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In currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 47545



例文

This invention does not need to use off-chip inductors or capacitors, and contributes to the yield and the amount of production, because no extra connections are required, in comparison with prior art because switchings among the bands are performed by using the current, voltage or capacitance between the input terminal and the output terminal of the transistor.例文帳に追加

電流又は電圧もしくはトランジスタの入力端と出力端との間の電気容量値を使用してバンドを切替えているので、本発明は先行技術に比較して、チップ外のインダクタ及びキャパシタを使用する必要がなく、かつ、定格該の結線を要しないので歩止まり及び産量に寄与する。 - 特許庁

Besides, a junction (Vb) of the output terminal of a constant current circuit 12b in a reference voltage circuit 11b and the emitter of a bipolar transistor 13b grounding the collector is connected to the non-inverted input terminal of an operational amplifier 31 and the base of this transistor 13b is connected to the junction (Va).例文帳に追加

また、基準電圧回路11bにおける定電流回路12bの出力端と、コレクタが接地されているバイポーラトランジスタ13bのエミッタとの接続点(Vb)を、オペアンプ31の非反転入力端子に接続するとともに、このトランジスタ13bのベースを上記接続点(Va)に接続する構成とされている。 - 特許庁

If a recovery request is given in such a manner that a user operates an operation panel 128, the microprocessor 125 reads RAID configuration information of a designated disk array 11-i from the recovery table 126a, returns the array 11-i to the state just before the blockage according to the information and overwrites the information on the current table 126b.例文帳に追加

ユーザが操作パネル128を操作することでリカバリ要求が与えられた場合、マイクロプロセッサ125はリカバリテーブル126aから指定のディスクアレイ11-iのRAID構成情報を読み出し、当該情報に従ってアレイ11-iを閉塞直前の状態に戻し、当該情報をカレントテーブル126bに上書きする。 - 特許庁

To provide a method of electrochemical antifouling on a structure in contact with seawater such as a seawater inlet channel of a power station or a fishpond for cultivation, which method can be conducted at an arbitrary place even when an existent power source such as a commercial power source is hardly available as a power source of DC current.例文帳に追加

発電所の海水取水路や養殖の生け簀のように、海水と接触している構造物における電気化学的な防汚を、直流電流の電源として商用電源など既存の電源を利用することが困難な場合にも、任意の場所において実施できるような方法を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a display driving device which can well deal with the trend toward higher fineness of a display panel while suppressing the deterioration in display sharpness due to insufficiency of writing at the time of writing operation of display data to a display pixel by using an existing current driver and a display device as well as a method for controlling its driving.例文帳に追加

既存の電流ドライバを用いて、表示画素への表示データ(階調電流)の書込動作に際し、書込不足による表示画質の劣化を抑制しつつ、表示パネルの高精細化に良好に対応することができる表示駆動装置及び表示装置並びにその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁


例文

When the terminal station device that is communicating with the base station device can perform communication at the transmission speed that is faster than the current data transmission speed, the transmission speed when the own device receives at least one spatial channel requests the spatial multiplexing in the spatial channel to the base station device.例文帳に追加

また1つ以上の空間チャネルを自装置で受信した場合の伝送速度が、基地局装置と通信中の端末局装置が現在通信を行っているデータ伝送速度よりも高い伝送速度で通信できる場合に、基地局装置に対して空間チャネルでの空間多重を要求する。 - 特許庁

To provide a new benzodichalcogenophene derivative satisfying both of the high field-effect mobility (≥0.1 cm^2/Vs) and high on/off current ratio (≥10^5) required in organic semiconductor materials, a method for the production of the derivative as an easily purifiable practical material, and an organic semiconductor device produced by using the derivative.例文帳に追加

有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度(0.1cm^2/Vs以上)と、高いオン/オフ電流比(10^5以上)の双方を満足する新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その実用材料としての製造および精製が容易な製造方法、およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

A recharging circuit 12 charges the capacitor C with a current corresponding to a difference between voltage obtained by D/A converting the reference voltage value outputted from the voltage storing circuit 18 and the output voltage Vout to compensate a discharging amount in the intervals of sampling periods of the capacitor C and restore a charging amount at the end of the preceding sampling period.例文帳に追加

次のサンプリング期間の開始に先立って、リチャージ回路12は電圧ストア回路18から基準電圧値をD/A変換した電圧とVoutとの差に応じた電流でコンデンサCを充電し、コンデンサCのサンプリング期間の合間での放電量を補い、前回のサンプリング期間の終了時の充電量を回復する。 - 特許庁

A correction part 37 corrects advance or delay of the current time clocked with the time clocking part 31 from a difference between a unit elapse time and a reference period being a period clocked with the time clocking part 31 in the reference period being a prescribed length period indicated by the reference time and a correction elapse time.例文帳に追加

補正部37は、基準時間で示される所定の長さの期間である基準期間における時刻計時部31により計時される期間である単位経過時間と基準期間との差、および補正経過時間から、時刻計時部31で計られる現在時刻の進みまたは遅れを補正する。 - 特許庁

例文

The radar system uses signal processing obtaining similar effect in which the number of antennas is virtually increased along a moving direction of the radar by using past data when the same antenna is positioned at a slightly different place (T1) and data at a current (T1+ΔT) position as a unit data set to obtain intensity change of a receiving signal.例文帳に追加

同じアンテナが僅かに異なる場所(T1)に位置していたときの過去のデータと、現在(T1+ΔT)の位置におけるデータとを単位のデータセットとして使用し受信信号の強度変化を求めることで、仮想的にアンテナ数をレーダの移動方向に沿って増やすのと類似の効果を得る信号処理を用いる。 - 特許庁

例文

At a pair of heat sink side-wall parts 9A of a heat sink 3, a plurality of slit parts 12 for ventilation of air current generated by a fan device 5, which extends from its tip end toward a base 7 side are formed in the direction orthogonal to extension of the slit part 12 with a preset interval.例文帳に追加

ヒートシンク3の一対のヒートシンク側壁部9Aに、その先端部からベース7側に向かって延びてファン装置5が発生した空気流を流通させる空気流通用の複数のスリット部12を、スリット部12が延びる方向と直交する方向に予め定めた間隔を開けて形成する。 - 特許庁

To prevent a rise of a temperature of a pickup roll solenoid itself accompanied by the energization of the pickup roll solenoid without increasing an energization time ratio of the pickup roll solenoid in a paper feed part even if a resist stop time of previously conveyed paper becomes long, to prevent the deterioration of a suction force accompanied by the rise of the temperature, and to reduce current consumption.例文帳に追加

以前に搬送した用紙のレジスト停止時間が長くなったとしても、給紙部におけるピックアップコロソレノイドの通電時間割合を大きくせず、ピックアップコロソレノイドの通電に伴うピックアップコロソレノイド自身の温度の上昇を防ぐと共に、これに伴う吸引力の低下を防ぎ、消費電流を小さくする。 - 特許庁

An electronic equipment control system 100 has: an electronic equipment 50, such as an air conditioner and the like, installed in a room R and connected to a network 20; a portable terminal 40 performing communication via the network 20 and having position information detection means detecting current position information; and a server 10 connected to the network 20.例文帳に追加

電子機器制御システム100、部屋Rに設置されるとともに、ネットワーク20に接続されるエアコンディショナー等の電子機器50と、ネットワーク20を介して通信し、現在の位置情報を検出する位置情報検出手段を有する携帯端末40と、ネットワーク20に接続されるサーバ10とを備える。 - 特許庁

To provide a method and a device for detecting contact position of embedded pipes capable of easily and accurately detecting a metallic contact position of a pair of embedded pipes by eliminating difficulty in measurement of a voltage change when alternating current leaks into the ground from a coating film damaged part of the embedded pipes.例文帳に追加

埋設管の塗膜損傷部から地中に交流電流が流逸する際の、電圧変化の測定の困難さを解消して、一対の埋設管同士が金属接触した位置を容易且つ正確に検出することができる埋設管同士の接触位置の検出方法および検出装置を得る。 - 特許庁

During the execution of a communication cycle, event issue time decision processing and event processing for issuing an event are executed and the event issue time decision processing determines event processing time set in each communication phase and a communication cycle pattern suited to an application purpose on the basis of a current communication phase.例文帳に追加

通信サイクル実行時に、イベントの発行時間決定処理と、イベントの発行とが行われるイベント処理を実行し、さらに、イベントの発行時間決定処理は、現在の通信フェーズにより、通信フェーズ毎に設定されたイベント処理用時間と、使用目的に適した通信サイクルパターンとを判定する。 - 特許庁

A semiconductor laser driving circuit 1 comprises a filter circuit 3 parallel-connected to a laser diode (LD) 2 for shunting a high frequency current generating from the LD 2, in a driving circuit for driving the LD 2 for creating an optical signal, and a frequency characteristic of the filter circuit 3 is variable with this arrangement.例文帳に追加

この半導体レーザ駆動回路1は、光信号を生成するためのレーザダイオード(LD)2を駆動する駆動回路において、LD2に並列に接続され、LD2から発生した高周波電流を分流させるフィルタ回路3を備え、フィルタ回路3の周波数特性が可変に構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron emitting element that is capable of stabilizing the electron emission characteristics of the electron emitting element by reducing the preparatory drive current If-pre flowing in the electron emitting element at the time of carrying out the preparatory drive process for stabilizing the electron emission characteristics, and a manufacturing method of an electron source.例文帳に追加

電子放出特性を安定させるための予備駆動工程を行う際の電子放出素子に流れる予備駆動電流If−preを低減して電子放出素子の電子放出特性を安定させることが可能な電子放出素子の製造方法及び電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

A starting battery capacity computing means 27 computes the battery capacity at engine start, based on the battery capacity at engine stoppage and the current consumption value stored in storage means 24 and 25 at engine start by the engine starting operation of the driver and the engine stoppage period, detected with the detection means 26.例文帳に追加

始動時バッテリ容量算出手段27は、運転者のエンジン始動操作によるエンジン始動時に、記憶手段24,25で記憶されたエンジン停止時バッテリ容量及び消費電流値と、検出手段26で検出されたエンジン停止期間とに基いて、エンジン始動時のバッテリ容量を算出する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device capable of incorporating an HVIC chip corresponding to an increase in current and breakdown voltage without upsizing a package, and to achieve a semiconductor device capable of increasing thickness of an embedded oxide film necessary for a high breakdown voltage characteristic while suppressing the occurrence of warpage of a wafer.例文帳に追加

パッケージを大型化することなく、大電流化、高耐圧化に対応したHVICチップを収めることが可能な半導体装置を実現することにあり、また、ウェハの反りの発生を抑制しつつ、高耐圧特性に必要な埋め込み酸化膜の厚膜化を図ることが可能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

Since the harness module 6 is formed by a substrate 7 for performing distribution of a current; and a sub-harness 8 for connecting the substrate 7 and an electric equipment, the sub-harness 8 part is short and a connection part to a control substrate 12 can be collectively provided at an optional position in the substrate 7 as a first connector 11.例文帳に追加

電流の分配を行う基板7と、基板7と電装品との間を接続するサブハーネス8とで、ハーネスモジュール6を形成したため、サブハーネス8部分は短くて済み、制御基板12に対する接続部を、基板7中の任意に位置に第1コネクタ11として集中させて設けることができる。 - 特許庁

The image data transfer instructor 42 instructs the transfer of the image data, where display time arrived, and instructs the transfer of the oldest image data in the first to N-th reference frame buffers when the decoding processing is completed to the image data of a current frame, and the first to N-th reference frame buffers are full.例文帳に追加

画像データ転送指示部42は、表示時刻が到来した画像データの転送を指示すると共に、現フレームの画像データに対するデコード処理が完了し、且つ第1〜第Nの参照フレームバッファがフル状態のとき、第1〜第Nの参照フレームバッファの最も古い画像データの転送指示を行う。 - 特許庁

In the system that provides position information to a party requesting provision of position information, the current position information acquired by a prescribed means is transmitted to at least one position information reception terminal (10, 20) designated by the request party at a set time interval until the designation is cancelled.例文帳に追加

位置情報の提供を求める要求者に位置情報を提供するシステムにおいて、所定の手段で取得した現在位置情報を設定された時間間隔で前記要求者の指定する少なくとも1つの位置情報受信端末10,20に前記指定が解除されるまで送信することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a step-down type DC-DC converter which can maintain an output voltage at a target value when an input/output voltage difference is small, and can suppress an undershoot generated at the output voltage when an output current is abruptly increased, in the off-time control system DC-DC converter.例文帳に追加

オフ時間制御方式のDC−DCコンバータにおいて、入出力電圧差が小さい場合、出力電圧を目標値に保つことが可能であり、且つ出力電流が急峻に増加する場合、出力電圧に発生するアンダーシュートを抑制した降圧型のDC−DCコンバータの提供を目的とする。 - 特許庁

When the addressing light emitted from the external light emitting element 10 is accepted by the photo-addressable display element 7, the carrier is multiplied by the current amplification mechanism of the photoconductive layer and a voltage is applied on the electrochromic layer to cause the developing or erasing reaction only in the part where the addressing light is accepted and to display an image.例文帳に追加

外部発光素子10から出射された書込み光が、光書込み表示素子7に受光されると、キャリアが光導電層の電流増幅機構によって増倍され、エレクトロクロミック層に電圧が印加されて、書込み光の受光部分のみに発消色反応が生じて表示が行われる。 - 特許庁

To provide a mobile communication terminal device which increases an input gain of a microphone by providing a motion picture shooting mode of small current consumption, enabling the motion picture shooting mode to be implemented in a compact state where a casing is closed, and further detecting that the microphone is covered by a shield during the motion picture shooting mode.例文帳に追加

消費電流の小さな動画撮影モードを提供し、また筐体が閉じられたコンパクトな状態で動画撮影モードを行うことができ、更に動画撮影モード時にマイクロホンが遮蔽物に覆われたことを検出し、それによってマイクロホンの入力ゲインを大にする移動通信端末装置を提供することにある。 - 特許庁

A controller 100 controls to switch a switching element Q3 connected in parallel to the switching element Q1 and the field winding 50, thereby controlling the field current to adjust magnetic flux density between a rotor and a stator, and converting the output voltage of the battery B into a voltage according to a voltage command value.例文帳に追加

制御装置100は、スイッチング素子Q1および界磁巻線50に並列接続されるスイッチング素子Q3をスイッチング制御することにより、界磁電流を制御してロータおよびステータの間の磁束密度を調整するとともに、バッテリBの出力電圧を電圧指令値に従った電圧に変換する。 - 特許庁

The sealed battery is characterized in that after one face of the lead 40 is welded to the inner face of the lid 50, the other face of the lead 44 is welded to the upper face of the upper current collecting plate 2.例文帳に追加

密閉形電池の電槽60を閉鎖する蓋50の内面と上部集電板2の上面とがリード40,44を介して接続された密閉形電池において、蓋50の内面にリード40の一方の面が溶接された後、上部集電板2の上面にリード44の他方の面が溶接されたものであることを特徴とする。 - 特許庁

A PWM signal generating section 114 generates a signal PWM1, based on the voltage command, obtained by superposing an alternating-current voltage command from an AC output control unit 64 and the harmonic voltage command e_GN from the harmonic generating section 112 on voltage commands in the phases U, V, and W from a converting section 110.例文帳に追加

PWM信号生成部114は、変換部110からのU,V,W各相電圧指令にAC出力制御部64からの交流電圧指令および高調波発生部112からの高調波電圧指令e_GNを重畳した電圧指令に基づいて信号PWM1を生成する。 - 特許庁

Before starting reading, from each signal line, charges accumulated in the radiation image detector, a leakage amount per pixel is acquired from the initial leakage amount of a leakage current output from each signal line, and the number of pixels on each signal line existing inside irradiated-directly-by-radiation areas of the radiation image detector.例文帳に追加

放射線画像検出器に蓄積された電荷を各信号線から読み出しを開始する前に、各信号線から出力されたリーク電流の初期リーク量と、放射線画像検出器の直接放射線照射領域内に存在する各信号線上の画素数とから、1画素当りのリーク量を求める。 - 特許庁

To provide a planar type semiconductor device in which a horizontal direction of a depletion layer near a guard ring region is easily broadened, an electric field near a corner of a main junction region is sufficiently alleviated, and a concentration of an avalanche current to the corner is prevented to improve a withstand voltage.例文帳に追加

ガードリング領域近傍における空乏層の水平方向の広がりやすくして、主接合領域の隅部近傍の電界を十分に緩和させ、アバランシェ電流の当該隅部への集中を防止することにより、耐圧を向上させたプレーナ型半導体装置を提供することを目的すること。 - 特許庁

In the positive electrode for the secondary battery, as the positive electrode active material, at least one of an oxide based positive electrode active material, a phosphate based positive electrode active material having an olivine type crystal structure, and an olivine fluoride based positive electrode active material is electrically connected to a current collector via an electron conductive member.例文帳に追加

本発明の二次電池用正極は、正極活物質として、酸化物系正極活物質、オリビン型結晶構造を有するリン酸塩系正極活物質、オリビンフッ化物系正極活物質の少なくとも1種が電子伝導部材を介して集電体に電気的に接続されている。 - 特許庁

Current carrying to a plurality of heaters 7 horizontally wound around side walls 11, 12 of the soldering device body 1 at different heights is independently controlled to control a solder temperature, and an electrode 57 provided in a valve shaft 51 of the check valve 5 is exposed from the solder 9 to detect the residual amount of the solder.例文帳に追加

半田付け装置本体1の側壁11、12に異なる高さで水平方向に巻回した複数本のヒータ7への通電を独立制御して半田温度を制御し、逆止弁5の弁軸51に設けた電極57が半田9から露出することにより半田の残量を検出することができる。 - 特許庁

Furthermore, the organic electroluminescence element manufacturing device is arranged by forming an angle of 30 to 70 ° relative to the upper face of the organic electroluminescence element in which a protective layer should be formed on the upper part, and has a sputtering device provided with two targets of a protective layer constituent material impressed with alternating current power, respectively.例文帳に追加

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して30〜70度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。 - 特許庁

In a welding head 10, at the initial stage of welding, all of main electric current IH is allowed to traverse and flow from one side electrode terminal 14a of an upper heater electrode 14 to the other electrode terminal 14b and Joule heat is generated on an electrode tip part 14e and branched parts 14c, 14d of the upper heater electrode 14.例文帳に追加

溶接ヘッド10においては、通電初期は主電流I_Hの全部が上部ヒータ電極14の一方の電極端子14aから他方の電極端子14bに縦断して流れ、上部ヒータ電極14の電極先端部14eおよび肢部14c,14dでジュール熱が発生する。 - 特許庁

When receiving secondary personal identification number information about a secondary personal identification number sent from a terminal, a control device of a server sets a current withdrawal limit amount set and stored in a savings account management file to a secondary withdrawal limit amount higher than a primary, small withdrawal limit amount.例文帳に追加

サーバの制御装置は、端末側から送信された第2の暗証番号に係る第2の暗証番号情報を受信した場合、預金口座管理ファイルに設定記憶されている現状の引出し限度額を、低額の第1の引出し限度額よりも高額の第2の引出し限度額に設定変更する。 - 特許庁

By turning a switch 50 and to short-circuiting the output terminals 30A and 30B and alternately inputting signals of different levels to the inverter circuits 11 and 12 at test, a current is made to alternately flow through an NchMOS transistor and a PchMOS transistor included in the two CMOS circuits to activate them.例文帳に追加

テスト時に、スイッチ50をオンにして出力端子30A、30Bを短絡するとともに、インバータ回路11、12に異なるレベルの信号を交互に入力することによって、2つのCMOS回路に含まれるNchMOSトランジスタ及びPchMOSトランジスタに交互に電流を流し活性化させる。 - 特許庁

The photographing assist comprises an actual lighting condition specifier which specifies actual lighting condition of the main subject based on the position of the digital camera, orientation of it, and a current time; and a main subject specifier which specifies a kind of the main subject contained in the image by analyzing the image.例文帳に追加

この撮影補助部は、デジタルカメラの位置と、デジタルカメラの方向と、現在時刻とに基づいて、主要被写体の実照明条件を特定する実照明条件特定部と、画像を解析することにより画像に含まれる主要被写体の種類を特定する主要被写体特定部を有している。 - 特許庁

This light-emitting diode enables suppression of electric current flowing in a light-emitting layer 5 of the lower part of an upper electrode 11 of the side of the upper electrode 11 (light extraction side) and to reflect a radiating light from a lightemitting layer 5 to a light extracting side.例文帳に追加

半導体多層膜からなる電流ブロック層7を上部電極11と発光層5との間に挿入することにより、上部電極11側(光取出し側)の上部電極11下方部分の発光層5に電流が流れるのを抑制し、かつ発光層5からの放射光を光取出し側へ反射させることができる。 - 特許庁

In the arc welding cable 65 by which a welding current, a welding wire, and shield gas are supplied from a wire feeding device 61 to a welding torch 64, a passage 4 for the welding wire 2 and the shield gas is provided at the central part and a plurality of conductors 5 are arranged apart each other on the circumference around the passage 4.例文帳に追加

ワイヤ送給装置61から溶接トーチ64へ、溶接電流、溶接ワイヤおよびシールドガスを供給するアーク溶接ケーブル65において、中心部に溶接ワイヤ2とシールドガスの通路4を備え、通路4の周囲の円周上に複数の導電体5を互いに間隔を開けて配置する。 - 特許庁

In the image forming apparatus, the replacement of a toner container and the cleaning of the electrifier are urged, when both are performed, shifting to a normal image forming operation is performed and when the electrifier is not normally cleaned, a display for urging the cleaning is made and the corona wire current or grid voltage of the electrifier is adjusted.例文帳に追加

画像形成装置において、トナーコンテナの交換と帯電器の清掃が促され、両方が行われると、通常の画像形成動作に移り、帯電器が正常に清掃されないと、清掃を促す表示がされるとともに、帯電器のコロナワイヤ電流またはグリッド電圧の調整が行なわれる。 - 特許庁

The strain sensor is equipped with a stacked structure made up by sequentially stacking a lower electrode, a metal oxide film of a perovskite-like structure and an upper electrode on a substrate, and is composed of: a capacitor which is mounted on a specimen; and a measurement circuit for measuring leakage current between the upper electrode and the lower electrode in the capacitor.例文帳に追加

歪センサは、基板上に下部電極と、ペロブスカイト型構造を有する金属酸化膜と、上部電極を順次積層した積層構造を有し、検体上に実装されるキャパシタと、前記キャパシタ中、前記上部電極と下部電極の間のリーク電流を測定する測定回路とより構成される。 - 特許庁

To provide an advantageous method of reducing an on-state resistance of a transistor in a semiconductor device 36, including the transistor 38 formed on semiconductor substrates 12, 14, the transistor comprising a first terminal region 16 and a second terminal region 18, the terminal regions forming a current channel 44, when the transistor is conducting.例文帳に追加

半導体基板12,14上に形成されたトランジスタ38を有し、該トランジスタは第1の端子領域16および第2端子領域18を有しており、該端子領域は該トランジスタが導通状態にあるとき電流路44を形成する、半導体デバイス36であって、トランジスタのオン抵抗を低減する有利な手法。 - 特許庁

To provide a highly reliable and high-speed semiconductor device by preventing the reduction of the source/drain current of a p-channel type transistor even in the case of forming a silicon nitride film for self-aligned contact by using the single wafer type heat CVD system of a cold wall type so as to cope with the micronization of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱CVD装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、pチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide an image sensor capable of preventing the generation of a charge sharing phenomenon, while improving the filling factor, and capable of minimizing the number of dark current sources and preventing deterioration in saturation and sensitivity by imparting a smooth transfer path of photocharges between a photodiode and a read-out circuit, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

フィルファクターを高めながら、電荷共有現象が発生しないことと、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the peak detection output is obtained by converting the combined luminance signal into a low-frequency one by using a peak hold, and therefore, an adequate correction effect can be obtained by making a current according to this frequency flow, even when a horizontal convergence correction coil is used whose inductance must be set to more than a required one.例文帳に追加

この場合、ピーク検出出力は、ピークホールドにより、合成輝度信号を低周波数化したものであり、所要以上のインダクタンスを設定する必要のある水平コンバーゼンス補正コイルであっても、この周波数に応答した電流を流して適正な補正効果を得ることが可能になる。 - 特許庁

This device comprises an actuator driven according to the capacity of current to be supplied; at least one or more vanes rotatably arranged outside a turbine; and a transfer assembly actuating together with the actuator, converting a linear movement of the actuator into a rotation movement in a manner to rotate the vane, and transferring the movement to the vane.例文帳に追加

供給される電流の大きさに応じて駆動されるアクチュエーターと;タービンの外側に回転可能に設置される少なくとも一つ以上のベーンと;アクチュエーターに連動して作動し、ベーンを回転させるようにアクチュエーターの直線運動を回転運動に変換してベーンに伝達する伝達アセンブリーと;を含む。 - 特許庁

When a capacitor 11 to constitute a half bridge-shaped inverter circuit is connected to the discharge lamp 51 and a circuit grounding electrical potential, and the discharge lamp 51 is normally discharged, voltage of a direct current power supply 71 is set in order to make voltage which is standardized based on a circuit grounding potential of the capacitor 11 slightly larger than the peak value of a lamp voltage.例文帳に追加

ハーフブリッジ形のインバータ回路を構成するコンデンサ11を放電灯51と回路グランド電位に接続し、放電灯51の正常放電時において、コンデンサ11の回路グランド電位を基準とした電圧を、ランプ電圧のピーク値より僅かに大きくなるように直流電源71の電圧を設定する。 - 特許庁

To provide a memory circuit in which erroneous read-out caused by level floating of the source line caused by a discharge current flowing into the source line from a pre-charged bit lines is prevented at the time of read-out, erroneous read-out based on capacity coupling between adjacent bit lines also is not caused, and large scale high integration can be performed.例文帳に追加

読み出し時に、プリチャージされたビット線からソース線に流入するデスチャージ電流により生じる前記ソース線のレベル浮きによる誤読み出しを防止し、かつ隣接ビット線間の容量カップリングに基づく誤読み出しも生じない、大規模高集積化が可能なメモリ回路を提供する。 - 特許庁

Conductors 13, 17 in bushings 12, 16 that contact the insulating gas and the external surfaces of the main circuit terminals 14, 18 are molded with an epoxy resin 27, and the external and internal surfaces of a fixed side shield 24 and the movable side shield 25 that are members for surrounding a part where a current flows and the external surface of an insulated cylinder 8 are molded with the epoxy resin as well.例文帳に追加

絶縁ガスに接触する部材であって、ブッシング12,16の内部の導体13・17と主回路端子14・18との外表面と、電流が流れる部分を囲繞する部材である固定側シールド24・可動側シールド25の内外表面と絶縁筒8の外表面とを、エポキシ樹脂27によりモールドする。 - 特許庁

例文

Mechanical strength required for working the semiconductor element 100, used to make a current flow across a first electrode E1 and a second electrode E2, in such a way that the inside of the semiconductor wafer 110 is passed through the first main face and the second main face of the semiconductor wafer, which face each other is ensured by a thickness do of the semiconductor wafer on which the element is formed.例文帳に追加

半導体ウエハ10の内部を該半導体ウエハの互いに対向する第一、第二の主面に抜けるように第一、第二電極E1,E2間で主たる電流を流す半導体素子100 を加工するときに必要な機械強度は、当該素子を作り込む半導体ウエハの厚みdoにより確保する。 - 特許庁




  
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