「シタン」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

所定の高周波信号を放射及び／又は受信するループパターン２０と、ループパターン２０の巻回軸に対して略垂直な平面を有し、ループパターン２０と対向配置された平面導体２５と、平面導体２５とループパターン２０とを容量的に結合するキャパシタンス素子と、を備えたアンテナ装置。例文帳に追加

The antenna device includes: a loop pattern 20 which emits and/or receives a prescribed high-frequency signal; a plane conductor 25 which has a plane approximately perpendicular to a winding axis of the loop pattern 20 and arranged opposite to the loop pattern 20; and a capacitive element which capacitatively couples the plane conductor 25 to the loop pattern 20. - 特許庁

そして、発光駆動交流電圧の設定周波数にて無電極放電ランプ１３の発光駆動時のインピーダンスを低減するために、無電極放電ランプ１３の外部電極１５及び透光性絶縁管が形成する電極部キャパシタンスと設定周波数にて直列共振回路を形成するインピーダンス調整インダクタンス１６が設けられる。例文帳に追加

In order to reduce impedance in light emission drive of the electrodeless discharge lamps 13 at a set frequency of a light emission drive A.C. voltage, electrode part capacitance formed by the external electrodes 15 of the electrodeless discharge lamps 13 and a translucent insulation tube and impedance adjustment inductance 16 forming a series resonance circuit at a set frequency are formed. - 特許庁

２個のキャパシタンス（Ｃ１、Ｃ２）及び２個のダイオード（Ｄ１、Ｄ２）と接続された２個のスイッチ開閉素子を有する降圧型コンバータ（２１０）を有し、個々のスイッチ開閉素子電圧をコンバータＤＣ入力電圧の約２分の１以下に制限する電子安定器及び電子安定器用昇降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。例文帳に追加

An electrical ballast and a buck-boost DC-DC converter for an electrical ballast are provided that include a buck converter (210) with two switching devices connected to two capacitors (C1 and C2) and two diodes (D1 and D2), to limit the individual switching device voltages to around half the converter DC input voltage or less. - 特許庁

基板と下部シールド層との間及び上部シールド層と下部磁極層との間の絶縁層の層厚、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更することなく、寄生キャパシタンスの調整可能な、ＣＰＰ構造のＭＲヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a compound thin film magnetic head equipped with an MR head element of CPP structure which can adjust parasitic capacitance without changing thickness of insulation layers between a substrate and a lower shield layer and between an upper shield layer and a lower magnetic pole layer, thickness, shape and area of a lower shield layer, an upper shield layer and a lower magnetic pole layer. - 特許庁

接地導体層12から外部電気回路の接地導体までのインダクタンス成分を削除することができ、弾性表面波フィルタ素子17およびパッケージが持つキャパシタンス成分とのＬＣ共振を抑制することができるので、高周波化した阻止域における減衰量および入出力配線13・13間のアイソレーションの劣化を改善できる。例文帳に追加

As the inductance component from the ground conductive layer 12 to the ground conductor of the exterior electric circuit can be neglected and an LC resonance caused by a capacitance component between the surface acoustic wave filter 17 and the package can be reduced, then attenuation quantity in a blocking area turned into a high frequency and a deterioration in an isolation between input/output lines 13 and 13 can be improved. - 特許庁

層間絶縁膜に設けられたトレンチ又はホールの側壁に、誘電率の低いＳｉＣｘＨｙまたはＳｉＯＣｘＨｙからなるスペーサーを形成することにより、トレンチ又はホールの臨界寸法損失を防止し且つ誘電率を減少させて寄生キャパシタンスを最小化し、ＲＣ遅延とクロストークを抑えて素子の動作速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent critical dimension loss of trenches or holes, reduce dielectric constant to minimize parasitic capacitance, suppress RC delay and cross talk, and enhance operating speed by forming a spacer made of SiC_xH_y or SiOC_xH_y having a low dielectric constant on the sidewall of the trenches or holes made in an interlayer insulation film. - 特許庁

本発明の方法は、正弦波をバイオセンサセルに印加する段階と、結果的に得られた信号の位相を変える段階と、正弦波と同期した方形波を発生させる段階と、上記結果的に得られた信号を方形波で復調する段階と、復調した信号を濾波してバイオセンサセルの有効キャパシタンスに比例した信号を生じさせる段階とを有する。例文帳に追加

The method includes a stage for applying sine waves to the biosensor cell, a stage for changing the phase of signals that are obtained as a result, a stage for generating square waves in synchronization with the sine waves, a stage for demodulating a signal obtained as the result by square waves, and a stage for generating a signal that is proportional to the effective capacitance of the biosensor cell by filtering demodulated signals. - 特許庁

伝送線路を使用する周波数において積層導体の抵抗で決まる伝送線路の単位長さあたりの抵抗Ｒが、伝送線路の単位長さあたりのインダクタンスＬ、単位長さあたりのコンダクタンスＧ、単位長さあたりのキャパシタンスＣとの関係をＲ／Ｇ＝Ｌ／Ｃであれば、信号はひずみなく伝播する。例文帳に追加

For frequencies used for the transmission line, the signals can be transmitted without distortions, if a resistor R per unit length of the transmission line determined by a resistor of a laminated conductor, inductance L per unit length of the transmission line, conductance G per unit length and capacitance C of unit length satisfy the expression R/G=L/C. - 特許庁

それぞれが、ＰＩＮダイオード（１−１、１−２）と、該ＰＩＮダイオード及び接続部のインダクタンスを使用周波数において打ち消すキャパシタンス（６−１、６−２）を持つキャパシタからなる、第１直列回路と第２直列回路を、主マイクロストリップ線路と接地導体間に、λ／４間隔で接続する。例文帳に追加

A first series circuit comprising the PIN diode 1-1 and a capacitor 6-1 for cancelling the inductance of the PIN diode and a connection section at an operating frequency and a second series circuit comprising the PIN diode 1-2 and a capacitor 6-2 are connected between a main microstrip line (4) and ground conductors at an interval of λ/4. - 特許庁

半導体装置のシリンダ型ストレージノード形成方法は、ストレージノード２６分離のためのエッチバック工程によって生成するセル領域の中心及びエッジ間のシリンダ型ストレージノード２６の損失差異を最小化して、半導体ウェーハの全体領域上で一定な電気的キャパシタンスを維持する。例文帳に追加

In this cylindrical storage node formation method for the semiconductor device, the loss difference of the cylindrical storage node 26 between the center and edge of the cell area generated by the etch-back process for the separation of the storage node 26 is minimized and fixed electric capacitance is maintained over the entire area of a semiconductor wafer. - 特許庁

任意長の二つのマイクロストリップラインを、微小間隙を挟んで平行に並べ、一方を主線路、他方を副線路とし、前記副線路のカップリング端子及び終端側夫々に直列又は並列にキャパシタンス素子、インダクタンス素子、抵抗素子のいずれかを接続し、使用周波数帯域内のアイソレーション特性を改善するように前記各素子値を設定するように方向性結合器を構成する。例文帳に追加

One of a capacitance element 7, an inductance element 8, and a resistance element is connected to a coupling terminal and the termination side of the sub-line in series or parallel, and respective element values are so set that isolation characteristics in an in-use frequency band are improved. - 特許庁

ゲート抵抗Ｒ_G1〜Ｒ_G3とアナログスイッチＳ１〜Ｓ３によるゲート抵抗切り替えを行い、このゲート抵抗とゲートキャパシタンスを模擬するコンデンサＣ１によってゲート電圧を模擬し、これを電流アンプＡＭＰによって電流増幅し、コンデンサＣ２の充放電電圧でＩＧＢＴのゲート電圧を得る。例文帳に追加

Analog switches S1-S3 are used to select gate resistors RG1-RG3, a gate voltage is simulated with the selected gate resistor and a capacitor C1 simulating a gate capacitance, the gate voltage is applied to a current amplifier AMP, where current amplification is conducted and a charging/discharging voltage across a capacitor C2 provides a gate voltage of the IGBT. - 特許庁

複数の出力線と、各前記出力線にそれぞれ異なる電圧を印加する電圧生成部と、各前記出力線に取り付けられたスイッチと、一端が各前記スイッチに接続されたインダクタンスと、前記インダクタンスの他端に接続されたキャパシタンスと、前記スイッチのいずれかを制御して前記異なる電圧のうちの１つの電圧を選択する制御部と、を備える駆動信号生成装置例文帳に追加

The driving signal generating apparatus includes a plurality of output lines, a voltage generating part which impresses different voltages to the output lines from each other, a switch attached to each output line, an inductance keeping one end connected to the switch, a capacitance connected to the other end of the inductance, and a control part which controls any of the switches to select one voltage among the different voltages. - 特許庁

接地面１上で起立する誘電体基板２の表面に設けた長短一対の放射導体３，４のうち、相対的に低い周波数の電波と共振させる第１の放射導体３の上端部（容量領域）を幅広部３ａとなすことにより、そのキャパシタンスが大きくなって共振周波数を小さくすることができる。例文帳に追加

The upper end section (capacity region) of a first radiation conductor 3 that resonates with a radio wave at a relatively low frequency is set to be a wide section 3a in a pair of long and short radiation conductors 3 and 4 that is provided on the surface of the dielectric substrate 2 that is raised on a ground surface 1, thus reducing a resonance frequency by increasing capacitance. - 特許庁

そして、アナログスイッチＡＳ１１〜ＡＳ１ｎのうちの一つと、アナログスイッチＡＳ２１〜ＡＳ２ｍのうちの一つとをともにオン状態とすることで、フィルタ部を構成するコンデンサを所望のキャパシタンスを選択し、カットオフ周波数自動調整回路２００によるカットオフ周波数の調整範囲を拡大させる。例文帳に追加

Closing any of the analog switches AS11- AS1n and any of the analog switches AS21-AS2m selects a desired capacitance for a capacitor configuring a filter section thereby extending an adjustment range of a cut-off frequency by a cut-off destination automatic adjustment circuit 200. - 特許庁

被覆電線に接するように配置した２個の前記センサユニットを備え、各センサユニットが、それぞれの被覆電線の芯線に対峙して配置した第１電極と第１電極から所定の距離を置いて第１電極より遠く離して配置した第２電極を備えて、前記芯線と各電極との間にキャパシタンスを通して流れる電流を測定する。例文帳に追加

A minute current measuring device comprises two sensor units disposed in contact with coated wires, and the respective sensor units include first electrodes disposed to oppose core wires of the respective coated wires and second electrodes disposed away from the first electrodes by a prescribed distance, so as to measure currents flowing through capacitance between the core wires and the electrodes. - 特許庁

所望周波数において、２つのチップ抵抗器のインダクタンスを実質的に打ち消すキャパシタンスを持つ長さのオープンスタブを設定し、且つ、当該マイクロストリップ線路終端器のインピーダンスが所望周波数においてマイクロストリップ線路の特性インピーダンスに整合するように、２つのチップ抵抗器の合成した直流抵抗値を、該特性インピーダンスより低い抵抗値とする。例文帳に追加

In a desired frequency, an open stub with a length having a capacitance substantially canceling an inductance of two chip resistors is set, and a synthesized direct current resistance value of two chip resistors is made lower than the characteristic impedance so that the impedance of the concerned microstrip line terminator matches the characteristic impedance of the microstrip line in a desired frequency. - 特許庁

この方法は、（ａ）シグマ−デルタ変調器（１０）に対する入力信号の振幅をサンプリングする段階、及び（ｂ）量子化器（１４）の入力端でディザー信号を生成するため入力信号のサンプリングされた振幅に従って、スイッチドキャパシタンスバンク（２０）の切換えを制御する段階を有する。例文帳に追加

The method has steps of (a) sampling an amplitude of an input signal to the sigma-delta modulator (10); and (b) controlling the switching of a capacitance bank (20) in accordance with the sampled amplitude of the input signal for generating a dither signal at an input of the quantizer (14). - 特許庁

高高周波（ＶＨＦ）を利用するプラズマ化学蒸着装置において、定在波、シースキャパシタンス、セルフクリーニング用ＮＦ_３ガス流れの不均一などで生じるプラズマ発生状況の不均一を防止し、大面積でプラズマ発生状況が均一となるようなプラズマ化学蒸着装置における放電電極の構造の提供。例文帳に追加

To provide a structure of a discharge electrode in a plasma chemical vapor deposition system, in which the uniform plasma generation condition is attained even in large surface area film deposition by preventing the ununiform plasma generation condition caused by the ununiformity of standing wave, sheath capacitance, the gas flow of NF_3 for self cleaning or the like in the plasma chemical vapor deposition using very high frequency wave(VHF). - 特許庁

バイオセンサ装置１００は、ＡＣ信号をサンプルの入っているバイオセンサセル１０２に印加する正弦波発生器１４６と、電流−電圧変換器１１４と、移相器１１６と、方形波発生器１１２と、同期復調器１１８と、サンプルの量に比例したバイオセンサセルの有効キャパシタンスに比例する信号を出力する低域フィルタ１２０とを有する。例文帳に追加

A biosensor apparatus 100 includes a sine wave generator 146 for applying AC signals to a biosensor cell 102 for accommodating samples, a current-to-voltage converter 114, a phase shifter 116, a square wave generator 112, a synchronous demodulator 118, and a low-pass filter 120 for yielding a signal proportional to the effective capacitance across the biosensor cell which is proportional to the volume of the samples. - 特許庁

そして整合器４４は、インダクタ４２とテレビ放送信号出力端子３３との間に設けられるキャパシタ６３と、このキャパシタ６３と第１のインダクタ４２側との間の接続点とグランドとの間に設けられたインダクタ６５，６６とを有し、このインダクタンス６５，６６は携帯電話信号に対してキャパシタンス性を示すとともに、テレビ放送信号に対してインダクタンス性を示す。例文帳に追加

The matching device 44 has a capacitor 63 provided between the inductor 42 and the TV broadcast signal output terminal 33 and inductors 65 and 66 provided between a ground and a connection point between the capacitor 63 and the side of the first inductor 42, and the inductors 65 and 66 present a capacitance property to the portable telephone signal and present an inductance property to the TV broadcast signal. - 特許庁

基板１０、ゲート電極３０、ゲート誘電体層４０、ソース電極５０、ドレイン電極６０及び有機半導体層７０の薄膜トランジスター１０において、ゲート誘電体層４０を、高い誘電率と高いキャパシタンスを有し、かつコーティング法やプリンティング法で形成されるポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーで構成する。例文帳に追加

A thin film transistor 10 comprises a substrate 10, a gate electrode 30, gate dielectric layer 40, a source electrode 50, a drain electrode 60, and an organic semiconductor layer 70, wherein the gate dielectric layer 40 comprises a poly(4-vinylphenol-co-acrylonitrile)-based polymer which has a high dielectric constant and a high capacitance and is formed by coating or printing. - 特許庁

静電容量の調整のための導電部を備えながら、電磁波を遮蔽しないようにすると共に、スクリーン印刷法等で形成した導電部におけるエッジ部（印刷ダレ）の影響を極力抑えることが可能な、非接触型データ受送信体及びそのキャパシタンス調整方法を提供する。例文帳に追加

To provide a non-contact data transmitting-receiving body in which an electromagnetic wave is not shielded although a conductive part is provided for adjusting electrostatic capacitance, and the influence of an edge part (printing sag) in the conductive part formed by screen printing or the like is suppressed as much as possible, and to provide its capacitance adjustment method. - 特許庁

好ましくは、マイクロ電子システムは、圧力、振動、音、電気活性（例えば筋肉活性からの）、張力、血流、水分、温度、酵素活性、細菌、ｐＨ、血糖、導電率、抵抗、キャパシタンス、インダクタンスなどの物理的入力、又は他の化学的、生化学的、生物学的、機械的又は電気的な特性の入力を感知できるマイクロ電子感知システムである。例文帳に追加

Preferably, the microelectronic system is a microelectronic sensing system capable of sensing physical input such as pressure, vibration, sound, electrical activity (e.g., from muscle activity), tension, blood-flow, moisture, temperature, enzyme activity, bacteria, pH, blood sugar, conductivity, resistance, capacitance, inductance or other chemical, biochemical, biological, mechanical or electrical properties. - 特許庁

次に、例えばＰＥＴ（ペンタエトキシタンタル）ガスよりなる原料ガスを供給して上記水蒸気と反応させることにより、非常に薄い膜厚が均一なタンタル酸化膜よりなる界面層５０を形成し、引き続いて原料ガスに加えて酸素を流して本来のタンタル酸化膜を界面層上に堆積させる。例文帳に追加

Next by feeding a source gas consisting of, for example, PET(pentaethoxy tantalum) gas and reacting with the water vapor, an interlayer 50 consisting of the tantalum oxide film with a very thin and uniform film thickness is formed, and continuously in addition to the source gas, oxygen is made to flow and an original tantalum oxide film is deposited on the interlayer. - 特許庁

これにより、コイル３−１，２のインダクタンスの僅差、コンデンサ４−１，２のキャパシタンスの僅差がある場合であっても、これらは第１の電源系統の電流値及び第２の電源系統の電流値の両方に影響を与えるから、その影響により電源系統の電流差は互いに打ち消される。例文帳に追加

Even if there is a slight difference between the inductances of the coils 3-1, 2 and a difference between the capacitances of the capacitors 4-1, 2, a difference in the current between the power supply systems is canceled by an effect, since they affect both the current values in the first and in second power supply systems. - 特許庁

絶縁基板内の内層接地導体と電極パッドとの間で不要なキャパシタンスが発生し、これが電極パッドと半導体素子とを接続する貫通導体等の伝送路の特性インピーダンスを所定値（５０Ω）から変化させるのを防ぎ、高周波信号を伝送損失を小さくして送受信し得るようにすること。例文帳に追加

To send and receive a high frequency signal reducing a transmission loss by preventing the characteristic impedance of a transmission path of a passing through conductor that connects an electrode pad and a semiconductor device from varying from a predetermined value (50 Ω) due to the generation of unnecessary capacitance between an inner layer ground conductor and the electrode pad in an insulating substrate. - 特許庁

高圧ケーブル２２に寄生しているインダクタンスＬやキャパシタンスＣに起因する過電流が発生して冷陰極１２に流れようとしても、第２の電流制御抵抗４１によって当該過電流がそのまま冷陰極１２に流れることを防止でき、冷陰極１２の長寿命化が図れる。例文帳に追加

Even if an overcurrent due to the parasitic inductance L or capacitance C of the high voltage cable 22 is generated and begins to flow into the cold-electrode 12, the overcurrent can be prevented from flowing, as it is, into the cold-electrode 12 by the second current control resistor 41 and thereby long life of the cold-electrode 12 is ensured. - 特許庁

また、背面板金３６と中間平板金３４とに接続される複数並べられたＵ字状のヒートパイプを備えることで、背面板金３６の裏側にヒートシンク等の部材を設けることなく且つストレキャパシタンスのばらつきを増大させることなく液晶モジュール１１内の温度ばらつき（温度勾配）を適切に抑制する。例文帳に追加

A plurality of U-shaped heat pipes connected to the back sheet metal 36 and the intermediate sheet metal 34 are provided to appropriately suppress temperature variation (temperature gradient) in a liquid crystal module 11 without disposing a member such as a heat sink on the backside of the back sheet metal 36 and without increasing the variation in the stray capacitance. - 特許庁

電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

In the plasma processing method, a device including a power source which outputs sine-wave power with a single frequency of 20 kHz to 3 MHz, an LC resonance circuit in which capacitance and inductance are variable, and a pulse control element is used as a power supply device supplying plasma excitation power to a pair of electrodes. - 特許庁

本装置は、共振用コイルのインダクタンスと共振用コンデンサのキャパシタンスとが、鉛蓄電池を充電するための充電用電源から発生する減衰波の周波数と概ね同調する周波数の電流が直列共振回路と鉛蓄電池とによって構成される回路の内部に流れるように調整されたことを特徴とする。例文帳に追加

In the device, the inductance of the resonance coil and the capacitance of the resonance capacitor are adjusted so that a current whose frequency is approximately synchronized with the frequency of damped waves generated from a charging power supply to charge the lead storage battery flows in a circuit constituted by the series resonance circuit and the lead storage battery. - 特許庁

コンバータ回路部１の共振用リアクトルＬ１のインダクタンスＬｒおよび共振用コンデンサＣ１のキャパシタンスＣｒは既知で、各値Ｌｒ，Ｃｒが決まると共振電流の周期Ｔｎおよび特性インピーダンスＺｎが決まるので、制御回路３のメモリに、各値Ｔｎ，Ｚｎを予め格納しておく。例文帳に追加

The inductance Lr of a reactor L1 for resonance of a converter circuit part 1 and the capacitance Cr of a capacitor C1 for resonance are already known, and when each value Lr and Cr is settled, the cycle Tn of a resonance current and the property impedance Zn are settled, so each value Tn and Zn is stored in advance in the memory of a control circuit 3. - 特許庁

短波送受信機１とアンテナ２との中間に第１の整合器３Ａおよび第２の整合器３Ｂを直列に接続し、第２の整合器３Ｂはインダクタンス、キャパシタンス値を固定として軽量化しアンテナ給電点２１近傍に設置するとともに、アンテナ２には扇形多条形のものを採用して、送信、受信ともに最適なアンテナ状態を実現する。例文帳に追加

A first matching box 3A and a second matching box 3B are connected in series between a shortwave transceiver 1 and an antenna 2, the second matching box 3B fixes inductance and a capacitance value to be lightened in weight and is installed near an antenna feeding point 21, and as the antenna 2, a sectoral multiple antenna is adopted to achieve an optimum antenna state in both transmission and reception. - 特許庁

スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。例文帳に追加

In a plasma deposition device for depositing a sputtered target material on a substrate, capacitance in an impedance-matching box for an RF coil is varied during the deposition process in such a manner that heating of the RF coil and the substrate and the film deposition become more uniform according to "time-averaging" of the RF voltage distribution along the RF coil. - 特許庁

運用状態の絶縁物において、絶縁物に可変周波数電源より、周波数を変化させた信号を供給して、周波数に対する絶縁物のインピーダンスを測定することで、絶縁物の内部抵抗とキャパシタンスを求めることより、絶縁物の経年変化による劣化を診断する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for diagnosing deterioration of an insulation object resulting from a secular change, by supplying a frequency-varied signal from a variable frequency electric power source to the insulation object to measure an impedance of the insulation object in a frequency therein, and by finding an internal resistance and capacitance of the insulation object, in the insulation object under an operation condition. - 特許庁

アンテナ状放電電極１０１には、先端側の表面積Ｓｔが比較的大きい形状を有していることにより、先端側にキャパシタンスが負荷され、これにより比較的高い周波数の高周波電力を印加しても、アンテナ状放電電極１０１の長手方向に亙って実質的に均一に放電をさせることができ、均質な堆積膜を形成できる。例文帳に追加

The capacitance is loaded on the tip side of the antenna-like discharging electrode 101 since the surface area St on the tip side is relatively large, and the substantially uniform discharge can be implemented in the longitudinal direction of the antenna-like discharging electrode 101 even when the high-frequency power of the relatively high frequency is applied, and the homogeneously deposited film can be formed. - 特許庁

アンテナ素子２２と、アンテナ素子２２を複数の周波数帯域で共振させるためのＬＣ並列共振回路３１とを備え、ＬＣ並列共振回路３１は、所定の周波数帯域でインピーダンスが無限大になるのを防ぐためのシャント素子としてのインダクタンス素子２６とキャパシタンス素子２９および３０とからなるＴ型回路またはπ型回路を備える。例文帳に追加

The antenna apparatus comprises an antenna element 22, an LC parallel resonant circuit 31 for make the antenna element 22 resonate in a plurality of frequency bands, the resonant circuit 31 comprises a T-type circuit or a π-type circuit composed of an inductance element 26 as a shunting element and capacitance elements 29 and 30 for preventing an impedance from becoming infinite within a predetermined frequency band. - 特許庁

外部装置（リーダライタ）２が備える送電用アンテナコイル６と受電用アンテナコイル１１との間で生じる電磁結合により供給される電力が過剰になると、特に定電圧回路１４内における発熱に起因して内部温度が上昇し、これによって容量性素子１３のキャパシタンス値が変化して、共振回路の共振周波数が変化する。例文帳に追加

If the electric power supplied by electromagnetic coupling caused between the power receiving antenna coil 11 and a power transmitting antenna coil 6 provided to the external device (reader writer) 2 becomes excessive, an internal temperature rises especially due to heating inside the constant voltage circuit 14, which changes a capacitance value of the capacitive element 13, resulting in changes in resonance frequency of the resonance circuit. - 特許庁

それぞれアンテナ６に一体にして接続され、かつ、アンテナ６のループ長さ方向に間隔を取って配置された複数のアンテナ側の面状導体７と、それぞれ絶縁物質Ａを介してアンテナ側の面状導体７に対応配置されて互いに非接続の独立したパターンである複数の対向側の面状導体８とからなるキャパシタンス調整手段３を備える。例文帳に追加

This antenna is provided with a capacitance control means 3 composed of a plurality of antenna side planar conductors 7 individually and integrally connected to the antenna 6 and arranged with intervals in the loop length direction of the antenna 6 and a plurality of opposite side planar conductors 8 of mutually non-connected independent patterns respectively arranged corresponding to the antenna side planar conductors 7 through an insulating material A. - 特許庁

コンバータ回路部１の共振用リアクトルＬ１のインダクタンスＬｒおよび共振用コンデンサＣ１のキャパシタンスＣｒは既知で、各値Ｌｒ，Ｃｒが決まると共振電圧の周期Ｔｎおよび特性インピーダンスＺｎが決まるので、制御回路３のメモリに、各値Ｔｎ，Ｚｎを予め格納しておく。例文帳に追加

The inductance Lr of a resonant reactor L1 and the capacitor Cr of a resonant capacitor C1 in a converter circuit 1 are known, and the cycle Tn and the characteristic impedance Zn of a resonant voltage are determined when the respective values Lr, Cr are determined, so that the respective values Tn and Zn are stored in the memory of a control circuit 3 in advance. - 特許庁

所定バイアス電圧＋Ｖに応答してオン状態になるＰＩＮダイオードＤには、オフ状態にあるＰＩＮダイオードＤの寄生キャパシタンスと少なくとも２種類の異なる周波数帯で共振して、オフ状態におけるこれら異なる周波数帯の信号の、出力端ＯＵＴへの通過を阻止する共振回路１１が並列接続されている。例文帳に追加

A resonance circuit 11 to resonate with parasitic capacitance of a PIN diode D in an off state by at least two kinds of different frequency bands, so as to block the passage of the signals of the different frequency bands in the off state to an output end OUT, is connected in parallel to the PIN diode D which is turned on in response to a prescribed bias voltage +V. - 特許庁

金属層間絶縁膜キャパシタンスによる製品の動作速度の低下を防止し、金属層間絶縁のために積層された絶縁膜の厚さを減少させ、これによりイメージセンサの光感知領域に入射される光の量を最大限増加させ、製品の画質を改善できるイメージセンサを提供することである。例文帳に追加

To provide an image sensor by which reduction in operating speed of a product due to insulating film capacitance between metallic layers is prevented, the thickness of the insulating film layered for insulation between the metallic layers is reduced, the light amount incident on the photosensitive area of the image sensor is maximized in this way, and the image quality of the product can be improved. - 特許庁

ビットラインキャパシタンスを減少させて、チップ動作速度を改善できる強誘電体メモリを提供し、また、セルフブースト動作によって低電圧でも動作することができるチップを構成し、アクティブ領域でも書込み動作を行うことにより、プリチャージタイムを減らすことができる強誘電体メモリの駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile ferroelectric memory which can enhance a chip working speed by reducing bitline capacitance, and to provide a method for driving the nonvolatile ferroelectric memory by which pre-charge time can be reduced, by performing a write operation even in an active area through composing a chip which can work under low voltage by a self boost operation. - 特許庁

本発明の圧電式電源変換器は、圧電素子を利用して従来のキャパシタに取って代わり、圧電素子は従来のキャパシタよりも更に高いキャパシタンスを含み、且つ、通電変形時に逆電圧効果を発生させ、変形後に正電圧効果を発生させることができ、これによって正電荷が生じるので、電圧効果が増大して大きい電源出力を達成することができる。例文帳に追加

The piezoelectric type power supply converter is substituted for the conventional capacitor by utilizing a piezoelectric element, and the piezoelectric element includes higher capacitance than those of conventional capacitors, generates a reverse voltage effect during charging and deforming, and generates a positive voltage effect after deforming; and since positive charges are generated thereby, voltage effect is increased and large power supply output is attained. - 特許庁

キャパシタンスが、ＬＥＤ上に入射する光によって生ずる光電導によって放電させられる時間は、入射光の強度に逆比例し、Ｉ／Ｏピンが、完全に充電されたレベル（５ボルト）から論理しきい値レベル（１．７ボルト）まで移行するのに必要な時間として直接に測定されることができる。例文帳に追加

A time for the capacitance to be discharged by photoconduction caused by light incident on the LED is inversely proportional to an intensity of the incident light, and can be directly measured as a time required for the I/O pin to be transited from fully-charged (5 volts) to a logic threshold value level (1.7 volts). - 特許庁