「process top」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Each sub job completes the process preparation in the case it is at the top of the queue of all the basic resources necessary for executing the sub job.例文帳に追加

各サブジョブは、そのサブジョブの実行に必要なすべての基本リソースの待ち行列において先頭であるときに、処理の準備が完了する。 - 特許庁

Then the first CMP process is performed, and with the polysilicon film 6 after the first CMP process as a mask, etching process is performed for the silicon oxide film 5, and the silicon oxide film 5 which lies in the region over the projecting part region removed, and then a second CMP process is further performed to cause the top of a semiconductor substrate 1 to be flattened.例文帳に追加

その後、第１のＣＭＰ処理を行い、第１のＣＭＰ処理後のポリシリコン膜６をマスクとしてシリコン酸化膜５に対するエッチング処理を実行して、凸部領域の上部領域のシリコン酸化膜５を除去した後、さらに第２のＣＭＰ処理を行って半導体基板１上を平坦化させる。 - 特許庁

A dealing process recoding and browsing part 454 makes it possible for a plurality of group subordinate users belonging to the same group to browse the dealing process written in the dealing process storage part 453 by a group subordinate user whose ranking order is at least top or high-order.例文帳に追加

対応処置記録閲覧部４５４は、少なくともランキング順位がトップまたは上位のグループ従属利用者が対応処置記憶部４５３に書き込んだ対応処置を同じグループに属する複数のグループ従属利用者が閲覧することを可能にする。 - 特許庁

In expansion, a density value of each picture element within an interpolation process object area between an acquired pair of borderlines (the bottom borderline LB and the top borderline LT) is calculated by an interpolation process based upon respective shortest distances to the top borderline and the bottom borderline and density values of density planes respectively relevant to the bottom borderline and the top borderline.例文帳に追加

一方、伸張にあたっては、取得したペア輪郭線（ボトム輪郭線ＬＢおよびトップ輪郭線ＬＴ）の相互間に挟まれる補間処理対象領域内の各画素の濃度値を、トップ輪郭線およびボトム輪郭線のそれぞれまでの最短距離とボトム輪郭線およびトップ輪郭線のそれぞれに関する濃度プレーンの濃度値とに基づいて補間処理により算出する。 - 特許庁

In the sheet material arranging process, sheet materials 2 are arranged to straddle the top faces of carbon paste layers of the elements to be the cathodes among the capacitor elements 10 respectively.例文帳に追加

シート材配置工程では、コンデンサ素子１０の陰極部となる素子のカーボンペースト層の上面上に跨るようにシート材２を配置する。 - 特許庁

To intercept a fuse element from contacting resin during a hot melt process used for forming a top cover, thereby preventing the fuse element from being damaged.例文帳に追加

上部カバーを形成するためのホットメルト工程において、ヒューズ素子が樹脂と接触されることを遮断し、ヒューズ素子が損傷されることを防止する。 - 特許庁

In the process of printing, the antenna pattern (30) to be formed in a projection shape including at least the top surface (42a) is simultaneously printed by pressing the pad.例文帳に追加

この印刷工程は、上記タンポ押し付けによって、すくなくとも天面（４２ａ）を含む凸形状に形成させるアンテナパターン（３０）を同時に印刷する。 - 特許庁

Further, a top coat is deposited on the barrier layer by a chemical vapor deposition (CVD) process or a method where it is coated with a ceramic precursor and ceramic slurry, and is fired.例文帳に追加

さらに、バリア層に、化学蒸着法（ＣＶＤ）または、セラミック前駆体およびセラミックのスラリでコーティングし、焼成する方法で、トップコートを堆積させる。 - 特許庁

Consequently, an impurity-injection layer 26 is formed as the top surface of the semiconductor substrate 10 in the element formation region D1 (first impurity injecting process).例文帳に追加

これにより、素子形成領域Ｄ１における半導体基板１０の表層に不純物注入層２６を形成する（第１の不純物注入工程）。 - 特許庁

On a film sheet 11 on the top surface of the noncontact memory card 1, an IC chip 25 and a chip capacitor 26 which store and process information are mounted.例文帳に追加

非接触型メモリカード１の表面のフィルムシート１１上には、情報の記憶および処理を行うＩＣチップ２５、チップコンデンサ２６が実装されている。 - 特許庁

A protruded part with a flat and circular top of a second lead is formed by a dowel-shaping process, thereby suppressing changes in the planar shape of the second lead.例文帳に追加

第二のリードに平坦な円形状のトップを持つ突起部を、ダボ出し加工によって形成することで、第二のリードの平面形状の変化を抑制する。 - 特許庁

A virtual machine, as the name implies, is a process that runs on top of your real operating system providing a hardware and operating system environment that appears to be its own unique machine.例文帳に追加

仮想マシンとは、その名が示すとおり、実際のOS上で動作し、単一のマシンとして存在するようにハードウェアとOS環境を提供するプロセスです。 - Gentoo Linux

After the process for depositing the blocking material, dopant ions are implanted, whereby the blocking mask material partially or completely blocks the top surface of the fin from these dopant ions.例文帳に追加

ブロッキングマスク材料の堆積工程後に、ドーパントイオンが注入され、ブロッキングマスク材料が、部分的または完全に、フィンの上面をドーパントイオンからブロックする。 - 特許庁

A recessed part is provided in a portion of the top of each of barrier ribs formed inside the panel to enhance the efficiency of evacuating the inside of the panel during the process of evacuation.例文帳に追加

パネル内に形成された隔壁の頂部の一部に凹部を設け、真空排気工程時にパネル内の真空排気効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a part feeder capable of arranging the fine top/bottom orientation of small thumb tack-shaped parts and feeding them to the next process in a line.例文帳に追加

画鋲状の微小な部品の上下の向きを整え、一列の状態で次工程へ供給し得る部品供給装置を提供すること。 - 特許庁

In a dicing process, the leads 11 are made to have cut surfaces at the recessed portions 17', and cuts 17 are formed between the top surfaces and cut surfaces of the leads 11.例文帳に追加

ダイシング工程において、リード１１の切断面が凹部１７´にくるようにして、リード１１の上面と切断面との間に切り欠き１７を形成する。 - 特許庁

In this process, a piston of the expansion stroke cylinder moves to the top dead center side, and the inside of a combustion chamber is compressed by kinetic energy from the compression stroke cylinder.例文帳に追加

この過程では、膨張行程気筒のピストンは上死点側に移動し、圧縮行程気筒からの運動エネルギーによって、燃焼室内が圧縮される。 - 特許庁

A method comprises a process of forming a hard mask layer on a planarized surface including an exposed top of local wiring prior to depositing an oxide dielectric layer.例文帳に追加

酸化物誘電体層を堆積する前に、ローカル配線の最上部が露出した平坦面に、ハードマスク層を形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

The top surface of the secondary insulating film is polished for the planarizing process until the primary insulating film formed on the main plane of the silicon substrate 11 is exposed.例文帳に追加

第２の絶縁膜の表面を、シリコン基板１１の主面に形成された第１の絶縁膜が露出するまで研磨して平坦化処理する。 - 特許庁

This process of treating metallic fuse is provided for treating a metallic fuse using a thin oxide 108 (having a thickness of about 6,000 Å) on a top interconnecting body 102.例文帳に追加

頂部相互接続体１０２の上に薄い（厚さが約６０００オングストロームの）酸化物を用いた金属ヒューズ処理工程が提供される。 - 特許庁

The FPC33 is so arranged that the contact point 12a, the through-hole 33a and the notch 33b overlap each other in top view (base material arranging process).例文帳に追加

そして、平面視で接点１２ａと貫通孔３３ａ及び切り欠き３３ｂとが重なるようにＦＰＣ３３を位置合わせして配置する（基材配置工程）。 - 特許庁

To eliminate mesh faults of mutual link members, before a key top is assembled to a pair of link members of a gear link type in an assembling process of a key switching device.例文帳に追加

キースイッチ装置の組立工程で、ギアリンク形式の一対のリンク部材にキートップを組付ける前に、それらリンク部材相互の噛合不良を排除する。 - 特許庁

By repeating this process, RGB color filter layers 33, 34, 35 are formed and on top of them a transparent layer 32 is formed which then constitutes a transparent board.例文帳に追加

この工程を繰り返してＲＧＢカラーフィルタ層３３、３４、３５の形成を行い、その上部に透明絶縁層３２を形成し透明基板とする。 - 特許庁

The greening method for water surfaces includes: a process for floating the greening member on the water with its bottom surface of the greening member getting in touch with the water surface; and a process for placing plants on the top surface of the greening member.例文帳に追加

また、緑化部材下面を水面に接触させ、水面に緑化部材を浮かべる工程と、該緑化部材の上面に植物を設置する工程とを備えることを特徴とする水面の緑化方法とした。 - 特許庁

The toner confirmation window is provided preferably on the top surface of the developing unit or process cartridge or on a position where the inner side can be viewed from the outside in a state in which the developing unit and the process cartridge is fitted to the apparatus main body.例文帳に追加

トナー確認窓は、現像ユニットやプロセスカートリッジの上面に設けるとよく、また現像ユニットやプロセスカートリッジを装置本体に取り付けた状態で、内部を外部から目視できる位置に設けるとよい。 - 特許庁

To provide an array substrate for liquid crystal display device and its manufacture method in which a mask process is simplified by applying a top gate type thin film transistor to an array part and the yield is improved by shortening the process time.例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタをアレイ部に適用することでマスク工程を単純化し、工程時間の短縮による収率の改善できる液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently recover gas evaporated from top of a substrate to be treated during a coating process, to save a space for the coating process, to reduce a footprint, and to reduce air cleaning equipment and power consumption.例文帳に追加

塗布処理の際に被処理基板上から蒸発するガスの回収を首尾よく行えるとともに、塗布処理空間の省スペース化、フットプリントの縮小、空気清浄の設備および消費エネルギーの節減を実現する。 - 特許庁

In a self align contact(SAC) process, the bores of contact holes 12 and 13 are widened by covering the top of a gate electrode 7 with a silicon nitride film 8, and covering the top and flank of the gate electrode 7 with a silicon nitride film 10.例文帳に追加

セルフアライン・コンタクト（ＳＡＣ）プロセスにおいて、ゲート電極７の上部を窒化シリコン膜８で覆い、ゲート電極７の上部および側面を酸化シリコン膜１０で覆うことによってコンタクトホール１２、１３の径を広くする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a key top of a push button switch not damaging thin metal film layer, not requiring precise positioning of a resin key top and the thin metal film layer in a transferring process, of high quality, good yield and high productivity.例文帳に追加

金属薄膜層を損傷せず、転写工程で樹脂キートップと金属薄膜層との高精度の位置決めが不要であり高品位で歩留まりが高く、尚かつ生産効率も高い押釦スイッチ用キートップの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a cleaning blade capable of maintaining contact pressure by suppressing turning up of the top end ridge portion of the cleaning blade and making followability for a body to be cleaned of the top end ridge portion excellent, and to provide an image forming apparatus and a process cartridge.例文帳に追加

先端稜線部のめくれを抑制し、かつ、先端稜線部の被清掃体に対する追随性を良好にでき当接圧を維持することができるクリーニングブレード、画像形成装置、及び、プロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To improve rigidity of the whole top face of an indoor unit housing, and to process water droplets condensed on the top face without dropping the same to a part excluding an indoor unit main body without deteriorating air conditioning efficiency.例文帳に追加

室内機筐体の天面全体の剛性を向上させることができるとともに、空調の効率を低下させることなく、かつ天面に結露した水滴を室内機本体以外の箇所に滴下させることなく処理できるようにする。 - 特許庁

Under this situation, the measuring terminal 64 of an electric micrometer 34 is made to side on the top end face of a large diameter portion 3 of a rotating movable sheave 1, by which the amplitude and height of this top end face is measured (Second process S2).例文帳に追加

この状態で、電気マイクロメータ３４の測定子６４を、回動動作された可動シーブ１の大径部３の上端面に対して摺動動作させ、これにより該上端面の振れおよび高さを測定する（第２工程Ｓ２）。 - 特許庁

The gate insulation film forming method includes a process for preparing a substrate, a process for forming a silicon dioxide layer on the top surface of the substrate, a process for exposing the silicon dioxide layer to a plasma-nitride forming process in order to change the silicon dioxide layer into a silicon nitride oxide layer, and a process for subjecting the silicon nitride oxide layer to spike-like rapid annealing.例文帳に追加

基板を準備し、基板の上表面に二酸化シリコン層を形成し、二酸化シリコン層を窒化酸化シリコン層に変換するためにプラズマ窒化物形成工程に二酸化シリコン層を露出し、および窒化酸化シリコン層にスパイク状急熱アニ−ルを実施することを含むゲート絶縁膜の形成方法により信頼性の高いゲート絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that the super-compression of a high-pressure working fluid remaining in a working chamber before a piston 106 reaches the top dead center after a discharge process is ended, and the phenomenon of the forcible expansion of the working fluid of an extremely small amount before the suction process is started after the piston 106 reaches the top dead center cannot be prevented at the same time.例文帳に追加

吐出過程が終わってからピストン１０６が上死点に至るまでに作動室に残ってしまった高圧作動流体の過圧縮と、ピストン１０６が上死点に達してから吸入過程が始まるまでに微量の作動流体が強制的に膨張させられる現象とを同時に防止できない。 - 特許庁

A top face and a side face of a light semitransmitting film 2 comprising a material containing at least silicon atoms and nitrogen atoms deposited on a transparent substrate 3 is subjected to a contact process with silylation agent and a subsequent oxidation process to form a modified layer 5 in the manufacturing process of a photomask.例文帳に追加

フォトマスクの製造過程において、透明基板３上に設けられた珪素原子と窒素原子を少なくとも含む材料からなる光半透過膜２の上面や側断面に対し、シリル化剤による接触処理およびそれに続く酸化処理を施して変質層５を形成する。 - 特許庁

To provide a container lid (2, 102) integrally formed from synthetic resin, which can be satisfactorily firmly attached to a top neck part (40) of a container and easily detached from the top neck part when the top neck part of the container is opened, and which can be manufactured without needing a posterior process.例文帳に追加

容器の口頸部（４０）に充分堅固に装着することができ、容器の口頸部を開封する際には充分容易に口頸部から離脱することができ、そしてまた後工程を必要とすることなく製造することができる、合成樹脂から一体に形成された容器蓋（２、１０２）を提供する。 - 特許庁

The distal end portion is laid on top of another in the inside of the top plate 5a so that the distal end portion side of one vertical wall portion 32a, where the bent portion 39 is formed, gets into the inside, and a process to lay the distal end portion of the insulating sheet 3 on top of another by an automatic assembling device is easily materialized.例文帳に追加

天板部５ａの内側では曲折部３９が形成された一方の縦壁部３２ａの先端部側が内側となるように先端部同士が互いに重なり合わされ、自動組立装置による絶縁シート３の先端部同士の重ね合わせ工程も容易に実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide a heat shrinkable stretched laminated film capable of top seal packaging with superior heat sealability while suppressing the deformation of a container in a heat shrinking process, and usable as the lid of a top seal package, a method of producing the same, and the top seal package equipped with the film.例文帳に追加

熱収縮工程において容器の変形を抑制しつつヒートシール性よくトップシール包装することができると共に、トップシール包装体の蓋材として用いることができる熱収縮性延伸積層フィルム及びその製造方法、並びに、当該フィルムを備えるトップシール包装体を提供する。 - 特許庁

The CPU 21 loads a top board moving control program and data necessary for executing programs stored in the ROM 23 into the RAM 22 and performs the process for controlling the movement of the top board in order to easily measure the wide-ranging region of interest with the small number of surface coils in accordance with the top board moving control program.例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、ＲＯＭ２３内に記憶された天板移動制御プログラムおよびプログラムの実行のために必要なデータを、ＲＡＭ２２へロードし、天板移動制御プログラムに従って少ない表面コイルで容易に広範囲の関心領域を測定するために天板の移動を制御する処理を実行する。 - 特許庁

A second split outer mold, wherein the protrusion height of at least a part of a top part becomes less than both side parts which hold the top part, is used at least in one valley forming part and the flow of a softened parison is allowed to cause interference in the region between a pair of interfering parts comprising both side parts holding the top part in a second blow process.例文帳に追加

少なくとも一つの谷形成部において、頂部の少なくとも一部の隆起高さが頂部を挟んだ両側部分以下になる第２分割外型を用い、第２ブロー工程において頂部を挟んだ両側部分からなる一対の干渉部の間の領域で、軟化したパリソンの流動を干渉する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device for forming a metal film on a wafer by plating has a process of forming a seed film for the plating, a process of forming a compound film of the metal on the top surface of the seed film, a process of removing the compound film, and a process of forming the metal film by plating.例文帳に追加

メッキ処理を行ってウェハに金属膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記メッキ処理のためのシード膜を形成する工程と、前記シード膜の表面に前記金属の化合物膜を形成する工程と、前記化合物膜を除去する工程と、メッキ処理によって前記金属膜を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

In the nonvolatile memory (EEPROM) of the process cartridge, loading detection data showing whether the process cartridge is loaded to an image forming device main body or not, shipping destination data showing a shipping destination of the process cartridge and color code data showing color of an image which the process cartridge forms are stored in order from a top address.例文帳に追加

プロセスカートリッジの不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）には、先頭アドレスから順に、このプロセスカートリッジが画像形成装置本体に装着されているか否かを表す装着検出データと、このプロセスカートリッジの出荷先を表す出荷先データと、このプロセスカートリッジが形成する画像の色を表す色コードデータとが格納されるようになっている。 - 特許庁

After the barrier rib 1 is formed on a back plate 3, a process of screening a barrier rib crack is performed; and in the screening process, vibration and/or pressure is applied to the barrier rib 1 by performing processing, such as grinding on a top portion of the barrier rib 1, to make barrier rib crack advance.例文帳に追加

背面板３に隔壁１を形成後、隔壁１の頂部を研磨する処理等によって隔壁に振動又は／及び圧力を加えて隔壁クラックを進行させる隔壁クラックのスクリーニング工程を行う。 - 特許庁

By this, basically, only the process for forming the perforation 20 suffices for the electrode connection between the top and rear surface sides, and the substantial enlargement of a manufacturing process can be avoided compared with the case of installing an embedded electrode.例文帳に追加

これにより、この表裏面間の電極接続のためには基本的に貫通孔２０を形成する工程だけを実施すればよく、埋め込み電極を設ける場合のように製造工程の大幅な増大を回避することができる。 - 特許庁

Deionized water as a non-corrosive process liquid that does not corrode a substrate W is supplied from a process liquid nozzle 9 to the top face of the horizontally held substrate W to form a liquid film of deionized water on the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗを腐食させない非腐食性の処理液である純水を処理液ノズル９から水平に保持された基板Ｗの上面に供給して、当該基板Ｗ上に純水による液膜を形成する。 - 特許庁