「Growing」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for manufacturing a light emitting semiconductor device containing a group III nitride quantum well layer contains selecting the facet orientation of the quantum well layer, controlling intensity of a piezoelectric field and/or intensity of a naturally generated electric field in the quantum well layer, and growing the quantum well layer having the selected facet orientation.例文帳に追加

III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び／又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。 - 特許庁

The quartz crystal seed for realizing the purpose is characterized in that the Z-plate growing seed crystal is provided with holes for suspension at a position of end parts of Y-axis and at a position on +X-axis with half of -X-axis, and at a position on -X-axis with twice of +X-axis.例文帳に追加

目的を実現するために本発明は、Ｚ板育成の種水晶のＹ軸方向の端部に＋Ｘ軸には−Ｘ軸方向の１／２の寸法位置に、−Ｘ軸方向には＋Ｘ軸の２倍の寸法位置にそれぞれに該Ｚ板育成の種水晶を吊るすための孔加工を施すことを特徴とする人工水晶の種水晶により課題を解決する。 - 特許庁

The electrode anchoring structure in a crystal-growing furnace includes at least one graphite electrode pillar 2, at least one metal electrode pillar, at least one anchoring base 4, and at least one locking nut wherein the graphite electrode pillar is engaged with a nut base of the metal electrode pillar, and the at least one metal electrode pillar is, through the anchoring base, secured to furnace wall.例文帳に追加

少なくとも１つのグラファイト電極柱２と、少なくとも１つの金属電極柱と、少なくとも１つの固着基部４と、少なくとも１つのロックナットとを含み、グラファイト電極柱は、金属電極柱のナット基部に係合し、少なくとも１つの金属電極柱は、固着基部を通って炉壁に固締される。 - 特許庁

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.例文帳に追加

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

To obtain a nonmagnetic garnet single crystal having a large lattice constant and excellent crystallinity, transparent in the wavelength region used by an optical communication, and suitable as the substrate for growing a magnetooptic crystal by an LPE method, and further to obtain a magnetic garnet LPE single crystal film by using the nonmagnetic garnet single crystal, capable of enlarging a Faraday rotational capacity by substituting a large amount of Bi.例文帳に追加

格子定数が大きく、結晶性が良好で、光通信で使用される波長域で透明であり、ＬＰＥ法による磁気光学結晶の育成用の基板として好適な非磁性ガーネット単結晶、及びそれを用いて、Ｂｉを多量置換してファラデー回転能を大きくできる磁性ガーネットＬＰＥ単結晶膜を得る。 - 特許庁

The present invention provides an NT-4 activity-inhibiting peptide having a receptor bonding inhibition effect and NT-4 homo/hetero dimer formation inhibition effect necessary for expressing a neurotrophin-4 (NT-4) signal inhibition effect, or a modified product thereof, and provides a use of the peptide or the modified product thereof as a hair-restoring and growing agent.例文帳に追加

神経栄養因子−４（ＮＴ−４）のシグナルの抑制効果の発現のために必要な、受容体への結合阻害、ＮＴ−４のホモ／ヘテロ二量体の形成阻害効果を有するＮＴ−４活性阻害ペプチドまたはその修飾物を提供すると共に、前記ペプチドまたはその修飾物の育毛養毛剤としての用途を提供する。 - 特許庁

The spinal correction system is intended to unrestrictively grow the concave side of a malformed spine, and to correct or arrest the scoliosis in the growing spine by spanning the end plate growth centers of adjacent vertebrae on the convex side of the malformed spine so as to retard growth on the convex side of the malformed spine.例文帳に追加

脊柱矯正システムは、奇形脊柱の凹状側が制約無く成長できるようにする一方で奇形脊柱の凸状側の成長を遅延させるように凸状側で隣接する脊椎の終板成長中心を跨ぐことにより、成長する脊柱内の脊柱側弯症を矯正または制止させるよう意図されたものである。 - 特許庁

This coating material for protecting and growing the living aquatic resources is a solution containing at least iron sulfate and sodium hydroxide, and further at least one kind selected from the group consisting of zinc hydroxide, ammonium hydroxide, potassium hydroxide, cobalt hydroxide, strontium hydroxide, copper hydroxide, lead hydroxide, barium hydroxide, magnesium hydroxide and manganese hydroxide, and having pH 6.5-8.4.例文帳に追加

少なくとも硫酸鉄と、水酸化ナトリウムを含有し、更に、水酸化亜鉛、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化コバルト、水酸化ストロンチウム、水酸化銅、水酸化鉛、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化マンガンよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、ｐＨ６．５〜ｐＨ８．４の溶液である水産資源保護育成用塗料。 - 特許庁

An embedding layer 10 for semi-insulation semiconductor to be grown on both sides of a mesa stripe portion 18 including the active layer is formed from a first layer having the identical height to the mesa stripe portion 18, and a second layer, formed on the surface of the first layer along the mesa stripe portion 18, for growing it as far as both sides of a mask wider than the mesa stripe.例文帳に追加

活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。 - 特許庁

A manufacturing method of an AlN crystal 8 comprises: a step for growing the AlN crystal 8 on the surface of an SiC seed crystal substrate 3; and a step for extracting at least a part of the AlN crystal 8b in a range 8a of 2 mm to 60 mm on the AlN crystal 8 side from the surface of the SiC seed crystal substrate 3.例文帳に追加

ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。 - 特許庁

The density (number) of precipitates relating to oxygen and nitrogen which act as nuclei of SSDs is decreased by controlling three parameters of oxygen concentration, nitrogen concentration and cooling speed in a process of pulling and growing a silicon single crystal based on the knowledge that the density (number) of the a precipitates increases by annealing a silicon wafer, and thereby, SSDs can be decreased.例文帳に追加

シリコンウェーハをアニールすると、ＳＳＤの核となる酸素と窒素に関連した析出物の密度（数）が増大するとの知見に基づき、シリコン単結晶の引上げ成長の過程で、酸素濃度、窒素濃度、冷却濃度という３つのパラメータを制御して上記析出物の密度（数）を減らし、これによりＳＳＤを減らすことができる。 - 特許庁

To provide an ozone generation and illumination system capable of attaining a new use manner by giving attention to ozone generation functions and black light functions of ultraviolet lamps, for example, such as growing of aquarium fishes and long-term storage of fresh flower and improving display effects of the ultraviolet lamps and being compact and light in weight in a simple structure and easily being handled at low cost.例文帳に追加

紫外線ランプによるオゾン生成機能とブラックライト機能に着目して新規な使用態様、例えば鑑賞魚の育成や生花の長期保存を可能とするとともにこれらのディスプレィ効果の向上を図る構造簡易で小型軽量であり、取り扱いが簡便かつ廉価なオゾン発生・照明装置を提供する。 - 特許庁

The film has an easily passable parts 44 that are intermittently arranged linearly on the widthwise center so that the growing crops can easily pass through dotted line slits and has a pressure-sensitive tape 46 that is constituted with the adhesive faces arranged on the back face side of both sides and the easily peelable face.例文帳に追加

幅方向の中央に断続的に配置され線状をなし苗類３０の生長力によって容易に通過できる点線状切れ目などの易通過部４４と、両側辺の裏面側に配置された粘着面と、両側辺の表面側で前記粘着面に対応する個所に配置された易剥離面とを構成する粘着テープ４６などを備える。 - 特許庁

This hair-growing cosmetic is characterized by containing a tocopherol aminoalkylcarboxylate represented by formula (I) and/or its salt, wherein, R^1 is H or a 1 to 6C alkyl group; R^2 and R^3 are each independently H or a methyl group; X is a 3 to 6C cycloalkylene group; and (n) is 0 or 1.例文帳に追加

下記式（Ｉ）（式中、Ｒ^1は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ^2、Ｒ^3はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を表す。Ｘは炭素数３〜６のシクロアルキレン基を表し、ｎは０または１を表す。）で示されるトコフェロールアミノアルキルカルボン酸エステル及び／又はその塩を含有する養毛化粧料である。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for growing the silicon single crystal by a Czochralski method is provided with a waste gas pipe extension member 34 so as to communicate with the air exit 31 disposed in the lower part of the growth furnace to exhaust the inert gas flowing in the growth furnace and is provided with a protective gas pipe 32 so as to enclose this waste gas pipe extension member.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する製造装置において、育成炉内に流れる不活性ガスを排気する前記育成炉の下方部に設けられた排気口３１に連通するように排ガス管延長部材３４を設けかつ該排ガス管延長部材を囲繞するように保護ガス管３２を設けるようにした。 - 特許庁

In the vapor deposition method of the nitride semiconductor with the nonpolar surface as a main surface onto a substrate for vapor deposition of the nitride semiconductor, the pressure of an atmosphere in the vapor deposition is made to be 1-10kPa and the temperature of the substrate for growing the semiconductor is made to be ≥900°C and <1,100°C.例文帳に追加

無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。 - 特許庁

Upon via-fill plating wherein bottomed via 18 is filled with the plating metal 19, only copper foil 13 exposed at the underside of the bottomed via 18 is made to function as an effective plating electrode, and the inside of the bottomed via 18 is filled with the plating metal 19 without growing the plating on the surface of the laminated board except the bottomed via hole.例文帳に追加

有底ビア１８内をめっき金属１９によって埋めるビアフィルめっき時には、有底ビア１８の底面に露呈している銅箔１３のみを有効なめっき電極として機能させ、有底ビア部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく有底ビア１８内をめっき金属１９で充填する。 - 特許庁

In the method of performing crystal growth by the ammonothermal method using ammonia as a solvent, the crystal growth is performed by using two types of crystals having different average particle sizes to each other as starting raw materials while applying supersonic waves to a growing part in which seed crystals are arranged and/or to a raw material-filling part from which the raw materials are supplied.例文帳に追加

アンモニアを溶媒とするアモノサーマル法による結晶成長を行う方法において、出発原料として、相対的に平均粒径の異なる２種の結晶を使用し、種結晶を配置した育成部および／または出発原料を供給した原料充填部に超音波を印可しながら結晶成長を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound single crystal capable of specifying the surface direction of the crystal at a cross section of the compound single crystal, and capable of dividing a cross section into a plurarity of wafer units by creavage of a single crystal even when cutting out a plurarity of wafers from a cross section, and a single crystal growing vessel therefor.例文帳に追加

化合物単結晶の断面における結晶の面方位を特定することができ、かつ１つの断面から複数個のウェハを切り出す場合でも単結晶のへき開により１つの断面を複数個のウェハ単位に分割することが可能な化合物単結晶の製造方法およびそれに用いられる単結晶成長用容器を提供する。 - 特許庁

The method for producing it comprises the steps of forming a silicon source layer having a thickness corresponding to its size so as to form the nanoparticls of a required size, forming the nanoparticles comprising a predetermined metal and silicon, vapor-depositing the nanoprticles on the silicon source layer, and forming the silicide by growing the nanoparticles.例文帳に追加

また、要求される大きさのナノ粒子が形成されるように、その大きさに対応する厚さにシリコンソース層を形成するステップと、所定金属とシリコンからなるナノ粒子を形成するステップと、ナノ粒子をシリコンソース層に蒸着させるステップと、ナノ粒子を成長させてシリサイドを形成するステップと、を含むナノ粒子の製造方法である。 - 特許庁

This structure for artificial fishing bank by thick growing if the alga on the surface of carbon fiber bundles 7 is constructed by making plural wire ropes 2 reach the sea bottom with sinkers 1 and having floats 3 attached thereto, connecting the wire ropes 2 with shape holding stays 4 so as to respectively form polygonal corners and handing the carbon fiber bundles 7 from each net 5 provided in the stays 4.例文帳に追加

シンカー１によって海底に着床させるとともにフロート３を取り付けた複数のワイヤロープ２を、それぞれが多角形の角部となるように保形性のステー４で連結するとともに、このステー４に設けたネット５に炭素繊維束７を吊り下げ、炭素繊維束７表面への藻の繁茂による魚礁を構築する。 - 特許庁

To obtain a material for controlling soil pests which avoids exerting adverse effect on natural environment and exhibits soil pest controlling effect in an early stage and is capable of maintaining stable soil pest controlling effect over the all growing periods of agricultural products, and also provide a method for controlling soil pests stably and effectively.例文帳に追加

自然環境に悪影響を及ぼすことなく、かつ早期に土壌病虫害防除効果を発現させるとともに、農作物の生育期間の全般にわたって安定的に土壌病虫害防除効果を持続させることのできる土壌病虫害防除用資材および安全で効果的な土壌病虫害の防除法を提供する。 - 特許庁

To constrain the nitriding of the front surface of a substrate which is composed of a diboride single crystal with high lattice matching with a gallium nitride-based compound semiconductor, provide 2-dimensional stratified growth from an early phase of growth, and control polarization from the early phase of growth, thereby reducing failure and growing up a gallium nitride-based compound semiconductor with excellent planarity, high quality, and low dislocation.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶から成る基板の表面の窒化を抑制し、成長初期から２次元の層状成長を実現し、また成長初期から極性を制御して、欠陥が低減され、平坦性に優れた高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること。 - 特許庁

This carbon nanotube is obtained by chemically treating the surface of silicon carbide, removing silicon atoms from the treated silicon carbide by heating it in an atmosphere including a slight amount of oxygen at a temperature at which silicon atoms are removed from the surface of the silicon carbide by its decomposition, and generating and growing the carbon nanotube from the surface of silicon carbide to its inside.例文帳に追加

炭化珪素の表面を化学処理し、処理後の炭化珪素を微量酸素の含有する雰囲気において該炭化珪素が分解して該炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該炭化珪素から珪素原子を除去して、該炭化珪素の表面から内部へ生成成長させてカーボンナノチューブを得る。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

Water is preferentially distributed to paddy fields in a growing period of paddy-rice plant liable to be influenced by water shortage or to undamaged paddy fields and the amount of water per day to be distributed to the paddy fields from the day to fixed several days hereafter is planned so that the total amount of water does not exceed the total amount of water for total irrigation which can be taken from a fountainhead 101.例文帳に追加

水不足の影響を受けやすい水稲生育時期の水田に対して、または未被害の水田に対して優先的に水配分を行うようにし、その総和が水源池１０１から取水可能な総灌漑用水量を超えないように、各水田への当日から所定日数先までの日水配分量を計画する。 - 特許庁

The apparatus of growing the biopolymer crystal is provided with a chip for crystal growth that consists of a reservoir cell 16 which reserves a liquid drop containing the biopolymer, the chip body 12 to which the opening 18 is attached, and the crystallization promoter 14 which is freely attached to or detached from the reservoir cell 16 and immersed partly in the liquid drop in the reservoir cell 16.例文帳に追加

生体高分子を含む溶液の液滴を保持する溶液保持セル１６と開口部１８とが形設されたチップ本体１２と、溶液保持セルに着脱自在に取り付けられ溶液保持セル上に保持される溶液の液滴中に一部が浸漬される晶析推進部材１４とから構成される結晶成長用チップ１０を備えた。 - 特許庁

In any case, there are the dollar-based economy, the euro-zone economy, and the Asian economy, which is growing most strongly. European summit meetings have frequently been held to appropriately deal with the European debt crisis. As the euro-zone economy is one of the three major economic zones, the FSA will closely monitor the situation while paying attention to the debate within the EU. 例文帳に追加

いずれにいたしましても、これはやはりドル圏、ユーロ圏、それから今、一番成長著しいアジアの経済圏でございますから、そういった意味で、欧州の債務問題が、今はよく欧州議会の中で首脳会議などを開いて、きちんと解決しております。金融庁とすれば、ぜひEUにおける議論を踏まえて見守っていきたいと思っております。 - 金融庁

I have a question for Mr. Mikuniya. The FSA's presence is growing now that it is more than 10 years since it was separated from the Ministry of Finance. On the other hand, while it maintains independence in terms of personnel affairs, the FSA needs to strengthen cooperation with the Ministry of Finance and the BOJ (Bank of Japan). What are the challenges for the FSA now, if any? 例文帳に追加

新長官にお聞きしますが、金融庁が旧大蔵省から分離して、もう10年以上がたち、独立官庁としての存在感を高めつつあると思いますが、一方で、人事面の独立性を保ちながらも、財務省や日銀との連携をより深める必要もあると思います。現時点での課題があるようでしたら、お願いいたします。 - 金融庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor, by which the nitride semiconductor reduced in the dislocation and good in the crystallinity can be obtained, and to provide a nitride semiconductor element which is produced by using as a substrate the nitride semiconductor obtained by the method and exhibits good life characteristic.例文帳に追加

マスクとして用いられるＳｉＯ_2による上記の問題点を解決し、転位が低減され結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に本発明の方法により得られた窒化物半導体を基板とする寿命特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。 - 特許庁

The method for producing a single crystal includes steps of: disposing a seed crystal within the crucible 1; disposing a raw material on the seed crystal within the crucible 1; disposing a sealant on the raw material within the crucible 1; and growing the single crystal on the seed crystal by melting the raw material followed by coagulating.例文帳に追加

単結晶の製造方法は、るつぼ１内に種結晶を配置する工程と、るつぼ１内の種結晶上に原料を配置する工程と、るつぼ１内の原料上に封止剤を配置する工程と、原料を溶融させた後、凝固させることにより、種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁

To find out a new plant extract having testosterone 5α-reductase inhibiting action and/or androgen receptor binding inhibiting action and provide a new antiandrogen agent, a hair growing cosmetic, etc., for treatment and prevention suitable for symptoms such as male-pattern baldness, hirsutism, seborrhea, etc., based on increase of androgenic hormone stimulation.例文帳に追加

テストステロン５α−レダクターゼ阻害作用及び／又はアンドロゲン受容体結合阻害作用を有する新規な植物抽出物を見い出し、男性型禿頭、多毛症、脂漏症など、男性ホルモン刺激の増大に基づく前記各症状に適した治療、予防のための新規な抗男性ホルモン剤、養毛化粧料等を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This can be produced by contacting an aqueous alkali silicate solution with a cation exchange resin to prepare an aqueous active silicic acid solution, thereafter adding triazole and an alkali agent to the aqueous active silicic acid solution to be made alkaline, and then heating to form silica particles and subsequently growing up the silica particles by a buildup technique.例文帳に追加

これは、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させて、活性珪酸水溶液を調製した後、この活性珪酸水溶液にトリアゾールおよびアルカリ剤を添加し、アルカリ性とした後、加熱してシリカ粒子を形成させ、続いてビルドアップの手法でシリカ粒子を成長させることにより製造することができる。 - 特許庁

This can be produced by contacting an aqueous alkali silicate solution with a cation exchange resin to prepare an aqueous active silicic acid solution, thereafter adding benzotriazole and an alkali agent to the aqueous active silicic acid solution to be made alkaline, and then heating to form silica particles and subsequently growing up the silica particles by a buildup technique.例文帳に追加

これは、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させて、活性珪酸水溶液を調製した後、この活性珪酸水溶液にベンゾトリアゾールおよびアルカリ剤を添加し、アルカリ性とした後、加熱してシリカ粒子を形成させ、続いてビルドアップの手法でシリカ粒子を成長させることにより製造することができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a fluorite crystal comprises a step for melting calcium fluoride in a crucible and then solidifying the resulting melt, and includes a step for growing the fluorite single crystal from the lower end of the melt in the crucible, and a step for subsequently depositing fluorite polycrystal from the melt.例文帳に追加

本発明の蛍石結晶の製造方法は、ルツボ中でフッ化カルシウムを融解させてから凝固させる蛍石結晶の製造方法において、ルツボ中融液の下端から蛍石単結晶を成長させる工程と、それに引き続いて融液から蛍石多結晶体を析出させる工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal having a desired carrier concentration and fewer impurities without corroding a device for growing a crystal by accelerating a reaction of producing gallium hydride gas to contribute to improving a growth rate of the gallium nitride crystal and doping the gallium nitride crystal with oxygen as a n-dopant.例文帳に追加

水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。 - 特許庁

(1) For the purposes of claiming the remuneration under Article 109/A (1), if such data are included in its records, the authority for plant growing? upon request, against the payment of the costs, in case of proving the entitlement ? provides the following data to the holder of the plant variety being under protection and belonging to plant species specified in Article 109/A (2):例文帳に追加

(1) 第109/A条(1)に基づいて報酬を請求する目的では，植物育成に係わる機関は，当該データがその記録に含まれている場合は，(権原が証明される場合において，費用の支払がなされ，請求があったときは)保護下にあり，かつ，第109/A条(2)にいう植物種に属する植物品種の所有者に次のデータを提供する。 - 特許庁

It is our shared view that more innovative approaches and renewed commitments are needed to cope with dynamic issues, such as growing international interdependence and interactions through trade and financial integration, uneven progress toward alleviating poverty and achieving the development goals of UN Millennium Declaration, prevention and resolution of international financial crises, and external shocks. 例文帳に追加

貿易や金融の統合を通じた国際的な相互依存と相互作用の深化、貧困削減と国連ミレニアム宣言の開発目標の達成に向けた不均等な進展、国際金融危機や外生ショックの予防と解決といった、ダイナミックな課題に取組むためには、より革新的なアプローチと新たなコミットメントが必要であるとの認識を共有。 - 財務省

We welcome the decision to establish the Alliance for Financial Inclusion (AFI) as a permanent network for knowledge creation, exchange and policy dialogue. We welcome the first GPFI Conference on Standard-Setting Bodies and Financial Inclusion as a substantial demonstration of growing commitment among Standard Setting Bodies (SSBs) to provide guidance and to engage with the GPFI to explore the linkages among financial inclusion, financial stability, financial integrity and financial consumer protection. 例文帳に追加

我々は、基準設定主体が金融包摂、金融の安定、金融インテグリティ及び金融消費者保護の間の関連性を追求するためにガイダンスを提供し、GPFIと協調する取組みを拡大していることが明確に提示された、基準設定主体と金融包摂に関する第 1回GPFI年次会合を歓迎する。 - 財務省

As considerable saving-investment balance adjustments proceed in the US and other developed economies, and the world economy has started rebalancing towards a new equilibrium, developing countries face an increased need to review their development model, which is contingent on ever-growing markets in developed countries, and to pursue economic growth with more balanced reliance on domestic and foreign demand. 例文帳に追加

今後、米国をはじめとする先進国経済で貯蓄･投資バランスの大幅な調整が進行し、世界経済が新たな均衡点を求めてリバランシングを行いつつある中で、途上国も先進国市場の拡大を前提とした開発モデルの見直し、内需と外需のよりバランスのとれた経済成長を目指す必要性が高まってきています。 - 財務省

Quota reform is a strategically important issue with global implications to improve the governance structure of the IMF, enabling it to play an effective role in the global economy.At the same time, in Asia, where so many emerging market economies are growing rapidly, quota reform has its own meaning in regaining and strengthening the IMF’s relevance and credibility in this region during the post-crisis years. 例文帳に追加

クォータ配分の見直しは、IMFが国際社会に有効な役割を果たし続け得るガバナンス構造を目指すというグローバルな戦略的重要性のある課題ですが、高い成長を続ける新興市場国の多いここアジアにおいては、アジア通貨危機をきっかけに生じたアジア諸国とIMFとの心理的距離の克服というもう一つの意義があります。 - 財務省

As pointed out in the report of the Eminent Persons Group, there are many challenges in Asia, such as the widening disparities that accompany economic growth, energy and environmental problems centering on climate change, the increasing need for progress in regional economic integration, and technological development and innovation. In such a situation, the role that the "new ADB" should play has been growing steadily. 例文帳に追加

賢人会議の報告で指摘されているとおり、成長に伴う格差の拡大、気候変動を軸とするエネルギー・環境問題、地域経済統合の推進や技術開発とイノベーションの必要性の増大といった数多くの課題が域内に存在する中で、「新ADB」が果たすべき役割はますます大きなものとなっております。 - 財務省

The method for producing a cuprous oxide particle comprises pouring a solution containing a cuprous oxide raw material and a dispersant into an agitating apparatus, thereafter pouring a solution containing a compound having reduction actions into the agitating apparatus, and growing the cuprous oxide crystal by agitating and mixing the solution.例文帳に追加

酸化第一銅原料及び分散剤を含有する溶液を撹拌装置中に注入した後、還元作用を有する化合物を含有する溶液を前記撹拌装置中に注入し、撹拌混合させて酸化第一銅結晶を成長させる酸化第一銅粒子の成長工程を含む酸化第一銅粒子の製造方法である。 - 特許庁

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。 - 特許庁