「加圧ガス化」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

排ガス中に配置された第１の電極層12と第２の電極層10の間に 100Ｖ以下、1000Hz以下の交流電圧を印加することで、誘電体層11の分極によって第１の電極層12における触媒金属の電子状態が変化し、活性が著しく向上する。例文帳に追加

An alternate voltage of ≤100 V and ≤1000 Hz is applied between the first electrode layer 12 and the second electrode layer 10 which are arranged in the waste gas, thereby, an electronic state of catalytic metal in the first electrode layer 12 is changed in accordance with polarization of the dielectric substance layer 11 and the activity is remarkably improved. - 特許庁

純金属の針金３をセラミックの特殊円筒に差し入れこれを三方向からのレーザ光２で加熱し、ガス化した金属粒子を高電圧の下に回転する特殊ホイール７に巻き取らせるもので、その時中の原子配列が一方に偏向したものになる。例文帳に追加

This apparatus is operated by inserting and removing a wire 3 of pure metal into and from a special cylinder of ceramics, heating this wire with laser beams 2 from three directions and taking up gasified metal particles on a special wheel 7 rotating under a high voltage, in which the atomic arrangement therein of this time is deflected one way. - 特許庁

昇降体２０側の持ち上げ力軽減用にガススプリング６０を採用したことで、昇降体２０側の重量の変化に対しては窒素の圧力を変えることにより対処できて、加工手段２９の上下動および位置決めを行える。例文帳に追加

The adoption of the gas spring 60 for reducing lifting force for the vertically movable body 20 can accommodate a change in weight of the vertically movable body 20 through a change in nitrogen pressure to thus ensure vertical movement and positioning of the working means 29. - 特許庁

真空槽１１は、被処理物体Ｗの加工処理プロセスの進行中において、排気弁１３の開度を変化させて真空槽１１内の反応ガスの圧力を変動させ、プラズマ中の活性種の存在比率を適切に制御することができる。例文帳に追加

The tank 11 changes an opening of an exhaust valve 13 during advancing of working and treating process of the article W to be treated, makes the pressure of reaction gas in the tank to change, and can suitably control the abundance ratio of active species in the plasma. - 特許庁

第３のステップにおいて、ＨＯＴ電極２２に電圧を印加してＨＯＴ電極２２と被処理物１０との間２５で放電を発生させ、放電によりプラズマ化した処理ガスを被処理物１０の表面１１に接触させて、被処理物１０の表面１１をプラズマ処理する。例文帳に追加

In a third step, voltage is impressed on the HOT electrode 22, electric discharge is generated between the HOT electrode 22 and the treating object 10, and the treating gas which becomes plasmatic by discharge is made to contact the surface 11 of the treating object 10, and the surface 11 of the treating object 10 is plasma-treated. - 特許庁

ＮＯxを単ガス化するための変換電極（３）の平衡電位から所定値に分極させ、この分極電位の値をセンサ中の他の電極に対して測定し、得られた電位差信号を変換セルに印加する電圧を制御する信号とする。例文帳に追加

A balanced potential of a conversion electrode 3 for converting NOx into a single gas is polarized into a prescribed value, and the value of the polarized potential is measured relative to other electrodes in the sensor, and the obtained potential difference signal is used as a signal for controlling a voltage applied on a conversion cell. - 特許庁

プラズマ放電が発生したガスをヒータ５０で加熱された基板１の表面へ吹き付けることにより、高温の基板１の表面で大気圧プラズマによる化学反応が促進され、基板１の表面のぬれ性を改善する表面処理の処理効率が向上する。例文帳に追加

By blowing the gas in which the plasma discharge is generated to the surface of the substrate 1 heated by the heater 50, chemical reaction by atmospheric pressure plasma is promoted on the surface of the substrate 1 of high temperature and thereby efficiency of surface treatment for improving wettability of the substrate 1 surface is improved. - 特許庁

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０〜３０［Ｗ／ｓｃｃｍ］、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜する。例文帳に追加

A silicon nitride film is formed on a substrate while applying bias potential of ≤-100 V under the conditions where P/Q with a gaseous silane flow rate as Q and plasma production as P is 10 to 30[W/sccm], film formation pressure is 20 to 200 Pa and substrate temperature is ≤70°C. - 特許庁

第３電極１８から所定距離以上に離間した第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマ化するガスが供給され第１電極１２に高周波電圧が印加されて第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマＰ１を発生させる。例文帳に追加

A gas turned into plasma is supplied between a first electrode 12 and a second electrode 16 separated from a third electrode 18 by a predetermined distance or more, and plasma P1 is generated between the first electrode 12 and the second electrode 16 by applying a high-frequency voltage to the first electrode 12. - 特許庁

一実施形態では、アモルファスカーボン膜を堆積するための方法は、処理チャンバに基板を準備し、５００℃よりも高い温度に上記基板を加熱し、上記加熱された基板を含む上記処理チャンバ内へ炭化水素化合物及び不活性ガスを含むガス混合物を供給し、上記加熱された基板上に、約１００メガパスカル（ＭＰａ）の引張力と約１００メガパスカル（ＭＰａ）の圧縮力との間の応力を有するアモルファスカーボン膜を堆積することを含む。例文帳に追加

The method for depositing an amorphous carbon film provides a substrate in a processing chamber, heats the substrate at a temperature higher than 500 °C, supplies a gas mixture including hydrocarbon compound and an inert gas into the processing chamber containing the heated substrate, and deposits an amorphous carbon film having stress between tensile force of about 100 megapascal (MPa) and compression force of about 100 megapascal (MPa) on the heated substrate. - 特許庁

容器１内に米Ｒを入れ、容器１の底部から二酸化炭素ガスを水に溶解させた二酸化炭素溶解加圧水を吐出させて、二酸化炭素の微細気泡により米Ｒを洗浄すると共に、前記容器１内の水を二酸化炭素溶解装置１０に送り、二酸化炭素溶解水として容器１内に循環させる。例文帳に追加

Rice R is put in a vessel 1, pressurized and carbon dioxide dissolved water is ejected from a bottom part of the vessel 1 to wash the Rice R by minute bubbles of carbon dioxide, and further water in the vessel 1 is sent to a carbon dioxide dissolving device 10 and is circulated into the vessel 1 as a carbon dioxide dissolved water. - 特許庁

水を加圧し微粒化水形成具若しくは超音波噴霧により形成した微粒化水を、高電場区画内でレイリー分裂させて、その粒径が０．１乃至２０ｎｍの極微粒化水となしたうえ、該極微粒化水をバーナー燃焼部のバーナー管体の適宜位置よりガスに分散混合させエマルジョン燃料化させたうえ燃焼する。例文帳に追加

Atomized water prepared with atomized water making tool by pressurizing water or prepared by ultrasonic atomization, is Rayleigh-divided in a high electric field section to prepare the submicron atomized water of 0.1-20 nm particle size, and the submicron atomized water is dispersed and mixed into the gas from a proper position of a burner pipe of the burner combustion section to be burned as emulsion fuel. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルにおいて、誘電体ガラス層１３上に形成される酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護膜１４として、電気陰性度が１．４以上の元素を含む酸化物を添加した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護膜１４を形成することによって、保護膜１４の不純ガス吸着を抑制し、放電維持電圧の安定化と、パネル輝度劣化の低減を図ることができる。例文帳に追加

In the plasma display panel, as the protective film 14 of magnesium oxide (MgO) formed on the dielectric glass layer 13, by forming the protective film 14 of magnesium oxide (MgO) to which oxide containing an element having electric negativity of 1.4 or more is added, adsorption of impure gas to the protective film 14 is suppressed, and stabilization of the discharge sustaining voltage and reduction of the panel brightness deterioration can be realized. - 特許庁

そこで本発明は、圧力損失の高い被乾燥物であっても、内部まで均一に温度を上げてから溶媒を蒸発させることができ、被乾燥物を均一に乾燥することができる加圧加熱乾燥方法とその装置、また、均一に触媒が担持された排ガス浄化用フィルターとその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

The same solvent 3 as that attached to the drying object 2 is put inside a container and the temperature of the solvent 3 inside the container is decreased by saturating the container once with the vapor of the solvent 3 and condensing the vapor of the solvent 3. - 特許庁

ガスに電圧を印加してプラズマ化することで基板３０００を加工する半導体製造装置において、カソード電圧の停止した瞬間に処理室２１００内の正に帯電したパーティクルを負電位を与えた電極１５、グリッド１３、カバー３６００等によって、トラップまたは誘導するなどして、パーティクルが基板３０００上へ到達することをを防止する。例文帳に追加

In a semiconductor manufacturing device processing a substrate 3000 by impressing a gas with voltage for making the gas plasmatic, the particles positively charged in a processing chamber 2100 are trapped or induced by an electrode 15, a grid 13 and a cover 3600, etc., supplied with a negative a potential as soon as a cathode voltage supply is stopped so as to prevent the particles from arriving at the substrate 3000. - 特許庁

イオン化可能なガスであるヘリウムによる充分な部分圧力をガラス基板４のチャネル表面に加え、ヘリウムと共にガラス基板のチャネル表面をＰＡＬＣパネルとして用いた際に、チャネル表面にヘリウムによる圧力が加わっていない場合よりも非常に低いレートでヘリウムがチャネルから消耗されるようにする。例文帳に追加

In this channel substrate, in the case of using a channel surface of a glass substrate with helium as a PALC panel, sufficient partial pressure due to helium, which is an ionizable gas, is added to the channel surface of the glass substrate 4 so as to make helium be consumed from the channel with much lower rate than the case in which the helium pressure is not added to the channel surface. - 特許庁

研磨スラリーと共に使用される、加工品を研磨又は平坦化するための製品であって、それ自体は実質的に加工品の表面を研磨しない高分子微小エレメントが複数、含浸された高分子マトリックスからなる製品（ただし、高分子微小エレメントが大気圧より大きい圧力のガスを含む空隙スペースを有するものを除く）である。例文帳に追加

The product is used together with polishing slurry to polish or flatten the workpiece, and is composed of a polymer matrix which does not substantially polish the surface of the workpiece by itself, but is impregnated with a plurality of polymer fine elements (except for polymer fine elements having porous spaces containing gas of pressure higher than atmospheric pressure). - 特許庁

これにより、高温高圧蒸気滅菌を行っても、高温高圧蒸気が挿入部可撓管１０を構成する外皮の内周面側及び外周面側に設けられたガスバリア層によってブロックされるため、外皮を構成する加水分解性の高分子材料にアタックする蒸気が低減し、外皮の加水分解による劣化を防ぐことができる。例文帳に追加

When high-temperature and high-pressure steam sterilization is conducted, therefore, high-temperature and high-pressure steam is blocked by the gas barrier layer provided on the inner circumferential surface side and the outer circumferential surface side of the skin composing the insertion portion flexible tube 10. so steam attacking hydrolytic high polymer material composing the skin is reduced, thereby deterioration of the skin by hydrolysis can be prevented. - 特許庁

シリコン微粒子の製造方法は、シリコンの水素化物を含む原料ガスを、タングステン，タンタル，炭素，モリブデンおよびチタンのうちのいずれか一種またはその化合物から成る加熱触媒に接触させてシリコンの水素化物からシリコンを解離させるとともに、原料ガスの圧力を解離したシリコンが凝集可能な高圧とすることによって、解離したシリコンを凝集させてシリコン微粒子を形成する。例文帳に追加

The manufacturing method of silicon fine particle comprises dissociating silicon from a silicon hydride by bringing a raw material gas containing the silicon hydride into contact with a heated catalyst comprising either one of tungsten, tantalum, carbon, molybdenum and titanium or a compound thereof, and at the same time aggregating the dissociated silicon by raising the pressure of the raw material gas to high pressure capable of aggregating the dissociated silicon to form silicon fine particle. - 特許庁

半導体製造分野で使用される特にプロセスガス中の微小パーティクルを除去するプロセスガス用濾過部材の改良に関するものであって、ロウ付け加工の採用と例えば配管の継手部内にも直接装着できるコンパクト化とによって、濾過特性に優れながらも従来のような太径のハウジング部材との併用を無くすることを可能として、配管密度の向上を図るとともに、これまで使用時に必要とされてきた高圧ガス容器としての許認可問題を解消し得る濾過部材に関係するものである。例文帳に追加

To provide a method for fixing a filter member capable of preventing the deterioration of filtration performance due to brazing connection and capable of making the member compact and to provide the filter member obtained by using the method. - 特許庁

本発明によれば、真空雰囲気の圧力が、１０６４ｍＰａ以上１５９６ｍＰａ以下、酸素ガスの圧力が真空雰囲気の圧力の４５％以上６５％以下の条件で、金属チタンからなるターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、基板１１の加熱をしなくてもアナターゼ型酸化チタンを主成分とする光触媒層１５が得られる。例文帳に追加

The photocatalyst layer 15 comprising anatase titanium oxide as a main component is obtained without heating a substrate 11, when sputtering is carried out by using a target comprising a metal titanium under the condition that a pressure under vacuum atmosphere is 1,064 mPa or more and 1,596 mPa or les and a pressure of oxygen gas is more than 45% and less than 65% of the vacuum atmosphere. - 特許庁

低圧タービンの段数が増加しても、低圧タービンの軸方向長さを大きくすることなく、回転部品と静止部品の干渉を確実に回避でき、これにより、エンジン全長を短縮し、エンジンを軽量化することができる２軸ガスタービンエンジンの低圧タービンクリアランス調節装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for regulating a low-pressure turbine clearance for a two-shaft gas turbine engine that positively avoids interference between a rotary part and a stationary part without making large an axial length of a low-pressure turbine even with the increased number of stages of the low- pressure turbine, thereby shortening an overall length of the engine, and reducing a weight thereof. - 特許庁

本発明の撥水性被膜の形成方法は、真空容器内において、炭化水素ガスのプラズマを発生させ、プラズマの雰囲気中で固体アルミニウムを蒸発させ、負の直流電圧、負のパルス直流電圧または高周波交流電圧が印加された基板に被膜を形成することを特徴とする。例文帳に追加

The method of forming the water repellent film comprises generating a hydrocarbon gas plasma in a vacuum container and vaporizing solid aluminum in the plasma atmosphere to form a film on a substrate to which a negative direct-current voltage, a negative pulsed direct-current voltage or a high-frequency alternating current voltage is applied. - 特許庁

本発明は、無機酸と亜塩素酸アルカリ水溶液とを反応させて、二酸化塩素水を製造する二酸化塩素水の製造方法であって、前記無機酸および前記亜塩素酸アルカリ水溶液を混合させる混合工程と、前記無機酸および前記亜塩素酸アルカリ水溶液に圧力を加える加圧工程と、前記混合工程および前記加圧工程を経て得られた二酸化塩素ガスおよび反応混合物水溶液を希釈する希釈工程とを備えたことを特徴としている。例文帳に追加

The method of manufacturing chlorine dioxide water by reacting an inorganic acid with an alkali chlorite aqueous solution includes: a mixing process for mixing the inorganic acid with the alkali chlorite aqueous solution; a pressurizing process for applying pressure to the inorganic acid and the alkali chlorite aqueous solution; and a dilution process for diluting chlorine dioxide gas and a reaction mixture aqueous solution obtained by the mixing process and the pressurizing process. - 特許庁

被加熱物を載置する平坦なステージ部を備えるとともに、該ステージ部に続き、その内部に加熱手段として複数のランプが収納される円筒部を有するガラス製部材と、円筒部と底面部とを有し、ガラス製部材と一体化して減圧状態の、または不活性ガスが充填される、内部空間を構成する金属製部材とを具備した加熱ステージとする。例文帳に追加

The heating stage is provided with a flat stage portion for laying the products to be heated after the stage portion, a glass component containing a body in which housed is a plurality of lamps as heating means; a body portion and a bottom portion; and a metal component constituting an internal volume which is united with the glass component and is in a pressure reduced state and is filled with an inert gas. - 特許庁

ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板１００１上に下地膜１００４を形成する下地膜形成工程と、下地膜１００４を形成した半導体基板を非酸化性のガス雰囲気中で、圧力を制御して加熱する加熱工程と、上記加熱した下地膜１００４の上に高誘電率ゲート絶縁膜１００５を形成するゲート絶縁膜形成工程とを備える。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device having the gate insulation film comprises a base film forming process of forming the base film 1004 on a semiconductor substrate 1001, a heating process of controlling pressure and heating the semiconductor substrate on which the base film 1004 is formed in a non-oxidizing gas atmosphere, and a gate insulation film forming process of forming the high dielectric constant insulation film 1005 on the heated base film 1004. - 特許庁

ＣＦＲＰと、テトラリン又はデカリンとの混合物を、更に好ましくはＣＦＲＰと、テトラリンとの混合物を、また、必要に応じてＮａ_２ＣＯ_３、ＣａＣＯ_３等の触媒を追加した混合物を、非酸化性ガス雰囲気下、加圧・加熱してＣＦＲＰ中の樹脂を分解・除去するＣＦＲＰ中のＣＦの回収方法。例文帳に追加

This method for recovering the CF in the CFRP is provided by pressurizing and heating a mixture of the CFRP and tetralin or decalin, further more preferably of the CFRP with tetralin and incorporated with a catalyst such as Na_2CO_3, CaCO_3, etc., as necessary under a non-oxidative gas atmosphere to decompose and remove the resin in the CFRP. - 特許庁

亜鉛アセチルアセトナートと酸素ガスとＬｉ（ＤＰＭ）とを原料に用い、常圧の有機金属化学気相成長法によりＬｉ添加ＺｎＯ薄膜２を形成することで、ドーピング量及びキャリア濃度の制御が容易な条件下に、抵抗率が増加しかつ光応答特性が向上するＬｉ添加ＺｎＯ薄膜２を作成できる。例文帳に追加

An Li-added ZnO thin film 2 having increased resistivity and improved photoresponsiveness can be formed under such a condition that the doped amount of the impurity and the carrier concentration in the thin film 2 can be controlled easily, by forming the thin film 2 by the atmospheric- pressure metal organic CVD method by using zinc acetylacetonato complex, oxygen gas, and Li (DPM) as raw materials. - 特許庁

ＢＭＣなどの熱硬化性樹脂成形材料を用いてキッチンカウンターや洗面カウンター等の大型成形品を加熱加圧成形する場合に、長さ調節のための端部切断や、シンクやガス台などを取り付けるための穴開けのための成形物後加工を軽減し、さらに成形材料および産業廃棄物を低減する。例文帳に追加

To reduce end part cutting to adjust length, the post-processing of a molding for boring to fit a sink, a gas table, etc., a molding material, and industrial waste when a large-size molding such as a kitchen counter and a washing counter is heat press-molded with the use of a thermosetting resin molding material such as BMC. - 特許庁

本発明に係るガス化燃料の製造方法は、少なくとも、水酸化カルシウム等の触媒原料とバイオマスを粉砕する工程と、当該粉砕物を、水の蒸気圧未満の圧力下、媒体油中で加熱し、バイオマス中に含まれる水分を除去する工程とを含むことに要旨を有するものである。例文帳に追加

The production method of the gasification fuel comprises a step wherein at least the catalyst raw material such as calcium hydroxide and the biomass are pulverized and a step wherein the pulverized product is heated in a heat transfer fluid under a pressure lower than water vapor pressure to remove moisture contained in the biomass. - 特許庁

ガス絶縁開閉装置の盤内に構築した密閉容器，その開口部に被せたフランジ部材を薄鋼板製として軽量化，材料費の低減化を図りつつ、密閉容器とフランジ部材の間に介装したＯリングを圧縮状態に加圧して開口部を封止する気密保持構造を提供する。例文帳に追加

To provide an airtightness maintaining structure to seal an opening of a sealed container by compressing an o-ring interposed between the sealed container and a flange member in a compressed state while the sealed container built in a panel of a gas-insulated switchgear and the flange member which is put on the opening of the sealed container is made of a thin steel plate to reduce weight and material cost. - 特許庁

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。例文帳に追加

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms. - 特許庁

材料供給用押出機の上流側のホッパヘガスが逆流することを防ぎつつ、押出機によって効率よくポリマーに圧力を加えながら高温高圧の反応容器への原料供給して高分子化合物と薬剤を反応させることができる高分子化合物の処理方法とその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for treating a polymer compound, wherein materials are supplied to a reaction vessel at high temperature and high pressure while efficiently applying a pressure to the polymer by an extruder for material supply while preventing backward flow of gas to a hopper on an upstream side of the extruder, so that the polymer compound and a chemical agent are allowed to react with each other. - 特許庁

窒素ガス雰囲気下、ガリウム、アルミニウム等のIII族元素と、ナトリウム等のアルカリ金属を坩堝に入れ、加熱加圧して溶融し、単結晶を育成する際に、前記坩堝として（Ａ）融点若しくは分解温度が２１００℃以上の窒素非含有材質製の坩堝若しくは（Ｂ）希土類酸化物、アルカリ土類金属酸化物、Ｗ、ＳｉＣ、ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンからなる群から選択される少なくとも一つの材質製の坩堝を使用する。例文帳に追加

A group III element such as gallium or aluminum and an alkali metal such as sodium are put into a crucible in a nitrogen gas atmosphere and thermally melted under pressure, thus growing a single crystal. - 特許庁

かかるプリプレグは、例えば、シート状の炭素繊維強化材とマトリックス樹脂とからなる炭素繊維強化プリプレグの積層体の少なくとも一つの層間に、板状の結晶構造を持つ粘土鉱物が、一方向に配向し且つ緻密に積層したガスバリア性のフィルム状物を配置し、その後、この積層体を加熱及び／又は加圧することによって得られる。例文帳に追加

The prepreg is produced, for example, by placing a film having gas barrier properties, in which a clay mineral having a plate-like crystal structure is unidirectionally aligned and densely stacked, in at least one interlayer part in a laminate of a carbon fiber-reinforced prepreg comprising a sheet-shaped carbon fiber reinforcing material and a matrix resin and then heating and/or pressing the laminate. - 特許庁

本発明のアミノ酸生成方法は、風化侵食を受け、土壌化された鉱物を用意し、加熱および加圧下において、ガスを供給しつつ前記鉱物同士を衝突させることにより粉砕して粉砕物を得る第１の工程と、該粉砕物を水に浸漬し、該水中にアミノ酸を生じさせる第２の工程とを有する。例文帳に追加

This method for forming the amino acid comprises a first process for preparing minerals which are weathered and eroded and further subjected to soil formation and pulverizing the minerals by making them collide with one another, while supplying them with a gas under a heating and pressurizing condition, so as to obtain a pulverized material, and a second process for soaking the pulverized material in water and forming the amino acid in the water. - 特許庁

酸化アルミニウムを含む酸化亜鉛からなるターゲット３と基板１１とを対向配置し、酸素を含む不活性ガス雰囲気中でターゲット３と基板１１間に投入電力が８０００Ｗ／ｍ^２以上となる直流電圧を印加してスパッタリングすることにより基板１１上に酸化アルミニウムを含む酸化亜鉛からなる透明導電膜を製造する。例文帳に追加

Thereby, a transparent conductive film made of zinc oxide containing aluminum oxide is manufactured on the substrate 11. - 特許庁

炭素短繊維が二次元平面内においてランダムに分散した炭素短繊維紙に熱硬化性樹脂組成物を含浸し樹脂含浸紙を得た後、以下の方法で決定した温度で前記樹脂含浸紙を加熱プレスした後、プレス圧力を解放し、不活性ガス雰囲気中で熱硬化性樹脂組成物を硬化・炭化する。例文帳に追加

Carbon short fiber paper where carbon short fibers are dispersed in a two-dimensional plane in random is impregnated with a thermosetting resin composition to obtain resin-impregnated paper and after the resin-impregnated paper is heat-pressed at a temperature fixed by a following method, the thermosetting resin composition is cured under an inert gas atmosphere with the released pressure of the press and carbonized. - 特許庁

減圧雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華しない温度に坩堝３を所定時間保持した後、アルゴンガス雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華する温度に坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

A silicon carbide single crystal is grown on the surface of a seed crystal 4 by holding a crucible 3 for a predetermined time at a temperature where a silicon carbide raw material 2 does not sublimate under a reduced pressure atmosphere, and subsequently sublimating the silicon carbide raw material 2 by heating the crucible 3 to a temperature where the silicon carbide raw material 2 sublimates under an argon gas atmosphere. - 特許庁

溶融樹脂１の表層に可塑化効果のあるガス体としての二酸化炭素を含浸させた後、二酸化炭素が含浸した溶融樹脂１の表面に、表面に微細パターン２を有する金型入れ子３の微細パターン２を加圧して、二酸化炭素が含浸した樹脂の表面に微細パターン２を転写する。例文帳に追加

After carbon dioxide being gas having a plasticizing effect is infiltrated in the surface layer of the molten resin 1, the fine pattern 2 of a die core 3 having the fine pattern 2 on its surface is pressed to the surface of the carbon dioxide-infiltrated molten resin 1 to be transferred to the surface of the carbon dioxide-infiltrated resin. - 特許庁

ポリオール化合物を主成分とするウレタン原液とポリイソシアネートとを加圧状態でミキシングヘッド５に供給し、スプレー発泡によって吹付け面にポリウレタンフォームを作製する方法であって、前記ウレタン原液に対して、１ＭＰａ以下の低圧ガスの二酸化炭素によりガスローディングを行い、前記吹付け面に対して攪拌性の高い吹付け面に捨て吹き層の形成を可能とすることを特徴とする。例文帳に追加

In the method preparing polyurethane foam on blown surface by feeding an urethane stock solution containing a polyol compound as a main component and a polyisocyanate under pressuring state to a mixing head 5 and carrying out spray foaming, gas loading is carried out to the urethane stock solution by carbon dioxide having ≤1 MPa low pressure and formation of physically foamed layer having high stirring property to the blown surface can readily be carried out on the blown surface. - 特許庁

放電室内で不活性ガス分子をイオン化し、遮蔽電極板及びイオン加速電極板により、イオンを放電室内から引出し且つ加速させて、このイオンを圧電板表面の金属製電極膜に衝突させ、電極膜を構成する分子をはじき飛ばすことで、圧電板の振動周波数を調整する圧電素子の周波数調整装置において、放電室のイオン射出口に配置した遮蔽電極板に設けた第１のイオン通過口と、イオン加速電極板に設けた第２のイオン通過口の大きさ又は／及び形状が異なっていることを特徴とする圧電素子の周波数調整装置である。例文帳に追加

Sizes and/or forms of a first ion passing port provided on the shield electrode plate located in an ion jet port of the discharge chamber and a second ion passing port provided on the ion acceleration electrode plate are different. - 特許庁

硫化銅鉱物を含む銅原料、特に黄鉄鉱を多く含有し、かつ硫化銅鉱物の含有が少ない低品位銅原料から、加圧容器中で酸素ガスを送入しつつ銅を浸出する方法において、該銅原料中のイオウの酸化を最小限に抑制しながら、銅を高収率で浸出する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for leaching copper from a copper raw material containing copper sulfide mineral, particularly a low-grade copper raw material which is rich in pyrite and has a low content of copper sulfide mineral in a pressurized container by sending oxygen gas, by which the copper is leached in high yield while minimizing oxidation of sulfur in the copper raw material. - 特許庁

レーザ加工装置におけるレーザ発振部とレーザ出射部とを結ぶ光路に流されるパージガスに含有される二酸化炭素を除去するための圧力変動吸着式の二酸化炭素除去装置３００において、二酸化炭素を吸着するための吸着筒３０２の内部に４Ａ型ゼオライトを収容した。例文帳に追加

The carbon-dioxide removing apparatus 300 of the pressure-swing adsorption type removes carbon-dioxide contained in the purge gas which is passed in the light passage connecting the laser oscillation part and the laser irradiation part in the laser beam machine, wherein a 4A type zeolite is contained in an adsorption cylinder 302 for adsorbing carbon-dioxide. - 特許庁

さらには、アークイオンプレーティングによる基体表面への硬質皮膜の被覆方法であって、チタンターゲットを用いたアークイオンプレーティング中には、基体に−１２０〜−１５０Ｖのバイアス電圧を印加しかつ、炉内圧力が２．８Ｐａ〜３．８Ｐａのメタンガスを導入することによって、基体表面にチタン炭化物からなる皮膜を被覆する硬質皮膜の被覆方法である。例文帳に追加

The application method of the hard film on a substrate surface is carried out by arc ion plating, wherein a hard film comprising titanium carbide is applied on a substrate surface by arc ion plating using a titanium target, while a bias voltage of -120 to -150V is applied on the surface and methane gas is introduced to control the inner pressure of the furnace to 2.8 Pa to 3.8 Pa. - 特許庁