷が蓄積されることなく、基材Ａの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。例文帳に追加

As a substrate A is insulated against a susceptor 371 to which high-frequency electric power is applied and grounded to the ground E, an electric charge is not accumulated on the substrate A and plasma particles heading for the surface of the substrate A travel parallelly each other so as to form precisely a minute shape such as a diffractive structure. - 特許庁

粉粒体の収容容器を有し、その収容容器の下方に設置された駆動部と、前記駆動部と連動される回転軸に取り付けられ、周縁に粉体の計量溝を適宜ピッチで形成した供給盤と、その供給盤の外方端下に形成された排出シュートとより構成された粉粒体の定量フィーダ装置において、前記した供給盤は上面側を小径としたベベルギア状に構成されていることとする。例文帳に追加

The supply board is constituted in a bevel gear shape of forming the upper surface side in a small diameter. - 特許庁

半導体素子の製造工程、特に半導体素子の裏面研磨工程で生じる外的応力を緩和し、回路を構成する層間絶縁膜へのダメージを軽減できるバンプ構造を備えた半導体素子及びその製造方法、並びにこの半導体素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element having a bump structure which reduces external stress to be generated in a manufacturing process of the element, especially, in a rear face polishing process, and less damages an interlayer insulation film which constitutes a circuit, and also to provide its manufacturing method, and a semiconductor device including the semiconductor element and its manufacturing method. - 特許庁

感度、解像度ともに優れ、アルカリ水溶液のみによって迅速に現像することができ、しかも、基材との密着性に優れ、さらには、イミド化後に淡色のポリイミド樹脂の皮膜を得ることのできる、感光性樹脂組成物、および、その感光性樹脂組成物から得られる絶縁層を有する、回路基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition excellent in both sensitivity and resolution, rapidly developable with only an aqueous alkali solution, excellent also in adhesion to a substrate and capable of giving a light-colored polyimide resin film after imidation and to provide a circuit board having an insulating layer obtained from the photosensitive resin composition. - 特許庁

４トランジスタの直列体において、バイアス電圧を２トランジスタに印加し、入力信号振幅をバイアス電圧に応じて調整することによりゲート絶縁膜の印加電圧を緩和する回路において、出力信号に対する出力トランジスタのしきい値電圧の変動が及ぼす影響を低減する。例文帳に追加

To reduce influence that the fluctuation of threshold voltages of output transistors affects the output signal in a circuit reducing applied voltages of a gate insulating film by applying the bias voltages to two transistors and adjusting the input signal amplitude in accordance with the bias voltages in a series circuit of four transistors. - 特許庁

遮蔽板１０が開き状態の時には作動レバー２０のストッパ２２が本体１の作動レバー挿通口７周縁に当接して遮蔽板１０を保持し、遮蔽板１０が閉じ状態の時にはロック部材３０をロック部材挿通口２６に挿通して回転することで作動レバー２０をロックすることで遮蔽板１０をロックする。例文帳に追加

When the shielding plate 10 is in the opened condition, the lock member 30 is inserted in the lock member insertion port 26 and turned to lock the operation lever 20 and the shielding plate 10, accordingly. - 特許庁

（ａ）シロキサン樹脂と、（ｂ）アルキレングリコールジアルキルエーテル又はジアルキレングリコールジアルキルエーテルと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系被膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、無機砥粒を含まない研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。例文帳に追加

The chemical mechanical polishig method comprises a step of polishing the semiconductor integrated circuit with the silica system film obtained by coating a composite for forming the film including a siloxane resin (a), and an alkylene glycol dialkylehter or a dialkylene glycol dialkylehter (b) used as the interlayer insulating film with the use of a polishing liquid including no inorganic abrasive grain. - 特許庁

チロシン、チロシン及びこれらの類縁体からなる群より選ばれる少なくとも１種の基質化合物を、以下の(a)、(b)、 (c) 、及び(d)の１以上の要因で高いカテコールオキシダーゼ活性を示す細胞と存在させ、メラニン前駆体に変換する工程と、メラニン前駆体回収工程とを含むメラニン前駆体の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the melanin precursor comprises a process for converting at least one substrate compound selected from the group consisting of tyrosine and its analogues in the presence of cells exhibiting high catechol oxidase activity due to one or more factors of the following (a) to (d) and a process for recovering the melanin precursor. - 特許庁

エポキシ樹脂、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤、および硫酸バリウムを必須成分として含み、エポキシ樹脂１００質量部に対し、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤５〜１５質量部、硫酸バリウム２０〜５０質量部が含有されている、ビルドアップ工法で製造される多層回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物。例文帳に追加

The resin compound for the interlayer insulation layers of a multilayer circuit board manufactured by a buildup method includes an epoxy resin, a phenol-xylilene resin hardening agent, and barium sulfate as essential components, and contains a 5-15 mass parts phenol-xylilene resin hardening agent and 20-50 mass parts barium sulfate to 100 mass parts epoxy resin. - 特許庁

容量素子とＭＯＳトランジスタとを有する半導体装置及びその製造方法において、反射防止膜による絶縁不良を防止するとともに、スペーサ形成時まで反射防止膜を残し、スペーサ形成時のエッチング工程においてＭＯＳトランジスタ及び容量素子にダメージを与えることを回避する。例文帳に追加

To prevent insulation failures due to an antireflection film, and allow the antireflection film to remain until the time of spacer formation, and prevent damages on an MOS transistor and a capacitative element in an etching process, at spacer formation in a semiconductor device having the capacitative element and the MOS transistor, and a method for manufacturing this device. - 特許庁

ビデオスコープ１０を備えた電子内視鏡システムにおいて、ビデオスコープ１０とパーソナルコンピュータ６０との間に、絶縁回路を備えた映像信号処理装置３０を設け、ＵＳＢ規格に対応した伝送ケーブル５０Ａ、５０Ｂによってビデオスコープ１０、映像信号処理装置３０、パーソナルコンピュータ６０を接続する。例文帳に追加

In the electronic endoscope system provided with a video scope 10, a video signal processor 30 having an insulation circuit is provided between the video scope 10 and a personal computer 60, and the video scope 10, the video signal processor 30 and the personal computer 60 are connected by transmission cables 50A and 50B corresponding to a USB standard. - 特許庁

ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳ及び高濃度拡散領域のバックゲートＢＧが、この順序で形成され、ドレイン出力端子ｐａｄを有する絶縁ゲート電界効果型トランジスタを含む半導体集積回路装置において、バックゲート用に形成された前記高濃度拡散領域の一部分の、ドレイン出力端子ｐａｄが設けられた位置とは反対側のみに金属配線を設ける。例文帳に追加

In the semiconductor integrated circuit apparatus, a drain D, a gate G, a source S, and a back gate BG in a high-concentration diffusion region are formed in this order, and an insulating gate field effect transistor having a drain output terminal pad is included. - 特許庁

高い熱伝導性と高い柔軟性を併せ持つ電気絶縁性の熱伝導シート、およびそのようなシートを生産性・コスト・エネルギー効率の点で有利に、かつ確実に得る製造方法を提供すること、さらに高い放熱能力を持ち、かつ回路近傍でショートが生じるリスクの少ない放熱装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrical insulating heat conductive sheet having both high heat-conductivity and high flexibility, to provide a method for obtaining the sheet favorably in terms of productivity, cost, and energy efficiency with certainty, and to provide a heat radiator having a high heat radiation capability and having few risk of short near the circuit. - 特許庁

集積回路装置１０に設けられたプログラマブルＲＯＭブロック２０は、書き込み／読み出しトランジスタ２２０及び消去トランジスタ２３０の各ゲートに共用されるフローティングゲートＦＧが、不純物層ＮＣＵより成るコントロールゲートＣＧと絶縁層を介して対向した単層ゲート構造であるメモリセルＭＣを有する。例文帳に追加

A programmable ROM block 20 provided in the integrated circuit device 10 has a memory cell MC in which a floating gate FG shared in each of gates of a writing/reading transistor 220 and an erasing transistor 230 is a single layer gate structure opposite to a control gate CG consisting of an impurity layer NCU via an insulation layer. - 特許庁

半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、 研磨粒子、少なくとも１種の界面活性剤、水を含む研磨用組成物であって、該界面活性剤の少なくとも一つが、２つ以上の３級アミノ基と１つの親油部を含む化合物である研磨用組成物。例文帳に追加

The polishing solution is used for the chemical mechanical polishing of the barrier layer and the interlaminar insulation film of a semiconductor integrated circuit, wherein its polishing composition includes abrasive grains, at least one of surfactants, and water, and at least one of the surfactants is a compound containing two or more tertiary amino groups and one lipophile part. - 特許庁

すなわち、円板型絶縁性基板の両面に同一個所に放射状に複数の短冊形の銅箔層を形成し、該短冊型銅箔層の長辺を含んで、両面銅箔層と基板を貫いて短冊状にカットし、上下銅箔層につながる基板のカット面に銅スルーホールメッキで銅箔層を形成して該３面の銅箔層で構成される樋型電極を放射状に多数形成することで、１枚の回転型移動子が製造できる。例文帳に追加

Each copper foil layer is formed at the cut face of the board, which joins to the upper and lower copper foil layer, by using copper through-hole plating, and one sheet of rotating type movement element is fabricated by forming many tub-shaped electrodes made up of three-face copper coil layers radially. - 特許庁

ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。例文帳に追加

In a non-insulating type DC-DC converter wherein a power MOSFET for high side switch and a power MOSFET for low side switch are connected in series, the power MOSFET for low side switch and a Schottky barrier diode D1 connected in parallel with the power MOSFET for low side switch are formed in the same semiconductor chip 5b. - 特許庁

完全パンツの前後胴回り部の幅方向端縁とサイドシールとの間にパンツ本体の長手方向に延びるスリット状その他の開口もしくは片側からの短冊部形成用切込みあるいはこれらの開口もしくは切込みを形成しうるミシン目を備えていることを特徴とするパンツ型使い捨ておむつ。例文帳に追加

This shorts type disposable diaper is provided with a slit type or other opening, or notches or openings for forming oblong part from one side, or perforation forming the notch extending in the longitudinal direction of the shorts body between a width directional edge and a side seal of the front/rear waist part of a perfect shorts. - 特許庁

混成集積回路装置に用いる半導体装置、特にパワートランジスタ１３を内蔵した半導体装置は、ヒートシンク１１上にパワートランジスタ１３を固着し、パワートランジスタ１３と隣接して設けられた取り出し電極１２とを金属細線１６で接続し、絶縁性樹脂１７でモールドされている。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor used for the hybrid integrated circuit device or particularly the semiconductor containing a power transistor 13 comprises steps of fixing the power transistor on a heat sink 11, connecting an extracting electrode 12 provided adjacent to the transistor 13 by a fine metal wire 16, and molding them with an insulating resin 17. - 特許庁

引き出し溝は、その途中で交差する分割溝２４によって分断され、それによって一つの引き出し溝から分割溝を通り別の引き出し溝へと引き出し方向を変えるエッジ部が形成され、該エッジ部に引き出し線部分の絶縁被覆が圧接した状態で、引き出し線部分が引き回されるようにする。例文帳に追加

The leader line groove is cut apart by a division groove 24 crossing enroute, thereby forming an edge part for changing a leading direction from one leading groove to another leading groove through the division groove, and the leader line portion is drawn around while the insulating coating of the leader line portion is connected to the edge part by insulation displacement. - 特許庁

本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。例文帳に追加

To improve the characteristics of a TFT(thin film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, specially a channel formation region, and an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit, consisting of a semiconductor element having uniform characteristics, and the manufacturing method of the device. - 特許庁

本発明のフィルム状回路接続材料は、接着剤組成物及び、導電粒子５１の表面５１ａの一部が絶縁性微粒子５２により被覆された被覆粒子５０を含有する第一の層と、第一の層の片面に設けられ、被覆粒子５０を含有せず、接着剤組成物からなる第二の層とを備える。例文帳に追加

The film circuit connection material includes a first layer containing an adhesive composition and coated particles 50 partially coated by insulation fine particles 52 of a surface 51a of conductive particles 51, and a second layer made of an adhesive composition without containing coated particles 50 fitted on one side of the first layer. - 特許庁

画素を構成する絶縁基板ＳＵＢ１上に、該画素を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と同一の半導体膜で、ＴＦＴからなる検出波長域が異なる光を検出する複数の光センサＰＳＥと、光センサＰＳＥの出力に基いて画素の明るさを制御する信号を生成する信号処理回路ＰＳＰを形成する。例文帳に追加

The image display device forms a plurality of light sensors PSE for detecting light whose detection wavelength region is different comprising a thin film transistor (TFT) on the same semiconductor film as the TFT composing pixels on an insulation substrate SUB1 composing the pixels, and a signal processing circuit PSP for generating signals controlling brightness of the pixels based on output of the light sensors PSE. - 特許庁

また、トナーが高濃度化しても、液体現像剤の平行電極間における電気２重層容量と電極反応における電子授受の速度に対応する電気抵抗が平行に接続され、かつ、絶縁性液体中の電気伝導に対応する抵抗が直列に接続された電気回路で、電気容量成分に著しい変化がない現像剤とする。例文帳に追加

Further, even when the toner becomes high in density, a developer does not cause remarkable variation of an electric capacity component in an electric circuit wherein the electric double-layer capacity of the liquid developer between parallel electrode and electric resistance corresponding to the speed of electron transfer are connected in parallel and resistance corresponding to electric conduction in insulating liquid is connected in series. - 特許庁

この発明は、プリント基板に電源端子と、整流器と、コンデンサーと、単数又は複数の発光ダイオードとを接続して交流用発光ダイオード点灯回路セットとし、これを合成樹脂ケースに収容し、合成樹脂絶縁材を充填したことを特徴とするサイン表示装置用の交流用ＬＥＤ点灯ユニットにより、目的を達成した。例文帳に追加

The alternating LED lighting unit for the sign display device is obtained by connecting a power supply terminal, a rectifier, a capacitor, one or a plurality of light emitting diodes to a printed circuit board to form an alternating light emitting diode lighting circuit set, housing the set in a synthetic resin case and filling it with a synthetic resin insulating material. - 特許庁

絶縁基板の表面に薄い第一金属皮膜を形成した後、回路の形成を予定する部分にレジスト皮膜を形成し、次いで、エッチング除去を行った後、レジスト皮膜を除去し、次いで、電解メッキを行うことにより第二金属皮膜を形成して、配線パターンを形成することを特徴とする。例文帳に追加

The method is characterized that a wiring pattern is formed by forming a resist coating film where a circuit is expected to be formed after a 1st thin metal coating film is formed on a surface of an insulating substrate, removing the resist coating film after etching, and then forming the 2nd metal coating film by carrying out electrolytic plating. - 特許庁

トナー排出口を有するトナー容器内に回転するアジテータが配設されたトナー容器において、一端が開口部縁部に固定され、他端が自由端であり、該自由端が開口に対し接触しない状態で設けられた可撓性部剤で開口（トナー排出口）が覆われていることを特徴とするトナー容器。例文帳に追加

In this toner vessel with a toner discharge port 1 made and a rotating agitator 5 disposed therein, a port (the toner discharge port 1) is covered with a flexible member 7 in which one end is fixed to the bank part of the port, the other end is a free end and the free end is installed off the port. - 特許庁

高周波回路に用いられるインダクタンス素子において、基板の絶縁膜上に平行に位置するように形成された複数の配線パターンと、互いに隣接する２つの前記配線パターンのうち一方の前記配線パターンの他端と他方の前記配線パターンの一端を順次接続する複数のボンディングワイヤとを設ける。例文帳に追加

The inductance element used for a high frequency circuit includes a plurality of wiring patterns formed so as to be disposed in parallel on an insulating film of a substrate, and a plurality of bonding wires for sequentially connecting the other end of one wiring pattern of the two adjacent wiring patterns to the one end of the other wiring pattern. - 特許庁

２枚のディスクプレートを接着する紫外線硬化樹脂を硬化させるための紫外線照射工程において使用する回転テーブルを、直径の異なる２種類のディスクに対して切り換え使用可能とし、この際、生産効率を落とすことなく、しかもディスク周縁のＵＶ樹脂の硬化が不十分とならないようにする。例文帳に追加

To provide a rotary table used in an ultraviolet ray (UV) irradiation process for setting an UV setting resin used for sticking two disk plates, which rotary table can be used by being changed for two kinds of disks having different diameters without lowering the production efficiency and further without insufficiently setting the UV setting resin around the periphery of the disks. - 特許庁

温度検出素子２２を回路基板１３に取付けることができるので、パワー半導体素子が配置された冷却フィン１５から温度検出素子２２の電気的な絶縁をとる必要が無く、リード線や、このリード線の配線のための工数が不要にあので、電力変換装置におけるパワー半導体素子の保護を、安価に実現する事が出来る。例文帳に追加

The temperature detection element 22 can be attached to a circuit board 13, so that electric insulation between a cooling fin 15 on which the power semiconductor device is arranged and the temperature detection element 22 is unnecessary, and a lead wire and man-hour for wiring the lead wire is unnecessary. - 特許庁

流体制御装置におけるポンプ室とアクチュエータ室とを画するように、該流体制御装置に備えられるダイヤフラムであって、導電性部材と、前記導電性部材が前記ポンプ室及びアクチュエータ室と接しないように該導電性部材の両側面を覆う絶縁性部材とを有し、前記導電性部材を含む抵抗値検出回路を形成し得るように構成されている。例文帳に追加

The diaphragm so provided in a fluid control device as to partition a pump chamber in the fluid control device from an actuator chamber comprises a conductive member and an insulating member so covering the conductive member at both sides as to preclude the contact of the conductive member with the pump chamber and the actuator chamber, wherein a resistance value detection circuit containing the conductive member is formed. - 特許庁

圧電材ウエハ上に逆メサ構造で複数個形成された圧電基板１のそれぞれの凹部面側に蒸着によって電極金属膜２を蒸着する際に、ウエハ上のそれぞれの基板凹部のレジスト溜りが形成される部分（回転外縁端面）３にマスク４を施して電極金属膜２を蒸着する。例文帳に追加

When electrode metallic films 2 are vapor-deposited by vapor deposition on each concave surface of a plurality of piezoelectric substrates 1 of the inverse-mesa structure formed on a piezoelectric material wafer, the electrode metallic films 2 are vapor-deposited by providing a mask 4 on a portion (rotating external edge end surface) 3 where the resist reservoir of each substrate concave on the wafer is formed. - 特許庁

充電台は、電池内蔵機器３０がセットされて絶縁出入具１８が押されると、弾性金属線１７が弾性変形して、スプリング線１３の弾性コイル部１３Ｃに接触してスイッチ１４がオン状態に切り換え、弾性金属線１７を介して充電回路２０をスプリング線１３に接続する。例文帳に追加

When the apparatus 30 incorporating a battery is set and the insulated insert/withdraw member 18 is pushed, the resilient metal wire 17 deforms resiliently to touch the resilient coil portion 13C of the spring wire 13, and the switch 14 is turned on to connect the charging circuit 20 with the spring wire 13 through the resilient metal wire 17. - 特許庁

ティルティング機構１０は、フレーム台車１のローラシャフト５に周縁が当接してフレーム台車１上で回転自在になっているローリングプレート１１と、このローリングプレート１１に固定され、被運搬物Ｃの下端角部が載置される側面から見てほぼＬ字状のティルティングプレート１８とを備える。例文帳に追加

The tilting mechanism 10 has a rolling plate 11 freely rotatable on the frame carriage 1 by allowing the peripheral edge to abut on a roller shaft 5 of the frame carriage 1, and a tilting plate 18 fixed to this rolling plate 11 and being a substantially L shape when viewed from a side surface for placing the lower end corner part of the carrying object C. - 特許庁

ロータ１２及び該ロータ１２の周囲に配設されるステータコア１３と、該ステータコア１３に巻回されるコイル１４からステータコア１３を絶縁するべく当該ステータコア１３に固定されるインシュレータ１５と、を有するモータ部１０と、該モータ部１０を収容する有底四角筒状のモータケース１１とを具備した電動モータ１である。例文帳に追加

The electric motor 1 comprises: a motor section 10, having a stator core 13 provided in and around a rotor 12, and an insulator 15 fixed to the stator core 13 to insulate the stator core 13 from a coil 14 wound around the stator core 13; and a motor case 11 formed in a bottomed, square cylindrical shape for storing the motor section 10. - 特許庁

これによれば、２つの回路基板を異方性導電膜で接続した後、測定電極１２１，１２３間の抵抗値により接続抵抗の良否を検査でき、また、測定電極１２１，１２２間および測定電極１２２，１２３間の各抵抗値により端子間絶縁抵抗の良否を検査できる。例文帳に追加

As a result, after the two circuit boards are connected by an anisotropic conductive film, it can be inspected whether connection resistance is conforming or not according to the resistance between the measurement electrodes 121 and 123, and it can be inspected whether the insulation resistance between terminals is conforming or not according to each resistance between the measurement electrodes 121 and 122 and between the measurement electrodes 122 and 123. - 特許庁

ランプ本体３２が後退すると、ラジエータサポート３９における取付穴５２の周縁部３９Ａによって、クランプ部４２の連結部４２Ｄと大径部４２Ｂとが削られて金属製の取付座４０とラジエータサポート３９とが直接接触し、制御回路に連結されいる電線５４がアースされるようになっている。例文帳に追加

When the lamp main body 32 is retreated, the connection part 42D of a clamp 42 and a big diameter part 42B are shaved by the periphery edge 39A of the installation hole 52 on a radiator support 39 and the metal installation seat 40 is directly contacted with the radiator support 39 and the wire 54 connected to a control circuit is earthed. - 特許庁

絶縁体からなるリード線ホルダに界磁巻線リード線とスリップリングリード線を集約させて接合するターミナルを備え、それを回転子シャフトに圧入固定することによって分散して結線していた２つのリード線の結合を一ヶ所できるようになり、結線作業が容易確実となる。例文帳に追加

By having a lead wire holder of insulator provided with a terminal which gathers and a field coil lead wire and a slip ring lead wire jointed, which is press-fitted and secured in a rotor shaft, two connection operations of lead wires which were separately connected can be made at a single point, for easy and sure connection operation. - 特許庁

マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３と終端抵抗Ｒとが形成された多層基板３０と、前記多層基板３０を保持するケースとを備えた非可逆回路素子。例文帳に追加

The nonreciprocal circuit element is provided with: a microwave ferrite; a plurality of center electrodes crossing the microwave ferrite while being insulated from each other; a permanent magnet for applying a DC magnetic field to the microwave ferrite; the multilayered board 30 on which matching capacitors C1, C2, C3 and a termination resistor R are formed; and a case for supporting the multilayered board 30. - 特許庁

液晶装置は、第１基板（１）上に多重マトリクス状に設けられた信号電極（１０）と、第２基板（２）上に信号電極に夫々交差するようにストライプ状に設けられた走査電極（２０）と、額縁領域内に位置し且つ信号電極の一端側に位置する所定個所における第１基板上に取り付けられた１チップ構造の駆動回路（１００）とを備える。例文帳に追加

The liquid crystal device is provided with signal electrodes 10 arranged in a multiple matrix form on a 1st substrate 1, scanning electrodes 20 arranged in stripes on a 2nd substrate 2 so that each intersects the signal electrodes, a one-chip-structured driving circuit 100 mounted on the 1st substrate in a prescribed place positioned in a frame area and on one end side of the signal electrodes. - 特許庁

本発明の半導体装置１１は、一対の放熱板１３、１４の各外面に、圧縮変形可能な材質の絶縁シート１８を貼り付けた状態で樹脂モールドするように構成したので、成形型２０として単純な構成の上下型を使用しても、樹脂１９が放熱板１３、１４の各外面に回り込むことを防止できる。例文帳に追加

The semiconductor of the present invention is configured such that the resin mold is performed in a state where an insulating film 18 consisting of a compressible and deformable material is attached to each external surface of a pair of heat sinks 13 and 14, and can prevent the resin 19 from traveling to each of the external surface of the heat sinks 13 and 14. - 特許庁

ＦＰＣ挿入空間２１が設けられた絶縁ハウジング２と、複数の端子３と、ＦＰＣ挿入空間２１にＦＰＣを挿入可能とする第１の位置と、挿入されたＦＰＣを端子３のコンタクト片３１に向けて付勢する第２の位置の間で回動可能に設けられたアクチュエータ４とを備えている。例文帳に追加

The FPC connector comprises an insulation housing 2 having an FPC insertion space 21, a plurality of terminals 3, and an actuator 4 arranged in free rotation between the first position enabling the FPC to be inserted into the FPC insertion space, and a second position energizing the inserted FPC toward contact pieces 31 of the terminals 3. - 特許庁

各コンバータ部の力率改善回路（３−１，３−２，３−３）は、絶縁コンバータトランス（ＰＩＴ−１，ＰＩＴ−２，ＰＩＴ−３）に巻装した三次巻線Ｎ３に伝達されたスイッチング出力を整流電流経路に対して電圧帰還して整流電流を断続し、これにより交流入力電流の導通角を拡大させる構成を採る。例文帳に追加

Voltage of the power factor improving circuits (3-1, 3-2, and 3-3) of each converter feed back the switching output transmitted to tertiary winding N3 wound on insulated converter transformers (PIT-1, PIT-2, PIT-3) to rectified current paths, thereby enlarging the angles of conduction of AC input currents. - 特許庁

スイッチ制御回路１４０は、一つの半サイクル期間のなかに、双方向サイリスタＴ５４を導通させる期間と、双方向サイリスタＴ５４を絶縁させる期間とを設ける調光度指示期間と、一つの半サイクル期間の間継続して双方向サイリスタＴ５４を導通させる電力供給期間とを設ける。例文帳に追加

A switch control circuit 140 has a dimming-degree directing period consisting of a period of conducting the bidirectional thyristor 54 and a period of insulating the bidirectional thyristor 54 in one half-cycle period, and a power-feeding period for conducting the bidirectional thyristor 54 continuously during one half-cycle period. - 特許庁

液状樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に回路面に突起電極を有する半導体チップを封止するエリア実装法において、従来と同様に電気絶縁性に優れ、封止時間が短く、またそのプロセス中に発生しうるボイドや樹脂のひけを抑えることができる樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition which excels in electrical insulation properties as in the conventional one, has a short period of sealing time, and can inhibit voids and sink marks to be generated during its process in the area amounting method which seals a semiconductor chip, particularly a semiconductor chip having a protruding electrode on the circuit surface. - 特許庁