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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > a first stepの意味・解説 > a first stepに関連した英語例文

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a first stepの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 6126



例文

This mount disc 25 for mounting a plurality of connection ports 21, 22 connected to refrigerant communication pipes 17a, 17b of the plurality of indoor machines 3, in the outdoor machine 2 of the air conditioner connected with the plurality of indoor machines 3, comprises a first mounting portion 31, a second mounting portion 32 and a step portion 33.例文帳に追加

取付盤25は、複数の室内機3を接続する空気調和機の室外機2において、複数の室内機3のそれぞれの冷媒連絡配管17a,17bに対して接続される複数の接続ポート21,22を取り付ける取付盤であって、第1取付部31と、第2取付部32と、段差部33とを備える。 - 特許庁

The changing step includes determining a history read reference level for correct reading of at least one history cell, selecting a memory read reference level according to a first read reference level and reading of a nonvolatile memory array cell associated with at least one history cell using the memory read reference level.例文帳に追加

変更ステップは、少なくとも1つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第1読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも1つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。 - 特許庁

Second, the IMF should continue its efforts to prevent financial crises.It is regrettable that, despite the long time spent on deliberations, the Executive Board still has not agreed to a detailed design of the new crisis-prevention instrument for emerging market economies.The IMF should make further efforts to establish a user-friendly preventive instrument as soon as possible, taking into consideration the views of major emerging market economies.Effective surveillance is the first step toward preventing a financial crisis. 例文帳に追加

第二に、金融危機の予防があります。新興市場国に対する予防的な融資制度創設に向けた理事会の議論が長期に及んでいることは、極めて残念です。早急に、主要新興市場国の意見を聴取し、利用国にとって使い勝手のよい制度を構築するよう努力すべきです。効果的な各国のマクロ経済政策評価(サーベイランス)は危機の予防の出発点です。 - 財務省

The method for producing the organic memory element having the organic active layer between a first electrode and a second electrode includes a step of forming the organic active layer by using the ferrocene-containing conductive polymer containing fluorenyl repeating units, thienyl repeating units and diallyl ferrocenyl repeating units.例文帳に追加

第1電極と第2電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子を製造するにおいて、フルオレニル繰り返し単位、チエニル繰り返し単位およびジアリールフェロセニル繰り返し単位を含むフェロセン含有伝導性高分子を用いて有機活性層を形成する段階を含むことを特徴とする、有機メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

In a photoetching process step for forming gate wiring having a first compensation pattern, data wiring to define a pixel region formed to intersect with the gate wiring and the source/drain electrode, the capacitor electrode having the second compensation pattern formed on the prescribed region of the gate wiring is inclusively constituted.例文帳に追加

本発明は、第1補償パターンを有するゲート配線と、前記ゲート配線と交差されるように形成されて画素領域を定義するデータ配線と、ソース/ドレイン電極形成のためのフォトエッチング工程時、絶縁膜を間に置き、前記ゲート配線の所定領域上に形成され第2補償パターンを有するキャパシタ電極を包含して構成される。 - 特許庁


例文

The step includes mounting the diced semiconductor substrates, to which the support substrate adheres, onto a circuit substrate via a second adhesive; lowering the adhesive strength of a first adhesive by curing the second adhesive; and peeling the diced support plate off the semiconductor substrate that is mounted on the circuit substrate.例文帳に追加

さらに、ダイシングされた、支持板が接着された半導体基板を第2接着剤を介して回路基板に搭載し、第2接着剤を硬化し第1接着剤の接着力を低下させて、回路基板に搭載された半導体基板からダイシングされた支持板を剥離して(ステップS5)、半導体装置が製造される。 - 特許庁

Then, on completion of the purification step, a second monomer crude product present in the feed tank is supplied to the film evaporator at a second feed rate lower than the first feed rate to separate a second distillate including the monomer and the high-boiling point impurities from second bottom products including the high-boiling point impurities.例文帳に追加

その後、前記精製工程終了時に前記供給タンク内に存在する第二のモノマー粗製品を、前記第一の供給速度より遅い第二の供給速度で薄膜蒸発器に供給して、前記モノマーおよび前記高沸点不純物を含む第二の留出液と、前記高沸点不純物を含む第二の缶出液とに分離する。 - 特許庁

In the step of generating the compaction condition, the compaction condition 206 severer than the design standard 203 is generated for a dangerous area where the risk is higher than a predetermined value, and the compaction condition 206 obtained by moderating the design standard 203 is generated for a first safe area where the risk is lower than the predetermined value.例文帳に追加

又、コンパクション条件を生成するステップでは、危険度が所定の値より高い危険エリアに対して、設計基準203より厳しいコンパクション条件206が生成され、危険度が所定の値より低い第1安全エリアに対しては、設計基準203を緩和したコンパクション条件203が生成される。 - 特許庁

The second ceramic green layer has a thickness of 0.05 times or larger and 0.4 times or smaller of the first green layer, the low temperature sintered ceramic material is sintered in a firing step and the second ceramic green layer is densified by making a part of the low temperature sintered ceramic material flow in the second ceramic green layer.例文帳に追加

第2のセラミックグリーン層は、第1のセラミックグリーン層の0.05倍以上かつ0.4倍以下の厚みとされ、焼成工程において、低温焼結セラミック材料を焼結させるとともに、低温焼結セラミック材料の一部を第2セラミックグリーン層に流動させて、第2セラミックグリーン層を緻密化させる。 - 特許庁

例文

The method for creating categorized documents generally comprises step for: initially assuming all documents as type 1 documents; filtering out all type 2 documents and placing them in a first category; filtering out all type 3 documents and placing them in a second category; and defining all remaining documents as type 4 documents and placing all type 4 documents in a third category.例文帳に追加

カテゴリー分けされた文書を作成する方法は、一般に、最初に全ての文書が形式1であると仮定し、全ての形式2文書をフィルタリングしてそれらを第1カテゴリーに入れ、全ての形式3文書をフィルタリングしてそれらを第2カテゴリーに入れ、そして残りの全ての文書を形式4文書として定義して全ての形式4文書を第3カテゴリーに入れる段階を含む。 - 特許庁

例文

The controller for the motor for exclusive use performs the second control in a step of rotating the main shaft at a low speed, starts the third control during empty weaving operation at latest, and starts the first control during the period of the subsequent empty weaving operation at latest or till a determined period set during from the period after the start of the weaving operation to the completion of one cycle.例文帳に追加

専用モータ用制御器は、主軸を低速回転させる工程中に前記第2の制御を実行し、遅くとも空織り運転中には、前記第3の制御を開始するとともに、遅くともその後の空織り運転期間あるいは製織運転開始されてから1サイクル終了されるまでの間に定められる所定時期までに、前記第1の制御を開始する。 - 特許庁

A step portion is provided on a lead-out electrodes 5, 6 to which electrodes of crystal piece 10 are connected by first electrode surfaces 5a, 6a and second electrode surfaces 5b, 6b, thereby preventing the piece 10 from contacting with a recessed portion 3 for mounting in connecting the electrodes of the piece 10 with the electrodes 5, 6 via conductive adhesives 7a, 7b.例文帳に追加

水晶片10の電極が接続される引出電極5,6に、第1電極面5a,6aと第2電極面5b,6bにより段差部を設けることで、水晶片10の電極と引出電極5,6とを導電性接着剤7a,7bにより接続した際に、水晶片10が載置用凸部3に接触しないようにした。 - 特許庁

The method includes the step of determining a shortest path between the first point and the second point in a protection graph, computing a length of the shortest path, determining if the link should be added to the protection graph according to the computed length and setting the shortest path in the protection graph as protection path for the link.例文帳に追加

この方法には、保護グラフ内で第1点と第2点との間の最短パスを判定する工程と、前記最短パスの長さを計算する工程と、前記計算された長さに従って保護グラフに前記リンクを追加しなければならないかどうかを判定する工程と、前記リンクの保護パスとして保護グラフ内の最短パスをセットする工程とが含まれる。 - 特許庁

The method includes at least one signal detection step, in the course of which Np detection windows Dj (for j=1 to Np) encompassing prescribed time chips execute correlation of at least a first sine wave signal S1 and a second sine wave signal S2 with a received signal over the detection windows.例文帳に追加

本発明による方法は、信号検出ステップを含み、その過程で、所定の時間チップを包含するNp個の検出窓Dj(j=1〜Npについて)は、少なくとも第1の正弦波信号および第2の正弦波信号S1およびS2と、受信信号との上記検出窓Djにわたる相関付けを実施することによって調査される。 - 特許庁

The method for discriminating expressed mRNA includes a step of hybridizing two or more double-stranded DNA complexes having at least one restriction enzyme recognition sequence formed of the first oligonucleotide 101 and the second oligonucleotide 102 having an oligo-dT sequence to a target mRNA of each specimen by the oligo-dT sequence, wherein the restriction enzyme recognition sequences are different from each other in a methylation modification manner.例文帳に追加

オリゴdT配列を有する第1オリゴヌクレオチド101および第2オリゴヌクレオチド102から形成され少なくとも1個の制限酵素認識配列を有する2種以上の二本鎖DNA複合体であって、該制限酵素認識配列がメチル化修飾様式において互いに異なる該二本鎖DNA複合体を、該オリゴdT配列により標的mRNAに試料ごとにハイブリダイズさせる工程を含む、発現mRNA識別方法。 - 特許庁

This control system of the hybrid driving device connects the assist motive power source to an output member for transmitting the outputted torque of a main motive power source via a shift mechanism, and has a first torque correcting means (Step S7) for correcting the torque transmitted to the output member from the main motive power source in the shift by the shift mechanism.例文帳に追加

主動力源の出力したトルクが伝達される出力部材に、アシスト動力源が変速機構を介して連結されているハイブリッド駆動装置の制御装置であって、前記変速機構による変速中に前記主動力源から前記出力部材に伝達されるトルクを補正する第1トルク補正手段(ステップS7)を備えている。 - 特許庁

The controller for the hybrid drive, in which the assist power source is connected via the transmission mechanism to an output member to which the torque output from a main power source is transmitted, has a first torque correcting means (step S7) for correcting the torque transmitted from the main power source to the output member while a shift is made by the transmission mechanism.例文帳に追加

主動力源の出力したトルクが伝達される出力部材に、アシスト動力源が変速機構を介して連結されているハイブリッド駆動装置の制御装置であって、前記変速機構による変速中に前記主動力源から前記出力部材に伝達されるトルクを補正する第1トルク補正手段(ステップS7)を備えている。 - 特許庁

Since the surface of the polarizable electrode layer 18 is rolled in multiple step at first through fourth roll press portions 150-180, a high volume capacitance can be attained and since a portion becoming a lead-out electrode is flattened by rolling, deformation or creasing does not take place and joint of the lead-out electrodes can be made rigid when the capacitor electrodes are laid in multilayer.例文帳に追加

分極性電極層18の表面は、第1乃至第4のロールプレス部150乃至180によって多段に圧延されることから、高い体積容量を達成することができるのみならず、引き出し電極となる部分が圧延によって平坦化され、変形や皺もないので、キャパシタ用電極を多層化する場合に引き出し電極同士の接続を強固なものにすることができる。 - 特許庁

First, a cleaned crystal substrate 101 is heated at a specified temperature in a super high vacuum to invert the surface structure of the crystal substrate 101 to low-temperature phase of 7×7 structure from high-temperature phase of 1×1 structure, namely, to change separate state into bundled state of several steps (step 111).例文帳に追加

先ず、洗浄した結晶基板101に超高真空の中で所定の加熱処理を施し、結晶基板101の表面構造を高温相の1×1構造から低温相の7×7構造に転移させ、一本一本ばらばらの状態から数本のステップが束になった状態(ステップ111)へと変化させる。 - 特許庁

Further, the method has a step of transmitting a single standing instruction to the second communicating apparatuses (MS) so that the first communicating apparatus (BS) exchange the instruction among different transmitting characteristic indicators existent in a feedback window allocated to the second communicating apparatuses (MS) in the shared communicating frame.例文帳に追加

この方法は、第1の通信装置(BS)が、共有通信フレームで第2の通信装置(MS)に割り当てられているフィードバックウィンドウにある送信する異なる特性インジケータの間で交換するよう第2の通信装置(MS)へ単一のスタンディング・インストラクションを送信する段階を有する。 - 特許庁

The layout designing method makes preparations (second to twelfth steps) for making wiring corrections for eliminating a redundant via wiring rule violation place by changing the direction of a cell if a redundant via wiring rule is violated during detailed wiring (first steps), and then making the wiring corrections by changing the direction of the cell (thirteenth to fifteenth steps) and performing route update (sixteenth step).例文帳に追加

詳細配線(第1工程)で冗長ビア配線ルール違反が発生した場合、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消する配線修正を行うための準備(第2工程〜第12工程)を行い、その後、セルの向きを変更して配線修正を行い(第13〜第15工程)、経路更新を行う(第16工程)工程を用意する。 - 特許庁

A first method includes the step of positioning a cleaning medium close to the inkjet print head, determining a pressure for an inflatable bladder to apply against the cleaning medium, contacting the cleaning medium with the inflatable bladder with the determined pressure, and moving the cleaning medium relatively to the inkjet print head so as to clean the inkjet print head.例文帳に追加

第1の方法は洗浄媒体をインクジェット印字ヘッドに近接させて位置決めし、拡張型ブラダによって洗浄媒体に加える圧力を決定し、洗浄媒体を拡張型ブラダに求めた圧力で接触させ、洗浄媒体をインクジェット印字ヘッドに相対させて移動させることでインクジェット印字ヘッドを洗浄することを含む。 - 特許庁

According to this sensor element manufacturing method, since a pressurizing process is performed, after a punching arrangement process to arrange the solid electrolyte object 435 for a penetration hole 433 of the insulating member 405, step dimension between the solid electrolyte object 435 and the insulated member 405 in the boundary portion can be made smaller than thickness dimension of the electrodes (first electrode 404 and second electrode 406).例文帳に追加

本センサ素子製造方法によれば、絶縁部材405の貫通孔433に対して固体電解質体435を配置する打抜配置工程の後、加圧工程を実行することから、境界部分における固体電解質体435と絶縁部材405との段差寸法を電極(第1電極404および第2電極406)の厚さ寸法よりも小さくすることができる。 - 特許庁

The method for preparing the dispersion liquid of inorganic nanoparticles comprises a step of interposing a third dispersion medium having <3 absolute value of a solubility parameter value (SP value) difference between the second dispersion medium and the third dispersion medium when the first dispersion medium used for dispersing inorganic nanoparticles in the dispersion liquid of inorganic nanoparticles is replaced by the second dispersion medium.例文帳に追加

無機ナノ粒子を無機ナノ粒子分散液中に分散させている第1の分散媒を、第2の分散媒に置換する際に、該第2の分散媒に対して、溶解度パラメータ値(SP値)の差の絶対値が3より小さい第3の分散媒を介在させることを特徴とする無機ナノ粒子分散液の製造方法である。 - 特許庁

The gain of the second variable gain amplifier 33 is adjusted, and the step of stepwise gain control of the first variable gain amplifier 31 is switched with respect to the gain which exceeds the gain adjustment range of the second variable gain amplifier 33 in the gain control signal output circuit 34, so that a signal level in a fixed range can be input to the A/D converter 32.例文帳に追加

利得制御信号出力回路34では、第2の可変利得増幅器33のゲイン(利得)を調整する一方、第2の可変利得増幅器33のゲイン調整範囲を超えるゲインに対しては、第1の可変利得増幅器31の段階的利得制御のステップを切り替えることで、A/D変換器32には一定範囲内の信号レベルが入力される。 - 特許庁

The method includes a step for allowing the instruction of the first thread to perform access to a source operand from the register file of the second thread not to be executed when a synchronization indicator related to the source operand indicates that the producer calculation of the second thread is not terminated yet, and for executing the instruction when the synchronization indicator indicates the termination of the producer calculation in the second thread.例文帳に追加

この方法は、ソースオペランドに関連する同期インジケータが第2のスレッドのプロデューサ演算が終っていないことを示す場合、第2のスレッドのレジスタファイルからソースオペランドにアクセスする第1のスレッドの命令を実行しないようにし、同期インジケータが第2のスレッドのプロデューサ演算が終了したことを示す場合、命令を実行する段階を備える。 - 特許庁

The waveform converting layer 18 on the top surfaces of the semiconductor light emitting elements 16b, 16d configuring the second semiconductor element group has a thickness thinner by a thickness equivalent to a step difference h of the substrate 12 than that of the waveform converting layer 18 on the top surfaces of the semiconductor light emitting elements 16a, 16c configuring the first semiconductor element group.例文帳に追加

第2の半導体素子群を構成する半導体発光素子16b,16dの上面の波長変換層18は、基板12の段差hに相当する厚さだけ、第1の半導体素子群を構成する半導体発光素子16a,16cの上面の波長変換層18より薄い厚さを有している。 - 特許庁

Further, in cases where the ball bearing 86 is disposed on a second step part 84C, the switching plate 84 is slightly moved from the first position U1 to an upper side to be disposed on a second position U2, and the measurement stick 50 is pressed by the ball plunger 82C with a second pressing force P2 weaker than the force P1.例文帳に追加

また、ボールベアリング86が第2段部84C上に配置されているときには、押圧力切換プレート84は第1位置U1から僅かに上側へ移動して第2位置U2に配置され、測定スティック50はボールプランジャー82Cにより第1押圧力P1よりも弱い第2押圧力P2で押圧される。 - 特許庁

An FFT circuit 100 comprises; a first FFT processing section 110 which performs (M-1) steps of FFT processing to two parallel 2^M-1 digital signals; a second FFT processing section 120 which performs (N-M+1) steps of FFT processing to 2^N digital signals; and a third FFT processing section 130 which performs one step of FFT processing to 2^Mdigital signals.例文帳に追加

FFT回路100は、2つの並列した2^M−1個のデジタル信号に対して(M−1)段のFFT処理を行う第1のFFT処理部110と、2^N個のデジタル信号に対して(N−M+1)段のFFT処理を行う第2のFFT処理部120と、2^M個のデジタル信号に対して1段のFFT処理を行う第3のFFT処理部130とを有する。 - 特許庁

In a first step, objects to be measured such as two zinc plating steel plates 1a, 1b respectively formed with the films on their surfaces are prepared, an elastic conductive material 10 is interposed between two zinc plating steel plates 1a, 1b as the objects to be measured, and a spacer 11 for regulating a gap between two zinc plating steel plates 1a, 1b is also interposed.例文帳に追加

第1のステップで、測定対象物、例えば表面に膜が形成された亜鉛めっき鋼板1a,1bを2枚用意して、これら2枚の亜鉛めっき鋼板1a,1bを測定対象物として2枚の亜鉛めっき鋼板1a,1bで伸縮可能な導電性材料10を挟むとともに、2つの亜鉛めっき鋼板1a,1bの間隔を規制するスペーサ11を挟む。 - 特許庁

Since a precursor which becomes a nuclear of a deposit is formed in the first step low temperature heat treatment and the precursor is made grown in the deposit in the second strep high temperature heat treatment, deposition is advanced finely and quickly in spite of low Ca content of 0.06 mass% or lower, the grid having the highest strength is obtained and deformation during active material coating can be prevented.例文帳に追加

第1段階の低温熱処理で析出物の核となる前駆体を生成させ、第二段階の高温熱処理で前駆体を析出物に成長させるので析出が微細に且つ迅速に進み、Caの含有量が0.06質量%以下と低いにも係わらず、高強度の基板が得られ、活物質塗布時の変形が防止できる。 - 特許庁

The vacuum pump system for the laminating apparatus is configured in such a way that: a water seal type vacuum pump and an oil seal type vacuum pump are arranged as the vacuum pump for evacuating an upper chamber and a lower chamber, the evacuation step is divided into two stages, and the water seal type vacuum pump is used in the first stage and the oil seal type vacuum pump is used in the second stage.例文帳に追加

ラミネート装置用の真空ポンプシステムを、上チャンバと下チャンバを真空引きする真空ポンプとして水封式真空ポンプおよび油回転式ポンプを配置し、真空引きの工程を2段階に分け、一段目の真空引きにおいては水封式真空ポンプを使用し、二段目の真空引きの工程は油気回転式真空ポンプを使用する構成とした。 - 特許庁

Then the second gate-level logical data generated through the logic synthesis in the step S12 is outputted (S13) and rewiring processing is performed by using a dummy cell which is not used in the original first gate-level logical data existing on a mask layout in accordance with a change in connected relation after logic is changed in addition to an originally arranged basic cell (S14).例文帳に追加

処理S12の論理合成処理で合成されて生成された第2のゲートレベルの論理データの出力(S13)により、元々配置されている基本セルに加え、論理変更後の接続関係の変更に応じマスクレイアウト上に存在する元の第1のゲートレベルの論理データで使用しないダミーセルも用いて再配線処理を行う(S14)。 - 特許庁

In one embodiment, the method includes a step of providing the mutually interconnected structure, including at least one interconnect layer having a dielectric, at least one conductor, and a first cap layer; and causing the dielectric to contract to form the gas dielectric structure, by exposing the interconnection structure to radiation.例文帳に追加

一実施形態では、本方法は、誘電体と、少なくとも1つの導体と、第1のキャップ層とを有する少なくとも1つの相互接続層を含む相互接続構造を設けること、および相互接続構造を放射にさらすことによって、誘電体を収縮させて気体誘電体構造を形成することを含む。 - 特許庁

A first method comprises steps of: successively reading bits defining a data set from different parts of the disk; continuously error correcting the bits to validate at least a part of the data set read from the disk; and terminating reading upon successful validation of the data set by the error correcting step.例文帳に追加

第1の方法は、ディスクの異なる部分から、データ・セットを形成するビットを連続的に読み出すステップと、ビットを連続的に誤り訂正して、ディスクから読み出されるデータの少なくとも一部を確認するステップと、誤り訂正ステップによってデータ・セットの確認に成功すると読出しを終了するステップとから成る。 - 特許庁

The method includes a signal characterization step, in the course of which Np detection windows Dj (for j=1 to Np) encompassing predetermined time chips are examined by performing correlations over the detection windows Dj of a received signal with at least a first and second sinusoidal signals S1, S2.例文帳に追加

本発明による方法は、信号特徴付けステップを含み、その過程で、所定の時間チップを包含するNp個の検出窓Dj(j=1〜Npについて)は、少なくとも第1の正弦波信号および第2の正弦波信号S1およびS2と、受信信号との上記検出窓Djにわたる相関付けを実施することによって調査される。 - 特許庁

In the second step, the cold spray device 30 jets second copper powder 42 having a particle diameter R2 greater than the particle diameter R1 of the first copper powder, and smaller than a dimension V2 from the surface of the underlayer 21 to an interface between the aluminum film 12 and the silicon layer 11, and thereby a thick film layer 22 is formed overlaid on the underlayer 21.例文帳に追加

第2工程では、コールドスプレー装置30が、第1銅粉末の粒径R1より大きく且つ下地層21の表面からアルミ膜12とシリコン層11との境界面までの寸法V2より小さい粒径R2の第2銅粉末42を噴射することにより下地層21に重ねて厚膜層22を形成する。 - 特許庁

When the first oxide layer to be polished has topographic variation, a topography reducing step using the fixed abrasive and an aqueous liquid medium containing a polyelectrolyte may be performed as part of the polishing method, including the reduction of the topography variation (height difference) extended to the oxide layer provided on a substrate before performing this thickness reducing method.例文帳に追加

最初の酸化物層がトポグラフィの変動を有する場合には、基板上の酸化物層に渡るトポグラフィの変動(高さの差)の量の低減を含む研磨方法の少なくとも一部に関して、固定研磨剤と高分子電解質を含有する水性液体媒質とを使用するトポグラフィ低減工程を、本発明の厚さ低減手法に先行させてもよい。 - 特許庁

The initial setting module 55 acquires a step-like evaluation in compliance with single stimulation through a first evaluation function 62 thereby determining the range of the rendering information and then acquires an evaluation of possibility for the user in compliance with alternatives through a second evaluation function 64 thereby selecting the rendering information 29 for each user.例文帳に追加

初期設定モジュール55は、第1の評価機能62により、単一刺激法に準じて段階的な評価を取得し、それによりレンダリング情報の範囲を定め、次に、第2の評価機能64により、二者択一法に準じてユーザの可否の評価を取得し、ユーザ毎のレンダリング情報29を選択する。 - 特許庁

A manufacturing method of an organic electroluminescent element which includes a first electrode, luminescent layer and second electrode in this order comprises the step of, after luminescent layer formation, forming a layer corresponding to the upper layer of the luminescent layer after heat treatment of the luminescent layer after elapse of six hours or more after forming the luminescent layer.例文帳に追加

第一の電極、発光層、及び第二の電極をこの順に設けてなる有機電界発光素子の製造方法であり、該発光層形成後、6時間以上経過後に該発光層に対して加熱処理を施した後、該発光層の上層にあたる層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

A method for measuring the film thickness of an active layer 6a for an SOI substrate 6 constituted by interposing an oxide film 6c between the active layer 6a and a support substrate 6b comprises the step of first setting an analyzing wavelength range so as to remove a wavelength to become the 'node' in which the interference is weakened by reflected lights on both surfaces of the film 6b.例文帳に追加

活性層6aと支持基板6bとによって酸化膜6cを挟み込んで構成されたSOI基板6に対し、活性層6aの膜厚を測定する膜厚測定方法において、まず、酸化膜6bの両面での反射光により、干渉が弱められた「節」となる波長を除くように解析波長領域を設定する。 - 特許庁

The oscillating cam is formed in a slender raindrop shape, and has lamp sections 42b and 43b having long travel distance rolling and contacting with first and second follower surfaces 35a and 35b, and a stopper member 39 that abuts on a step surface 36b of the bracket if necessary and regulates over turning of the oscillating cam, is fixed to the end of the cam shaft.例文帳に追加

この揺動カムは、細長い雨滴状に形成されて、第1,第2フォロア面35a、35bに対して転接するトラベル量の長いランプ部42b、43bを有していると共に、前記カム軸の端部にブラケットの段差面36bに適宜当接して揺動カムの過回動を規制するストッパ部材39が固定されている。 - 特許庁

The first step is carried out by applying a coating liquid X for the undercoat layer containing conductive particles, a binder and a solvent onto the collector wherein the viscosity of coating liquid for the undercoat layer is 0.15-0.75 Pa s and the weight ratio (P/B) of conductive particles (P) and binder (B) is 20/80-40/60.例文帳に追加

第1の工程は、導電性粒子、バインダー及び溶媒を含むアンダーコート層用塗布液Xを集電体上に塗布することによって行い、アンダーコート層用塗布液の粘度は0.15〜0.75Pa・sであり、導電性粒子(P)とバインダ(B)の重量比(P/B)は20/80〜40/60である。 - 特許庁

In the first step S100, an operation performed by a passenger staying inside the parked vehicle, for example, a work of repeating on-off operation three times for a manual switch 11 is checked whether it is the same as the operation memorized in the memory 10 in advance, if it is found to be not the same, then the flowchart is ended.例文帳に追加

最初のステップS100では、車両駐車中に車室内に残された乗員が行う動作、例えば、マニュアルスイッチ11のオンオフ動作を3回繰り返し行う動作が、予めメモリ10に記憶された動作であるか否かが判断され、否定判断された場合は本フローチャートを終了する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a first process (steps 30 to 32) of sealing up the semiconductor chips requiring burn-in with resin to package them and making the packaged semiconductor chips undergo burn-in, and a second process (step 36) of mounting the semiconductor chips which are judged non-defective in burn-in on a board together with the semiconductor chips requiring no burn-in.例文帳に追加

バーインの必要な半導体チップを樹脂封止してパッケージ化し、このパッケージ化された半導体チップにバーンインを行なう工程(ステップ30〜32)と、バーインにおいて良品と評価された半導体チップを、バーイン不要な半導体チップと共に基板上に搭載する工程(ステップ36)とを有する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming patterns MK having a step with respect to a primary surface of a semiconductor substrate SUB, on the primary surface; forming a first semiconductor layer PS1 containing a semiconductor material above the patterns MK; forming a second semiconductor layer PS2 containing a semiconductor material above the first semiconductor layer PS1; and forming resist patterns RS above the second semiconductor layer PS2.例文帳に追加

半導体基板SUBの主表面上に、主表面に対して段差を有するパターンMKが形成される工程と、パターンMK上に、半導体材料を含む第1の半導体層PS1が形成される工程と、第1の半導体層PS1上に、半導体材料を含む第2の半導体層PS2が形成される工程と、第2の半導体層PS2上にレジストパターンRSが形成される工程とを備えている。 - 特許庁

The reasons for refusal in terms of novelty and inventive step, etc. were notified by referring to a prior art document in the first notice of reasons for refusal and an amendment against it was made. In this case, the reasons for refusal should be notified using other new prior art document on a claim which was not amended, where it is discovered that the previous reason for refusal on the claim was not appropriate after taking the written opinion into account. 例文帳に追加

一回目の拒絶理由通知で、先行技術文献を引用して進歩性欠如等の拒絶理由を通知したところ、これに対する補正がなされた場合において、補正がなされなかった請求項について、意見書の内容を勘案した結果、先の拒絶理由が妥当でなかったと判断し、異なる新たな先行技術文献を引用しなおして拒絶理由を通知する場合 - 特許庁

User equipment (UE) receives a first wireless signal of a high speed shared control channel (HS-SCCH), containing: an N-bit field containing an N-bit cyclic redundancy check (CRC) modulo 2 combined with an N-bit UE identity; and information indicating at least one high speed downlink shared channel (step 4).例文帳に追加

2を法としてNビットのUE識別に加算されたNビットの巡回冗長チェック(CRC)を含んでいるNビットフィールド及び少なくとも一つの高速ダウンリンク共有チャンネルを示す情報を含んでいる高速共有制御チャンネルの無線信号をユーザ装置(UE)により受信する(ステップ4)。 - 特許庁

This method has the steps of: polishing a dummy wafer by the polishing cloth, while supplying a polishing agent including free abrasive grains; and measuring an absorbance and the number of particles of the used polishing agent which has been used and recovered in this polishing, and also has the first evaluation step of evaluating the state of the polishing cloth by use of the absorbance and the number of particles obtained by the measurement.例文帳に追加

遊離砥粒を含む研磨液を供給しながら、研磨布でダミーウェーハを研磨し、この研磨で使用し回収された使用済み研磨液の吸光度およびパーティクル個数を測定するステップと、前記測定により得られた吸光度およびパーティクル個数を用いて、前記研磨布の状態を評価する第一評価ステップとを具えることを特徴とする。 - 特許庁

例文

When an absolute value of the difference (AD0-AD2) between the output voltages is smaller than the first threshold Vtr1, it is determined that the finger or the like of the person does not touch the touch pad, and proceeding to a step S11, it is determined which of an offset in a second output voltage AD1 and an offset in the third output voltage AD2 is smaller than the other.例文帳に追加

出力電圧差(AD0−AD2)の絶対値が第1の閾値Vtr1より小さい場合には、人の指等がタッチされなかったと判断し、ステップS11に進み、第2の出力電圧AD1のオフセットと第3の出力電圧AD2のオフセットのどちらが小さいかを判断する。 - 特許庁

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