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「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(157ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > thin- layerの意味・解説 > thin- layerに関連した英語例文

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thin- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9481



例文

Then a support 8 is bonded to the second electrode film 6 and peeled off from the substrate 1 to cause peeling at a boundary between the modified layer 5 and substrate 1, thereby transferring only the thin piezoelectric element 10 to the support 8.例文帳に追加

その後、第2の電極膜6に支持体8を接着してその支持体8を基板1から引き剥がすと、改質層5と基板1との境界部分が剥離して、薄い圧電体素子10のみを支持体8に転写できる。 - 特許庁

In this thin film inorganic light emitting device, a luminescence center contains a dispersion of zinc sulfide and an water-compatible p-type semiconductor polymer, for which a polythiophene/polymeric polyanion complex is desirable, contained as a dopant in the state of a single/double layer.例文帳に追加

本デバイスは、発光中心がドーパントとして添加されている硫化亜鉛の分散液と水相溶性p型半導体ポリマー、好適にはポリチオフェン/高分子量ポリアニオン錯体を一層の状態または二層の状態で含有する。 - 特許庁

The Fig. 3(a) and (b) show a TLC (thin-layer chromatography) plate obtained by developing a hydrolysis product produced by the decomposition of birchwood xylan with xylanase X, and a TLC plate obtained by developing the hydrolysis product after separating with an anion exchange resin.例文帳に追加

図3(a)、(b)は、キシラナーゼXによりバーチウッドキシランを分解した際の加水分解産物を展開したTLCプレート、及び該加水分解産物を陰イオン交換樹脂で分離した後に展開したTLCプレートを示す。 - 特許庁

In the first wet oxidation process, wet oxidation at a treatment temperature of about 875°C is performed to an exposed surface of an epitaxial layer 1b through an aperture part 18a of a silicon nitride film 18, and a thin oxide film 6a is formed.例文帳に追加

第1のウエット酸化工程では、エピタキシャル層1bの露出面に対して、窒化シリコン膜18の開口部18aを通して約875℃の処理温度でのウエット酸化を施すことにより薄い酸化膜6aを形成する。 - 特許庁

例文

To provide a multilayer wiring board which is composed of an insulating board having through-holes and a thin film wiring layer formed on the surface of the insulating board, improved in reliability and wiring density, and manufacturing at a low cost.例文帳に追加

貫通孔を有する絶縁基板と、その絶縁基板の表面に形成された薄膜配線層とを有する多層配線基板において、信頼性が高く、高密度配線可能な多層配線基板を低コストに提供する。 - 特許庁


例文

To provide a structure of epitaxial wafer capable of achieving surface planarity, high orientation and low dislocation density when GaN thin film crystal grown on an Si substrate through an AlN single layer buffer has a film thickness of 1 μm or less.例文帳に追加

AlN単層バッファーを介したSi基板上のGaN薄膜結晶が、1μm以下の膜厚において、表面平坦、高配向性、低転位密度を実現することのできるエピタキシャルウェハの構造を提供すること。 - 特許庁

The organic EL element has an organic thin-film layer, containing a specific compound which is expressed with formula [I], [II] or, and [III], and has at least one cyclohexylidene methine group between a positive pole and a negative pole.例文帳に追加

本発明の有機EL素子は、陽極と陰極との間に、下記一般式[I]、[II]、[III]のいずれかで表されるとともに、少なくとも1個のシクロヘキシリデンメチン基を有する特定の化合物を含有する有機薄膜層を有する。 - 特許庁

The present invention is characterized in that when data wiring lines and thin film transistors are fabricated on an array substrate for the liquid crystal display device, an active layer is not exposed beyond the data wiring line and beyond the gate electrode.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置用アレイ基板にデータ配線と薄膜トランジスタを構成する時、アクティブ層がデータ配線の外側及びゲート電極の外側へと露出されないように構成することを特徴とする。 - 特許庁

The gas discharge tube 11 has an electron emitting film 5 and a phosphor layer 4 formed and discharge gas enclosed inside a thin tube, has a plurality of pairs of display electrodes arranged on a display face side and signal electrodes arranged on a back face side.例文帳に追加

ガス放電管11は、細管の内部に電子放出膜5及び蛍光体層4が形成されかつ放電ガスが封入され、表示面側に複数対の表示電極が配置され、背面側に信号電極が配置される。 - 特許庁

例文

The display device having a display area composed of a plurality of pixels arranged in a matrix is equipped with at least one TFT(thin film transistor) 121 containing a polysilicon semiconductor layer 112 in each pixel to switch the pixel.例文帳に追加

マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示エリアを備えた表示装置は、各画素毎に少なくとも1個配置されるとともに、画素をスイッチングするとともに、ポリシリコン半導体層112を含むTFT121を備えている。 - 特許庁

例文

To effectively remove a BN thin piece attaching to a rear face of a semiconductor substrate when the semiconductor substrate is subjected to process treatment while holding the semiconductor substrate in a sample base whose outermost surface layer is pyrolytic boron nitride (PBN).例文帳に追加

熱分解窒化ホウ素(PBN)を最表面層とする試料台に半導体基板を保持して該半導体基板にプロセス処理を行ったときに、該半導体基板の裏面に付着したBN薄片を効果的に除去する。 - 特許庁

Next, in a step S102, a carbon thin film 103 in which a carrier has been doped is formed on the metal layer 102 by a heat chemical vapor deposition method using a raw material gas consisting of at least one of benzylamine and triisopropyl borate.例文帳に追加

次に、ステップS102で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも1つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、金属層102の上にキャリアがドープされた炭素薄膜103を形成する。 - 特許庁

To provide a laminated ceramic capacitor having a high electrostatic capacity and small electrostatic capacity variation by DC voltage, that is, having an excellent DC bias characteristic even in the laminated ceramic capacitor having a thin dielectric layer.例文帳に追加

誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても、静電容量が高く、直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたDCバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。 - 特許庁

The hydrogen generation unit has a container 5 and a hydrogen generation element 4 contained in the container 5, and the hydrogen generation unit 4 is characterized by including a porous carrier in which a thin film layer of aluminum or an aluminum alloy is formed.例文帳に追加

容器5と、前記容器5に収容される水素発生素子4とを有し、前記水素発生素子4は、アルミニウム又はアルミニウム合金の薄膜層が形成された多孔質の担体からなることを特徴とする水素発生ユニット。 - 特許庁

To manufacture thin and thick polarizable electrodes that are suitable for mass production and can be manufactured with satisfactory productivity, when manufacturing the polarizable electrodes that are used for a square electric double-layer capacitor having a large capacity.例文帳に追加

角型大容量の電気二重層コンデンサに用いられる分極性電極を製造するに際し、量産に適し生産性良く製造できるとともに、薄肉から厚肉までの分極性電極を製造できるようにすること。 - 特許庁

To provide a toner for electrostatic latent image development, capable of suppressing deposition on a sleeve or generation of development ghosts, without damaging the photoreceptor, or the like, preventing image degradation, and stably forming a proper toner thin layer.例文帳に追加

感光体などを損傷することなく、長期にわたりスリーブ付着および現像ゴーストの発生を抑制し、画像劣化を防止すると共に、安定して良好なトナー薄層を形成できる静電潜像現像用トナーを実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element having uniformity and a good jointing surface, in which an organic thin film layer can be simply formed on a substrate, and provide the element manufactured by the method.例文帳に追加

有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、均一性及び良好な接合界面を有する有機電界発光素子を製造する方法及びその製造方法により得られる有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

A switch element 15 of thin film transistor is formed on a substrate 2 and a sensor region of an amorphous semiconductor layer 12 is formed thereon through a pixel electrode 11 connected with the switch element 15 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

基板2上に薄膜トランジスタによるスイッチ素子15が形成され、このスイッチ素子15に接続された画素電極11を介してアモルファス半導体層12によるセンサ領域が積層されて成る固体撮像素子1を構成する。 - 特許庁

The electrically conductive antireflection film has an antireflection layer on one face of a transparent substrate and a mesh comprising a metallic thin film on the other face by way of an adhesive.例文帳に追加

透明支持体の一方の面に反射防止層を有し、反対側の面に粘着材を介して金属薄膜からなるメッシュを有する導電性反射防止フィルム、該フィルムを用いたPDPおよびPDP用前面板が提供される。 - 特許庁

The thin-film electrode 302 is disposed facing the fixing belt 15c, and the electron accelerating layer 303 includes metal particles 307 of high antioxidant power, and insulator particles 306 larger than the size of the metal particles 307.例文帳に追加

薄膜電極302は、定着ベルト15cと対向して配置され、電子加速層303は、抗酸化力が高い金属微粒子307と、金属微粒子307の大きさより大きい絶縁体の微粒子306とを含んでいる。 - 特許庁

In this method for producing a multilayer printed circuit board, the inner layer circuit board is soaked in a thermosetting resin solution and dried for forming a thin insulation coat on an inner circuit and thereafter, the adhesive sheet is heated and pressed for obtaining the multilayer printed circuit board.例文帳に追加

内層回路板を,熱硬化性樹脂溶液中に浸漬し,乾燥することにより,内層回路上に薄い絶縁性皮膜を形成した後,接着剤シートを加熱,加圧して得られる多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

To enhance the energy utilization efficiency by drastically reducing the thermal energy loss in a small-sized reaction apparatus in which thermal energy is supplied by a thin film heater to a catalyst layer formed in a minute passage formed in one face of a substrate.例文帳に追加

基板の一面に形成された微小な流路内に設けられた触媒層に薄膜ヒータによって熱エネルギーを供給する小型化学反応装置において、熱エネルギーの損失を激減してエネルギーの利用効率を良くする。 - 特許庁

To provide an electronic component with high connection reliability and electrical conductivity, even when a metal nanoparticle layer in a metal nanoparticle junction is thin, and to provide an electronic component device which uses the component and a method of manufacturing them.例文帳に追加

金属ナノ粒子接合部における金属ナノ粒子層の厚みが薄い場合においても接続信頼性、電気伝導性が高い電子部品それを用いた電子部品、電子部品装置およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a thin-film transistor and its manufacturing method, a gate electrode is formed on one surface of the gate insulating film composed of at least a resin-film base material and source-drain electrodes and a semiconductor layer on the other surface.例文帳に追加

少なくとも、樹脂フィルム基材からなるゲート絶縁膜の一方の面にゲート電極、他方の面にソース・ドレイン電極および半導体層を形成してなることを特徴とする薄膜トランジスタおよびその製造方法である。 - 特許庁

A pair of electrode conductors 70 for electrically coupling the positive and negative electrodes of the thin film cell are also provided on the pair of vertical conductors 60 while being spaced apart horizontally on the insulating layer 40.例文帳に追加

また、上記絶縁層40上に水平に離間して上記一対の垂直導体60上に配設され、上記薄膜電池の正極及び負極と電気的に連結する一対の電極導体70を備えるように構成した。 - 特許庁

To reduce elastic deformation and wear of a blade edge and provide stable charged toner forming a thin layer with desired thickness by keeping a wide contact area with a developing roller and reducing the amount of the carried toner.例文帳に追加

現像ローラとの接触幅を広く確保しつつ、搬送されるトナー量を低減させることにより、エッジ先端の弾性変形を小さく且つ摩耗しにくくし、また、所望の薄層厚を形成し安定したトナー帯電量を得る。 - 特許庁

The minute laser oscillator is provided by three dimensionally and regularly arranging mono dispersion particles in a transparent medium to include the mono dispersion particles, using colloid crystal films reflecting a specific wavelength band, and arranging the light emitting layer between two sheets of the colloid thin films.例文帳に追加

透明媒体中に単分散微粒子を三次元的に規則配列させて含み、特定波長帯を反射するコロイド結晶膜を用い、その二枚のコロイド薄膜の間に発光層を配置することによって提供する。 - 特許庁

This guard shield is provided with a plate-shaped shield body 10 formed of transparent resin such as polycarbonate, a grip 12 attached to the inside of the shield body 10, and a half mirror layer composed on a metal thin film on the surface of the shield body 10.例文帳に追加

ポリカーボネート等の透明な樹脂により形成された板状の盾本体10と、盾本体10の内側に取り付けられた持ち手12とを備え、盾本体10の表面に金属薄膜から成るハーフミラー層22を設ける。 - 特許庁

This solar system possesses a heat collector which has a container body 1 where water circulates and a casing 2 surrounding it, and a heat insulating sheet of a thin film is used for a heat insulating layer 3 provided between the container body 1 and the casing 2.例文帳に追加

水が循環する容器本体1とそれを囲む外装箱2とを有する集熱器を具備し、その容器本体1と外装箱2との間に設けられる断熱層3に薄膜の断熱性シートを用いた構成とする。 - 特許庁

Since an ornamental effect is provided by the colored light transmitting through the light translucent color member 36 and a metallic ornamental effect is provided by the thin metal layer 15, a colorful ornamental effect can be provided by the two.例文帳に追加

また、光透過性カラー部材36を透過した有色の光による装飾効果と、薄膜金属層15による金属調の装飾効果とが得られるので、その両者によって多彩な装飾効果を得ることができる。 - 特許庁

A thin film 70 with a thickness of 10 mm or less containing a strong acid group is formed on a surface of an electrode at least on one side out of a pair of electrodes 23, 50 interposing a light emitting layer 60 in between.例文帳に追加

発光層60を狭持している一対の電極23、50のうち少なくとも一方の電極の表面に、膜厚が10nm以下の強酸基を備えた薄膜70が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

By making contain a minute amount of oxygen in the discharge gas, a thin film layer containing a non-diamond content due to re-deposition on the surface of the diamond members 14a, 14b is removed selectively, and luminous efficiency and the life are improved.例文帳に追加

微量の酸素を前記放電用ガスに含ませることにより、ダイヤモンド部材14a、14b表面の再付着による非ダイヤモンド成分を含む薄層を選択的に除去し、発光効率及び寿命を向上させる。 - 特許庁

This wet type image forming device is provided with a wet type developing device to apply a liquid developer on an application roller to which the liquid developer is adhered to a development roller and to form the thin liquid developer layer on the development roller.例文帳に追加

この湿式画像形成装置は、現像ローラ上に液体現像剤が付着した塗布ローラ上の液体現像剤を塗布して、該現像ローラ上に薄い液体現像剤層を形成する湿式現像装置を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic EL device forming an organic EL layer by discharging and applying an organic EL material by an ink-jet method on a substrate, with uniform thickness of an organic EL thin film between pixels within effective optical area and in respective pixels.例文帳に追加

インクジェット方式で基板上に有機EL材料を吐出、塗布し有機EL層を形成する有機EL装置の製造において、有効光学領域画素間および各画素内で有機EL薄膜の膜厚を均一にする。 - 特許庁

A developer thin layer 90 formed on the regulation member 54 is rubbed or hit by the part 551 on the free end side of the cleaner film 55 when the part 551 passes through the gap 58, and removed from the regulation member 54.例文帳に追加

規制部材54に形成されている現像剤の薄層90は、クリーナフィルム55の自由端側の部分551が隙間58を通り抜けるときにその部分551により擦られたり叩かれたりして規制部材54から除去される。 - 特許庁

Pressure air 10 generated by the compressor 7 is blown from the air blow ports 15 into water and small bubbles 10a are filled into a thin portion of a boundary layer to form voids in the surface of a dipped portion of the hull 1.例文帳に追加

コンプレッサー7で発生させた加圧空気10を空気吹き出し口15から水中へ吹き出させて、微小気泡10aを境界層の厚さの薄い部分に注入して、船体1の没水部表面にボイドを形成させる。 - 特許庁

Since the surface of the node interconnection N1 is planar, the capacitor insulation film 131 and the upper capacitor electrode 132 can be made thin, reliability of the capacitor is enhanced and scaling-down can be attained by planarizing the upper layer interconnection.例文帳に追加

ノード配線N1の表面が平坦であるため、容量絶縁膜131と上部容量電極132の薄膜化が実現でき、キャパシタの信頼性を向上し、かつ上層配線の平坦化を図って微細化が可能になる。 - 特許庁

The method of manufacturing the image display device includes a process of forming a draw-out wiring C on a rear plate 1, and a process of forming a thin-film insulating layer 11 on the draw-out wiring C by a CVD method or a sputtering method.例文帳に追加

本発明の画像表示装置の製造方法は、リアプレート1上に引き出し配線Cを形成する工程と、引き出し配線C上に、CVD法もしくはスパッタ法で薄膜絶縁層11を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The back face of the IC chip 3 is subjected to polishing to thin the chip thickness, and an insulating layer 11 is formed at the back face subjected to polishing to prevent electrical contact between the MEMS chip and IC chip 3.例文帳に追加

ICチップ3の裏面は、チップ厚を薄くするために研磨処理されており、その研磨処理された裏面には絶縁層11が形成され、MEMSチップとICチップ3の電気的接触が防止されるようになっている。 - 特許庁

An alignment layer material 7 is transferred onto a TFT (thin film transistor) substrate 1 by using a printing plate 11 having recesses 12 at the position corresponding to the spacer 6 on the TFT substrate 1, After transferring, the film material is preliminarily dried at a temperature as low as 20 to 30°C.例文帳に追加

TFT基板1上のスペーサ6に対応する位置に凹部12が形成された印刷版11を用いて、TFT基板1上に配向膜材7を転写し、転写後の予備乾燥を20〜30℃の低温で行う。 - 特許庁

The diaphragm for thin and flat board loudspeaker is composed by layering a reinforcing material (c) having rigidity and a facing (b) with a good adhesive property and high hardness on both surfaces of a core (a) consisting of a layer of polyurethane foam, and then heating, compressing and bonding them.例文帳に追加

薄形平板スピーカ用振動板は、発泡ポリウレタン層よりなる心材aの両表面に剛性を有する補強材c、および硬度が高く接着性の良い表面材bを積層し、加熱圧縮接合して構成する。 - 特許庁

In this case, a plurality of thin layer dividing grooves 112 are provided on the upper blades 111 of a first cutting-off portion 110 such that electrically conductive layers 12 to be stuck to the thread-like burrs produced by the blades can be divided at a required interval.例文帳に追加

このとき、刃物によって生じる糸バリに付着する電気伝導性層12を一定の間隔で分断可能なように、第1の切断部110の上刃111に、複数の薄膜分断溝112を設けた。 - 特許庁

In an abrasive grain layer 13 of an electrocast thin blade grinding wheel 10, at least part of a metal plating phase 12 is upheaved toward super-abrasive grain 11 close to the super-abrasive grain 11 protruded from the surface of the metal plating phase 12.例文帳に追加

電鋳薄刃砥石10の砥粒層13において、金属めっき相12の表面上から突出した超砥粒11の近傍で、金属めっき相12の少なくとも一部を超砥粒11に向かって隆起させた。 - 特許庁

To provide a process for producing a combined thin-film magnetic head which is capable of easily forming through-holes for extraction from a lead conductor layer of a read element and a back gap of a write magnetic pole of an inductive element in the same stage.例文帳に追加

読み取り素子のリード導体層からの引き出し用スルーホールとインダクティブ素子の書込み磁極のバックギャップとを同一の工程で容易に形成することができる複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately calibrate a measuring error caused by a drift component included in a measured result, in a measuring instrument provided with a flow passage for supplying a sample on a thin film layer, and a measuring method using the measuring instrument.例文帳に追加

薄膜層上に試料を供給するための流路を備えた測定装置およびこの測定装置を用いた測定方法において、測定結果中に含まれるドリフト成分による測定誤差をより正確に校正する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxygen-capturing packaging material which has an excellent oxygen barrier property and can prevent the deterioration in the quality of a content due to the penetration of oxygen, even when an oxygen-capturing layer is thin, and to provide an oxygen-capturing packaging material.例文帳に追加

酸素捕集層が薄くても酸素透過による内容物の品質低下を防止することができる酸素バリア性に優れた酸素捕集性包装材料の製造法及び酸素捕集性包装材料を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the soft magnetic compact, a heat treatment is carried out, after composite soft magnetic particles have been compacted by forming a thin film of an electric insulating nonmagnetic material, on the surface of a soft magnetic particle by atomic layer deposition method.例文帳に追加

軟磁性粒子の表面にアトミック・レイヤ・デポジション法で電気絶縁性非磁性材料からなる薄膜を形成してなる複合軟磁性粒子を圧粉成形後、熱処理することを特徴とする軟磁性成形体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing deterioration of the surface morphology of an Ni-containing film caused by dependence on an under layer and of forming a continuous film in a thin film region, and to provide a method and an apparatus of processing a substrate.例文帳に追加

Niを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The luminescent layer 4 of this inorganic thin film EL element for a display device contains MSb_2O_X (M is any of Mg, Ca, Sr and Ba or a combination thereof; and X=4, 5 or 6) as a matrix, and it is activated with the luminescent center by Mn ions or the like.例文帳に追加

表示装置用の無機薄膜EL素子の発光層4において、MSb_2O_X(MはMg,Ca,Sr,Baのいずれか、あるいはこれらの組合せ;X=4,5,6)を母体材料とし、これにMnイオン等による発光中心を付活する。 - 特許庁

例文

The thin film 5D containing Si simultaneously supplies NH_3 and SiH_4 to a reactor, which grows on the irregular surface of the first GaN layer 5C at a growth temperature of 1,050°C to a thickness of approximately one to several atom layers.例文帳に追加

Siを含む薄膜5Dは、リアクタにNH_3を供給しながらSiH_4を供給し、1050℃の成長温度で第1のGaN層5Cの凸凹表面に1原子層〜数原子層程度の厚さとなるように成長させる。 - 特許庁




  
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