「露光する」に関連した英語例文の一覧と使い方(375ページ目) - Weblio英語例文検索

ダイレクト製版用の赤外線レーザ用ポジ型平版印刷版原版の製版条件、特に、現像液の活性状態を容易に判定する簡易な評価方法及び、その結果を露光／現像工程にフィードバックして、平版印刷版の品質を一定に保つための品質管理方法とを提供する。例文帳に追加

To provide an easy evaluation method for easily judging the platemaking conditions of a positive lithographic printing original plate for IR laser for direct plate making, in particular, for judging the activity state of a developing solution, and to provide a quality control method for keeping the quality of the lithographic printing plate constant by using the evaluation result as a feedback to the exposure/development process. - 特許庁

描画機のステージ１０上に配置された場合のフォトマスクブランク１３の表面形状の変形を高さ測定手段１２で測定し、描画データ作成手段１５により、その表面形状の変形要因の中でフォトマスクが露光装置で使用される際には無くなる変形要因に起因する描画のずれについて、設計描画データを補正して描画データを得ることを特徴とする。例文帳に追加

A height measuring means 12 measures a deformation of a surface shape of a photomask blank 13 when arranged on a stage 10 of a drawing machine, and a drawing data preparing means 15 corrects a design drawing data to obtain a drawing data, as to a shift of drawing caused by a deformation factor which is eliminated when the photomask is used in an exposure device, from among the deformation factors of the surface shape. - 特許庁

被露光材料上における各分割パターンと対応する遮光像形成領域に生じる光強度Ｉｃを算出した後、光強度Ｉｃが所定値よりも大きい分割パターンに開口部が配置され且つその他の部分の全体に遮光膜が配置されているとしたときに遮光像形成領域に生じる光強度Ｉｏを算出する。例文帳に追加

After light intensity Ic generated in a light shielding image forming region corresponding to each split pattern on the objective material for exposure is calculated, light intensity Io to be generated in the light shielding image forming region is calculated on the assumption that a split pattern having the light intensity Ic higher than a specified value is provided with an opening and a light shielding film is laid in other entire region. - 特許庁

製造プロセスでの露光ばらつき、エッチングばらつきによって配線層あるいは拡散層の仕上がり寸法が変動した場合でも、その変動によるトランジスタの特性変動を補正する、あるいは内部回路の動作余裕の減少を防止するように、以後の配線形成工程で所望の回路接続を行うことができ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。例文帳に追加

To carry out a desired circuit connection in a subsequent wiring forming step and enhance a yield of a semiconductor product in such a manner that, even when a finished dimension of a wiring layer or a diffusion layer fluctuates because of exposure variations and etching variations in a production process, a characteristic fluctuation of a transistor because of its fluctuation is corrected or a decrease in an operating allowance of an internal circuit is prevented. - 特許庁

温調温度で取得した明部電位ＶＬ分布を、温度センサ１１を用いて測定した感光ドラム１の現在温度に応じて補正して、各測定位置で補正されるべき明部電位ＶＬの差分値を求め、差分値に応じて露光量を補正することにより、明部電位ＶＬのばらつきを相殺する。例文帳に追加

The distribution of bright part potential VL acquired at the regulated temperature is corrected according to the present temperature of the photoreceptor drum 1 measured using a temperature sensor 11 to find the differential value of bright part potential VL to be corrected in each measuring position, and the amount of exposure is corrected according to the differential value to offset the dispersion of bright part potential VL. - 特許庁

制御部は、感光体ドラム１２の表面のうち転写時にシートＰと対向しない用紙外領域に対する転写前露光ランプ１９の照射光量を、あるシートＰに対して１回目の画像の形成を行うときより、２回目以降の画像の形成を行うときの方が大きくなるように制御する。例文帳に追加

In a control part, control is carried out so that irradiated light quantity from a pre transfer exposure lamp 19 on a range outside paper not facing a sheet P of the surface of a photoreceptor drum 12 when transferring is made greater when carrying out an image formation which is after a second time onward than when carrying out image formation for a first time to the particular sheet P. - 特許庁

溶媒溶解性及びバインダーとの相溶性が改善された電荷輸送物質として新規なアミン化合物を開発することであり、該アミン化合物を用いて、発振波長が３８０〜５００ｎｍの光源を用いて像露光すると、高密度の静電潜像を形成でき、画像欠陥（ポチ等）の発生を防止でき、鮮鋭度に優れたプリント画像を形成できる電子写真感光体の提供。例文帳に追加

To develop a new amine compound as an electric charge transport substance having improved solvent solubility and compatibility with a binder, and to provide an electrophotographic photoreceptor which can form a high density electrostatic latent image on exposure with the use of a light source having an oscillation wavelength of 380-500 nm, can prevent the formation of image defects (dots and the like), and can form a printed image having excellent sharpness. - 特許庁

リソグラフィー工程での露光ミスなどにより、再度レジストパターン形成を行う必要が生じた場合に、層間膜がＯ_2プラズマによって変質することによりウェットエッチング液がしみ込み、レジストパターンの剥がれが生じる等の不具合を防止し、良好な層間膜のビアホールパターンを形成することができるレジストパターン剥離方法の提供。例文帳に追加

To provide a resist pattern peeling method, wherein a good via hole pattern of an interlayer film is formed, if a resist pattern is required to be reformed as exposure error, etc., in a lithographic process takes place, by preventing such failures as peeling off of a resist pattern caused by the infiltration of a wet etchant due to decomposing of an interlayer film under O2 plasma. - 特許庁

カメラ制御装置１４は、ビジュアルサーボによるワークＷの撮影時において、目標データ記憶時と同等の露光条件となるように絞り調整機構を制御し、ワークＷの画像全体が視野内に収まるように焦点距離変動機構を制御し、目標データ記憶時と同等のピントでワークＷを撮影するように焦点調節機構を制御する。例文帳に追加

In photographing a work W by the visual service, the camera control device 14 controls the diaphragm adjusting mechanism to have the exposure conditions equivalent to those in storing target data, controls the focal distance fluctuating mechanism to settle the whole image of the work W within the visual field and controls the focus adjusting mechanism to photograph the work W in the focus equivalent to that in storing the target data. - 特許庁

表示装置用表示板の製造方法では、アクティブ領域を含む基板の上部に、感光性物質からなる感光膜を形成した後、アクティブ領域を互いに隣接した第１ショットと第２ショットを含む複数のショットに分割して感光膜を露光し、現像して薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクである感光膜パターンを形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a display plate for a display apparatus, after a photosensitive film comprising a photosensitive substance is formed on a substrate including an active region, the photosensitive film is exposed by dividing the active region into a plurality of shots including first and second shots adjacent to each other and developed to form a photosensitive film pattern as an etching mask to form a thin film pattern. - 特許庁

ＣＴＰシステムに適合した走査露光用平版印刷版等に適用した際に、感度の低下を招くことなく、例えば強制経時後においても、網点面積を忠実に再現することができ、作業性、経済性、保存安定性に優れる重合性組成物、該重合性組成物を用いた光重合方法および平版印刷版の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polymerizable composition which can faithfully reproduce dot areas with, without inviting decrease in the sensitivity, when the composition is used for a planographic printing plate or the like for scanning exposure suitable for a CTP system, even after forced storage conditions, and which has superior workability, cost benefit and storage stability, and to provide a photopolymerization method using the polymerizable composition and a method for manufacturing a planographic printing plate. - 特許庁

画像形成の休止時間Ｔｒｅｓｔが所定値Ｔｓｔａｔｅｄ以上の場合には、画像形成開始から所定枚数Ｐｃｏｎｔｒｏｌのシートに画像形成を行うまでの間、感光ドラムの前露光動作を禁止するとともに、一次帯電器の帯電電流値を通常値よりも小さくする。例文帳に追加

In the case a rest time Trest from an image forming operation is equal to or exceeding a prescribed value Tstated, a pre-exposure operation of the photoreceptor drum is inhibited, and also, the electrifying current value of a primary electrifier is made smaller than a normal value by the time when images are formed on the prescribed number Pcontrol of sheets after starting the image forming operation. - 特許庁

支持体上に、（Ａ）赤外線吸収剤と、（Ｂ）ラジカル発生剤と、（Ｃ）ラジカル重合性化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーを含む感光層を設けてなるネガ型画像形成材料を、赤外線レーザで画像露光した後、炭酸塩と界面活性剤を含有し、ｐＨが７〜１２の範囲にある弱アルカリ性水溶液を用いて現像することを特徴とする。例文帳に追加

The negative image forming material provided with a photosensitive layer containing an infrared adsorbent A, a radical generating agent B, a radical polymerizable compound C and a binder polymer D on a supporting body is image-exposed with the infrared laser and developed with a weak alkaline aqueous solution containing a carbonate and a surfactant and having pH 7-12. - 特許庁

支持体上に少なくとも一層の塩化銀９０％以上のハロゲン化銀乳剤層を有し、走査露光後、補充しながら連続処理される画像形成材料が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物と下記一般式（ＳＰ−Ｉ）で表される化合物を同一層内に含有することを特徴とする画像形成材料。例文帳に追加

The image forming material having at least one silver halide emulsion layer containing ≥90% silver chloride on the base and subjected to continuous processing under replenishment after scanning exposure contains a compound of formula (I) and a compound of formula (SP-I) in the same layer. - 特許庁

特に石英ガラスは光学的特性が非常に優れているが、電気的特性上非常に帯電しやすく、このように帯電した状態のフォトマスクをフォトレジスト膜上に配置し露光した後でフォトレジスト膜からフォトマスクを離す際に静電放電が生じ、フォトマスク表面に形成したクロムのパターンを破壊する場合がある。例文帳に追加

The photomask has a light shielding film on the surface of a transparent substrate, the light shielding film formed into a pattern to shield a photoresist film against exposure. - 特許庁

本発明の目的は、半導体レーザ等の像露光光源で形成された有機感光体上のドット潜像を有機感光体上に高細密にトナー像として再現し、該再現されたトナー画像を転写媒体に忠実に転写できる有機感光体及び該有機感光体を用いたプロセスカートリッジ、画像形成方法及び画像形成装置を提供することである。例文帳に追加

To reproduce a dot latent image on an organophotoreceptor formed with an image exposure light source such as a semiconductor laser as a toner image with high fineness on the organophotoreceptor, and to faithfully transfer the reproduced toner image onto a transfer medium. - 特許庁

金属材料からなる基材１の表面にフォトレジスト２の層を形成し、網点で所望の絵柄を表現してなるフォトマスク４を介しての露光とそれに続く現像によりフォトレジスト２をパターニングし、腐食液を用いて基材１の露出部分をハーフエッチングした後、フォトレジスト２を残したままにする。例文帳に追加

A layer of a photoresist 2 is formed on the surface of a base 1 made of a metal material and the photoresist 2 is patterned by exposure and development subsequent thereto through a photomask 4 having a desired pattern presented by dots. - 特許庁

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いメチルイソブチルケトンからなる溶媒Ｂとを含む。例文帳に追加

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B made of methyl isobutyl ketone and higher in solubility for the resist layer than the solvent A. - 特許庁

ＬＥＤプリントヘッド２２はＬＥＤアレイ及びロッドレンズアレイを有しており、感光体ドラム２１上に同一の露光パターンで第１及び第２のトナー像を形成した後、濃度センサ３０ａ及び３０ｂで第１及び第２のトナー像の濃度分布を得て、第１及び第２の濃度分布とする。例文帳に追加

The LED print head 22 comprises an LED array and a rod lens array; the density distributions of first and second toner images are obtained as first and second density distributions by density sensors 30a and 30b after the first and second toner images are formed in the same exposure pattern on a photoreceptor drum 21. - 特許庁

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。例文帳に追加

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly for exposure at a short wavelength, that is, has high transparency and the optimum n and k values and is excellent also in etching resistance during substrate processing. - 特許庁

吸着剤を用いる精製方法で、１９３ｎｍにおける透過率に優れる液浸露光用液体として好適な脂環式飽和炭化水素化合物の透過率をより向上させることができると共に、吸着剤単位質量あたりのコストパフォーマンスを高め、小型の装置で精製できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method which is a method using an adsorbent and improving the light transmittance of an alicyclic saturated hydrocarbon compound desirable for an immersion exposure fluid excellent in transmittance at 193 nm and of enhancing cost performance per unit mass of the adsorbent. - 特許庁

α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して描画又は露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂとを含む。例文帳に追加

A resist developer is used when developing by irradiating a resist layer with an energy beam for rendering or exposure, the resist layer containing a polymer of α-chloromethacrylate and α-methylstyrene, and contains a fluorocarbon-containing solvent A and an alcohol solvent B having higher solubility relative to the resist layer than the solvent A. - 特許庁

短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及び該マスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a phase shift photo mask which has sufficient transmittance of wavelength to be used even for a short exposure light wavelength, has proper transmittance of wavelength for defect inspections to successfully achieve the inspections, to provide a phase shift photo mask blanks for fabricating the mask, and to provide a method for fabricating a semiconductor device using the mask. - 特許庁

表面に感光性レジスト膜を塗布した基板にパターン露光を行うフォトマスクにおいて、前記感光性レジストの塗布膜厚に対応して、あるいは前記感光性レジストの現像ムラに対応して、前記現像ムラを生じた部位の光透過量を低減したことを特徴とするフォトマスクである。例文帳に追加

In the photomask used for performing pattern exposure to a substrate on the surface of which a photosensitive resist film is applied, the light transmission quantity at a region where the development irregularity occurs is reduced corresponding to the coating film thickness of the photosensitive resist or to the development irregularity of the photosensitive resist. - 特許庁

そして、オーバークラッド層を形成する際には、上記成形型２０の凹部２１内に、オーバークラッド層形成用の感光性樹脂を充填し、その感光性樹脂内に、アンダークラッド層の表面にパターン形成されたコアを浸した状態で、上記成形型２０を透して上記感光性樹脂を露光し硬化させる。例文帳に追加

Upon forming the overclad layer, the recess 21 of the molding die 20 is filled with a photosensitive resin for forming the overclad layer, and the photosensitive resin is exposed through the molding die 20 and cured while a patterned core formed on a surface of an underclad layer is immersed in the photosensitive resin. - 特許庁

露光によりラジカルを発生しうる基板表面とラジカル重合性基を有する高分子とが直接結合して、前記基板表面上に形成される高分子超薄膜であって、前記ラジカル重合性基が式（１）で表されるα位置換アクリロイル基であり、膜厚が１〜１０ｎｍである高分子超薄膜。例文帳に追加

The polymeric ultrathin film is formed on a substrate surface through direct coupling of a polymer having a radical polymerizable group with the substrate surface that can generates a radical by exposure, wherein the radical polymerizable group is an α-site substituted acryloyl group expressed by formula (1) and the film has a film thickness of 1 to 10 nm. - 特許庁

紫外線露光と現像とによりパターンを作製するために用いられる感光性組成物であって、作製したパターンに熱処理を行うことによって平滑性に優れた順テーパー形状のパターンに変化させることができ、かつ耐熱性と耐候性とに優れた塗膜を形成できる感光性組成物の提供。例文帳に追加

To provide a photosensitive composition which is used to form a pattern by ultraviolet exposure and development, enables to convert the formed pattern to a pattern of a forward tapered shape excellent in smoothness when the formed pattern is heat treated, and forms a coating film excellent in heat resistance and weatherability. - 特許庁

ラインＬとスペースＳによって所定のパターンピッチで基板上に形成された回折パターンの上面側から全面露光を行なうことによって回折パターンの下層側に配置されたレジストに形成される光学像強度分布を、回折パターンに対してマルチモード導波路解析モデル又はフラクショナルフーリエ変換を用いることにより算出する。例文帳に追加

The optical image intensity distribution formed on a resist disposed on the side of a lower layer of a diffraction pattern by performing whole image exposure from the side of an upper surface of the diffraction pattern formed by lines L and spaces S on a substrate at a predetermined pattern pitch is calculated by using a multi-mode waveguide path analytic model or fractional Fourier transform for the diffraction pattern. - 特許庁

薄膜で基板上に反射防止膜を形成していない場合であっても、段差のある基板上であっても、良好なパターン形状を有し、パターン変動幅の小さいレジスト膜を形成可能であり、かつ、良好な感度を有し、焦点余裕度及び露光余裕度にも優れた新規な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a new radiation sensitive resin composition that has a sufficient pattern form even on a substrate having a step even when an antireflective film is not formed on the substrate using a thin film, forms a resist film with a small pattern variation width, has sufficient sensitivity, and has high focal latitude and exposure latitude. - 特許庁

Ｎ−Ｆ結合を有する有機化合物を少なくとも１種含む薄膜が、少なくとも片面の全面又は部分的に形成された基板を、前記薄膜側から露光し、その後、前記薄膜を、前記薄膜と基板との間の残渣とともに除去して得られる、少なくとも片面が粗面化された太陽電池用基板。例文帳に追加

The substrate for the solar cell roughened in at least one surface is obtained by exposing the substrate in which a thin film containing at least one kind of organic compounds having N-F coupling is entirely or partially formed on at least one surface to light from the thin film side and then removing the thin film together with residue between the thin film and the substrate. - 特許庁

金属板２１０の両面にフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト膜２２０及び２３０を形成し（ステップＳ１０２）、引き続き、フォトレジスト膜２２０及び２３０の露光と現像を行い、孔を開ける部分のフォトレジスト膜２２０及び２３０を残すように、他のフォトレジスト膜２２０及び２３０を除去する（ステップＳ１０３）。例文帳に追加

In the metal processing method, photoresist liquid is applied on both sides of a metal plate 210 to form photoresist films 220 and 230 (step S102), then the photoresist films 220 and 230 are exposed and developed so that the photoresist films 220 and 230 are removed while leaving the photoresist films 220 and 230 of the portions where holes are opened (step S103). - 特許庁

隣接水平ライン間の露光タイミング差が小さい高速撮影画像にはフォーカルプレーン歪みが殆ど含まれていないことに鑑み、高速撮影画像Ｉ_S［ｉ］及び通常撮影画像Ｉ_L［ｉ］間のオプティカルフローに基づく画像処理によって、通常撮影画像Ｉ_L［ｉ］に含まれるフォーカルプレーン歪みを除去する。例文帳に追加

Considering that a high-speed photographing image having a small exposure timing difference between adjacent horizontal lines does not almost contain focal plane distortion, focal plane distortion contained in an ordinary photographing image I_L[i] is removed by image processing based on an optical flow between a high-speed photographing image I_S[i] and the ordinary photographing image I_L[i]. - 特許庁

ポジ型の化学増幅型レジストからなるパターンの耐溶剤性や耐露光・現像性などを向上させる、化学増幅型レジストパターンの改質方法、及びその改質工程で用いられる化学増幅型レジストパターンの改質材、並びに改質されたレジストパターン構造体を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of modifying a pattern of a chemically-photosensitized resist which can improve solvent and exposure/development resistances in positive chemically-photosensitized resist pattern, a modifier for the chemically-photosensitized resist pattern used in the modifying step, and also to provide a modified resist pattern structure. - 特許庁

画素アレイ部の露光期間に入るため、排出トランジスタＴＲ＿ＯＦＧによりフォトダイオードＰＤに蓄積された電荷の排出が停止されるタイミングで、画素アレイ部を構成する画素のうち、画像に寄与しないダミー行の画素について、選択パルス線ＳＥＬより選択トランジスタＴＲ＿ＳＥＬを動作させるための選択パルスＳＥＬが発生される。例文帳に追加

At the timing of stopping the discharge of charges stored in a photodiode PD by a discharge transistor TR_OFG in order to enter the exposure period of a pixel array part, a selection pulse SEL for operating a selection transistor TR_SEL is generated as for a selection pulse line SEL for the pixels of a dummy row not contributing to images among pixels configuring the pixel array part. - 特許庁

インターフェイスステーション７は、複数のウェハＷを上下方向に多段に収容し、処理ステーション５側と露光装置６側の側面に開口部３０１、３０２が形成された収容容器３００と、収容容器３００の上面から水平方向に張り出した拡散板３１０、３１１と、を有する。例文帳に追加

The interface station 7 includes: a storage vessel 300 storing a plurality of wafers W at multiple stages in the vertical direction and formed with openings 301, 302 on side faces on the processing station 5 side and on the exposure device 6 side; and diffusion plates 310, 311 horizontally projecting from the upper surface of the storage vessel 300. - 特許庁

パターン倒れマージンやブリッジマージンに優れ、かつ基板上にレジスト組成物の残渣が残らず、更には散乱（フレア）光に対する耐性に優れた、Ｘ線、電子線又はＥＵＶ光露光用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition for exposure by x-ray, electron beam or EUV light that is excellent in pattern collapse margin and bridge margin with no residue of a resist composition on a substrate and excellent in resistance to scattered (flare) light, and a resist film and a pattern forming method using the composition. - 特許庁

露光モード選択部５５は、被写体の光源が周期的に変化している場合、撮像装置の動き又は被写体の動きが比較的大きい場合、ズーム倍率が比較的高い場合には、グローバルシャッタ方式にて対象画像の撮影が行われるように、そうでない場合には、ローリングシャッタ方式にて対象画像の撮影が行われるように撮像部１１を制御する。例文帳に追加

The exposure mode selection part 55 controls the imaging part 11 to perform imaging an object image by a global shutter method when the light source of the object periodically changes, when the motion of the imaging device or the motion of the object is relatively large, or when the zoom magnification is relatively high, and otherwise, to perform imaging of the object image by a rolling shutter method. - 特許庁

露光ラチチュード（ＥＬ）と、線幅バラツキ（ＬＷＲ）又はＣＤ（クリティカルディメンジョン）均一性（ＣＤＵ）とに優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該レジスト組成物により形成されたレジスト膜を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method by which a pattern excellent in exposure latitude (EL) and line width variance (LWR) or CD (critical dimension) uniformity (CDU) is formed; to provide a pattern formed by the same; to provide a chemically amplified resist composition used in the pattern forming process; and to provide a resist film formed from the resist composition. - 特許庁

補正処理部１２０は、同一の撮影シーン、同一の焦点調節状態のときに出力される画像信号を処理したときに、露光量の違いによらず略同一のＡＦ評価値が得られるように、ＡＦ評価値生成部１１８に入力される画像信号またはＡＦ評価値生成部１１８で生成されたＡＦ評価値に補正をする。例文帳に追加

A correction processing section 120 corrects the imaging signal inputted to the AF evaluation value generation section 118 or the AF evaluation value generated in the AF evaluation value generation section 118 so as to obtain nearly the same AF evaluation value regardless of the difference in light exposure level when the imaging signal outputted in a state of the same imaging scene and the same focus adjustment is processed. - 特許庁

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。例文帳に追加

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same. - 特許庁

撮像装置１は、被写体光を偏光成分が異なる２つの偏光光Ｌａ、Ｌｂに分光し、これらの偏光光Ｌａ、Ｌｂを２つの撮像素子１０１、１０２に向けて射出する偏光ビームスプリッタ１３と、この偏光ビームスプリッタ１３と撮像素子１０２との間に介挿される露光量調整部１９とを備える。例文帳に追加

The imaging apparatus 1 includes: a polarization beam splitter 13 that disperses the subject light to two pieces of polarization light La, Lb having different polarization components, and emits the polarization light La, Lb toward two image sensors 101, 102; and an exposure value adjustment unit 19 interposed between the polarization beam splitter 13 and the image sensor 102. - 特許庁

露光装置を構成する投影光学系１４は、Ｚ軸方向に沿って延びる支持部材１７と、円環状をなす鏡筒分割部材２６，２９及び該鏡筒分割部材２６，２９内に配置される両凸レンズ２８及び平凹レンズ３０を有し、且つＺ軸方向に沿って積層される複数の光学ユニット２１〜２５とを備える。例文帳に追加

A projection optical system 14 constituting the exposure apparatus includes: a support member 17 extending along a Z-axial direction; and a plurality of optical units 21 to 25 each having an annular lens barrel divided member 26, 29, and a biconvex lens 28 or plano-concave lens 30 arranged in the lens barrel divided member 26, 29, and stacked along the Z-axial direction. - 特許庁

従来技術による振れ補正カメラに於いて、振れ補正の終了時には、即座に振れ補正の動作が終了してしまい、ファインダ像の見えにユーザは違和感を感じるという問題点、及び、露光直前で行われる振れ補正光学系の概中央へのセンタリングの所要時間のばらつきにより、レリーズ時のタイムラグが変化してしまう問題点を解決する。例文帳に追加

To solve a problem in a shake correction camera by a conventional technology that, a user feels an unnatural feeling in terms of viewing a finder image because shake correction operation is finished instantaneously when finishing the shake correction, and a time lag in release changes due to an variation of a necessary time for centering of a shake correction optical system to an almost center which is performed immediately before exposure. - 特許庁

露光手段の光源としてＬＥＤが使用されるサイドオリエントの画像形成装置において、プロセスカートリッジＰと本体１００Ａ、プロセスカートリッジＰとＬＥＤユニット６の位置決め精度を保証し、かつ、プロセスカートリッジ挿抜のユーザビリティ性を両立できる簡潔な本体構成を提供する。例文帳に追加

To provide a simple configuration of the body 100A of an image forming apparatus employing a side orientation system and using an LED as a light source of an exposure means, the configuration ensuring the alignment accuracy between a process cartridge P and the body 100A and between the process cartridge P and an LED unit 6, and also achieving usability in inserting and removing the process cartridge. - 特許庁

感度及び解像力が高く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、露光ラチチュード（ＥＬ）及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method by which a pattern having high sensitivity and resolution, small line width roughness (LWR), and a superior exposure latitude (EL) and pattern form is formed, to provide a pattern formed by the pattern forming method, and to provide a chemically amplified resist composition used in the pattern forming method, and a resist film formed of the chemically amplified resist composition. - 特許庁