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FIRST PROCESSの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5620件
In the first process, a spot region S of an elliptic shape which makes a direction P inclined to the direction X a major axis is specified from a plurality of spot regions S formed by the ejection light from each light emitting element E.例文帳に追加
第1過程においては、各発光素子Eからの出射光によって形成される複数のスポット領域SのなかからX方向に対して傾斜するP方向を長軸とする長円形のスポット領域Sを特定する。 - 特許庁
In the patterning process of the thin film transistor 44, holographic exposure and a tracking focus system is employed, design rule of 1.0 μm or less is employed, and only a polysilicon layer 41 and a first metal layer 42 are employed as the interconnect lines of the element chip 45.例文帳に追加
薄膜トランジスタ44のパターニング工程で、ホログラフィック露光や追尾フォーカスシステムを用い、1.0μm以下の設計ルールを用い、素子チップ45の配線として、多結晶シリコン層41と第1の金属層42のみを用いる。 - 特許庁
In the first process, milk of lime is partially carbonated by a semi-batch carbonation method or the spindle-shaped calcium carbonate crystal (seed crystal) is mixed to the milk of lime in such a manner that 5-30% of the milk of lime comes to a carbonated state.例文帳に追加
第1の工程において、石灰乳を半回分式炭酸化法で部分的に炭酸化するか或いは石灰乳に紡錘状炭酸カルシウム結晶(種結晶)を混合し、石灰乳の5〜30%炭酸化した状態とする。 - 特許庁
A cyclic chemical vapor deposition process using a silicon source substance and a nitrogen source gas is performed to form a silicon nitride film 20 containing a silicon-rich nitride (Si_xN_y, a value of x/y is 0.7 to 1.5) on the first oxide film 15.例文帳に追加
シリコンソース物質と窒素ソースガスを用いたサイクリック化学気相蒸着工程を実施し、第1酸化膜15上にシリコンリッチ窒化物(SixNy、x/yの値が0.7〜1.5である)を含むシリコン窒化膜20を形成する。 - 特許庁
That is, at first, in a stage of a frame clamping process (B), a close space preventing the expansion of the parison 3 to the outside of the molds 10, 20 is formed by the parison closing means 31, 32 and required air is ensured in the parison 3.例文帳に追加
すなわち、まず枠締め工程(B)の段階で、パリソン閉塞手段31、32によって、パリソン3が金型10、20の外部に膨み出すことのない閉空間が形成されるとともに、パリソン3内に所要の空気が確保される。 - 特許庁
In this process, the metallic corrugated lattice plates 1k and 1m for elastic contact located on the outermost side are fitted and held in a state of elastic contact between first and second fuel rods 10e1 and 10e2 in the outermost peripheral line and the metallic side frame plates 1a and 1b.例文帳に追加
この際第1、第2最外周列燃料棒10e1、10e2と金属製側枠板1a、1bとの間に、最外側配置の弾接用金属製屈曲格子板1k、1mが弾接状態で嵌装保持される。 - 特許庁
The fuel-air mixture is separated into lubricating oil components and gasoline components in a process passing through a first communication passage 55 communicated from the crank chamber 20 to the valve system chamber 16 by vaporizing the gasoline components relatively easily vaporized by the heat of a cylinder block 3.例文帳に追加
混合気は、クランク室20から動弁室16への通じる第一の連通路55を通過する過程で、シリンダブロック3の熱によって、比較的気化し易いガソリン成分が気化し、潤滑油成分とガソリン成分とに分離される。 - 特許庁
To provide a pattern verifying method, used in a double patterning method in which after a first pattern is formed in a film to be processed, a second pattern is formed in the film to be process, verifying a pattern in consideration of a superposition error.例文帳に追加
被加工膜に第1のパターンを形成してから被加工膜に第2のパターンを形成するダブルパターニング法に用いられ、重ね合わせ誤差を考慮してパターンを検証することができるパターン検証方法を提供する。 - 特許庁
It is preferable that the fourth step uses a distiller 22 in separating the volatile organic compound and the water, and further preferable that the fifth step to supply the separated water in the fourth step to the first step is added to the process described above.例文帳に追加
第4の工程は、蒸留器22で揮発性有機化合物と水とに分離する工程が好ましく、第4の工程で分離された水を第1の工程に供給する第5の工程と、を有することが好ましい。 - 特許庁
To sustain high reliability even if an electronic component is connected to a first substrate with a wire in a process for producing a built-in chip substrate where a chip is built in between a pair of substrates.例文帳に追加
本発明は一対の基板間にチップが内蔵されたチップ内蔵基板を製造するチップ内蔵基板の製造方法に関し、電子部品を第1の基板にワイヤ接続しても高い信頼性を維持させることを課題とする。 - 特許庁
The gas is plasma- discharged in a plasma generator 1, and first active starting gas is jetted from the nozzle part 20 to the side of the silicon wafer W, the nozzle part 20 is scanned by an X-Y driving mechanism 4, and a local etching process is performed.例文帳に追加
プラズマ発生器1でこのガスをプラズマ放電させて第1の活性種ガスをノズル部20からシリコンウエハW側に噴射すると共に、X−Y駆動機構4でノズル部20を走査させて局部エッチング工程を行う。 - 特許庁
A stacked poly silicon film 7 is formed by continually depositing a first poly silicon film 7a having no impurity and a second poly silicon film 7b for determining a resistance value through one manufacturing process without exposing the films 7a and 7b to the atmosphere.例文帳に追加
不純物を含有しない第1のポリシリコン膜7aと、抵抗値を決定するための第2のポリシリコン膜7bを大気への曝露なく1回の製造工程により連続して堆積させて積層ポリシリコン膜7を形成する。 - 特許庁
Thereby, from the upper part of a nearly uniform winding 25 by the first winding process W1, a winding 26 whose winding amount is more on the outside than on the inside in the radial direction of the magnetic pole teeth is executed.例文帳に追加
このことにより、第1巻線工程W1によるほぼ一様な巻線25の上から、第2巻線工程W2によって、磁極歯の半径方向の内側よりも外側の方が巻線量の多い巻線26がなされる。 - 特許庁
After that, in a sealing process, the plug 21 is raised while rotated around the normal line 26 by the sealing device 20, inserted and fitted into the first opening 8 of the vacuum package 1 so as to seal the vacuum package 1.例文帳に追加
次に、封止工程において、封止装置20により、プラグ21を法線26を中心に回転させながら上昇させ、真空パッケージ1の第1の開口部8に挿入し、係合させることにより封止を行う。 - 特許庁
In case a temperature T_DV or a temperature T_PDU of a process development unit (PDU) is increased to temperature higher than a given temperature #T (or in case the temperature T_PDU is increased to temperature higher than the given temperature #T), first of all a cooling fan is operated to cool a radiator.例文帳に追加
ダウンバータの温度T_DVまたはPDUの温度T_PDUが、所定の温度#Tよりも高くなった場合(あるいは、所定の温度#T以上となった場合)には、先ず、冷却ファンを作動させ、ラジエータを冷却する。 - 特許庁
In a big win game playing process S44, at first, CPU transmits a lottery display command for commanding to display that a probability variable lottery is executed by the passing of a lottery gate, to a sub integrated board in parallel with the big win game.例文帳に追加
大当り遊技中処理(ステップS44)では、大当り遊技と並行して、CPUは、まず、サブ統合基板に、抽選ゲートの通過によって確変抽選を行う旨の表示を指示する抽選表示コマンドを送信する。 - 特許庁
When the travel distance Ds is less than learning reset threshold value KDs (affirmative determination in step S15), ECU executes second neutral control process using first target fluid pressure KPc1 stores in EEPROM (step S22).例文帳に追加
走行距離Dsが学習再設定閾値KDs未満である場合(ステップS15が肯定判定)、ECUは、EEPROMに記憶される第1目標油圧KPc1を用いた第2ニュートラル制御処理を実行する(ステップS22)。 - 特許庁
In a method for manufacturing electronic components, the torch opposing process is executed, in which the first torch electrode 12A is opposite to one end 103C of a winding 103, and the second torch electrode 17A is opposite to the other end 103D of the winding 103.例文帳に追加
電子部品の製造方法では、第1トーチ電極12Aを巻線103の一端103Cに対向させると共に第2トーチ電極17Aを巻線103の他端103Dに対向させるトーチ対向工程を行う。 - 特許庁
To provide a composite MOS transistor circuit which allows an apparent threshold voltage as seen from a first gate to be electronically set in a wide range to equivalently perform a continuous operation without needing other excessive processes than the standard CMOS process.例文帳に追加
標準的なCMOSプロセス以外の余分なプロセスを必要とせずに、第1ゲートから見たみかけの閾値電圧を広範囲に電子的に設定でき、等価的に連続動作をする複合MOSトランジスタ回路を提供する。 - 特許庁
Subsequently, the second holding part is moved in the horizontal direction by the moving mechanism while the processed wafer and the support wafer, respectively supported by the first holding part and the second holding part, are heated to peel the processed wafer from the support wafer (Process A3).例文帳に追加
その後、第1の保持部に保持された被処理ウェハと第2の保持部に保持された支持ウェハとを加熱しながら、移動機構によって第2の保持部を水平方向に移動させて、被処理ウェハと支持ウェハを剥離する(工程A3)。 - 特許庁
A first to a third interpolation process circuits 20a, 20b, and 20c are composed of a data identifying unit 51, a data converting unit 52, a data interpolating unit 53, a data reconverting unit 54, and four switches SW1-SW4, as illustrated in figure 3.例文帳に追加
第1ないし第3補間処理回路20a、20b、20cは、図3に示すように、データ判定部51、データ変換部52、データ補間部53、データ再変換部54及び4つのスイッチSW1〜SW4より構成される。 - 特許庁
In the figure, the magnetic substance 108 is contained only in the adhesive layer 106 and the magnetic substance 108 penetrateds the first base paper 102 and the second base paper 104 and exists in them in a pressing process after lamination in production.例文帳に追加
また、図中では、磁性体108は接着剤層106のみに含まれているが、磁性体108は、製造時貼り合わせ後の押圧工程で、第1原紙102及び第2原紙104内にもめり込んで存在する場合もある。 - 特許庁
In a manufacturing method of this hot-cathode fluorescent lamp, as an assembly process of assembling an electrode part, an exhaust pipe 13 is first inserted into a flare 12 to bring lead wires 11 into a state sandwiched between the flare 12 and the exhaust pipe 13.例文帳に追加
熱陰極蛍光ランプの製造方法では、電極部を組み立てる組立工程として、まずフレア12の内部に排気管13を挿入し、フレア12と排気管13との間にリード線11を挟んだ状態にする。 - 特許庁
The process (a) is provided by putting-in an ultra high molecular weight polyethylene 30 into an open roll 1 having a roll 20 set at a first temperature for winding the polymer over the roll 20, further putting-in carbon nanofibers 40 and mixing to obtain a mixture.例文帳に追加
工程(a)は、第1の温度の設定されたロール20を有するオープンロール1に、超高分子量ポリエチレン30を投入して該ロール20に巻きつかせ、さらにカーボンナノファイバー40を投入し、混合して混合物を得る。 - 特許庁
In the data outputting process, first, data are set in the output buffers 94a-94d, and next, before the set data are outputted to the output ports 96a-96d, data set in the output buffers 94a-94d are read.例文帳に追加
データ出力処理では、まず、データを出力バッファ94a〜94dに設定し、次いで、その設定したデータを出力ポート96a〜96dへ出力する前に、出力バッファ94a〜94dに設定されているデータを読取る。 - 特許庁
In an ionizing process (steps S5 to S7), when a second voltage higher than the first voltage is applied as a cleaning solution is kept flowing, the metal at the electrode is oxidized to turn to metal ions again, so that the metal released from the electrode can be made to flow out.例文帳に追加
イオン化過程(ステップS5〜S7)では、洗浄液を流通させつつ第1電圧より高い第2電圧を印加すると、電極の金属が酸化され再びイオンとなり、電極から離脱した金属を流し去ることができる。 - 特許庁
Then, second masking films 41 are formed on the wiring pattern corresponding part of the rear surface of the metal plate 11, and a etching process is performed from above the second masking films 41 so as to form a first wiring pattern 43 from the metal plate 11.例文帳に追加
次に金属板11の裏面側の配線パターン相当部分に第2のマスキング41を形成し、この第2のマスキング41の上からエッチング処理して金属板11から第1の配線パターン43を形成する。 - 特許庁
Thus the design of the inner periphery of the body section 30 which is positioned at the periphery of the weight member 20 is not limited to an annular base section 30A formed by the first injection process for creating the body section 30 as in the traditional way.例文帳に追加
従って、重り部材20の周囲に位置するボディー部30の内周縁のデザインが、従来のようにボディー部30を形成する一次射出工程で形成される環状ベース部30Aに限られることはない。 - 特許庁
A gear 55a is rotated counterclockwise against a process cartridge 5 in a folded state, a cylindrical shape member 55 is rotated while winding a shutter 56 around it, and the shutter 56 is released from upper part of a first housing 54.例文帳に追加
フォールディング状態にあるプロセスカートリッジ5に対してギア55aを反時計回りに回転させ、円柱型の部材55がその周囲にシャッター56を巻きつけつつ回転し、シャッター56が第一筐体54の上方から退避する。 - 特許庁
The air bag 32 bundled with the regulating member 39 is vertically expanded first in the expansion process of the air bag32, and horizontally expanded after the break point 39b of the regulating member 39 which can not bear the tension is broken.例文帳に追加
エアバッグ32が膨張する過程で、規制部材39で束ねられたエアバッグ32は先ず上下方向に膨張し、張力に耐えられなくなった規制部材39の破断部39bが破断した後に左右方向に膨張する。 - 特許庁
A log analysis module 15 extracts a log from the first log on the basis of the file identification information detected by an instruction detection system and extracts a log from the second log on the basis of the process identification information included in the extracted log.例文帳に追加
ログ解析モジュール15は、侵入検知システムが検出したファイル識別情報に基づいて、第1のログからログを抽出し、抽出したログに含まれるプロセス識別情報に基づいて、第2のログからログを抽出する。 - 特許庁
In the first process, the burning is performed at a burning temperature of 200-400°C and at a holding time of 0.5-10 hr.例文帳に追加
第1工程は、焼成温度が200〜400℃かつ保持時間が0.5〜10時間で焼成する工程であり、第2工程は、第1工程より後に行われ、焼成温度が300〜450℃かつ保持時間が0.5〜10時間で焼成する工程である。 - 特許庁
First, a measurement value obtained inaccurately from the parasitic components R1, R2 is compensated during a manufacturing process, such as an electrical final inspection in an electronic power circuit, regarding the current/temperature dependency or voltage dependency of the components.例文帳に追加
初めに、該寄生構成要素R1、R2から不正確に得られた測定値を、該構成要素の電流/温度依存性または電圧依存性に関して、製造工程(例えば、電子電力回路での電気系最終検査)中に補償する。 - 特許庁
In the changed conveyance setting process (S416), after the rear end of the recording paper P is made to pass the nip point of the conveyance roller 60 by a large feed, a changed conveyance amount to make its conveyance stop position a position that exceeds the first point is calculated.例文帳に追加
この変更搬送設定処理(S416)では、記録用紙Pの後端を大フィードで搬送ローラ60のニップ点を通過させた後、その搬送停止位置が第1のポイントを超える位置とする変更搬送量が算出される。 - 特許庁
To provide a resist pattern forming method capable of forming a satisfactory resist pattern, by a double patterning process using a positive type resist composition as a first resist composition, on a support formed with a reflection preventive film on its surface.例文帳に追加
表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
In the first process, among a plurality of spot regions S formed by the outgoing radiation lights from the respective light emitting elements E, the spot region S of an ellipse using a direction P inclined to the direction X as a major axis is determined.例文帳に追加
第1過程においては、各発光素子Eからの出射光によって形成される複数のスポット領域SのなかからX方向に対して傾斜するP方向を長軸とする長円形のスポット領域Sを特定する。 - 特許庁
The housing has a first exhaust hole 29 for evacuating the interior of the housing in an exhaust process and a second exhaust hole 52 for communicating with the getter chamber, and the getter box has a third exhaust hole 54 for evacuating the interior of the getter chamber.例文帳に追加
外囲器は、排気工程において外囲器内部を排気するための第1排気孔29と、ゲッタ室に連通する第2排気孔52と、を有し、ゲッタボックスは、ゲッタ室内を排気するための第3排気孔54を有している。 - 特許庁
In the method of manufacturing the Nb_3Sn superconductive wire, sheet-shaped first base materials and sheet-shaped second base materials are alternately laminated to form a complex, a process of rolling up the complex 5 is performed, and the rolled body is drawn S4 into the wire.例文帳に追加
シート状の第1の基材とシート状の第2の基材とを交互に積層して複合化し、該複合体5を捲回する加工を行い、前記捲回体を線材に引抜加工S4するNb3Sn超伝導線材の製造方法。 - 特許庁
At the time when the causation of abnormal winning in a first start winning opening or a second start winning opening is detected and an error is caused, a security signal is externally output from an output terminal common to the execution of an initialization process.例文帳に追加
第1始動入賞口や第2始動入賞口における異常入賞の発生が検出されてエラーが発生したときに、初期化処理の実行時と共通の出力端子からセキュリティ信号を外部出力する。 - 特許庁
In spite of process by the first control section, the drive shaft is controlled exclusively by the second control section, and by increasing the processing speed of the hardware of the second control section, the drive shaft can be operated exactly and quickly.例文帳に追加
これにより、第1制御部での処理にかかわらず、駆動軸を第2制御部で専用に制御でき、また、第2制御部のハードウェアの処理速度を上昇させることで、正確で、かつ迅速に駆動軸を作動させることができる。 - 特許庁
A console control part 42 functions as first and second determination parts 51, 52, so as to determine whether the residual amount of the battery 36 is over the predetermined threshold or not, and whether the imaging executed for each subject unit is in process or not.例文帳に追加
コンソール制御部42が第1及び第2判定部51、52として機能することで、バッテリ36の残量が所定の閾値を超えているか否か、及び被検者単位で行われる撮影の処理中であるか否かが判定される。 - 特許庁
The light-emitting elements are arranged on the second heat-conductive member, and the connection member manufactured by a metal extrusion process is used for connecting the second heat-conductive member and the adapter by going through the first heat-conductive member.例文帳に追加
前記発光素子は第二熱伝導部材上に設置し、前記接続部材は金属押出プロセスによって作製され、且つ第一熱伝導部材を突き抜けて第二熱伝導部材とアダプターを接続するのに用いられる。 - 特許庁
The resin powder is stuck again on a part necessary to apply the coating film more thicker in the melt-sticking part by a 2nd resin powder sticking apparatus 90 before the resin melt-stuck at first is not cured (a 2nd powder sticking process).例文帳に追加
更に、第2粉体付着装置90により、上記で溶着した樹脂が硬化する前に、該溶着部分のうち塗膜を厚く形成する必要がある部分に再度樹脂粉体を付着させる(第2粉体付着工程)。 - 特許庁
As a result, a process margin at the time of wet-etching the first side wall film 106 and the sacrifice gate insulated film 104 is increased, and the generation of a slit at the gate electrode side lower part of the second side wall film 110 can be prevented.例文帳に追加
これにより、第1の側壁膜106および犠牲ゲート絶縁膜104をウェットエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、第2の側壁膜110のゲート電極側下部にスリットが入るのを防ぐことができる。 - 特許庁
In a primary grinding process (ST11), both sides (first side, second side) of a wafer obtained by slicing an ingot are ground in order to remove processing strain thus reducing warpage caused by difference in the magnitude of processing strain.例文帳に追加
一次研削工程(ST11)においては、インゴットから切り出して得られたウェーハの両面(一の面、二の面)を研削することで両面の加工歪みを除去して当該加工歪みの大きさの相違に起因する反りを低減する。 - 特許庁
To provide a touch panel display device which is superior in electromagnetic wave shielding property and can be thinned in a first place, superior in adhesion reliability in a second place and reduced in a possibility of thermal deterioration caused by a manufacturing process in a third place.例文帳に追加
本発明は、第一に、電磁波シールド性に優れ、しかも、薄型化が可能であり、第2に、密着信頼性が優れ、第3に、製造工程に起因する熱的劣化の恐れの少ないタッチパネルディスプレイ装置を提供するものである。 - 特許庁
When a new image signal is inputted before the stand-by period tw after the preceding image forming process is completed reaches a first idle period t1, a toner image responding to the image signal is immediately formed (Fig.(a)).例文帳に追加
先の画像形成動作を終了してからの待機時間twが第1休止時間t1に達する前に新たな画像信号が入力されたときには直ちに該画像信号に対応したトナー像を形成する(図6(a))。 - 特許庁
When the aging process is carried out by applying a predetermined voltage to the plasma display panel after the panel has been produced, first aging 11 is performed, after which the characteristics of the panel are measured and second aging 13 is performed.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルを製造した後、そのプラズマディスプレイパネルに所定の電圧を印加してエージング工程を行う際に、第一のエージング11を行った後に、前記プラズマディスプレイパネルの特性を測定し、さらに第二のエージング13を行う。 - 特許庁
In image processing for rendering a three-dimensional virtual space using perspective projection transformation and depth comparison by a Z buffer, firstly, polygons to be rendered in a rendering process are classified into a first-type polygon and a second-type polygon.例文帳に追加
透視投影変換およびZバッファによる深度比較を用いて3次元仮想空間の描画を行う画像処理において、まず、一度の描画処理における描画対象のポリゴンを第1種ポリゴンと第2種ポリゴンに分類する。 - 特許庁
Thirdly, the user performs the second photographing and moves to a first editing space 34 or a second editing space 35 according to a guidance in the second photographing space 33 to perform an editing process, and receives photographic sticker paper thereafter fourthly.例文帳に追加
3番目に、ユーザは、第2撮影を行ない、第2撮影空間33における誘導に基づいて第1編集空間34または第2編集空間35に移動し、編集処理を実行し、その後4番目に写真シール紙を受け取る。 - 特許庁
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