「the depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(256ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a large port structure capable of having a larger opening in consideration of the fact that, in the glove box, a conventional large port for taking in/out a handling device or the like is restricted to a cylindrical shape wherein the depth of a glove box has the maximum diameter because a vinyl bag mounted thereon is fixed by an O-ring.例文帳に追加

グローブボックスにおいて、取扱装置等の出入のための従来のラージポートは、これに装着されるビニールバッグをＯリングで固定しているためにグローブボックスの奥行きを最大径とした円筒形に制限されてしまうことに鑑み、より大きな開口とすることができるラージポート構造を提供する。 - 特許庁

This opening and closing water depth display device 4 is composed of a first member 4a provided integrally with a reel body 1, a second member 4b installed freely openably and closably relatively to the first member 4a and a connecting member 4c for freely shakably connecting the first member 4a to the second member 4b in the upper part of the reel body 1.例文帳に追加

開閉式の水深表示装置４は、リール本体１の上方にリール本体１と一体で設けられた第１部材４ａと、第１部材４ａに対して開閉自在に設けられた第２部材４ｂと、第１部材４ａと第２部材４ｂとを揺動自在に連結する連結部材４ｃとにより構成されている。 - 特許庁

To provide a high frequency induction heating method for crankshaft and its apparatus with which the outer peripheral surface of a pin part or a journal part in the crankshaft can uniformly be heated over the entire periphery in a short period of time and therefor, a good (uniform) hardened layer pattern can be obtained by eliminating the inequality of the hardened layer depth.例文帳に追加

クランクシャフトのピン部又はジャーナル部の外周面をその全周にわたり短時間で均一加熱することができ、従って焼入硬化層深さの不均一を解消し得て良好な（均一な）焼入硬化層パターンを得ることのできるクランクシャフトの高周波誘導加熱方法及び装置を提供する。 - 特許庁

When hydrogen ions are implanted into a predetermined depth of the semiconductor substrate, a hydrogen gas is introduced into a container 37 with inside pressure reduced and with a predetermined magnetic field formed; microwaves MV are introduced into the magnetic field to generate plasma; a hydrogen ion beam IB containing hydrogen molecule ions is extracted from the plasma; and the hydrogen molecule ions are applied to and implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の所定深さに水素イオンを注入する際に、内部が減圧されており且つ所定磁場が形成された容器３７内に水素ガスを導入し、磁場内にマイクロ波ＭＷを導入してプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む水素イオンビームＩＢを引き出し、水素分子イオンを半導体基板に照射して注入する。 - 特許庁

In this radiation detector wherein a scintillator group 10, a light guide 20 and photomultipliers 30, 40 are optically coupled, the light guide 20 is subdivided by adjusting the depth of the void 22 formed therein and a reflecting member 21 so that a detection distribution in an adjacent photomultiplier is properly distributed so as to be changed at a fixed rate corresponding to the change of the incident position of light.例文帳に追加

シンチレータ群１０、ライトガイド２０、光電子増倍管３０及び４０が光学的に結合された放射線検出器において、隣接する光電子増倍管における検出分布が、光の入射位置の変化に応じて一定の割合で変化するように適正に分配されるよう、ライトガイド２０を、これに形成される空隙２２及び反射部材２１の奥行きを調節して小区画化する。 - 特許庁

Slots are formed in parallel on a horizontal surface of the storage part in a direction orthogonal to a depth direction of a display main body, and a plurality of card slots are arranged so as to extend in a perpendicular direction of the enclosure, and a plurality of operation keys are arranged in an enclosure ceiling part being in the vicinity of the card slots, in parallel with the card slots.例文帳に追加

この収納部の水平面には、ディスプレイ本体の奥行き方向と直交する方向にそれぞれ挿入口が並べて形成され、筐体の垂下方向に延びて複数のカードスロットが配置され、カードスロット近傍の筐体天井部にカードスロットと平行に並べて複数の操作キーを配置したことを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of connecting holes 24 which connect the n+-type semiconductor areas 20 of Zener diodes D1 and D2 to wiring 21 and 22 is not arranged in the central part of an n+-type semiconductor area 20, namely, an area forming a junction with a p+-type semiconductor area 6, but in the peripheral section of the area 20 having a deeper junction depth than the central part has.例文帳に追加

ツェナー・ダイオード（Ｄ_1、Ｄ_2）のｎ^+型半導体領域２０と配線２１、２２とを接続する複数の接続孔２４は、ｎ^+型半導体領域２０の中央部、すなわちｐ^+型半導体領域６と接合を形成している領域には配置されず、接合深さが中央部に比べて深い周辺部に配置される。 - 特許庁

To solve a problem that a single type gas cleaning apparatus requires a sufficient retention time and a sufficient floating up distance of foams, that is, the depth and the amount of a formulated cleaning agent, in order to dissolve or adsorb air pollutants, floating particles, or the like in the air and that the apparatus is required to have a sufficient height in order to perform treatment to a prescribed extent.例文帳に追加

単槽式の気体浄化装置においては、気体中の臭気物質や大気汚染物質また浮遊微粒子等を溶解あるいは吸着させるためには、十分な泡沫の滞留時間及び浮上移動距離、即ち該調製浄化剤の深さと量が必要であり、該装置には所要深度を実現するための十分な高さ寸法が必要となる。 - 特許庁

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching.例文帳に追加

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

To provide a frame arranged with dried plants such as pressed flowers, in plural layers, capable of emerging a decorative pattern of the above pressed flowers, or the like, in a state of giving a depth perception, in spite of the frame as a decorative article using the dried plants such as the pressed flowers, and subsequently producing a three dimensional creative expression.例文帳に追加

押花等の乾燥植物を複層に配置した額に関し、押花等の乾燥植物を用いた装飾品としての額でありながら、その押花等の装飾模様等を、遠近感が生ずるような状態で現出させることができ、ひいては立体的な創作表現をすることができる額を提供することを課題とする。 - 特許庁

The head lamp fixing structure includes a female bracket having an insertion groove integrally formed on a periphery of a housing of the head lamp; a male bracket having a support projection fixed to a vehicle body and inserted into the insertion groove; and an insertion state fixing means for phasedly adjusting and maintaining depth where the support projection is inserted into the insertion groove.例文帳に追加

ヘッドランプのハウジングの周囲に挿入溝が一体に形成された雌ブラケットと、車体に固定されて挿入溝に挿入される支持突起を有する雄ブラケットと、支持突起が挿入溝に挿入される深さを段階的に調節及び維持するようにする挿入状態固定手段と、を含んで構成されている。 - 特許庁

This device comprises an image display means 12 capable of displaying a stereoscopic image 13, and a tactile presentation means 11 having a tactile presenting function, in which the depth perception range of the stereoscopic image 13 displayed by the image display means 12 and the irregularity reproduction range presented by the tactile presentation means 11 have a common range.例文帳に追加

立体画像１３の表示が可能な画像表示手段１２と、触覚呈示機能を有する触覚呈示手段１１とを有し、画像表示手段１２によって表示される立体画像１３の奥行き知覚範囲と、触覚呈示手段１１によって呈示される凹凸感再現範囲とが共通する範囲を有するようにする。 - 特許庁

The pickup lens 14 for condensing luminous flux emitted from a light source 11 has a plurality of annular level differences at least on one surface, and the plurality of annular level differences have an amount of level difference for generating a phase difference in laser beams so that laser beams are converged by the pickup lens 14 within the depth of focus when the wavelength changes.例文帳に追加

光源１１から出射された光束を集光するピックアップレンズ１４を、ピックアップレンズ１４は、少なくとも一方の面に、複数の輪帯段差を有し、複数の輪帯段差は、波長が変化した場合にピックアップレンズ１４により収束されるレーザ光の収束位置が焦点深度内となるようにレーザ光に位相差を発生させる段差量を有するように構成した。 - 特許庁

In the package for a semiconductor light-emitting device having a resin molding and metal wiring, push-in depth of the resin molding when an indenter having a diameter of 500 μm at the tip is pushed in with a force of 50 mN is 4-30 μm, and the Shore D hardness of the resin molding is 25-75.例文帳に追加

樹脂成形体および金属配線を備える半導体発光装置用パッケージであって、前記樹脂成形体は、先端の直径が５００μｍである圧子を、５０ｍＮの力で押し込んだときの押し込み深さが４μｍ以上３０μｍ以下であり、かつ、ショアＤ硬度が２５以上７５以下である、半導体発光装置用パッケージにより課題を解決する。 - 特許庁

Since the image face of the image reader 7 can be made to confront a horizontally placed medium regardless of an inclination direction of the device main body 7 in this way, neither distortion nor a problem of depth of field occurs in a code symbol image formed on the medium 1 to be read by the image reader 6.例文帳に追加

これにより、画像読取装置６の撮像面を、水平に載置された媒体に対し、装置本体７の傾き方向にかかわらず正対させることができるので、画像読取装置６により読み取られる媒体１上に形成されたコードシンボルの画像に歪みは発生せず、かつ、被写界深度の問題も発生しない。 - 特許庁

Shallow grooves for injecting an adhesive 5, having a depth of several tens micrometers are formed at 12 spots at every 30° at the outer periphery part of the base part 1a of the mirror 1 by grinding and etching, and the groove 5 is provided with an injection port for pressuring and injecting an adhesive and a suction port for vacuum sucking the adhesive.例文帳に追加

また、主鏡１のベース部１ａの外周部には３０゜毎に１２個所に深さが数１０μｍの浅い接着剤注入用溝５が研削及びエッチングにより形成され、溝５には接着剤を加圧して注入するための注入口と、接着剤を真空吸引するための吸引口が設けられている。 - 特許庁

In a case of SUS316 stainless steel with a passive film formed on the outermost surface, the time before erosion is started as shown by the line Le is prolonged (about 500 hours), and the depth of erosion is reduced (about 20-25 μm), and the serviceable life is expected to improve to be as long as that when lead solder is used.例文帳に追加

最表面に不動態被膜が生成されたＳＵＳ３１６系ステンレス鋼の場合、直線Ｌｅに示すように侵食され始めるまでの時間が遅くなり（５００時間程度）、しかも侵食される深さも従来よりは浅くなるので（２０〜２５μｍ程度）、鉛はんだを使用したときの耐用年数と同程度の耐用年数まで改善されると予測される。 - 特許庁

To provide a metallic luster film which can represent unique metallic colors having unconventional appearance of depth by generating no unevenness, variation in tone of colors, and peeling or the like in the interface on a surface of a packaging container, and to provide a sheet for thermoforming formed by the metallic luster film and the packaging container formed by the sheet for thermoforming.例文帳に追加

包装用容器の表面に、ムラや色目のばらつき、界面での剥離等を生じることなしに、従来にない奥行き間のある、独特のメタリック調の色彩を表現することができる金属光沢フィルムと、前記金属光沢フィルムを用いて形成される熱成形用シートと、前記熱成形用シートを用いて形成される包装用容器とを提供する。 - 特許庁

The insulating gate type semiconductor device comprises an N- base layer 1, a P-type base layer 2, a trench 3 so formed as to penetrate the P-type base layer 2 before reaching a depth D from the interface against the N- base layer 1, and a gate electrode 4 embedded in the trench 3 via a gate insulating film.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、Ｎ^-ベース層１と、Ｐ型ベース層２と、このＰ型ベース層２を貫通した後さらにＮ^-ベース層１との界面から深さＤに達するように形成されたトレンチ３と、このトレンチ３の内部に、ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極４を具備する。 - 特許庁

In this drain pipe member for joining a horizontal branch pipe part 8 to a vertical pipe part 7, a recessed groove 9 having the depth becoming deep toward the vertical pipe part 7 along a drain flow is formed in a horizontal directional central part orthogonal to the pipe axis of the horizontal branch pipe part 8 in a bottom surface part of the horizontal branch pipe part 8.例文帳に追加

立管部７に横枝管部８が接合されてなる排水用配管部材において、前記横枝管部８の底面部であって、横枝管部８の管軸に対して直交する水平方向の中央位置に、排水の流に沿い且つ立管部７に近づくに従いその深さが深くなる凹溝９が形成されている。 - 特許庁

The cleaning tool of the resist piping of a resist coating device comprises a cap 21 that reduces an inner volume as compared with a housing of a resist filter connected to the resist coating device having pipes 16, 17 and 18, and has a recess 22 that does not incorporate any resist filters and is shallower than the depth of the housing.例文帳に追加

レジスト塗布装置のレジスト配管の洗浄用治具において、配管１６，１７，１８を有するレジスト塗布装置に接続されるレジストフィルタのハウジングより内容積を少なくするとともに、レジストフィルタを内蔵しない凹部２２であって、前記ハウジングより深さの浅い凹部２２を有するキャップ２１を具備する。 - 特許庁

The production method of the crystalline polymer microporous membrane has an asymmetric swelling step which makes one surface of a film consisting of a crystalline polymer contact with a swelling solvent to form a semi-swelling film having a crystallinity index gradient formed in the depth direction of the film, and a drawing step for drawing the semi-swelling film.例文帳に追加

結晶性ポリマーからなるフィルムの一方の表面を膨潤性溶剤と接触させて、該フィルムの厚み方向に結晶化度勾配を形成した半膨潤フィルムを形成する非対称膨潤工程と、前記半膨潤フィルムを延伸する延伸工程と、を含むことを特徴とする結晶性ポリマー微孔性膜の製造方法である。 - 特許庁

Design information of a work and an electrode designed with a CAD device based on product information is inputted in a CAD design data analysis part 120 and data relating to machining position and machining depth necessary for machining and dimensions of the electrode and wear out dimension of the electrode are taken out from the inputted design information of the work and the electrode.例文帳に追加

製品の情報に基づいてＣＡＤ装置で設計した被加工物と電極の設計情報をＣＡＤ設計データ解析部１２０に入力し、上記入力された加工物と電極の設計情報から加工に必要な加工位置と加工深さに関するデータ及び電極寸法と電極減寸量を取り出す。 - 特許庁

To provide a method for correctly estimating the advance depth (the position of arc generation) of an electrode tip in the thickness direction from a surface of a work by correctly estimating the wire projecting length even in a practical condition area with relatively low arc voltage in the consumable electrode type arc welding, and a welding condition control method.例文帳に追加

消耗電極式アーク溶接において、アーク電圧が比較的低い実用条件域でもワイヤ突出し長さを正確に推定することにより、被溶接材表面から板厚方向への電極先端の進入深さ（アーク発生位置）を正確に推定する方法および溶接条件制御方法を提供する。 - 特許庁

In a preferred embodiment of the sample holder, the sample holder driving mechanism makes it possible to vary an insertion depth of the sample holder into a holding tube of the sample holder, independently of a driving mechanism of nearly a length direction of a sample holder set differently of the sample holder.例文帳に追加

また、本発明の試料ホルダーの好ましい実施態様において、前記試料ホルダー駆動機構は、前記試料ホルダーとは別個に設置された試料ホルダーの略長手方向の駆動機構とは無関係に、試料ホルダーの保持筒への試料ホルダーの挿入深さを可変することが可能であることを特徴とする。 - 特許庁

Although the chips A are generated during boring by the bit 9, by sucking the chips A forcibly by a chip sucking apparatus 10, the boring work by the bit 9 can be done smoothly, easily, surely, and continually to reach a desired depth.例文帳に追加

ビット９による穴あけ時、切粉Ａが発生するが、その切粉Ａを切粉吸引装置１０によって強制的に吸引することにより、ビット９の穴あけ作業に何等支障をきたすことがなく、穴あけ作業を、所望の深さに達するまで継続的に行うことができ、穴あけ作業を容易にかつ確実に行うことができる。 - 特許庁

Position of the inserted needle can be maintained by providing a separated and isolated needle hub, main base and main hub of the infusion set that can isolate the inserted needle from external forces such that the needle can be maintained at a depth to deliver content to the upper 3 mm of skin surface during normal use.例文帳に追加

挿入した針の位置は、挿入した針を外力から隔てることができる分離され隔てられた注入セットの針ハブ、主ベース部、および主ハブを提供することによって維持することができ、通常の使用中に、針をある深さで維持して内容物を皮膚表面の上部３ｍｍに送達することができるようになっている。 - 特許庁

The micro-channel is formed with a type-N silicon layer 2 having, over the layer, a type-P silicon layer 3 of a thickness corresponding to the depth of a to-be-formed micro-channel by anodizing the type-P silicon layer 3 selectively and removing the porous silicon area 11 selectively with a gas or chemical.例文帳に追加

本発明のマイクロチャネルは、形成すべきマイクロチャネルの深さに相当する厚みのＰ型シリコン層３を上部に有するＮ型シリコン層２を用い、Ｐ型シリコン層３を選択的に陽極酸化した後、ガスまたは薬液を用いてポーラスシリコン領域１１を選択的に除去することによって製造する。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 3 includes a first semiconductor region 11, that is formed by selectively introducing impurities onto the main surface of an n^--type epitaxial layer 2, and is formed to a prescribed depth from the main surface of the n^--type epitaxial layer 2; and a plurality of second semiconductor regions 12, projecting toward the depthwise direction from a bottom surface 13 in the first semiconductor region 11.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域３は、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面上に不純物を選択的に導入することによって形成され、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面から所定の深さにまで形成された第１半導体領域１１と、第１半導体領域１１における底面１３から更に深部方向へと突出する複数の第２半導体領域１２とを含む。 - 特許庁

The method includes a resin layer forming process in which an uncured ultraviolet curable resin layer 2 is formed on a substrate 1, a curing process in which beads 3 are immersed in the uncured layer 2 to a prescribed depth to cure the uncured layer 2, and a separation process in which the beads 3 are separated from the cured layer 2 by dissolution or by applying etching and ultrasonic vibration.例文帳に追加

基材１上に未硬化の紫外線硬化樹脂層２を設ける樹脂層形成工程と、複数のビーズ３を未硬化の紫外線硬化樹脂層２に所定の深さまで浸漬してこの未硬化の紫外線硬化樹脂層２を硬化させる硬化工程と、硬化させた紫外線硬化樹脂層２からビーズ３を溶解またはエッチングと超音波振動の付与とにより脱離する脱離工程とを有する。 - 特許庁

The polishing composition manufacturing method comprises a step of filtering polishing composition before the refining by a depth-type filter to obtain intermediate filtrate (Step 1), and a step of filtering the intermediate filtrate by a pleat-type filter to obtain polishing composition (Step 2), wherein the fluctuation range of the filter inlet pressure in Step 1 is ≤ 50kPa.例文帳に追加

以下の精製工程を有する研磨液組成物の製造方法であって、工程１におけるフィルター入口圧力の変動幅が５０ｋＰａ以下である研磨液組成物の製造方法：（工程１）精製前研磨液組成物をデプス型フィルターで濾過し中間濾過物を得る工程、及び（工程２）中間濾過物をプリーツ型フィルターで濾過し研磨液組成物を得る工程。 - 特許庁

In the ultra-high pressure mercury lamp in which a pair of electrodes is opposed and arranged in the discharge container made from fused quartz glass and in which mercury of 0.15 mg/mm^3 or more is sealed, an alkaline metal concentration of the region from the inner surface to a depth of 4 μm of the discharge container is 10 wt.ppm or less.例文帳に追加

溶融石英ガラスからなる放電容器に一対の電極を対向配置しており、この放電容器に０．１５ｍｇ／ｍｍ^３以上の水銀を封入している超高圧水銀ランプにおいて、該放電容器の内表面から深さ４μｍまでの領域のアルカリ金属濃度が１０ｗｔ．ｐｐｍ以下であることを特徴とする超高圧水銀ランプとする。 - 特許庁

A damage layer 12 is formed at a position of desired depth to implant hydrogen ions toward a surface of the single crystal SiC substrate 11, then the single crystal SiC substrate 11 in which the damage layer 12 is formed, and fine powder 13 of SiC is heated and compressed to form a sintered body 1 and integrate the sintered body 1 with the single crystal SiC substrate 11.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１１の表面に対して水素イオンを注入して所定深さの位置にダメージ層１２を形成したのち、ダメージ層１２を形成しておいた単結晶ＳｉＣ基板１１とＳｉＣの微細粉末１３を加熱加圧することで、焼結体１を形成すると共に、焼結体１を単結晶ＳｉＣ基板１１に一体化させる。 - 特許庁

In a nuclear fuel element where a nuclear fuel pellet 3 and a getter 9 are loaded into a fuel covering pipe 2 for sealing, the getter 9 is composed by a substance for the hydrogen getter where a substance different from a getter material composition is added from the surface to a fixed depth of one portion or entire surface of the surface-layer of the getter material for absorbing hydrogen gas.例文帳に追加

燃料被覆管２の内部に核燃料ペレット３とゲッター９とを装填し密封してなる核燃料要素において、前記ゲッター９を、水素ガスを吸収するゲッター材の表面層部の一部もしくは全部表面に、該ゲッター材組成とは異種類の物質を表面から一定の深さまで添加した水素ゲッター用物質で構成するようにした。 - 特許庁

First, a TEG film E of the wafer W formed with a low dielectric constant interlayer insulation film (Low-k film) is cut to a predetermined depth by a first blade 10, and then the wafer W is cut from above the groove cut out by the first blade 10 by means of a second blade 11 which is wider than the first blade 10.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成されたウェーハＷのＴＥＧ膜Ｅを第１のブレード１０により所定深さまで切削し、第１のブレード１０よりも幅の厚い第２のブレード１１により、第１のブレード１０が切削した溝上を第２のブレード１１で切削し、ウェーハＷの切断を行なう。 - 特許庁

To provide a gravel removing machine capable of traveling crawlers or wheels of a gravel removing machine comprising a self travelling vehicle on a smoothened surface after excavation and gravel removing thereby decreasing the slope of the vehicle, excavating in parallel to the ground surface and with an uniform depth in the width direction of the gravel removing and carrying equipment.例文帳に追加

自走式車両でなる除礫機の履帯あるいは車輪を、掘削除礫後の平滑化面上に走行させることができ、これにより車両の傾斜が少なくなり、地表に平行に掘削し、除礫搬送装置の幅方向について均一な深さで掘削し、除礫することができる除礫機を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium having a substrate, a lower layer provided on the substrate and containing non-magnetic powder and a bonding agent and a magnetic layer provided on the lower layer and containing ferromagnetic powder and a bonding agent is characterized in that the surface of the magnetic recording medium has ≤65 nm scratching depth and surface lubricating index of 2-8.例文帳に追加

支持体上に非磁性粉末と結合剤を含む下層を設け、その上に強磁性粉末と結合剤を含む磁性層を設けた磁気記録媒体において、磁気記録媒体表面の引っ掻き深さが６５ｎｍ以下で、磁気記録媒体表面の表面潤滑剤指数が２〜８であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

The CPU 108 selects data of a first program diagram when auto zoom control is not performed, and selects data of a second program diagram with shallower depth of field and a wider control range of the diaphragm value with respect to the change in luminance of the subject, compared to the first program diagram, when auto zoom control is performed.例文帳に追加

ＣＰＵ１０８はオートズーム制御を行わない場合に第１のプログラム線図のデータを選択し、オートズーム制御を行う場合には第１のプログラム線図に比べて被写体の輝度の変化に対する絞り値の制御範囲が大きく被写界深度の浅い第２のプログラム線図のデータを選択する。 - 特許庁

The information recording medium B is constituted by stacking at least a recording layer 5 on a base 1A, which has a land 2 and a groove 3 formed alternately as a fine track pattern and is provided with a Dc clevis 4 deeper than the depth Dg of the groove 3 in the groove 3 nearby one width- directional edge part 3a of the groove 3.例文帳に追加

支持体１Ａ上に、少なくとも、記録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｂであって、支持体１Ａは、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルーブ３の幅方向の一端縁部３ａ近傍には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が設けられている。 - 特許庁

The cutting depth-adjusting mechanism 131 includes an operation member 133 rotated by hands, a cam member 135 rotating with the operation member 133, and a height converting part 137 changing a relative height of the front base 103 to the planer main body 107 based on an output of a cam lift amount by engagement with the cam member 135.例文帳に追加

切込深さ調整機構１３１は、手動で回転操作される操作部材１３３と、操作部材１３３とともに回転動作するカム部材１３５と、カム部材１３５に係合されてカムリフト量の出力に基づきフロントベース１０３の鉋本体１０７に対する相対高さ位置を変える高さ変換部１３７と、を有する。 - 特許庁

When a polysilicon film 21 is doped with a dopant that diffuses into the junction layer of the transistor, dopant diffused into a polysilicon film spreads into a junction layer 12 in a subsequent process, whereby a reduction in depth of the junction layer caused by overetching at the formation of a contact hole and a junction leakage current caused by misalignment at the formation of a contact hole can be compensated.例文帳に追加

また、トランジスタの接合層コンタクトで接合層にドーピングされたドーパントをポリシリコン膜２１にドーピングさせて使用する場合、後続の工程時にポリシリコン膜内にドーピングされたドーパントが接合層１２に広がってコンタクトホール形成時の過度蝕刻にともなう接合層の深さの減少、コンタクトホールの形成時の誤整列等による接合漏洩電流問題を補償できる。 - 特許庁

When projecting the object shown in an image from a viewpoint position of the image to a projective space in each of the plurality of images imaged from an object periphery, projection areas projected from a projection surface in the projective space to a projection face separated in a depth direction by a prescribed length are detected, and a common portion among the respective detected projection areas is extracted.例文帳に追加

物体周囲から撮像される複数の画像ごとに、当該画像の視点位置からその画像に映し出される物体を射影空間にそれぞれ投影した場合に該射影空間における投影表面から奥行き方向に規定長だけ隔てた投影面までに投影される投影領域をそれぞれ検出し、検出された各投影領域のうち、共通となる部分を抽出するようにした。 - 特許庁

A television receiver 100 relating to one embodiment of this invention comprises: a Z value extraction part 114 which receives input of image data constituting a plurality of stereoscopic images and extracts a Z value indicating the position of each stereoscopic image in the depth direction; and a Z value correction part 116 which corrects the extracted Z value so as to unify the stereoscopic appearances of the stereoscopic images.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るテレビ受像機１００は、複数の立体映像を構成する映像データの入力を受けて、各立体映像の奥行き方向の位置を示すＺ値を抽出するＺ値抽出部１１４と、抽出したＺ値を、複数の立体映像の立体感を統一するように補正するＺ値補正部１１６と、を備える。 - 特許庁

A heater electrode 42 is so formed that heat from the heater electrode 42 may be uniformly conducted in the breadthwise direction and the depth direction of an optical waveguide 20 and preferably a film stress acting upon a substrate 10 from the heater electrode 42 may be within the range of -1.5×10^8 to 1.5×10^8 [N/m^2].例文帳に追加

ヒータ電極４２からの熱が上記光導波路２０の幅方向と深さ方向とに均等に伝導するように、さらに望ましくは、上記ヒータ電極４２から上記基板１０に作用する膜応力が−１．５×１０^８〜１．５×１０^８[Ｎ／ｍ^２]の範囲内となるように、上記ヒータ電極４２を形成する。 - 特許庁

The form paper conveyance device consists of a plain belt 1 made of rubber, a paper feed pin aggregate 20 mounted along the longitudinal direction of the plain belt made of rubber at a predetermined pitch, a drive pulley 4 with punched holes 43 along the circumferential direction at a predetermined pitch, and a tension pulley 5 provided with a groove 51 having predetermined width and depth along the circumferential direction.例文帳に追加

フォーム用紙搬送装置は、ゴム製平ベルトと、ゴム製平ベルトの長手方向にそって所定のピッチで取り付けられた紙送りピン集合体と、円周方向にそって所定のピッチで穴を開けられた駆動プーリと、円周方向にそって所定の幅および深さの溝を設けられたテンション・プーリとからなる。 - 特許庁