「FORMATION PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises a process for forming a relatively narrow and shallow pre-groove 4 of a width W0 on the surface of a semiconductor layer formation side of a semiconductor wafer 1 by dicing, and a process for forming a relatively wide and deep groove 5 of a width W1 on the surface by dicing by hollowing out the pre-groove 4.例文帳に追加

半導体ウエハー１の半導体層形成側の表面に相対的に幅Ｗ０の狭い且つ深さの浅いプレ溝４をダイシングにより形成する工程と、該表面に相対的に幅Ｗ１の広い且つ深さの深い幅広溝５を前記プレ溝４をえぐり取るようにしてダイシングにより形成する工程とを含む。 - 特許庁

This invention also relates to a method for treatment of fluorine-containing wastewater characterized by including a process for removing fluorine from wastewater based on a double salt formation process by the addition of the components A and B below to the fluorine-containing wastewater to let them react to form double salts.例文帳に追加

Ａ剤・・・アルミニウムイオンおよび炭酸イオンを含む溶液、 Ｂ剤・・・マグネシウム塩 また、フッ素を含有する排水に、下記Ａ剤と下記Ｂ剤とを添加することでこれらを反応させて複塩化し、前記排水中から前記フッ素を除去する複塩化処理工程を含むことを特徴とするフッ素含有排水の処理方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the electromagnetic coil plate comprises a coil formation process for forming coils opposingly on both the surfaces of an insulating substrate and forming a connection terminal section while being extended from the termination section of the coils; and a separation/bending process for separating and bending the connection terminal section from the insulating substrate.例文帳に追加

本発明の電磁コイル板の製造方法は、絶縁性基板の両面にコイルを対向して形成するとともに前記コイルの終端部から延存して接続端子部を形成するコイル形成工程と、前記接続端子部を前記絶縁性基板から剥離し折曲する剥離折曲工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The polarization and alignment in the film are automatically performed since a charge distribution is generated in the silica thin film 22 which is being formed by polarity particle irradiation and then the polarizing and aligning process is completed almost at the same time with the end of the film formation of the silica thin film 22 without performing any subsequent polarizing and aligning process such as voltage application.例文帳に追加

極性粒子照射により形成中のシリカ薄膜２２中に電荷分布が生じて膜中の分極配向が自動的に行われ、電圧印加などの後発的な分極配向処理をせずに、シリカ薄膜２２の成膜終了とほぼ同時に分極配向処理が終了する。 - 特許庁

To enable a user to make a steel tapping frame arrangement plan which simultaneously meets requests conflicting with each other, for production lot enlargement, punctuality in delivery date, and manufacturing process leveling so that lot making, process load leveling, and delivery date optimization may be secured and cast formation may be most suitable for an entire planning object period.例文帳に追加

ロット集約、工程負荷平準化及び納期の最適化が保証され、全立案対象期間に対して最適なキャスト編成となるよう、製造ロット拡大、納期遵守、及び製造工程平準化という、互いに相反する要求を同時に満たすよう出鋼枠配置計画を立案できるようにする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a laminated wafer formation process wherein, after stacking a metal plate 6 on one face of a semiconductor wafer 12 via a solder sheet 5, these components are integrated into one by vacuum press to form a laminated wafer 7, and a dicing process of dicing the laminated wafer 7 into individual laminated chips 7a.例文帳に追加

半導体ウエハ１２の一側面にはんだシート５を介して金属板６と積層させた後、減圧プレスにより一体化して積層体ウエハ７を形成する積層体ウエハ形成工程と、積層体ウエハ７をダイシングして個片の積層体チップ７ａを形成するダイシング工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor substrate related to a first aspect includes: a chromium layer film formation process for film-forming a chromium layer having average layer thickness of not less than 7 nm and less than 45 nm on a base substrate; and a nitriding process for nitriding the chromium layer at not less than 1,000°C temperature for forming a chromium nitride film.例文帳に追加

本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を７ｎｍ以上４５ｎｍ未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.例文帳に追加

先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁

To provide an element for formation of barrier ribs that can shorten the process of producing barrier ribs of plasma display panel, and superior in adhesion to the substrate and shape, and further in stability of long-term preservation, and a method of producing barrier ribs that can shorten process of producing barrier ribs of plasma display panel and form barrier ribs with superior shape.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルのバリアリブ製造工程を短縮化でき、基板との密着性及び形状に優れ、さらに長期保存安定性に優れたバリアリブ形成用エレメント並びにプラズマディスプレイパネルのバリアリブ製造工程を短縮化でき、形状の優れたバリアリブを形成できるバリアリブの製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a color filter configured for suppressing a boundary portion between a black matrix and a coloring pixel from being raised by an inexpensive and easy method, without adding a process for polishing after pixel formation, OC layer formation or the like, even when designing a high contrast panel, and displaying an image with high quality, and to provide a manufacturing method therefor, and a liquid crystal display.例文帳に追加

高コントラストのパネル設計であっても、画素形成後の研磨やＯＣ層形成などの工程を追加することなく、低コストかつ平易な方法で、ブラックマトリックスと着色画素との境界部分での盛り上がりが抑制され、高品質の画像を表示することができるカラーフィルタ及びその製造方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for continuously producing high-quality bisphenol A prill in good efficiency and stably for a long period by solving problems such as the reduction of heat conductivity by the formation of an attachment at a heat exchanger in a granulation process, and the increase of differential pressure by the formation of the attachment at a granulation column or the heat exchanger when producing the the bisphenol A prill from the molten bisphenol A.例文帳に追加

溶融ビスフェノールＡからビスフェノールＡプリルを製造するに際し、造粒工程における熱交換器での付着物の生成による伝熱低下や、造粒塔や熱交換器での付着物の生成による差圧増大などを解消し、高品質のビスフェノールＡプリルを長期間安定して連続的に効率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a billet for semi-solid formation with which further fine and uniform spherical grains are obtained and such advantages as the improvement of energy efficiency, the saving of producing cost, the improvement of mechanical properties, the simplification of a casting process and the shortening of production time can be realized, and a high quality billet for semi-solid formation can continuously be produced.例文帳に追加

より微細かつ均一な球状化粒子を得ると同時にエネルギ効率の改善、製造コストの節減、機械的性質の向上、鋳造工程の簡便化および製造時間短縮の利点を実現でき、短時間に高品質の半溶融成形用ビレットを連続して製造できる半溶融成形用ビレットの製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a developing device capable of reducing adverse influence exerted on image formation even when the amount of toner in a toner storage part is fluctuated, and making the driving torque small and reducing the adverse influence exerted on the image formation even in the case of using a large- capacity toner cartridge, and a process cartridge or an image forming device having the developing device.例文帳に追加

本発明は、トナー収納部のトナー量が変動しても画像形成への悪影響が少なく、また大容量のトナーカートリッジでも駆動トルクが小さく、かつ画像形成への悪影響を少なくすることができる現像装置及びこれを有するプロセスカートリッジ又は画像形成装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A semiconductor layer formation process is performed, where a semiconductor layer 13 made of an n-type low-resistance region having higher impurity concentration than a semiconductor substrate 1 at the scheduled formation part (inside the semiconductor substrate 1 at one surface side of the semiconductor substrate 1) of the electrical heating element 3 at one surface side of the semiconductor substrate 1 made of a p-type silicon substrate.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板からなる半導体基板１の一表面側における発熱体３の形成予定部位（半導体基板１の上記一表面側における半導体基板１内）に半導体基板１よりも不純物濃度が高いｎ形の低抵抗領域からなる半導体層１３を形成する半導体層形成工程を行う。 - 特許庁

Faults of the electrode pattern and their locations are grasped by conducting appearance inspection immediately after formation of the electrode on a glass substrate, correction of the electrode is conducted standing on information obtained with the appearance inspection, then following formation process of each composing layer is executed, followed by a non-contact continuity test is performed as the final inspection before shipment.例文帳に追加

ガラス基板上に電極を形成した直後に外観検査を実施して電極パターンの欠陥及びその位置を把握し、その外観検査で得た情報を基にして電極の修正を実施し、それ以降の各構成層の形成工程を経た後に、出荷前の最終検査として非接触による電極の導通検査を行う。 - 特許庁

In carrying out a salicide process, at least in a part of an exposure region of a semiconductor substrate surface other than an element formation region, a salicide block used as a mask preventing a silicide layer from being formed on the semiconductor substrate surface in the exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region is formed on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

サリサイド工程を行うに際し、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の少なくとも一部に、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の半導体基板表面にシリサイド層が形成されることを防止するマスクとなるサリサイドブロックを半導体基板表面上に形成する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

A thermoplastic resin and an organic compound which are contained in the formation for powder compacting as a binder is combined so that gasification and removal of the organic compound may be completed at the temperature of under the Vicat softening point that the thermoplastic resin has, in the degreasing process of the compacted article using the formation for powder compaction.例文帳に追加

粉末成形用組成物に含まれるバインダーの熱可塑性樹脂と有機化合物とを、この粉末成形用組成物を用いた成形体の脱脂工程の際、有機化合物の気化および除去が熱可塑性樹脂の有するビカット軟化点の温度未満の温度で完了する熱可塑性樹脂と有機化合物との組み合わせとする。 - 特許庁

To continue an image forming process and secure a required minimum efficiency by using a recording paper corresponding to the other row even in a not regular situation in which recording papers corresponding to one row gets out of stock during the execution of parallel image formation in an image forming device capable of parallel image formation.例文帳に追加

並列画像形成処理が可能な画像形成装置において、並列画像形成処理を実行している途中で、何れかの列に対応する記録用紙のストックがなくなるような定常でない状況下においても、他の列に対応する記録用紙を利用することで、画像形成処理を継続し、必要最小限の効率を確保する。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

After a first thermal-oxidation film 10 is formed by a first thermal process on a first transistor formation region, where a first MOS transistor of high threshold voltage is formed and a second transistor formation region where a second MOS transistor of low threshold voltage is formed, a CVD oxide film 11 is laminated over it.例文帳に追加

高しきい値電圧の第１ＭＯＳトランジスタを形成するための第１トランジスタ形成領域１と、低しきい値電圧の第２ＭＯＳトランジスタを形成するための第２トランジスタ形成領域２との上に、第１回目の熱処理を行なって第１の熱酸化膜１０を形成した後、その上にＣＶＤ酸化膜１１を積層する。 - 特許庁

This camera system includes a focus detection control means capable of controlling the plurality of the focus detection systems for the image formation optical system; and a drive control means for controlling the drive of the image formation optical system, wherein the focus detection control means transmits discrimination information designating which of the plurality of the focus detection systems is in the process of execution to the drive control means.例文帳に追加

カメラシステムは、結像光学系に対する複数の焦点検出方式が制御可能な焦点検出制御手段と、結像光学系の駆動を制御する駆動制御手段とを備え、この焦点検出制御手段は、複数の焦点検出方式のうちのいずれを実行中かを示す識別情報を駆動制御手段に送信する。 - 特許庁

To provide a process cartridge and an image forming apparatus that can suppress deterioration of image quality caused by passage of residual toner after transfer through a latent image formation area during latent image formation and minimize a potential quantity varying before a latent image carrier surface charged by a charging means reaches a development area.例文帳に追加

転写残トナーが潜像画像形成中に潜像形成領域を通過することによって生じる画質劣化を抑制するとともに、帯電手段により帯電された潜像担持体表面が現像領域に到達するまでに変化する電位量を最小にすることができるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for inhibiting formation of a copolymer of divinylbenzene, formed by the manufacture of an aromatic vinyl compound or intermixed as an accompaniment of manufacturing raw materials of the aromatic vinyl compound, with an aromatic vinyl compound, and a method for inhibiting stains by deposition of the copolymer on apparatuses or equipments in a distillation process, a purification process or a storage process of the aromatic vinyl compound.例文帳に追加

芳香族ビニル化合物の蒸留工程、精製工程あるいは貯蔵工程において、芳香族ビニル化合物の製造によって生成したジビニルベンゼンあるいは芳香族ビニル化合物の製造原料に伴って混入したジビニルベンゼンと芳香族ビニル化合物との共重合体の生成抑制方法および装置類・設備類への該共重合体の付着による汚れの抑制方法を提供することにある。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This semiconductor substrate manufacturing method comprises a growth process for growing a second monocrystalline semiconductor 12 on a first monocrystalline semiconductor 10, a block layer formation process for forming a block layer 12a on the second monocrystalline semiconductor 12, and a stress relaxation process for producing a defective crystal 15 in a location deeper than the block layer 12, thus relaxing stress to the second monocrystalline semiconductor 12.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、第１単結晶半導体１０の上に第２単結晶半導体１２を成長させる成長工程と、第２単結晶半導体１２に阻止層１２ａを形成する阻止層形成工程と、阻止層１２ａよりも深い部分に結晶欠陥１５を発生させて第２単結晶半導体１２に作用する応力を緩和する緩和工程とを含む。 - 特許庁

Prior to formation of a silicide in the gate 102 and drain-source regions 108, 110 of a MOS device 100, exposed reactive silicon regions 112, 114, 116 covered with a metal are subjected to reactive plasma cleaning process.例文帳に追加

ＭＯＳデバイス１００のゲート１０２及びドレーン／ソース領域１０８、１１０内にシリサイドを形成するに先だって、金属に覆われ反応する露出されたシリコン領域１１２、１１４、１１６は、反応性プラズマ洗浄プロセスを受ける。 - 特許庁

Since the temperature increasing rate is set to a level as high as about 50°C/min in the present burning method, there is little formation of seed crystal from amorphous silica fiber contained in the green sheet 12 in the heating process and little growth of seed crystal if any.例文帳に追加

昇温速度が 50(℃／分) 程度と高い値に設定されていることから、昇温過程において未焼成シート１２に含まれる非晶質シリカ繊維からは種晶が生成し難く、且つ生成した種晶も成長し難い。 - 特許庁

Since a sheath of the electric wire for the wire harness is eliminated and the shield layer 50 is exposed to the outermost layer of the electric wire, the weight reduction and the cost reduction can be attained by saving a sheath material and the abbreviation of a sheath formation process.例文帳に追加

ワイヤハーネス用電線におけるシースをなくし、電線の最外層にシールド層５０が露出した構成とすることで、シース材料の節約、シース形成工程の省略により電線の軽量化・低コスト化を実現できる。 - 特許庁

To prevent a defective pickup caused by insufficient formation of an oxide film on a rear face of a wafer, in a semiconductor device manufacturing method which includes an in-line process wherein immediately after finishing grinding the rear face, a dicing tape is pasted to the ground face.例文帳に追加

裏面研削終了後直ちに研削面にダイシングテープを貼着するインライン化工程を含む半導体装置の製造方法において、ウエハ裏面での酸化膜の形成不足に起因するピックアップ不良を解消すること。 - 特許庁

To provide a new method for producing a 15-ketoprostaglandin E derivative, comprising such a hydrolyzing (deprotecting) reaction process using a phosphoric acid compound as to be extremely slight in the formation of byproduct prostaglandin A and industrializable under mild conditions.例文帳に追加

１５-ケトプロスタグランジンＥ誘導体の新規製造法であって、プロスタグランジンＡ類の副生が極めて少なく、穏和な条件で、工業化可能な、リン酸化合物を用いた加水分解（脱保護）反応工程を含む方法を提供する。 - 特許庁

When a polysilicon is used as the material of a lower-layer wiring 102, a side-wall deposit 118a comprising Si is formed on the side wall of a via hole 110 by sputtering on the surface of a lower-layer wiring 102 in a via hole formation process S5.例文帳に追加

下層配線１０２の材料にポリシリコンを適用すると，ビアホール形成工程Ｓ５において下層配線１０２表面でスパッタリングによってビアホール１１０側壁にＳｉからなる側壁堆積物１１８ａが形成される。 - 特許庁

The process for production comprises a surface roughening treatment step of subjecting the surface layer parts 9 of the palatal parts of the dentures 5a and 5b and the denture plate to rough surface formation by a sandblasting treatment and a polishing finishing step of buffing the rugged surfaces formed by the stage described above.例文帳に追加

当該製造方法は、義歯及び義歯床口蓋部表層部をサンドブラスト処理により粗面形成する粗面処理工程と、前記工程により形成された凹凸面をバフ摩きする摩き仕上工程とから成る。 - 特許庁

To provide a physical strength measuring apparatus and a physical strength evaluating system, which consistently process the health examination of the physical strength (grip, one leg standing, walking speed) of the aged from the measurement thereof to the formation of a result table safely and efficiently by a group health examination system.例文帳に追加

高齢者の体力健診（握力、片足立ち、歩行速度）を集団健診方式で安全かつ効率的に測定から結果票作成まで一貫処理できる体力測定装置と体力評価システムを提供すること。 - 特許庁

To provide powder for thermal spraying which can prevent thermal decomposition of molybdenum disulfide in a thermal spraying process and permits formation of a thermally sprayed film containing the molybdenum disulfide, a method for manufacturing the same, and a thermal spraying method using the powder for thermal spraying.例文帳に追加

溶射過程での二硫化モリブデンの熱分解防止を図ることができ、二硫化モリブデンを含有する溶射皮膜の形成を可能とする溶射用粉末及びその製造方法並びに該溶射用粉末を用いた溶射方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymerization process in which the polymerization occurs without fouling or deposit formation on the wall of a reactor and a product is obtained as dry powder having improved morphology (organized structures, i.e. the percentage of particles of regular shape).例文帳に追加

反応器壁が劣化せず又は付着物を形成させずに重合が生じ、生成物を改善された形態(組織化構造、即ち、規則的な形状の粒子の割合)を有する乾燥粉末として得る重合プロセス。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an MOS transistor which can increase a gate width of the MOS transistor and can restrain excess etching of a gate insulating film in dry etching process for pattern formation of a gate wiring.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置であって、ＭＯＳトランジスタのゲート幅を増加でき、且つ、ゲート配線をパターニング形成するドライエッチング工程に際して、ゲート絶縁膜の過剰なエッチングを抑制可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, in the case where the amorphous whose crystal grain sizes are small or fine crystal grain size hetero semiconductor is formed as the hetero semiconductor region, it is allowable that re-crystallization annealing process may be conducted after formation of the film to generate polycrystal silicon from the hetero semiconductor region.例文帳に追加

さらには、前記ヘテロ半導体領域として非晶質もしくは微結晶のヘテロ半導体を成膜させた場合、成膜後に、多結晶シリコンに変化させる再結晶化アニール処理を施すようにしても良い。 - 特許庁

To provide a method for forming an organic conductive thin film capable of preventing formation of a step at the boundary of plural parts without causing deterioration in the organic conductive thin film, with a simple process.例文帳に追加

有機導電性薄膜からなるパターン（配線や半導体パターン）の形成方法として、有機導電性薄膜に劣化を生じさせず、しかも簡単な工程で、前記複数の部分の境界に段差が生じないようにする。 - 特許庁

Disclosed is a polysilicon film production method where a polysilicon film is formed on a substrate within a pressure-reduced reaction tube 3 by a vapor growth process, wherein the film formation is performed while feeding moisture by a moisture feeding means.例文帳に追加

減圧した反応管３内で気相成長法により基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜製造方法であって、水分供給手段によって水分を供給しつつ、上記成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent an adhesion of a moving part to a fixed electrode or a semiconductor substrate caused by static electricity or the like generated during manufacturing process of a semiconductor acceleration sensor through formation of a beam structural moving part and a fixed part on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に梁構造の可動部と固定部を形成してなる半導体加速度センサにおいて、製造工程時に発生する静電気等により可動部が固定電極あるいは半導体基板と付着するのを防止する。 - 特許庁

To provide a PLCSZT ferroelectric thin film forming composition having excellent long-term preservation stability and also to provide a PLCSZT ferroelectric thin film formation process using the composition.例文帳に追加

長期保存安定性に優れたＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物と、このＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物を用いたＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process capable of producing a liquid crystal display device having terminal electrodes formed of metal allowing the easy formation of insulative oxidized films on the surface by inspecting the lighting thereof with high reliability.例文帳に追加

表面に絶縁性の酸化膜が形成されやすい金属で形成された端子電極を備える液晶表示装置を高い信頼性で点灯検査して製造できる、液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to perform high-speed film formation and to prolong the maintenance cycle of an apparatus in a method comprising rotating a substrate having a cylindrical outer periphery and forming a film on the cylindrical periphery by a plasma CVD process.例文帳に追加

円筒状外周面を有する被処理材を回転させ、プラズマＣＶＤ法により前記円筒状外周面に成膜を行うに際し、高速成膜を行えるとともに、装置のメンテナンスサイクルを延ばすことができるようにすること。 - 特許庁

To provide a method for producing metal fine particles which have small particle diameters, a comparatively narrow particle-size distribution and excellent dispersion stability and are suppressive in formation of dendrite, by a simple process and in large quantities.例文帳に追加

粒子径が小さく、粒度分布が比較的狭く、分散安定性に優れかつデンドロイト化が抑制された銅微粒子を、簡便な方法でかつ大量に生成することのできる金属微粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁