AMPLIFICATIONを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7066件
Furthermore, the voiceless section attenuating unit 42 makes a transition time Tm shorter as the amplification degree G increases or a noise level estimated by a noise component estimating unit 44 increases, and then suppresses an increase of the noise during transition from a voiced section to a voiceless section to make the simultaneous broadcast easier to listen to.例文帳に追加
さらに無音区間減衰部42は増幅度Gが増大するに従って、若しくはノイズ成分推定部44で推定されたノイズレベルが増大するに従って推移時間Tmを短くするから、有音区間から無音区間へ移行したときにノイズが増大されるのを抑制して一斉放送を聞き取りやすくできる。 - 特許庁
Pixel data of selected scan lines are acquired from an external screen memory and added together, a compensation time for compensating channel interference which possibly occurs to the scan lines is detected, and a discharge time or maximum amplification time of a driving current is adjusted to perform retrieval from a look-up table containing the compensation time.例文帳に追加
外部の画面メモリから選択されたスキャンラインの画素データを取得し、該画素データを合算し、前記スキャンラインに発生しうるチャネル干渉を補償するための補償時間を検出し、駆動電流の放電時間及び最大増幅時間のいずれかを調整し、補償時間が格納されているルックアップテーブルを検索する。 - 特許庁
To obtain a glass for optical amplification of 1.3 μm band, containing Pr3+ as luminous species, comprising a sulfide glass as a host glass, and having wavelength characteristics of the gain caused by excited state absorption from 3H5 to 1G4 and improved deterioration of an NF (noise factor), and further to provide an optical fiber.例文帳に追加
Pr^3+を発光種とし、かつホストガラスが硫化物ガラスである1.3μm帯の光増幅用のガラスであって、^3H_5から^1G_4への励起状態吸収により生ずる利得の波長特性及びNF(雑音指数)の劣化が改善された1.3μm帯光増幅用ガラス及び光ファイバを提供すること。 - 特許庁
The differential signal reception circuit is equipped with a DC level conversion circuit 10, that receives a differential signal and converts a DC level in the received differential signal, and amplifier circuits 21 to 23 that amplify the differential signal outputted from the DC level conversion circuit by a specific amplification rate each, are connected in series, and have a plurality of stages.例文帳に追加
この差動信号受信回路は、差動信号を受信し、受信された差動信号の直流レベルを変換する直流レベル変換回路10と、直流レベル変換回路から出力された差動信号をそれぞれ所定の増幅率で増幅する直列接続された複数段の増幅回路21〜23とを具備する。 - 特許庁
A reference current generation circuit comprises current generation circuit parts 110 and 210, differential amplification circuit parts 120-1, 120-2, 220-1 and 220-1, output circuits 130 and 230 for outputting reference currents Iref1 and Iref2, and a resistor 236 for converting a reference current Iref to a reference voltage Vref.例文帳に追加
基準電流生成回路は、電流発生回路部110,210と、差動増幅回路部120−1,120−2,220−1,220−1と、基準電流Iref1,Iref2を出力する出力回路130,230と、基準電流Irefを基準電圧Vrefに変換する抵抗236とで構成されている。 - 特許庁
The interface of a bus master element 31 and bus slave elements 32-1 to 32-n connected to the fast bus system of a serial structure where one of buses 34 and 35 is terminated and the other is unterminated, is provided with a current mode driving driver circuit operating by differentiation and/or a differential amplification receiver circuit.例文帳に追加
バス34,35の一方が終端され、他方が無終端されたシリアル構造の高速バスシステムに接続されているバスマスタ素子31とバススレーブ素子32−1〜32−nのインターフェイス部に、差動で動作する電流モード駆動型のドライバ回路及び/または差動増幅型のレシーバ回路を設けることを特徴としている。 - 特許庁
The power source voltage of a power amplification circuit 4 is controlled so that the detected voltage of a vibration detection circuit 5 in proportion to the vibration velocity of a vibrator becomes constant by the automatic tracing of an optimum resonance frequency for the vibrator by the feedback of the detected voltage of the circuit 5 to a PLL circuit 2.例文帳に追加
振動検出回路5の検出電圧をPLL回路2に帰還して振動子に最適な共振周波数の自動追尾を行い、振動検出回路5の振動子の振動速度に比例した検出電圧が一定となるように電力増幅回路4の電源電圧を制御する。 - 特許庁
Further, the data processing unit 10 accesses a storage circuit 22 in accordance with an input power value measured by the power measuring instrument 6, controls an attenuation amount of a variable attenuator 21 through a D/A converter 23 and enables a distortion detection circuit 13 to properly detect distortion that occurs in a power amplification device 5.例文帳に追加
また、データ処理部10は、電力測定器6により測定した入力電力値に応じて記憶回路22をアクセスし、D/A変換器23を介して可変減衰器21の減衰量を制御し、電力増幅器5で発生する歪を歪検出回路13が適切に検出できるようにする。 - 特許庁
Even when a charge stored in a bootstrap capacitor for turning on the power supply side Nch MOSFET is insufficient to turn on the Nch MOSFET, the Pch MOSFET can be turned on to perform power amplification and enable the driving signal to be output.例文帳に追加
こうすれば、電源側のNchMOSFETをONにするためのブートストラップコンデンサーに蓄えられた電荷が不足してNchMOSFETをONにすることができない場合でも、PchMOSFETをONにすることで電力増幅を行うことができ、駆動信号を出力することが可能となる。 - 特許庁
When a prescribed time passes after it has been judged that the noise signal level from the noise level detection circuit has become higher than the initial noise signal level due to an increase in ambient noise, a gain of a sound amplification circuit is raised so as to keep the adjustment level difference, and the volume of output sounds from the speaker is increased.例文帳に追加
周囲の騒音が大きくなって、騒音レベル検出回路からの騒音信号レベルが前記初期騒音信号レベルよりも大きくなったと判定され、所定時間経過したときに、調整レベル差を保つように音声増幅回路のゲインが上げられ、スピーカからの出力音量が上げられる。 - 特許庁
When the addressing light emitted from the external light emitting element 10 is accepted by the photo-addressable display element 7, the carrier is multiplied by the current amplification mechanism of the photoconductive layer and a voltage is applied on the electrochromic layer to cause the developing or erasing reaction only in the part where the addressing light is accepted and to display an image.例文帳に追加
外部発光素子10から出射された書込み光が、光書込み表示素子7に受光されると、キャリアが光導電層の電流増幅機構によって増倍され、エレクトロクロミック層に電圧が印加されて、書込み光の受光部分のみに発消色反応が生じて表示が行われる。 - 特許庁
To provide such a system in which primer design information is seamlessly linked with a synthesis order and a reagent kit order by selecting parameter information while referring to default display on the basis of primer design results regarding a device for ordering a primer synthesis for gene amplification and a method for ordering a reagent kit.例文帳に追加
遺伝子増幅用プライマー合成発注装置,試薬キット発注方法に関し,プライマーの設計結果に基づいて,デフォルト表示を参照しながらパラメータ情報の選択を行い,プライマー設計情報が合成発注及び試薬キット発注にシームレスに連携されるようなシステムを提供する。 - 特許庁
To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification.例文帳に追加
不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁
Hereby, the voltage control oscillator 321 oscillates at a frequency geared to the DC voltage outputted by the phase comparator 326, and as a result, the frequency of the reference wave (voltage signal) outputted from the reference wave generator 322 is controlled to be a frequency such that the phase difference with the error signal (current signal), after amplification becomes zero.例文帳に追加
これにより、電圧制御発振器321は、位相比較器326が出力する直流電圧に応じた周波数で発振し、その結果、基準波発生器322から出力される基準波(電圧信号)の周波数が増幅後の誤差信号(電流信号)との位相差が零となるような周波数に制御される。 - 特許庁
On the other hand, the Raman amplifier performs Raman amplification of the signal light by adjusting the light power of the respective excitation channels included in excitation light in such a manner that the light power of the signal channels increases from the long wavelength side toward the short wavelength side of the signal wavelength band width in order to improve the noise characteristics over the entire part of the line (20).例文帳に追加
一方、ラマン増幅器は、光ファイバ伝送路(20)全体の雑音特性を改善すべく、励起光に含まれる各励起チャネルの光パワーを調節することにより、信号波長帯域の長波長側から短波長側に向かって信号チャネルの光パワーが大きくなるよう信号光をラマン増幅する。 - 特許庁
The thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 is provided with a subcollector layer 41 and a collector layer 42, and a B-added layer 42A which is added with boron (B) is partially formed in the collector layer 42, thus preventing the reduction of current amplification factor even if the subcollector layer 41 is doped at a high concentration.例文帳に追加
サブコレクタ層41及びコレクタ層42が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板1において、コレクタ層42の一部にホウ素(B)が添加されているB添加層42Aを形成し、これによりサブコレクタ層41を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁
Nucleic acids of Mycoplasma pneumonia are detected and identified using an oligonucleotide consisting of a target binding sequence selected from the group consisting of the target binding sequences of ORF6LP1, ORF6LP2, ORF6LeftPCR, ORF6RP1, ORF6RP2 and ORF6RightPCR, and optionally, a sequence required for an amplification reaction.例文帳に追加
ORF6LP1、ORF6LP2、ORF6LeftPCR、ORF6RP1、ORF6RP2、およびORF6RightPCRのターゲット結合配列からなる群から選択されたターゲット結合配列と、任意選択の増幅反応に必要な配列とからなるオリゴヌクレオチドを使用して肺炎マイコプラズマの核酸を検出および同定する。 - 特許庁
To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used.例文帳に追加
電子線又はX線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はX線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はX線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
In this case, the current source of the input differential amplification part of the operation amplifier is made variable, and a switching means is connected to the feedback circuit of the operation amplifier.例文帳に追加
アナログ入力信号をサンプリングするサンプル用スイッチ、アナログ入力電圧を保持するホールド用コンデンサ、保持されたアナログ入力電圧をアナログ出力電圧として出力するオペアンプを具えたサンプルホールド回路において、オペアンプの入力差動アンプ部の電流源を可変とするとともに、上記オペアンプの帰還回路にスイッチ手段を接続する。 - 特許庁
In receiving reflected light detection signals 5a from a reflected light detection part 5 and also receiving the input interruption signals 33a-33n from the input interruption detection means 31A-31N of all the transponders, the shutdown control part 6 performs the shutdown control of stopping optical output of a light amplification part 3.例文帳に追加
シャットダウン制御部6は、反射光検出部5から反射光検出信号5aを受信し、かつ、全てのトランスポンダの入力断検出手段31A−31Nから入力断信号33a−33nを受信したときに、光増幅部3の光出力を停止するシャットダウン制御を実行する。 - 特許庁
The optical fiber of the distribution constant type Raman amplification transmission line has cable cutoff wavelength of ≤1,430 nm, a mode field diameter (MFD) of 7-9 μm at 1,450 nm wavelength, transmission loss of ≤0.285 dB/km, and a wavelength dispersion value of 0.1-4 ps/nm.例文帳に追加
その分布定数型ラマン増幅光伝送路における光ファイバは、光ファイバは、ケーブルカットオフ波長が1430nm以下であり、波長1450nmにおいてモードフィールド径(MFD)が7μm以上9μm以下であり、かつ、伝送損失が0.285dB/km 以下であり、波長分散値が0.1〜4ps/nm である。 - 特許庁
Each of the relay stations includes an amplification means for receiving the uplink signal from the user equipment and amplifying it in accordance with an instruction signal, a means for transmitting the amplified uplink signal via uplink, and a means for creating the instruction by confirming whether the uplink signal should be relayed or not for each user based on the control signal.例文帳に追加
中継局は、ユーザ装置からの上り信号を受信し、指示信号に従って増幅する増幅手段と、増幅後の上り信号を上りリンクで送信する手段と、制御信号に基づいて、上り信号の中継の要否をユーザ毎に確認し、指示信号を作成する手段とを有する。 - 特許庁
To provide a high frequency variable gain amplifier and a communication apparatus, capable of preventing the deterioration of a passing characteristic in a high frequency signal even in a low-gain mode of an amplification gain, and also capable of input/output impedance matching compatible at the time of a high-gain mode and a low-gain mode, and incorporating a matching component.例文帳に追加
増幅利得のLow−Gainモード時にも、高周波信号における通過特性の劣化を防止できるとともに、High−Gainモード時とLow−Gainモード時の入出力整合の両立及び整合部品の内蔵化ができる高周波可変利得増幅器および通信機器を提供する。 - 特許庁
The handset side unit 4 is comprised of a microphone 40, a light receiving sensor 41, an infrared demodulation section 42, an amplification section 43, an earphone 44, an infrared modulation section 45 and an infrared transmission section 46, and the main body side unit 5 is comprised of a light receiving sensor 50, a plurality of infrared demodulation sections 51, an infrared modulation section 52, and an infrared transmission section 53.例文帳に追加
子器側装置4は、マイクロホン40と、受光センサ41と、赤外線復調部42と、増幅部43と、イヤホン44と、赤外線変調部45と、赤外線送信部46からなり、本体側装置5は、受光センサ50と、複数の赤外線復調部51と、赤外線変調部52と、赤外線送信部53からなる。 - 特許庁
The slab type amplification device comprises a first slab type amplifier having a free space shaft and a waveguide shaft, and a first beam adjusting part arranged at an input stage of the first slab type amplifier, and converting at least one of a polarization direction and a cross sectional shape of the lights inputted to the first slab type amplifier.例文帳に追加
スラブ型増幅装置は、自由空間軸と導波軸とを有する第1スラブ型増幅器と、前記第1スラブ型増幅器の入力段に配置され、該第1スラブ型増幅器に入力する光の偏光方向および断面形状の少なくとも一方を変換する第1ビーム調節部と、を備える。 - 特許庁
Two detection systems for detecting a basic frequency component of progressive wave power from an output of a directional coupler DC inserted between the high-frequency power amplification section AMP and the load LD are arranged, and it is determined that either of the detection systems is abnormal when output levels of both detection systems are different.例文帳に追加
高周波電力増幅部AMPと負荷LDとの間に挿入した方向性結合器DCの出力から進行波電力の基本周波数成分を検出する検出系統を2系統設け、両検出系統の出力レベルが異なるときにいずれかの検出系統が異常であると判定する。 - 特許庁
A boron added layer 42A resulting from adding boron (B) to a collector layer 42 is formed to part of the collector layer 42 in the thin film semiconductor epitaxial substrate 1 formed with the sub collector layer 41 and the collector layer 42 so as to thereby prevent the current amplification factor from being decreased even when the sub collector layer 41 is doped with a high concentration.例文帳に追加
サブコレクタ層41及びコレクタ層42が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板1において、コレクタ層42の一部にホウ素(B)が添加されているB添加層42Aを形成し、これによりサブコレクタ層41を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁
The current amplification rate (HFE) is measured while using an emitter electrode 16 of the IGBT 1 as a collector terminal C1 of the PNP transistor 30, an EQR (equipotential ring) 20 connected to the drift layer 11 of the IGBT 1 as a base terminal of the PNP transistor 30, and a collector electrode of the IGBT as an emitter terminal E1 of the PNP transistor 30.例文帳に追加
IGBT1のエミッタ電極16をPNPトランジスタ30のコレクタ端子C1とし、IGBT1のドリフト層11に接続されるEQR20をPNPトランジスタ30のベース端子とし、IGBTのコレクタ端子をPNPトランジスタ30のエミッタ端子E1として電流増幅率(HFE)を測定する。 - 特許庁
To provide a pigment laser device where the damage of a circulation flow cell in a pigment solution is suppressed, the pigment solution with large flow rate, flow velocity and discharge pressure can be circulated, output can be made to be high without disturbing the wave face of a laser beam at the time of amplification, maintenance is good and operation cost and maintenance cost can be reduced.例文帳に追加
色素溶液の循環用フローセルの損傷を抑止し、大きな流量、流速、吐出圧での色素溶液の循環が可能であり、増幅時にレーザビームの波面を乱さずに高出力化でき、メインテナンス性がよく、運転コストおよび保守コストが低減できる色素レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁
To solve the problem that, in an inverter amplifier constituted of field effect transistors, since an amplification factor is made worse by gate voltage variation in a field effect transistor that is a constant current source and voltage variation is mixed via a DC bias electric wire in multi-stage connection, adverse influences are exerted each other and desired performance can not be obtained.例文帳に追加
電界効果型トランジスタで構成されるインバータアンプは、定電流源である電界効果型トランジスタのゲート電圧変動により増幅率が悪化し、多段接続時には直流バイアス電線を介して電圧変動が混合するため互いに悪影響を及ぼし合い、所定の性能が得られない。 - 特許庁
A driver amplifier 100 is an amplifier of a current outputting type in which a buffer circuit 10, which amplifies the voltage of an input signal vi by a gain 1 to obtain a current im according to the voltage, is provided as an inputting stage and a current amplifier circuit 12, which amplifies the current im by an amplification factor (m) to output, is provided as an outputting stage.例文帳に追加
ドライバアンプ100 は、入力信号v_iの電圧を利得1にて増幅してその電圧に応じた電流i_mを得るバッファ回路10を入力段として、その電流i_mを増幅率mにて増幅して出力する電流増幅回路12を出力段とする電流出力型の増幅器である。 - 特許庁
When the automatic adjustment operation is not finished normally, a specific coefficient value, which does not depend on a processing coefficient value obtained from the result of the automatic adjustment operation, with respect to an amplification factor G, i.e., Gnv which is not related to a value obtained from the result of the automatic adjusting operation, is set (S33), and this automatic adjustment operation is completed.例文帳に追加
自動調整動作が正常に終了し得なかった場合は、増幅率Gに対して自動調整動作の結果から得られた処理係数値によらない特定の係数値、すなわち自動調整動作の結果得られた値とは無関係なGnvを設定し(S33)、この自動調整動作を完了させる。 - 特許庁
When an acoustic generator 1 is operated, filters 4-1, 4-2, ..., 4-9 perform signal processing to apply 10 kinds of delay effects to an audio signal Sa in accordance with delay times and amplification factors being set, respectively, generate signals Sb1, Sb2, ..., Sb9 and output them to amplifiers 3-1, 3-2, ..., 3-9.例文帳に追加
音響発生装置1を動作させると、フィルタ4−1,4−2、・・・、4−9は、それぞれ設定された遅延時間と増幅率に応じて、10種の遅延効果をオーディオ信号Saに対して与えるように信号処理して、信号Sb1、Sb2、・・・、Sb9を生成し、アンプ3−1、3−2、・・・、3−9に出力する。 - 特許庁
The shortening of a discrimination band size, and the determination of a DNA sequence enabling the design of a primer by which the discrimination properties are inverted are achieved by determining a base especially considered to be important in the discrimination of the brand in an amplification region by a primer pair formed into RAPD-STS (random amplified polymorphic DNA-sequence tagged site) on a genome DNA sequence.例文帳に追加
ゲノムDNA配列上のRAPD−STS化プライマー対による増幅領域において品種の識別に特に重要と思われる塩基を決定することにより、識別バンドサイズの短縮化、及び、識別性が反転するプライマーの設計を可能とするDNA配列を決定することに成功した。 - 特許庁
The band frequency signal in a cellular phone is detected by a first detection section 13 using a band-pass filter section 11 in reception signals from an antenna 10, the signal is amplified and compared by a first amplification and comparison section 15 for outputting a rectangular wave, and blinking display is made according to the period of the rectangular wave at a first display section 17.例文帳に追加
アンテナ10からの受信信号のうち帯域通過フィルタ部11で携帯電話の帯域周波数信号を選択して第1検波部13で検波し、第1増幅及び比較部15で信号を増幅及び比較して矩形波を出力し、第1表示部17で矩形波の周期に応じて点滅表示する。 - 特許庁
A constant voltage circuit uses a transistor with large current amplification factor as a semiconductor device, a combination of transistors with Darlington connection, if necessary, and a constant voltage diode with the voltage temperature characteristics for compensating the voltage temperature characteristics of base-emitter of the transistor to make the constant voltage temperature zero in combination, thereby obtaining the semiconductor device with excellent voltage drop characteristic and a circuit of excellent constant voltage characteristics.例文帳に追加
半導体素子として電流増幅率の大きいトランジスター、必要であるならばダーリントン接続トランジスター組み合わせ、定電圧温度特性ゼロになる組み合わせのトランジスターのベース−エミッタ間電圧温度特性と補償できる電圧温度特性の定電圧ダイオードを使う。 - 特許庁
Besides, the profile quartz resonator is housed within the quartz unit, figure-of-merit of main resonance is greater than figure-of-merit of sub resonance and moreover, the crystal oscillator in which the output signal is the oscillation frequency of main oscillation based upon a relation between an amplification factor of an amplifier circuit and a feedback rate of a feedback circuit is realized with high accuracy.例文帳に追加
また、輪郭水晶振動子は水晶ユニット内に収納され、かつ、主振動のフイガーオブメリットが副振動のフイガーオブメリットより大きく、更に、増幅回路の増幅率と帰還回路の帰還率との関係により、出力信号が主振動の発振周波数である水晶発振器が高精度で実現できる。 - 特許庁
A microwave generation section 10 is formed by an oscillation section 11, a distribution section 12, the microwave amplification sections 13a, 13b, 15a, and 15b, a phase variable device 18, reflective electrical power detection sections 19a, 19b, driving electrical power detection devices 38a, 38b, and supplies microwaves to a heating chamber 100 for housing a heated object.例文帳に追加
マイクロ波発生部10は発振部11、分配部12、マイクロ波増幅部13a、13b、15a、15b、位相可変器18、反射電力検出部19a、19b、駆動電力検出器38a、38bで構成し、被加熱物を収納する加熱室100にマイクロ波を供給する。 - 特許庁
The input converting section 110 sets a threshold level for input power, inputs a phase amplification signal of constant amplitude to the amplifying section 30 if the input power is larger than the threshold level and varies the power supply voltage Vs of the amplifying section 30 by the envelope signal (c) of the input signal (a).例文帳に追加
入力変換部110では入力電力に対ししきい値を設定し、入力電力がしきい値より大きいときには一定振幅の位相振幅信号を増幅部30に入力するとともに増幅部30の電源電圧Vsを入力信号aの包絡線信号cで変化させる。 - 特許庁
To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying sensitivity, resolution and resist shape in the use of electron beams or X-rays.例文帳に追加
電子線又はX線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はX線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はX線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁
The method for processing the substrate includes a step of forming an interlayer 4 between a chemical amplification type resist film 3 and an antistatic film 5, a step of exposing a desired pattern to a substrate specimen 1; a step of performing a thermal process to the substrate specimen 1 after the exposure; and a step of performing a development process to the substrate specimen 1 after the heat treatment.例文帳に追加
化学増幅型のレジスト膜3と帯電防止膜5との間に中間膜4を形成する工程と、基板試料1に所望のパターンを露光する工程と、露光後の基板試料1に対し加熱処理を施す工程と、加熱処理の後に基板試料1に現像処理を施す工程とを有する。 - 特許庁
A synchronization controller 21 respectively obtains a delay time since triggering of the switches 12a and 12b of the power sources 1c and 2c of the oscillation stage laser 1 and the amplification stage laser 2 until starting of light emission or electricity discharge from charging voltage, the temperature of the circuit element of a magnetic pulse compression circuit, and the gas pressure of laser chambers 1a and 2a.例文帳に追加
同期コントローラ21は、充電電圧、磁気パルス圧縮回路の回路素子の温度、レーザチャンバ1a,2aのガス圧力より、発振段レーザ1と増幅段レーザ2の、電源1c,2cのスイッチ12a,12bをトリガしてから、発光あるいは放電が開始するまでのディレイ時間をそれぞれ求める。 - 特許庁
The optical amplifier with 1.4 to 1.52 μm band which is provided with an exciting light source, multiplexer/demultiplexer and an amplification optical waveguide is excited by the two or above types of different wavelengths of at least one wavelength from a range in the wavelengths 0.75 to 0.85 μm and one wavelength from a range in the wavelengths 1.35 to 1.45 μm.例文帳に追加
少なくとも励起光源、合分波器、増幅用光導波路を備えた1.4〜1.52μm帯光増幅器において、波長0.75〜0.85μmの範囲から少なくとも1波長と、波長1.35〜1.45μmの範囲から少なくとも1波長の、互いに異なる二種類以上の波長で励起する。 - 特許庁
The optical amplifier with 1.4 to 1.52 μm band which is provided with an exciting light source, multiplexer/demultiplexer and an amplification optical waveguide is excited by the two or above types of different wavelengths of at least one wavelength from a range in the wavelengths 0.65 to 0.75 μm and one wavelength from a range in the wavelengths 1.35 to 1.45 μm.例文帳に追加
少なくとも励起光源、合分波器、増幅用光導波路を備えた1.4〜1.52μm帯光増幅器において、波長0.65〜0.75μmの範囲から少なくとも1波長と、波長1.35〜1.45μmの範囲から少なくとも1波長の、互いに異なる二種類以上の波長で励起する。 - 特許庁
To provide a signal amplification method and an amplifier device by which steeper edges, particularly for pulse-controlled erase and write operations, can be generated, without the advantages of the control loop being lost, in particular the good noise suppression in conjunction with low spurious emission during the reading operation.例文帳に追加
パルスにより制御される消去および書き込み動作に対する急峻なエッジが形成される信号増幅方法および増幅装置を提供することであり、その際に、制御ループの利点、すなわち、読み出し動作時のノイズビームが少ないことに関連する良好なノイズ抑圧が失われないようにすることである。 - 特許庁
The mRNA of β2.7 gene originating from CMV is amplified by utilizing the combination of specifically amplifiable oligonucleotide primers and the RNA amplification step comprising these combinations of oligonucleotide primers is measured and detected by using an oligonucleotide probe that is marked with an intercalated fluorescent dye.例文帳に追加
CMV由来のβ2.7遺伝子のmRNAを、特異的に増幅可能なオリゴヌクレオチドプライマーの組み合わせを利用し、これらのオリゴヌクレオチドプライマーの組合せからなるRNA増幅工程を、インターカレーター性蛍光色素で標識されたオリゴヌクレオチドプローブを用いて測定する検出法によって、前記課題を解決する。 - 特許庁
This method for detecting the gene by the isothermal amplification method is characterized by making a targeted base sequence to contain an artificially mutated nucleic acid in a primer or oligonucleotide, capable of specifically annealing the targeted base sequence to enhance the specificity of the synthesis of the complementary strand from the targeted base sequence.例文帳に追加
等温増幅法を用いた遺伝子の検出方法において、標的塩基配列に特異的にアニールしうるプライマーまたはオリゴヌクレオチドに人工的な変異核酸を含ませることにより、該標的塩基配列上からの相補鎖合成の特異性を高めることを特徴とする遺伝子検出方法。 - 特許庁
This magnetometric sensor stores in a package 66: a semiconductor substrate 67 equipped with an electric circuit having a comparison amplification function, in which magnetic resistance elements 11-14 are formed in a thin film shape on the substrate; a lead frame 60 for mounting the semiconductor substrate 67 thereon; and lead frames 61, 62 to be connected to the semiconductor substrate 67.例文帳に追加
磁気センサは、基板上に磁気抵抗素子11〜14を薄膜形成し比較増幅機能を有する電気回路を備えた半導体基板67と、半導体基板67を実装するリードフレーム60と、半導体基板67と接続されるリードフレーム61及び62とをパッケージ66内に収容する。 - 特許庁
The method for identifying the bacterium of the genus Alicyclobacillus comprises designing a forward primer and a reverse primer in a nucleic acid amplification reaction based on the base sequence of a domain specific to each bacterium of the genus Alicyclobacillus in a gyrB gene, and judging whether only a fragment derived from the bacterium and having an estimated molecular weight can be amplified or not.例文帳に追加
gyrB遺伝子中における各Alicyclobacillus属細菌に特徴的な領域の塩基配列に基づいて、核酸増幅反応におけるフォワードプライマーとリバースプライマーを設計し、細菌由来の予測される分子量の断片だけが増幅させるか否かを判定することで行うことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a purification method for crude resin to be used as an electronic material by effectively removing by-products, for example, oligomer included in the crude resin for electronic material and to provide a method for producing a chemical amplification type photoresist composition by using the oligomer-free electronic resin.例文帳に追加
電子材料用粗樹脂中に含まれるオリゴマー等の副生物を効果的に除去して電子材料用樹脂を製造する方法、該製造方法により得られる電子材料用樹脂及び該電子材料用樹脂を用いる化学増幅型ホトレジスト組成物の製造方法等を提供すること。 - 特許庁
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