「研範」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

２００〜１，０００，０００の重量平均分子量を有する水溶性包接化合物（ａ）を、０．５質量％を超えて１０質量％以下の範囲で、研磨砥粒（ｂ）、水（ｃ）とともに含有させて化学的機械的研磨用スラリーとする。例文帳に追加

The slurry for chemical mechanical polishing includes a water-soluble compound (a) having 200 to 1,000,000 weight-average molecular weight in the range of >0.5 mass% and ≤10 mass%, a polishing sand particle (b), and water (c). - 特許庁

（Ａ）酸化剤、（Ｂ）有機酸、（Ｃ）砥粒、及び（Ｄ）三価の鉄化合物を０．１ｐｐｂから５０ｐｐｍの範囲で含む、半導体デバイスの配線工程における化学的機械的研磨に用いられる金属用研磨液。例文帳に追加

The polishing solution for metal used for chemical mechanical polishing in the wiring process of a semiconductor device contains (A) an oxidizing agent, (B) an organic acid, (C) abrasive grains and (D) a trivalent iron compound in the range of 0.1 ppb-50 ppm. - 特許庁

両面研磨装置を用いて、素材ウェーハの片面を仕上げ研磨して、表面と裏面とで表面粗さが所定の範囲でそれぞれ異なり、優れた平坦度を有する両面鏡面半導体ウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a both-sided mirror surface semiconductor wafer which includes a front surface and a back surface differing in surface roughness within a predetermined range and has superior flatness by performing finish polishing on one surface of a material wafer by using a both-side polishing device. - 特許庁

ロボット３１の稼動範囲内には、内皮剥離装置３３と、コネクタ部品挿入装置３４と、接着剤硬化装置３５と、研削装置３６と、研磨装置３７が配置されている。例文帳に追加

An inner skin separating device 33, a connector part inserting device 34, an adhesive hardening device 35, a grinding device 36 and a polishing device 37 are arranged in an operation range of the robot 31. - 特許庁

そして、この部分に溜まったスラリーは、ウェーハの外周部の広い範囲からウェーハと研磨パッド２との間に浸入していき、ウェーハの研磨に資する。例文帳に追加

The slurry accumulated in the space between the arcuate wall 4 and the top ring 3 intrudes into the space between the wafer and the polishing pad 2 from a wide range of the outer peripheral part of the wafer and contributes to the polishing of the wafer. - 特許庁

被処置部の位置、状態等によらず、広範囲を容易に研磨して、検査作業が行える工業用内視鏡装置、及び研磨装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an industrial endoscopic instrument by which inspecting work is performed by easily grinding a wide range regardless of the position and the state or the like of a part to be treated, and a grinding device. - 特許庁

リテーナリングの可動範囲が阻害されることなく、リテーナリングと周壁部との干渉を防ぎ、安定した研磨を行うことができるウェーハ研磨ヘッドを提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a wafer polishing head capable of performing stable polishing while interference between a retainer ring and circumferential wall part is being prevented with no retainer ring movable range impaired. - 特許庁

砥石４およびワーク１をそれぞれ回転させて研削加工を行う際に、主制御装置９は研削面のうねりのピッチの大きさが所定範囲となる回転数比を算出する。例文帳に追加

When grinding is performed by rotating a grinding wheel 4 and a workpiece 1, a main controller 9 calculates a revolution speed rate allowing the pitch of the waviness of a ground face to be within a specified range. - 特許庁

放電ワイヤ２に沿って移動する清掃部材１２に備えられ、放電ワイヤ２に付着した異物を除去するための研磨剤として、平均粒径が放電ワイヤ２の径の１／６０以上で１／６以下の範囲内の研磨剤を用いる。例文帳に追加

As the abrasive material provided to a cleaning member 12 moving along a discharge wire 2 to remove foreign substances sticking to the discharge wire 2, an abrasive material whose average particle diameter is 1/60 to 1/6 of the diameter of the discharge wire 2 is used. - 特許庁

例えば、研磨処理工程の実効電位差ΔＶｅｐと、画像形成処理工程の実効電位差ΔＶｅｉとの差を所定の範囲に設定することによって感光体表面の研磨を実行する。例文帳に追加

For example, the photoreceptor surface is polished by setting the difference between effective potential difference ΔVep in the polishing process and effective potential difference ΔVei in the image forming process within a prescribed range. - 特許庁

平均粒径が１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある極微小の砥粒が一次粒子の状態で固定された研磨層をベースフィルムの表面に形成した研磨フィルムの製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a polishing film producing method, the film consisting of a base film and a polishing layer which is formed by fixing submicroscopic abrasive grains with an average grain size of 1 to 500 nm, and applied to a surface of the base film in the form of primary particles. - 特許庁

研磨用組成物のｐＨは８〜１１．５の範囲にあり、研磨用組成物中に含まれる塩基性不純物の量は、ＳｉＯ_2に対して１００ｐｐｍ以下である。例文帳に追加

The pH of the composition for polishing ranges from 8 to 11.5, and the amount of basic impurities contained in the composition for polishing is 100 ppm or smaller to SiO_2. - 特許庁

砥石３の端面の研磨時接触線を、砥石３の端面の中心孔の中心を通る直径線４、５乃至中心孔を外れない限度の直径線に平行する弦線４、５の範囲内にして研磨する。例文帳に追加

A contact line at the time of polishing an end face of the grinding wheel 3 is set in a scope of diameter lines 4, 5 passing through the center of a central hole at the end face of the grinding wheel 3 or chord lines 4, 5 parallel with a diameter line to such extent that it is not deviated from the central hole for polishing. - 特許庁

砥粒および陰イオン性界面活性剤を含む研磨剤であり、陰イオン性界面活性剤の濃度がスラリー１００重量部に対して０．５重量部〜１０重量部の範囲である研磨剤。例文帳に追加

This polishing agent contains abrasive grains and an anionic surface active agent with a concentration of the anionic surface active agent of 0.5-10 pts.wt. based on 100 pt.wt. slurry. - 特許庁

この液晶パネル１０におけるシール材１３の外側にある外側部位１０Ｓを図示点線で示す範囲内で研削工具１７によって研削除去する。例文帳に追加

An external area 10S located outside the sealant 13 in this liquid crystal panel 10 is ground to be cleared with a grinding tool 17 within the range shown by a dotted line in the Fig. (a). - 特許庁

結晶加工時における研磨速度が相対的に速い｛１００｝面及び／又は研磨速度が相対的に遅い｛１１１｝面の基板面の総面積（Ｓ_０）に占める割合を適当な範囲となるようにする。例文帳に追加

The ratio of a {100} plane having relatively high polishing speed in crystal machining and/or a {111} plane having relatively low polishing speed to the total area S_0 of a substrate surface is set in an appropriate range. - 特許庁

砥石３の端面の研磨時接触線を、砥石３の端面の中心孔の中心を通る半径線４乃至中心孔を外れない限度の半径線との平行線４の範囲内にして研磨する。例文帳に追加

A contact line at the time of polishing an end face of the grinding wheel 3 is within a scope of a radius line 4 passing through the center of a central hole on the end face of the grinding wheel 3 or a line 4 parallel with a radius line to such extent that it is not deviated from the central hole for polishing. - 特許庁

この研磨スラリーは、研磨粒子を分散媒中に分散させたものであり、研磨粒子として、粒径が１〜１０ｎｍの範囲にある単結晶ダイヤモンド粒子、多結晶ダイヤモンド粒子、又はこれら単結晶及び多結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子が使用される。例文帳に追加

The polishing slurry disperses polishing particles in a dispersion medium and, as the polishing particles, monocrystalline diamond particles, polycrystalline diamond particles whose particle diameters are within a range of 1 to 10 nm, or cluster particles consisting of the monocrystalline and the polycrystalline diamond particles are used. - 特許庁

加圧成形工程においては、軸線ＣＬ１に沿った成形体ＣＰ１の長さをＬとしたとき、成形体ＣＰ１の後端から２Ｌ／３の範囲内に、研削加工工程における研削量が最大となる最大被研削部ＭＧが存在するように、成形体ＣＰ１が形成される。例文帳に追加

In the pressurized molding process, provided, a length of the molding body CP1 along an axis line CL1 is L, the molding body CP1 is molded so that a maximum grinding part MG, and a grinding volume with the grinding working process being a maximum exists within range of 2L/3 from the rear end of the molding body CP1. - 特許庁

ヒビＭＣの長さを上記のような範囲のものとするための研磨材の最適の粒度は、緑色炭化珪素系微粉研磨材を用いる場合は、粒度＃２０００以上＃３０００以下であり、人造エメリー研磨材を用いる場合は、粒度＃１２００以上＃２０００以下である。例文帳に追加

The most optimized particle size of the abrasive material for making the mean length of the micro-cracks MC within the range mentioned above is ≥#2,000 and ≤#3,000 when a green silicon carbide fine powder abrasive material is used and is ≥#1,200 and ≤#2,000 when an artificial abrasive material is used. - 特許庁

平均一次粒子径が６０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ガラス基板をナップ層の圧縮率が１０％以上、圧縮弾性率が８５％以上である研磨パッドで研磨する。例文帳に追加

A polishing slurry containing colloidal silica having an average primary particle diameter of 60 nm or smaller, an acid and water, controlled into a pH range of 0.5 to 4 is used to polish the glass substrate with a polishing pad having a nap layer having a compressibility of 10% or higher and a compressive elastic modulus of 85% or higher. - 特許庁

この際、制御演算部３１は、回転力計２４で測定されたドレス駆動力と、記憶部３２に記憶されている研磨能率−ドレス駆動力関数を用いて、現時点での研磨能率を求め、この研磨能率が予め定めた範囲内であるか否かを判断する。例文帳に追加

In this case, a control arithmetic part 31, using dress drive force measured by a torque meter 24 and polishing efficiency-dress drive force function stored in a memory part 32, obtains polishing efficiency in the point of present time, to judge whether this polishing efficiency is in a predetermined range or not. - 特許庁

加圧成形工程においては、軸線ＣＬ１に沿った成形体ＣＰ１の長さをＬとしたとき、成形体ＣＰ１の後端から２Ｌ／３の範囲内に、研削加工工程における研削量が最大となる最大被研削部ＭＧが存在するように、成形体ＣＰ１が形成される。例文帳に追加

During the pressure molding step, the molding CP1 is so formed that a maximum ground part MG whose grinding amount is maximum during the grinding step is present in the range 2L/3 from the rear end of the molding CP1, where L is the length of the molding CP1 along the axial line CL1. - 特許庁

加圧成形工程においては、軸線ＣＬ１に沿った成形体ＣＰ１の長さをＬとしたとき、成形体ＣＰ１の後端から２Ｌ／３の範囲内に、研削加工工程における研削量が最大となる最大被研削部ＭＧが存在するように、成形体ＣＰ１が形成される。例文帳に追加

In the pressurized molding process, the mold body CP1 is formed so that a maximum ground part MG where a ground volume in a grinding process becomes maximum exists within a range of 2L/3 from the rear end of the mold body CP1, provided, a length of the mold body CP1 along the axis line CL1 is L. - 特許庁

加圧成形工程においては、軸線ＣＬ１に沿った成形体ＣＰ１の長さをＬとしたとき、成形体ＣＰ１の後端から２Ｌ／３の範囲内に、研削加工工程における研削量が最大となる最大被研削部ＭＧが存在するように、成形体ＣＰ１が形成される。例文帳に追加

In the press-molding step, when a length of the molding CP1 along the axial line CL1 is designated as L, the molding CP1 is formed so that a maximum ground part MG, at which a grinding amount in the grinding step is maximum, exists in a range of 2L/3 from the rear end of the molding CP1. - 特許庁

２０〜１５００ｅｑ／ｔｏｎの範囲でイオン性基を含有する樹脂中に微粒子砥粒が分散されていることを特徴とする研磨材において、該研磨剤が樹脂基材上にコーティングされ、該樹脂基材がShoreA硬度で75以下の樹脂であることを特徴とする研磨材である。例文帳に追加

A resin base material is coated with a polishing material in which fine grinding particles are scattered in resin containing ionic groups in a range of 20 to 1500 eq/ton and the resin base material consists of resin whose Shore A hardness is ≤75. - 特許庁

研究の複雑性と，抑圧的なイノベーションを避けるために広範囲な分野のみ支援することの必要性は，科学的研究の集約に関して，選択の自由を維持する研究助成金の管理へのより柔軟な体制を奨励するよう個々のエコノミーが考慮すべきことを意味する。例文帳に追加

Complexity of the research and necessity to support only broad areas to avoid stifling innovation means that individual economies should consider encouraging more flexible systems for research grant management that would maintain freedom of choice with regard to scientific research concentration. - 経済産業省

研磨用粒子は、平均粒子径（Ｄ）が５〜３００ｎｍの範囲にあるコア・シェル構造を有し、シェル部の厚さ（Ｓ_T ）が１〜５０ｎｍの範囲にあるシリカを主成分とするシリカ系複合酸化物からなる。例文帳に追加

The abrasive particle comprises a core-shell structure having an average particle diameter in the range of 5-300 nm and is composed mainly of a silica-based composite oxide having a thickness of the shell part (ST) in the range of 1-50 nm. - 特許庁

マイクロゴムＡ硬度が８０度以上で、かつ独立気泡数が１５０〜２５００（個／ｍｍ^2）の範囲で、かつ密度が０．６〜０．９５(g/cm^3)の範囲で、かつ平衡吸水率が５％以上であることを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加

A polishing pad is provided, which has micro rubber A hardness of 80 degrees or higher, the number of independent air bubbles is 150-2,500 (number/mm2), density is 0.6-0.95 (g/cm3), and equilibrium water-absorption factor is 5% or higher. - 特許庁

第１凸部４の内側範囲に第２凸部８が配置されているために、半導体ウェハの裏面研磨時に、第１凸部４の内側範囲が表面側に撓むことが抑制される。例文帳に追加

Since the second convex part 8 is disposed in the inner side range of the first convex part 4, distortion to the surface side of the inner side range of the first convex part 4 is restrained at the time of polishing the rear side of the semiconductor wafer. - 特許庁

リテーナリングの圧縮率は、研磨パッドの圧縮率の９５％以上、１０１％以下の範囲、好適に９９．４％以上、１００．６％以下の範囲にある。例文帳に追加

The compressibility of the retainer ring is within 95 to 101% of that of the polishing pad, preferably within 99.4 to 100.6%. - 特許庁

水系分散媒に、真球度が０．９以上、１．０以下の範囲にある球状粒子と真球度が０．３以上、０．９未満の範囲にある非球状粒子とが分散してなり、非球状粒子に対する球状粒子の重量比が２／９８〜３５／６５の範囲にある研磨用組成物である。例文帳に追加

In a composition for polishing, a spheroidal particle whose sphericity is 0.9 or larger and 1.0 or smaller and a non-spheroidal particle whose sphericity is 0.3 or larger and less than 0.9 are dispersed in a water-based dispersive medium, and the weight ratio of the spheroidal particle to the non-spheroidal particle ranges from 2/98 to 35/65. - 特許庁

研磨用粒子は、平均粒子径（Ｄ）が５〜３００ｎｍの範囲にあるコア・シェル構造を有し、シェル部の厚さ（Ｓ_Ｔ ）が１〜５０ｎｍの範囲にあるシリカからなり、シェル部の密度は１．６〜２．２ｇ／ｃｃの範囲にあり、シェル部のＮａ含有量は１０ｐｐｍ以下である。例文帳に追加

The polishing particle provides an abrasive having a core-shell structure wherein an average particle diameter (D) is in the range of 5-300 nm, the shell part is composed of silica having thickness (S_T) in the range of 1-50 nm, has density in the range of 1.6-2.2 g/cc and Na content of ≤ 10 ppm. - 特許庁

前記磁気記録媒体は、磁性層表面の原子間力顕微鏡で測定した高さ１０ｎｍ以上の突起数が５０〜２５００個／１００００μｍ^2の範囲であり、磁性層表面の潤滑剤量は、表面潤滑剤指数で表すと０．５〜５．０の範囲であり、磁性層の表面研磨剤占有率は２〜２０％の範囲である。例文帳に追加

This reproducing head is a magnetoresistive head having a spin valve layer. - 特許庁

水、平均一次粒子径が９〜６０ｎｍのヒュームドシリカおよびヒュームドシリカを除く平均一次粒子径が４０〜６００ｎｍの球状シリカを含み、ヒュームドシリカと球状シリカとを合わせた全シリカの含有量が１〜４０重量％の範囲である研磨剤、および該研磨剤を用いて半導体デバイスを研磨する半導体デバイスの研磨方法。例文帳に追加

This abrasive comprises fumed silica having 9-60 nm average primary particle diameter and spherical silica having 40-600 nm average primary particle diameter except fumed silica in 1-40 wt.% of the total silica content of the fumed silica and the spherical silica. - 特許庁

研磨工程においては、金属リングＷに研磨ブラシ２が当接した際に研磨ブラシ２を回転駆動するモータの負荷電流値を検出し、検出された負荷電流値が予め設定された所定範囲の負荷電流値となるように、研磨ブラシ２の金属リングＷへの切込み量を増減させる。例文帳に追加

In the polishing process, when the polishing brush 2 abuts on the metal ring W, the load current value of a motor rotate-driving the polishing brush 2 is detected, and the cut depth of the polishing brush 2 to the metal ring W is increased/decreased so that the detected load current value becomes the predetermined load current value. - 特許庁

研磨領域９及び光透過領域１０からなる研磨層の片面に少なくとも透明支持フィルムが積層されている研磨パッド８において、少なくとも光透過領域及び透明支持フィルム１１を含む光学的検知領域の光透過率が、波長３００〜４００ｎｍの全範囲で４０％以上であることを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加

This polishing pad 8 laminated with a transparent support film on at least one side of a polishing layer consisting of the polishing area 9 and the light transmission area 10, is characterized in that a light transmittance of the optical detection area including at least the light transmission area and the transparent support film 11 is 40% or more in the whole area of the wavelength of 300-400 nm. - 特許庁

有機シロキサン構造を有する比誘電率３．０以下の絶縁膜を化学的機械的に研磨するために用いる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ粒子、ベンゾトリアゾール化合物および下記式（Ｉ）で示される二又は三級アミノアルコールを含み、かつ、ｐＨが７〜１０の範囲である研磨用組成物、及びそれを用いた研磨方法。例文帳に追加

The polishing compound used for polishing an insulating film having an organic siloxane structure and a dielectric constant of 3.0 or less chemically and mechanically contains colloidal silica particles, a benzotriazole compound and a secondary or tertiary aminoalcohol represented by formula (I), wherein the pH is in the range of 7-10. - 特許庁

軸芯上にゴムまたは熱可塑性エラストマからなるローラを形成してなる紙送り用ローラにおいて、前記ローラの表面には正方向研磨目と逆方向研磨目の双方が存在し、正方向研磨目と逆方向研磨目とは、面積比（正方向／逆方向）で８０〜２０／２０〜８０の範囲で存在する紙送り用ローラ。例文帳に追加

In a paper feed roller where a roller made of rubber or thermoplastic elastomer is formed of on a shaft core, both normal directional polish divisions and reverse directional polish divisions exist on the surface of the roller, and the normal directional polish divisions and reverse directional polish divisions exist in a range 80-20/20-80 in area ratio (normal/reverse). - 特許庁

研磨スラリーは、研磨粒子としてシリカ粒子、研磨促進剤として、カルボン酸を含んだ化合物、アミノポリカルボン酸を含んだ化合物、及び酸化剤を含み、防腐食剤として、有機リン酸化合物、無機リン酸化合物、窒化化合物、亜硝酸化合物から選択される一種又は二種以上の化合物を含み、ｐＨ調整剤により研磨スラリーがｐＨ４以上、１１以下の範囲に調整される。例文帳に追加

The polishing slurry contains silica particles as the polishing particle, a carboxylic acid-containing compound, an amino carboxylic acid-containing compound and an oxidizer as the polishing promoter and one or more compounds selected from organic phosphate compounds, inorganic phosphate compounds, nitrided compounds and nitrite compounds as the corrosive preventive, and the polishing slurry is adjusted to be in a range of ≥pH4 but ≤pH11. - 特許庁

(b)に表示する協力を求める場合は，国立産業財産機関は，当該専門家に対して，国立科学技術研究会議又は同等の機関の上級研究者の範疇に対応する手数料を，特許庁長官が先に承認した割当時間の見積りを基礎として，認可し支払う。例文帳に追加

When the collaboration indicated in subsection b) is requested, the NATIONAL INSTITUTE OF INDUSTRIAL PROPERTY shall recognize and pay the professional fees corresponding to the category of Senior Researcher of the NATIONAL COUNCIL OF SCIENTIFIC AND TECHNICAL RESEARCH (CONICET) or of an equivalent institution, on the basis of an estimation of time assignment previously approved by the Commissioner of Patents.  - 特許庁

(2) 大学における研究義務の結果として教授が行った発明の所有権で，その教育及び研究機能の範囲内に該当するものは，大学改革法(Ley Organica de Reforma Universitaria)第11条の規定を害することなく大学に帰属する。例文帳に追加

(2) Ownership of inventions made by a professor as a result of his research responsibilities in a university and which come within the scope of his teaching and research functions shall belong to the university, without prejudice to the provisions laid down in Article 11 of the Institutional Act on University Reform [Ley Organica de Reforma Universitaria]. - 特許庁

シリカ研磨材、酸化剤、アミノ酸、トリアゾール系化合物および水を含有する研磨スラリーにおいて、前記トリアゾール系化合物に対する前記アミノ酸の含有量比（アミノ酸／トリアゾール系化合物（質量比））を５〜８の範囲内に設定する。例文帳に追加

The polishing slurry contains silica abrasive, oxidizing agent, amino acid, a triazole compound, and water wherein the content ratio of amino acid to the triazole compound (amino acid/triazole compound) is set in the range of 5-8. - 特許庁

より大きな研削力は、より厚いナイフ刃に比例して発現されるので、研ぎ回数は、小さな果物の皮むき用ナイフ（６インチ）から、大きなシェフ用ナイフ（１０インチ）の台所用肉切り大包丁まで一般の範囲のナイフに関してほぼ同じである。例文帳に追加

A larger grinding force is expressed in proportion to a thicker knife blade, therefore, the number of grinding is almost the same relating to general knives in a range from peeling knives for small fruits (6 inches) to large knives for chefs (10 inches) such as meat cleavers for kitchen. - 特許庁

被加工物を研磨する研磨パッドであって、ポリウレタンと該ポリウレタン中に混入された砥粒とを少なくとも含み、７０℃における損失弾性率（Ｅ´´）／貯蔵弾性率（Ｅ´）で表される値（ｔａｎδ）が０．１〜０．３の範囲内であることを特徴とする。例文帳に追加

The polishing pad for polishing a work to be processed is characterized in that: it includes at least polyurethane, and polishing particle mixed into the polyurethane; and a value (tanδ) expressed by loss modulus of elasticity (E'')/storing modulus of elasticity (E') at the temperature of 70°C falls within a range of 0.1 to 0.3. - 特許庁