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FIRST PROCESSの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5620件
In a device manufacturing method and a lithographic apparatus in which a pattern is transferred from a patterning device onto a substrate, a measurement target is provided on the substrate in a process, enabling execution of a substrate measurement by using radiation of a first wavelength.例文帳に追加
パターンがパターニングデバイスから基板上に転写されるデバイス製造方法およびリソグラフィ装置では、計測ターゲットが第1波長の放射を使用して基板計測の実行を可能にする工程で基板上に提供される。 - 特許庁
An organic waste is reduced to a slurry and thrown into a first methane fermentation tank 11 and treatment is carried out while a throwing load amount is adjusted such that organic acid or lower alcohol produced in the fermentation process of the organic waste is remained.例文帳に追加
有機性廃棄物をスラリー化して第1メタン発酵槽11内に投入し、有機性廃棄物の発酵過程で生成する有機酸又は低級アルコール類が残存するように投入負荷量を調整して処理を行う。 - 特許庁
When three devices a, b, c and one person m apply processing to components A, B, C, the person m performs processing to the component A, and two devices b, c perform processing to the component B and the component C, in a first process.例文帳に追加
三台の装置a、b,cと、一人の人間mが部品A、B、Cに加工を施す際、第1工程では、部品Aに対して人間mが加工を行い、部品Bと部品Cに対して二台の装置b、cが加工を行う。 - 特許庁
In a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayered wiring structure by the dual damascene method, an opening 260A is formed by removing a second interlayer insulating film 260 with an essential first hard mask layer 270 as a mask.例文帳に追加
デュアルダマシン法を利用した多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、実質的には第一のハードマスク膜270をマスクとして、第二の層間絶縁膜260を除去し、開口部260Aを形成する。 - 特許庁
In a preprocessing, the optical writing type display device 10 exposes a photoconducting layer 20, by using writing light with first intensity lower than third intensity required for a writing process which is performed without the preprocessing.例文帳に追加
光書込型表示装置10では、前処理では、書込処理において前処理を行わずに書込処理を行う場合には必要であった第3の強度より小さい第1の強度の書込光を光導電層20に露光する。 - 特許庁
In a first process, a temporary pilot hole 11 is punched in an inside-diameter portion serving as a scrap of iron-core material S, and a temporary pilot pin of a mold is engaged with the temporary pilot hole 11 to send the iron-core material S.例文帳に追加
最初の第1の工程において、鉄心材料Sのスクラップとなる内径部分に仮のパイロット孔11を打ち抜き、この仮のパイロット孔11に金型の仮のパイロットピンを係合して鉄心材料Sを送る。 - 特許庁
An electrostatic charge electrode plate 121 and a development electrode plate 131 of the process cartridge 1 are moved from a first position which is a position to short a photoreceptor drum and a conductive member to a second position which is a position usable by opening the short-circuit.例文帳に追加
プロセスカートリッジ1の帯電電極板121と現像電極板131を、感光体ドラムと導電性部材を短絡させる位置である第1位置から、短絡を開放して使用可能な位置である第2位置に移動させる。 - 特許庁
The sacrifice layer and the conductor layer 7, the first and second dielectric films 17 and 18, and the second and third conductors 24 and 25 are concurrently made from the same material and by the same process, respectively.例文帳に追加
犠牲層と導電体層7、第1の誘電体膜17と第2の誘電体膜18、第2の導電体24と第3の導電体25とは、それぞれ同じ材料および同じ工程により併行して設けられている。 - 特許庁
A first α-Si film is formed on the surface of a quartz substrate 11 for patterning, and then a second α-Si film is formed over it, which is crystalized in a thermal process with Ni as a catalyst for form a CGS film 16.例文帳に追加
石英基板11表面に第1のα−Si膜を形成してパターニングした後、その上に第2のα−Si膜を形成し、Niを触媒として熱処理によって結晶化して、CGS膜16を形成する。 - 特許庁
The fabricating method of the large area stamp is comprised of vapor-depositing a polymer thin film on a substrate (S111), coating a resist material on the polymer thin film (S112), and performing an imprint process locally using the first small stamp on the resist (S113).例文帳に追加
本発明の大面積スタンプ製作方法は、基板の上に高分子薄膜を蒸着(S111)し、高分子薄膜上にレジスト材料をコーティング(S112)し、レジスト上に小型の第1スタンプを利用して局部的にインプリント工程を実行(S113)する。 - 特許庁
In this method for measuring degrees of subcriticality, first of all a linear relational expression showing the relationship between the corrected inverse counting rate proportion and the predicted degree of subcriticality is derived from a corrected inverse counting rate proportion and a predicted degree of subcriticality are found in a process of bringing a core to criticality (Step S103).例文帳に追加
この未臨界度測定方法は、まず、炉心を臨界に到達させる過程において求めた補正逆計数率比と予測未臨界度とから、両者の関係を表す直線関係式を求める(ステップS103)。 - 特許庁
To provide a centering technique for the molding die of a glass optical element capable of achieving high accuracy molding process when molding the glass optical element by pressing a thermally softened glass material using the first and second dies facing each other.例文帳に追加
対峙する第1型及び第2型により加熱軟化したガラス素材を押圧してガラス光学素子を成形する技術において、高精度の成形加工を実現させるガラス光学素子の成形型の芯出技術を提供する。 - 特許庁
This selection method has a first process for setting the number N of polymorphism portions of the variation set in a range satisfying (N_H-1)≤2^N-1 to the kind N_H of the "haplotype" to be identified, and selecting a plurality of "variation set" candidates allowing the identification between the "haplotypes".例文帳に追加
識別すべき「ハプロタイプ」の種類N_Hに対して、変異セットの多型部位数Nを(N_H−1)≦2^N-1を満たす範囲に設定し、「ハプロタイプ」相互の識別が可能な「変異セット」候補を複数選別する第1の工程を具えている。 - 特許庁
As the first process, a circular plate piece having a board thickness equal to or larger than the preset maximum board thickness of a disc wheel as a finished product is taken as raw material 1, and an intermediate shape of the disc is formed in the central part of the raw material 1.例文帳に追加
第1工程として、完成品のディスクホイールの設定最大板厚と同等かそれ以上の板厚からなる円形の板材を素材1とし、該素材1の中央部にディスクの中間形状を成形する。 - 特許庁
The preform 1 is heated in the first heating process in a state that there is no temperature difference between the inner and outer surfaces of the preform and the moisture absorbed inside the preform becomes bubbles to be certainly discharged to the outside without being stored in the preform 1.例文帳に追加
第1の加熱工程においては内外面に温度差の無い状態でプリフォーム1が加熱され、また、内部に吸収されている水分が気泡となって内部に留まることなく確実に外部に放出される。 - 特許庁
To provide a centering technique for the molding die of a glass optical element capable of achieving high accuracy molding process when molding the optical element by pressing a thermally softened glass material using the first and second dies facing each other.例文帳に追加
対峙する第1型及び第2型により加熱軟化したガラス素材を押圧してガラス光学素子を成形する技術において、高精度の成形加工を実現させるガラス光学素子の成形型の芯出技術を提供する。 - 特許庁
Nip width can be widened in order to give heat to paper in the first and the second fixing process parts, fixing control temperature can be set as low, and only short rising time and small energy consumption are required.例文帳に追加
第1及び第2定着工程部で用紙に熱を与えるためニップ幅を広くすることができ、定着制御温度を低く設定することが可能となり、立ち上がり時間が短く、また、エネルギー消費量が少なくて済む。 - 特許庁
Because the slit converges an electric flux line flowing from a first electrode to a second electrode, the sample flowing along the electric flux line is discharged from the second opening to be converged in the suction process to a sample suction member.例文帳に追加
スリットは、第1電極から第2電極へと流れる電気力線を収束するため、電気力線に沿って流れるサンプルは、第2開口から排出され、サンプル吸着部材に吸着する過程において収束力される。 - 特許庁
In the inert gas injection process, inert gas G1 is injected into the first pipe 11 from a gas injection nozzle 21 and inside air G0 is discharged into the outside to prevent an inner wall from being oxidized during welding.例文帳に追加
不活性ガス注入工程では、ガス注入ノズル21から第1パイプ11の内側に不活性ガスG1を注入するとともに内側の空気G0を外側へ排出することで溶接時の内壁の酸化を防止する。 - 特許庁
The gaseous hydrogen near the first metal plate 41 that is generated in a molding process passes through the vent holes 41a through a temporary rear cloth-like material 32M1 and the adhesive 31, and is discharged to the outside of the molding.例文帳に追加
成形工程において発生する水素ガスのうち第1金属板41付近のものは、暫定裏側布状材32M1及び粘着剤31を通じてガス抜き穴41aを貫通し、成形物の外側に抜けていく。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus capable of shortening an adjustment processing time by performing an adjustment processing of first transfer means and second transfer means and a pre-process preparation of a processing chamber where adjustment has been completed in parallel.例文帳に追加
第1搬送手段及び第2搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。 - 特許庁
In the chemical addition backwashing process, sodium hydrogensulfite (an acid) is first used and then sodium hypochlorite (an alkali) is used, and respective waste liquids are drained to a neutralization-reduction tank 11 and mixed to be neutralized and reduced.例文帳に追加
薬品添加逆洗工程では、先に重亜硫酸ソーダ(酸)を使用し、その後に次亜塩素酸ナトリウム(アルカリ)を使用すると共に、それぞれの廃液を中和還元処理槽11へ排水して混合し、中和還元する。 - 特許庁
This method for manufacturing the fuel cell is provided with the first process (step S110) for preparing an antifreezing protein containing paste containing an antifreezing protein for restraining a growth of a crystal of ice from the aqueous liquid, and a photocuring resin.例文帳に追加
燃料電池の製造方法は、液水からの氷の結晶の成長を抑制する不凍タンパク質と、光硬化性樹脂とを含有する不凍タンパク質含有ペーストを作製する第1の工程(ステップS110)を備える。 - 特許庁
A first print frequency in acquiring the print object data from any image formation apparatus other than its own device, and printing the print object data in a print process is compared with a second print frequency in the other image formation apparatus of the data.例文帳に追加
印刷対象のデータを自装置以外の他の画像形成装置から取得して前記印刷工程で印刷した場合の第1印刷回数と、前記データの他の画像形成装置における第2印刷回数とを比較する。 - 特許庁
Even if penetration defects occur in each film in a film formation process, the base material covering the protective film is not exposed if the first and second film defects do not overlap, thus preventing chemical attack of the base material.例文帳に追加
成膜工程において各膜に貫通欠陥が発生しても、第1の膜、第2の膜の欠陥が重ならないと、前記保護膜に被覆された基材が露出しないので、その基材の化学的侵食を防ぐことができる。 - 特許庁
The native model execution control part 11 actuates the native model 4 every time request information sent from the cycle base model 3 and corresponding to a process request from the first circuit block to the second circuit block is received.例文帳に追加
ネイティブ型モデル実行制御部11は、サイクルベースモデル3から発せられた、第1回路ブロックから第2回路ブロックに対する処理要求に相当する要求情報を受け付ける度に、ネイティブ型モデル4を起動させる。 - 特許庁
Since the contours of the oscillation legs are exactly finished over sufficient time in the first crystal etching process, the base part is connected with the connection frame and firm, the crystal chip does not break at the thin connection part 1600 during processing.例文帳に追加
第1水晶エッチング工程で十分時間をかけて振動脚外形を正確に仕上げることができ、基部が連結フレームで連結されていて強固であるから、加工中に細い接続部1600で折損したりしない。 - 特許庁
In the first wet oxidation process, wet oxidation at a treatment temperature of about 875°C is performed to an exposed surface of an epitaxial layer 1b through an aperture part 18a of a silicon nitride film 18, and a thin oxide film 6a is formed.例文帳に追加
第1のウエット酸化工程では、エピタキシャル層1bの露出面に対して、窒化シリコン膜18の開口部18aを通して約875℃の処理温度でのウエット酸化を施すことにより薄い酸化膜6aを形成する。 - 特許庁
In this technique, samples erroneously identified in a first step are directly taken as fundamental learning samples in a second step to effectively process the deformed samples, whereby the identification precision of a system is enhanced.例文帳に追加
本発明の技術案では、第一段階にて誤って識別されたサンプルを直接に第二段階の基本学習サンプルとすることによって、それらの変形したサンプルを効果的に処理でき、もってシステムの識別精度を高める。 - 特許庁
When receiving the signals, the active tag device 200 performs a process for switching a selection of the plurality of antennas 221 by the selector 222 by means of control of the controller 250, and stops switching when an effective signal is first captured.例文帳に追加
アクティブタグ装置200は、信号を受信する場合に、制御部250の制御により、セレクタ222によるアンテナ221の選択を切換える処理を行い、最初に有効信号が捕捉された時点で切換えを停止する。 - 特許庁
In the manufacturing method of the positive electrode mixture for the alkaline battery, first, a mixing process is carried out in which a material containing at least manganese oxide as a positive electrode active material and graphite as a conductive material is mixed to obtain a mixture.例文帳に追加
本発明のアルカリ電池用正極合剤の製造方法では、まず、正極活物質である二酸化マンガン及び導電材である黒鉛を少なくとも含有する材料を混合して混合物を得る混合工程を行う。 - 特許庁
The hard accelerator carries out one time or a plurality of the numbers of times of (a), (b), (c) and (d)on one or a plurality of corresponding primitive streams, for rendering the frame of an animation before delivering first buffer control to an output process.例文帳に追加
ハードウェア・アクセラレータは、第1のバッファの制御を出力プロセスに渡す前にアニメーションのフレームをレンダリングするために、1つまたは複数の対応するプリミティブのストリーム上で(a)、(b)、(c)、(d)を1回または複数回実行する。 - 特許庁
The invention discloses a hand shake process which can be used for first establishing an identification account to each game console in the case where an account generating server can make sure that a true game console creates a request.例文帳に追加
また、アカウント生成サーバが、真のゲームコンソールが要求を作成することを確信することができる場合に、各ゲームコンソールに対する識別アカウントを最初に確立するために使用することができるハンドシェークプロセスが開示されている。 - 特許庁
The drum shutter includes engaging parts 16b1 and 16b2 for moving the protective part to the retracting position by engaging with the protective member when the process cartridge is held by the holding members in the first position.例文帳に追加
そして、前記ドラムシャッタには、前記プロセスカートリッジを前記第1の位置で前記保持部材に保持させる際に、前記保持部材と係合して前記保護部を前記退避位置に移動させるための係合部16b1・16b2を設ける。 - 特許庁
To arrange a calibrating second pressure gage in the same environment in a vacuum treatment chamber in order to keep a pressure zone in a normal condition in film formation treatment, and to calibrate a controlling first pressure gage with a pressure value in an actual process.例文帳に追加
成膜処理時の圧力帯を正常な状態で維持する為に、真空処理室内の同じ環境下に校正用の第2の圧力計を配置し、制御用の第1の圧力計を実プロセス時の圧力値で校正する。 - 特許庁
The amount of change to change the value of a game parameter used in the game process is calculated on the basis of at least one of the first data and the second data so that the amount of change is greater as the degree of similarity is greater.例文帳に追加
ゲーム処理に用いられるゲームパラメータの値を変化させる変化量は、上記類似度が大きいほど当該変化量が大きくなるように、第1データおよび第2データの少なくとも一方に基づいて算出される。 - 特許庁
Tags are preliminarily allocated to process data, fetched from a plant controller 2 via a network by means of first to fifth tag allocating sections 11-15, and the rule for monitoring a plant is generated at a rule-generating section 17 by using these tags.例文帳に追加
プラントコントローラ2からネットワークを経由して取り込まれる各プロセスデータに対して第1〜第5タグ割付部11〜15によって予めタグを割り付け、ルール作成部17でこれらの各タグを用いてプラント監視用のルールを作成する。 - 特許庁
After droplets have been grown on a wafer (droplet growth process), the wafer is turned at a first droplet removal rate of about 100 rpm, and the wafer is turned further at a second droplet removal rate of about 200 rpm.例文帳に追加
ウエハ上で液滴を成長させた後(液滴成長工程)、100rpm程度の第1液滴排除速度でウエハを回転し、さらに200rpm程度の第2液滴排除速度でウエハを回転する(第1回転工程)。 - 特許庁
In a first process, the A material, slaked lime, magnesium silicate hydrate, natural reinforcing fiber and a small amount of pigment, if necessary, are agitated and blended and then are kneaded by water or water in which carbonic acid or a water-soluble carbonate is dissolved.例文帳に追加
第1工程において、A材料、消石灰、珪酸マグネシュウム水和物及び天然強化繊維と必要なれば少量の顔料を攪拌混合したのち、水または炭酸または水溶性炭酸塩を溶解させた水で混錬する。 - 特許庁
By providing the light-shielding means on the first substrate having segmented pixel areas as is described, the probability of misalignment in the process becomes low, as compared with a configuration having a light-shielding means formed separately on a second substrate.例文帳に追加
このように、光遮断手段が、画素領域の画定されている第1基板に備えられる場合には、光遮断手段が第2基板に別途に形成される場合に比べて、工程上ミスアライメントが発生する恐れが少ない。 - 特許庁
In a second lamination process 91, the silicon steel plate 51 is pressed on the first laminated layer 82, then U shape plates 73 are laminated while being stamped to form a second laminated layer, and simultaneously the core type plates 72 are laminated while being stamped.例文帳に追加
第2積層工程91にて珪素鋼板51を第1積層部82上でプレスし、コ字型プレート73を打ち抜きながら積層して第2積層部を形成すると同時に、コア型プレート72を打ち抜きながら積層する。 - 特許庁
However, in a first detection process, the bending of the terminal T in the thickness direction is detected based on the average variable density value of the terminal T after correction, thereby detecting the bending of the terminal T without being affected by the shadow N.例文帳に追加
しかして、第1検出過程では、補正後の端子Tの平均濃淡値に基づいて端子Tの厚み方向の曲がりを検出することにより、影Nの影響を受けることなく端子Tの曲がりを検出することができる。 - 特許庁
Predicted time t_h1 for washing start is calculated when the filtering resistance reaches 1.5m, and the first washing is started with the predicted time reaching earlier a value set in advance, to avoid overlapping of washing process time.例文帳に追加
そして、ろ過抵抗1.5mに到達するときの洗浄開始予測時間t_h1を演算し、予め設定した値に早く到達した方の予測時間で最初の洗浄を行うようにして洗浄工程時間が重ならないようにした。 - 特許庁
In the first process, spacers 30 are respectively arranged along the sides positioned on both ends in the intersecting direction to the winding direction of the laminate so that the spacers are placed between the wound laminates each other to wind the laminate.例文帳に追加
第1工程においては、巻き取られる積層体同士の間に挟まれるように、積層体の巻き取り方向と交差する方向の両端に位置する辺に沿ってそれぞれスペーサー30を配置して積層体を巻き取る。 - 特許庁
The control signals 53 include: an instruction signal 53a which is used by the monitoring control server 30 to instruct a control process to the first TC 10; and an instruction response signal 53b which is used to notify the result in response to instruction of the instruction signal 53a.例文帳に追加
制御信号53は、監視制御サーバ30により制御工程を第1TC10に指令する指令信号53aと、指令信号53aの指令に応答した結果を通知する指令応答信号53bを含む。 - 特許庁
Then, a second semiconductor element on which a second adhesive layer, including a remaining volatile matter 0.2% or lower, is arranged on a first semiconductor element, and the second adhesive layer is adhered through the heating process in the temperature range of 120°C or higher, and of 150°C or lower.例文帳に追加
次いで、残存揮発分が0.2%以下の第2の接着剤層が形成された第2の半導体素子を第1の半導体素子上に配置し、第2の接着剤層を120℃以上150℃以下の範囲の温度に加熱して接着する。 - 特許庁
An integrated copper via filling process with the inventive reactor or other reactor includes a first step of highly ionized sputter deposition of copper, a second step of more neutral, lower-energy sputter deposition of copper, and a third step of electroplating copper into a hole.例文帳に追加
集積化された銅のビアを充填する方法は、銅の高度にイオン化されたスパッタ堆積の第1ステップと、銅の、よりニュートラルな低いエネルギーのスパッタ堆積の第2ステップと、ホールへ銅を電気メッキする第3ステップを有する。 - 特許庁
When a heat solution of polyolefine in the middle of a cooling process is cast, a peripheral speed of a first roll is made faster than that of a second roll, and preferably, a film is formed without forming a bank at this time, then a lock means to retain a sheet to the roll is provided.例文帳に追加
冷却過程にあるポリオレフィンの熱溶液をキャストする際、第1ロールを第2ロールの周速度より早くし、好ましくはこのときバンクを形成することなく成膜し、ロールにシートを止着する係止手段を設ける。 - 特許庁
In the first process, the margin part 175a at the recessed surface side of the V-groove surface is polished by slipping the V-groove top position 176 of the finished lens 76 from the V-groove center position 183 of the V-groove polishing groove 83a of the polishing wheel 83, to the lens recessed surface side.例文帳に追加
第一の工程で仕上げレンズ76のヤゲン頂点位置176を砥石83のヤゲンポリッシュ溝83aのヤゲン溝センタ位置183からレンズ凹面側にずらしてヤゲン面の凹面側の取代部175aを研磨する。 - 特許庁
The system can move the holding tool 92 in the intermediate chamber, in the horizontal second direction perpendicular to a first direction connecting the intermediate chamber 7 to the load lock chamber 11 or the process chamber 2.例文帳に追加
搬送系は、中間チャンバー7とロードロックチャンバー11又は処理チャンバー2とを結ぶ第一の方向に垂直な水平方向である第二の方向に中間チャンバー7内で基板保持具92を移動させることが可能である。 - 特許庁
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