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element structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9525件
The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate.例文帳に追加
本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、n型半導体層3と、発光層4と、p型半導体層5の積層構造からなるIII−V族窒化物系半導体層10を相対的に遅い第1速度でドライエッチングした後に、最終的に第1速度よりも速い第2速度でIII−V族窒化物系半導体層10をエッチングする。 - 特許庁
The element is specifically structured to have a polymer or a gel polymer solid electrolyte layer including a light emitting material between substrates having two pieces of electrodes, wherein a transparent substrate having transparent electrode of which the one side surface is provided with a photochromic layer is chosen as at least one substrate, or to have a laminated structure in which the polymer or the gel polymer solid electrolyte layer are laminated with a light emitting layer.例文帳に追加
具体的な構成は、フォトクロミック層を片側の面に設けた透明電極を有する透明基板を、少なくとも一方とする、二枚の電極を有する基板間に、発光物質を含有する高分子又はゲル高分子固体電解質層を有するか、あるいは、高分子又はゲル高分子固体電解質層と発光層との積層構造を有する。 - 特許庁
A sensor 10 is equipped with an optical element 20 having a core layer 23 of a photonic crystal structure and a change in the optical characteristics (a lattice interval or a refractive index) of the core layer 23 (waveguide 25) when a specific molecule becoming a detection object is adsorbed on the core layer 23 while the presence or concentration of the specific molecule in an atmosphere in which the sensor is placed is detected.例文帳に追加
センサ10は、フォトニック結晶構造のコア層23を有する光学素子20を備え、コア層23に検出対象となる特定分子が吸着したときの、コア層23(導波路25)の光学特性(格子間隔や屈折率)の変化を検出部40で検出し、センサ10が置かれた雰囲気中における、特定分子の存在の有無や特定分子の濃度を検出する。 - 特許庁
A semiconductor substrate has a structure in which embedded insulating layers 12 and 13 consisting of oxide films are made on both sides of a silicon substrate 11, and that silicon layers 14 and 15 to serve as element forming regions for the formation of circuit elements are made severally thereon, and it becomes possible to form twice as many circuit elements as before by forming circuit elements in each silicon layer 14 and 15.例文帳に追加
本発明は、シリコン基板11の両面に酸化膜からなる埋め込み絶縁層12,13を形成し、さらにそれぞれ上層に回路素子を形成するための素子形成領域となるシリコン層14,15を形成した構造を有し、各シリコン層14,15に回路素子を形成することにより、2倍の回路素子数を形成することが可能となる半導体基板である。 - 特許庁
Since the flip-chip structure is formed by connecting the electrodes on the backside of the element 2 directly on the through-hole 5 and pattern 4 via the gold bumps 7a and 7b without going via a Zener diode as in the conventional example, the through-hole 5 and solder 6 filling up the hole 5 work as a heat sink and the heat radiating property of the LED 1 is very much improved.例文帳に追加
このように、LED1においては、従来のようにツェナーダイオードを介さずに、発光素子2の裏側の電極を金バンプ7a,7bによって直接スルーホール5及び導電性パターン4に接続してフリップチップ構造を形成しているために、スルーホール5とその中に充填されたハンダ6がヒートシンクの役割を果たして、極めて放熱性に優れたLEDとなる。 - 特許庁
For example, an optical element has a pair of a transparent substrate 10 and a back substrate 12 which are disposed opposite each other leaving a predetermined gap by spacers 22, and a pair of a first electrode 14 and a second electrode 16 and a periodic structure 18 and a dispersion medium 20 as the optical component for multicolor display are disposed in the gap between the transparent substrate 10 and back substrate 12.例文帳に追加
例えば、光学素子は、スペーサー22により所定の間隙をもって対向配置された一対の透明基板10及び背面基板12を備え、当該透明基板10及び背面基板12の間隙内に、一対の第1電極14及び第2電極16と、多色表示用光学組成物として周期構造体18及び分散媒20を配置させている。 - 特許庁
To prevent damage to a shaft member, etc., to achieve long life by eliminating deposition of a byproduct in a housing, etc. and to eliminate the need for making a housing and other element apparatuses into structure capable of resisting high temperature by further preventing generation of the byproduct not by temperature control but by pressure control in a processing apparatus by which gas is generated in a processing chamber.例文帳に追加
処理室内においてガスが生成される処理装置において、副生成物がハウジング等に堆積することを無くすことにより、軸部材等の損傷を防止し、長寿命を達成し、さらに温度制御でなく圧力制御により副生成物の発生を防止することにより、ハウジングその他の要素機器を高温に耐え得る構造にする必要を無くす。 - 特許庁
To provide a sample pre-processing technique for locally cutting out the place desired to be analyzed of a device to form a needle-like projection, and a technique capable of subjecting even a sample having a multilayered structure, which contains an element layer of a small evaporation electric field in the circumstances described hereinbelow, to sequential stable ion evaporation to enable SAP analysis of an atomic level.例文帳に追加
本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのSAP分析を可能とする技術を提供することにある。 - 特許庁
A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17.例文帳に追加
強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板10上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜17と、導電性バリア膜17の上に、下部電極18、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜20及び上部電極21が順に形成されてなる容量素子22とを備える。 - 特許庁
An element structure consists of: (1) a front reflecting region 18 containing a plurality of pairs while using a pair composed of an active region 9 and a nonactive region 10 comprising a diffraction grating 5 as one period; and (2) a nonactive rear reflecting region 17 configured by combining a plurality of vertical Mach-Zehnder couplers 21 and 22 having different lengths in the longitudinal direction respectively.例文帳に追加
素子構造は、(1)活性領域9と回折格子5を含んだ非活性領域10とから成る1対を1周期として、当該1対を複数個含む前方反射領域18と、(2)長手方向の長さがそれぞれ異なる複数個の垂直マッハツェンダー結合器21,22を組み合わせて構成された非活性な後方反射領域17とから成る。 - 特許庁
The program and the tab structure display system, as their features, achieve a function that partitions a plurality of objects capable of assuming various statuses on the computer into tab segments, in response to each status and a function that displays the plurality of objects and their status with a display module 1a defined with a tab element 3a indicating the tab segment which corresponds to the status.例文帳に追加
コンピュータに種々のステータスを取り得る複数のオブジェクトをそのステータスに応じてタブ区分に区分する機能と、前記複数のオブジェクト及びそのステータスを当該ステータスに対応するタブ区分を表すタブ要素3aで定義される表示モジュール1aで表示する機能を実現させることを特徴とするプログラム及び該プログラムを実現するタブ構造表示システム。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element having such a structure as internal quantum efficiency is enhanced by enhancing crystallinity of a semiconductor layer being laid when light of short wavelength of 400 nm or less is emitted, and external quantum efficiency is also enhanced by absorbing the emitted light as much as possible through a substrate, and the like, and thereby total emission efficiency can be enhanced.例文帳に追加
400nm以下の短波長の光を発光させる場合に、積層する半導体層の結晶性を向上させて内部量子効率を高くすると共に、発光した光を基板などでできるだけ吸収させないで外部に取り出すことにより外部量子効率も向上させ、総合的に発光効率を向上させることができる構造の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
The structure to carry out simultaneous forging and manufacturing method of a graphite heat spreader includes a thermal via having one or two flanges 61 such as a coplanar thermal via 60, a graphite heat spreader having a surface layer covering a graphite material, a graphite heat spreader having a cladding layer to reinforce the structural unity, and a graphite heat spreader element having a metallic thermal via at a predetermined position.例文帳に追加
同一平面上にあるサーマルビア60のような、一または二個のフランジ61を有するサーマルビア、グラファイト材料を覆う表面層を有するグラファイトヒートスプレッダ、構造的一体性を強化するためにクラッド層を有するグラファイトヒートスプレッダおよび金属サーマルビアを所定の位置に含むグラファイトヒートスプレッダ素子を共鍛造する構造および製造方法にすることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a connection part structure between an antenna and a communication cable which can prevent a shift in a transmitting and receiving frequency caused by a change in a contact area and a contact position of solder 6, etc., on an antenna element 2 and improve connection working properties by facilitating the positioning of a communication cable 5 when an antenna 1 and the communication cable 5 are connected by soldering, etc.例文帳に追加
アンテナ1と通信ケーブル5とをハンダ付け等により接続する際、アンテナエレメント2に対するハンダ6等の接触面積と接触位置が変化することによる送受信周波数のずれを防止することができるとともに、通信ケーブル5の位置決めを容易にすることで接続作業性を向上させることが可能なアンテナと通信ケーブルの接続部構造を提供すること。 - 特許庁
To provide ink forming an image which satisfies both of high ozone resistance and high image quality regardless of the application quantity of the ink, by focusing attention on an element which sets a structure or aggregation characteristics engaging with the aggregability of a color material which occurs when the color material is mixed with a polyvalent metal in a fixed ratio to a good combination by simple and easy means and achieves integration to proper situation.例文帳に追加
色材に多価金属を一定の比率で混合させた場合に起こる色材の凝集性に関与する構造又は凝集特性を簡易な手法により良好な組み合わせに設定し、適切な状況に纏め上げる要素に着目することで、インクの付与量に関わらず、画像が高いレベルの耐オゾン性と画質品質とを両立するインクを提供すること。 - 特許庁
In this electrochemical element or the battery including a negative electrode, a separator, and a positive electrode of a manganese dioxide, the positive electrode contains at least one inorganic crystalline additive selected from a tungsten oxide, a zirconium compound, a titanium oxide having a rutile structure, a yttrium oxide, a cerium oxide, zeolite and aluminosilicate by one to ten thousands (0.0001)%-ten (10)% to a positive electrode mass.例文帳に追加
負極、セパレータ、及び二酸化マンガン製の正極を含む電気化学的素子又は電池において、正極は酸化タングステン、ジルコニウム化合物、ルチル形構造の酸化チタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、ゼオライト及びアルミノケイ酸塩のうち少なくとも1つの無機結晶性添加剤を正極質量に対して1万分の1(0.0001)%〜十(10)%含有する。 - 特許庁
The oxide sintered body has a perivskite structure shown by the chemical equation of MRuO3 (M: any one kind of Ca, Sr, and Ba) which has features that the total content of an alkali metal element such as Na and K, and Fe, Ni, Co, Cr, Cu, and Al is 100 ppm or less and that relative density is 90% or higher.例文帳に追加
Na、Kなどのアルカリ金属元素及びFe、Ni、Co、Cr、Cu、Alの含有量が総計で100ppm以下、U、Thの各元素の含有量が10ppb以下であり、かつ相対密度が90%以上であることを特徴とするMRuO_3(M:Ca、Sr、Baのいずれか一種以上)の化学式で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物焼結体。 - 特許庁
A resin-encapsulated semiconductor device of the MCP in a stacked structure has a resin layer 3 of a photosensitive resin composition, containing a cyclic olefin-based resin (A) having an epoxy group and a photoacid generator (B) on a circuit-element forming surface of the semiconductor chip 2, wherein the back surface of another semiconductor chip 6 laminated on the semiconductor chip is in direct contact with the resin layer.例文帳に追加
エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂(A)と光酸発生剤(B)を含む感光性樹脂組成物の樹脂層3を半導体チップ2の回路素子形成面上に有し、かつ半導体チップ上に積層する別の半導体チップ6の裏面が樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のMCPの樹脂封止型半導体装置。 - 特許庁
The display element contains an electrolyte containing silver or a compound containing silver in a chemical structure between opposing electrodes and is operated to drive the opposing electrodes to induce dissolution and precipitation of silver.例文帳に追加
対向電極間に銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を含有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該電解質が一般式(A)で表される化合物を含み、且つ一般式(1)または一般式(2)で表される化合物の少なくとも1種を含むことを特徴とする表示素子。 - 特許庁
The super water-repellent material has a support and an organic-inorganic composite layer containing a crosslink structure formed by hydrolysis and condensation polymerization of alkoxide of an element selected from Si, Ti, Zr and Al in a graft polymer layer composed of a graft polymer chain directly bonded to the support surface, and has a water repellency-treated uneven surface.例文帳に追加
支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Si、Ti、Zr、Alから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなる有機−無機複合層と、を備え、且つ、撥水処理が施された凹凸表面を有することを特徴とする超撥水材料。 - 特許庁
The thermoplastic resin composition comprises a thermoplastic polymer (A) with a lactone ring structure as a necessary molecular constituting element and a thermoplastic polymer (B) consisting of a structural unit derived from an unsaturated monomer represented by formula (1), wherein the above polymer (A) and the above polymer (B) are in a mixed state.例文帳に追加
本発明にかかる熱可塑性樹脂組成物は、分子内にラクトン環構造を持つ熱可塑性の重合体(A)を必須構成成分とする熱可塑性樹脂組成物において、さらに、一般式(1)で表される不飽和単量体由来の構成単位からなる熱可塑性の重合体(B)を含み、前記重合体(A)と前記重合体(B)とが混ざり合っていることを特徴とする。 - 特許庁
A packaging structure is provided with that which makes a set product simple by embodying one compound TCP package and COF package by assembling a semiconductor package for a driving driver (DRIVER) IC as one of the components mounted on a liquid crystal display on the tab tape where the integrated IC and a circuit are formed and mounting the specified passive element and other surface mounted semiconductor products on the tab tape.例文帳に追加
液晶ディスプレーに搭載される部品中一つである駆動ドライバ(DRIVER)IC用半導体パッケージを集積ICと回路が形成されたタブテープに組立てて、タブテープ上に所定の受動素子やまた他の表面実装型半導体製品を実装して一つの複合TCPパッケージ及びCOFパッケージを具現してセット製品を単純化するパッケージング構造である。 - 特許庁
A sufficient contact area can be ensured even for heat carrier having a high kinematic viscosity, such as a fluorine based inert liquid, through a compact structure by employing fins 63 having cuts for providing a large number of front edge parts of fin while ensuring the surface area in order to enhance the heat transfer rate of heat carrier in the channel at a part facing the Peltier element.例文帳に追加
また、ペルチェ素子に面した部分の流路における熱媒の伝熱率を高めるために表面積を確保しながらフィン前縁部を多く取れる形状の切欠きなどのあるフィン63を採用することにより、フッ素系不活性液体のような動粘度の高い熱媒に対しても、コンパクトでありながら充分な接触面積を確保できる熱交換器を提供している。 - 特許庁
In the structure of the semiconductor laser element, an active layer extending along a crystal surface tilted against a principal surface of a substrate is supported between a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer, and an end surface almost vertical to the crystal surface is made a resonant surface and an emitting area is made a part of an area in a tilted surface of the active layer.例文帳に追加
半導体レーザー素子の構造を、基板主面に対して傾斜した結晶面に沿って延長される活性層を第1導電型半導体層と第2導電型半導体層で挟む構造とさせ、前記結晶面に略垂直な端面を共振面とさせると共に発光する領域が前記活性層の傾斜した面内における一部領域とさせる。 - 特許庁
To simplify the structure of a magnetic recording element, to shorten processes, to reduce a production unit price, to also provide a huge planar hall effect utilizing a multiple domain state further, and to provide a storage device measuring magnetoresistance and recording information in the multiple state by simultaneously utilizing a ferromagnetic semiconductor layer (MS) itself where magnetic information is recorded as a sensor layer.例文帳に追加
磁気情報の記録される強磁性半導体層(magnetic Semiconductors、MS)自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果(Planar Hall Effect)または磁気抵抗(Magnetoresistance)を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing a resistance change type element X like this includes: a step of forming a laminate structure including electrodes 1 and 2, an oxide layer 3, and a non-oxidizer layer 4; and an oxidizing step of making a portion of oxygen in the oxide layer 3 reach the electrode 2 through thermal diffusion to partially oxidize an end surface of the electrode 2 on the side of the oxide layer 3.例文帳に追加
このような抵抗変化型素子Xの製造方法は、電極1,2、酸化物層3、および非酸化性物質層4を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層3内の酸素の一部を熱拡散によって電極2に至らしめて当該電極2における酸化物層3側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the gallium nitride compound semiconductor element comprises a step for forming an aluminum nitride layer having conductivity on the surface of a silicon carbide substrate, whose surface is inclined at a first angle from the (0001) plane toward the [11-20] direction, and a step for forming a gallium nitride compound semiconductor laminated structure on the aluminum nitride layer.例文帳に追加
本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が(0001)面から[11−20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。 - 特許庁
The positive electrode active material has an olivine structure and is expressed by Li_xM_1-xMnPO_4 (in the formula, 0<x≤1, and M is an alkaline metal element having an ion radius larger than Li), in which the interlayer spacing of MnO_6 layer is larger than the interlayer spacing of MnO_6 layer contained in LiMnPO_4 as a reference substance.例文帳に追加
本発明は、オリビン構造を有し、Li_xM_1−xMnPO_4(式中、0<x≦1であり、MはLiよりもイオン半径の大きなアルカリ金属元素である。)で表され、かつ、MnO_6層の層間隔が、基準物質としてのLiMnPO_4に含まれるMnO_6層の層間隔よりも大きいことを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
This new aromatic amine derivative having a specific monoamine structure, and the organic electroluminescent element in which organic thin film layers comprising mono- or multilayers including at least one luminous layer is nipped between a cathode and an anode is characterized in that at least one layer of the organic thin film layers contains the aromatic amine derivative as a single or mixture component.例文帳に追加
特定のモノアミン構造を有する新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁
A pair of excitation electrodes 13, formed on the opposite sides of a crystal oscillating element 11 and a lead electrode 14 extending to one end thereof comprise an electrode film of three layer structure, including an underlying metal layer 18a of Cr, Ni, Ti, Al or Ag exhibiting high affinity to crystal, an Au layer 18b formed thereon, and a Cr surface layer 18c formed further thereon.例文帳に追加
水晶振動片11の両面に形成した1対の励振電極13及びその一端に延出させた引出電極14は、水晶との馴染みが良いCr、Ni、Ti、Al又はAg等の下地金属層18a、その上にAu層18b及び更にその上にCr表面層18cを積層した3層構造の電極膜から構成される。 - 特許庁
For example, an optical element has a pair of a transparent substrate 10 and a back substrate 12 arranged opposite each other with a specified gap by a spacer 22, and a pair of a first electrode 14 and a second electrode 16 and a periodic structure 18 and a dispersion medium 20 as the optical composition for multicolor display are arranged in the gap between the transparent substrate 10 and back substrate 12.例文帳に追加
例えば、光学素子は、スペーサー22により所定の間隙をもって対向配置された一対の透明基板10及び背面基板12を備え、当該透明基板10及び背面基板12の間隙内に、一対の第1電極14及び第2電極16と、多色表示用光学組成物として周期構造体18及び分散媒20を配置させている。 - 特許庁
This semiconductor capacitance element has a structure, where an upper electrode 104 is formed on a lower electrode 102 at the center thereof where is not overlapped on the peripheral portion of the lower electrode 102 and that a residue pattern 105 consisting of the upper electrode forming film is provided separated from the upper electrode 104 on the peripheral portion of the lower electrode 102, overlapping with the peripheral portion of the lower electrode 102.例文帳に追加
下部電極102上で、かつ下部電極102の周辺部とオーバーラップしない下部電極102の中央部上に上部電極104を有し、また、下部電極102の周辺部とオーバーラップする下部電極102の周辺部上に、上部電極104とは分離して、上部電極形成膜からなる残さ防止パターン105を有した構造とする。 - 特許庁
In the photovoltaic element employing a semiconductor substrate 1 where a collector electrode is formed on at least one surface 1a thereof, a recess 2 is formed in the region on the surface of the substrate 1 where the collector electrode 3 is formed, protrusions and recesses of texture structure are formed on the inner wall face 2a of the recess 2 and the collector electrode 3 is formed on the recess 2.例文帳に追加
半導体基板1を用い、該基板1の少なくとも一方の表面1a上に集電極が形成された光起電力素子において、集電極3が形成される基板1表面の領域に、凹部2が形成されており、該凹部2の内壁面2aにテクスチャ構造の凹凸が形成されており、該凹部2上に集電極3が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus designed so that a control section is capable of reading information from a storage element by surely electrically connecting first, second, and third terminals without obstructing the firm contact of a developer carrier with a photoreceptor by means of a simple structure, and to provide a photoreceptor unit incorporated in the image forming apparatus, and a developing cartridge incorporated in the photoreceptor unit.例文帳に追加
簡易な構成により、現像剤担持体の感光体に対する圧接を阻害することなく、第1端子、第2端子および第3端子を確実に電気的に接続して、記憶素子からの情報を制御部によって読み取ることのできる、画像形成装置、その画像形成装置に装備される感光体ユニット、および、その感光体ユニットに装備される現像カートリッジを提供すること。 - 特許庁
The organic electroluminescent element nipping, between a cathode and an anode, a new aromatic amine derivative having a specific structure and one or plural organic thin film layers including at least a luminescent layer is provided, wherein at least one layer of the organic thin film layers includes the aromatic amine derivative as a separate ingredient or an ingredient of a mixture.例文帳に追加
特定構造を有する新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁
To provide a substrate catching means with structure suitable for manufacturing process of a large liquid crystal display element as well in consideration of scale increase of a liquid crystal display element.例文帳に追加
液晶表示素子の真空貼り合わせのための工程時に、真空チャンバ内部が真空状態にあることにより作業途中で上部ステージに固定された基板が下部に落ちることを防止できるよう臨時に受け止める構成を受け止め対象基板の特定部位の垂れ下がりを防止できるように構成し、全体的な基板の受け止め形状が安定的なものになるようにし、他の装備動作に対して干渉を行わないように形成した液晶表示素子用真空貼り合わせ装置の基板受け止め手段を提供し、特に、本発明は液晶表示素子の大型化を考慮して、大型液晶表示素子の製造工程にも適した構造の基板受け止め手段を提供する。 - 特許庁
The organic electroluminescence element material has a principal chain of a conjugated structure that is made of an aromatic ring, a fused ring, and a complex ring, or of a combination of bonded structures of these substances.例文帳に追加
有機EL素子用材料は、LUMOのエネルギーレベルが−1.8〜−3.0eV、HOMOのエネルギーレベルが−5.0〜−6.2eV、LUMOのエネルギーレベルとHOMOのエネルギーレベルとの差が3.0〜3.6eV、ゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定したポリスチレン換算重量平均分子量が500〜500,000である重合体よりなり、芳香環、縮合環、複素環またはこれらの結合体が連結された共役構造の主鎖を有することを特徴とする。 - 特許庁
The display element has an electrolyte 4 containing silver or a compound containing silver in a chemical structure, and a porous white scattering layer 3 between counter electrodes, and also has the counter electrodes driven to dissolve and deposit silver, the porous white scattering layer 3 being formed of titanium oxide particles 3A and 3B having their surfaces processed with at least silica and alumina.例文帳に追加
対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質4と、多孔質白色散乱層3とを有し、銀の溶解析出を生じさせるように対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該多孔質白色散乱層3が、表面が少なくともシリカ及びアルミナにより表面処理された酸化チタン粒子3A,3Bにより形成されていることを特徴とする表示素子。 - 特許庁
The display element includes a display electrode, a counter electrode, and an electrolytic liquid between the electrodes, the electrolytic liquid containing a metal salt compound that dissolves and precipitates by an oxidation-reduction reaction, wherein the counter electrode contains a porous structure formed of oxide fine particles, and an oxidation-reduction material having oxidation-reduction reactivity is fixed to the surface of the oxide fine particles.例文帳に追加
表示電極と対向電極を有し、その電極間に電解液を有し、該電解液が酸化還元反応により溶解及び析出する金属塩化合物を含有する表示素子であって、該対向電極に酸化物微粒子により形成された多孔質構造体を含有し、該酸化物微粒子表面に酸化還元反応性を有する酸化還元材料が固定化されていることを特徴とする表示素子。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein an element structure is refined and reliability is improved by being provided with an uniformly formed gate insulating film together with a refined semiconductor layer, and its manufacturing method, and to provide a display device wherein high definition display is possible and the reliability is improved by using the semiconductor device, and its manufacturing method.例文帳に追加
微細化された半導体層と共に均一に成膜されたゲート絶縁膜を備え、これにより素子構造の微細化と共に信頼性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供すること、さらにはこの半導体装置を用いることにより高精細な表示が可能で信頼性の向上が図られた表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The electron emission element using a nanocarbon material composite comprises an electrically conductive layer disposed on a substrate and a nanocarbon material composite obtained by forming a nanocarbon material having a spiral structure and a fibrous nanocarbon material on a silicon oxide particle directly or through a metal or metal compound, wherein the nanocarbon material composite is disposed on the electrically conductive layer and emits electrons under a strong electric field.例文帳に追加
ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。 - 特許庁
On the surface of a translucent board of the organic EL element, an inorganic porous solid thin film arrayed in parallel with the board surface or equipped with a periodic porous structure including layered, column-shaped holes is formed, and by making an incident angle into an interface with an air layer, reflection at the interface with the air layer is prevented to improve the luminous efficiency.例文帳に追加
有機EL素子の透光性基板表面に、前記基板表面に平行となるように配向せしめられたあるいは層状の円柱状の空孔を含む周期的ポーラス構造を具備してなる無機多孔質固体薄膜を形成し、空気層との界面への入射角を大きくすることにより、空気層との界面での反射を防止し、発光効率を高めるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁
An electrophoretic element 30 comprises: migration particles 32; a porous layer 33 formed by a fibrous structure including non-migration particles with different optical reflection characteristics from that of the migration particles 32 and having a plurality of pores 34; and a partition wall 35 partly adjacent to the porous layer 33 from the opposite side of a display surface and forming spaces (cells 36) for housing the migration particles 32.例文帳に追加
電気泳動素子30は、泳動粒子32と、その泳動粒子32とは光学的反射特性が異なる非泳動粒子を含む繊維状構造体により形成されると共に複数の細孔34を有する多孔質層33と、その多孔質層33に対して表示面の反対側から部分的に隣接すると共に泳動粒子32を収容する空間(セル36)を形成する隔壁35とを含む。 - 特許庁
The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post.例文帳に追加
本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡22と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するAl酸化層44とを有する積層構造をメサポストとして備え、Al酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域42を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。 - 特許庁
In the polarized beam splitter, having a structure that a plurality of grids are cyclically arranged in parallel with a first direction in a second direction orthogonal to the first direction, light of a polarized component parallel to the first direction from among beams of light entering the polarized separation element is mainly transmitted, and light of the polarized component parallel to the second direction is mainly reflected.例文帳に追加
本発明の偏光分離素子は、第1方向に平行な複数の格子を、前記第1方向と直交する第2方向に周期的に配置した構造を有する偏光分離層を有する偏光分離素子であって、前記偏光分離素子に入射する光のうち、前記第1方向と平行な偏光成分の光を主に透過し、前記第2方向と平行な偏光成分の光を主に反射する。 - 特許庁
A periodical opening array comprising each opening having a shape which is not rotationally symmetrical by 90 degrees in a film surface is provided on a thin film of a hydrogen absorbing metal, the film surface of a surface plasmon resonance element 65 for detecting hydrogen constituting a surface plasmon resonance enhancing structure is irradiated with light from a light source means (wavelength variable laser 61), and transmitted light is detected by a photodetection means (actinometer 62).例文帳に追加
水素吸蔵金属の薄膜に、その膜面内において90度回転対称でない形状を有する開口でなる周期的な開口のアレイを設けて表面プラズモン共鳴増強構造を構成した水素検出用表面プラズモン共鳴素子65の膜面に光源手段(波長可変レーザ61)からの光を照射し、透過光を光検出手段(光量計62)で検出する。 - 特許庁
At least one sensor element is constituted by a layer structure, consisting of a flexible conductive layer and a flexible electrical insulation layer; conductive potential surfaces of the layers are arranged laterally separately on an insulating layer located between them; electric lines of force are formed among the conductive potential surfaces; and the electric line of force varies measurably, when a body or object approaches and/or touches it.例文帳に追加
少なくとも1つのセンサエレメントを、柔軟な導電層と電気的絶縁層から成る層構造体から構成し、層の導電性ポテンシャル面は側方で間隔を空けて、その間に位置する絶縁層上に配置され、導電性ポテンシャル面の間に電気力線が形成され、当該電気力線が、体または対象物が接近および/または接触した際に測定可能に変化すること。 - 特許庁
To provide a production method for a precursor solution of strontium titanate which can form a strontium titanate thin film with a fine crystal particle structure, a strontium titanate thin film formed by using the precursor solution prepared by the method, a production method for a strontium titanate thin film to produce the strontium titanate film, and a thermoelectric conversion element using the strontium titanate thin film.例文帳に追加
微細な結晶粒子構造のチタン酸ストロンチウム薄膜を形成可能なチタン酸ストロンチウム前駆体溶液の製造方法、並びに、該方法により製造されたチタン酸ストロンチウム前駆体溶液を用いて形成されたチタン酸ストロンチウム薄膜、該チタン酸ストロンチウム薄膜を製造するチタン酸ストロンチウム薄膜の製造方法、及び該チタン酸ストロンチウム薄膜の製造方法を用いた熱電変換素子の製造方法の提供。 - 特許庁
An N-channel MOS-FET of superjunction structure having low on-resistance characteristics is used for a switching element, a control means turns on all the MOS-FETs in short-circuiting an AC power supply and a reactor, and turns off the MOS-FET connected to a positive side of the AC power supply when it is not required to short-circuit the AC power supply and the reactor.例文帳に追加
本発明の目的は、該スイッチング素子に低オン抵抗特性を有するスーパージャンクション構造のNチャネルMOS−FETを用い、該制御手段は交流電源とリアクトルの短絡するときには全てのMOS−FETをオンし、交流電源とリアクトルの短絡が不要なときは交流電源の正側に接続されたMOS−FETをオフするように制御することにより達成される。 - 特許庁
To provide an automobile brake device having a dampening action required for a special small structure space and having a hydraulic type damper assuring a superior dampening under a high pressure by improving a hydraulic type damper 38 for a piston pump of an automobile brake device having a damper chamber 40 and a dampening element with a pressure applying side and an opposite side to the pressure applying side and arranged within the damper chamber 40.例文帳に追加
ダンパ室40を備え、該ダンパ室40内に、圧力側及び圧力とは反対側を有する緩衝エレメントが配置されている形式の、自動車ブレーキ装置のピストンポンプのための液圧式のダンパ38を改良して、特に小さい構造スペースにおいて必要な緩衝作用を有し、かつ高い高圧力において良好な緩衝が保証される液圧式のダンパを備えた自動車ブレーキ装置を提供する。 - 特許庁
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