「diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises the diffusion step of diffusing the data Di over a plurality of components Ctj (j=1 to M), and the equalization step of multiplying each of the components Ctj (j=1 to M) with an equalization value Wi(j)^* representing a communication status within the communication channel Chi therein.例文帳に追加

その方法は、データＤｉを複数の成分Ｃｔｊ（ただしｊ＝１〜Ｍ）にわたって拡散するための拡散ステップと、等化ステップであって、その等化ステップにおいて、各成分Ｃｔｊ（ただしｊ＝１〜Ｍ）が通信チャネルＣｈｉ内の通信状態を表す等化値Ｗｉ（ｊ）^＊と掛け合わされる、等化ステップとを含む。 - 特許庁

To improve hygroscopicity while raising a mechanical strength in a barrier insulating film or a main insulating film on it, and to further reduce a dielectric constant, and particularly to provide a film depositing method and a semiconductor device which can further reduce a specific dielectric constant while especially maintaining a copper diffusion preventing function in the barrier insulating film.例文帳に追加

バリア絶縁膜やその上の主絶縁膜において機械的強度を高めるとともに、吸湿性を改善し、かつ、更なる低誘電率化を図ること、特にバリア絶縁膜では銅拡散防止機能を維持しつつ、比誘電率を更に低減させることができる成膜方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the method by which a base metal steel sheet containing <4 wt.% Si is subjected to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession to produce a high silicon steel sheet, the having treatment is performed in an atmosphere satisfying the following inequality and at the temperature rising rate of ≥50°C/min at a temp of ≥500°C.例文帳に追加

Si：4wt％未満の母材鋼板に対して、加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次行い、高けい素鋼板を製造する方法において、前記加熱処理を下式を満足する雰囲気中でかつ500℃以上での昇温速度が50℃／min以上となるように加熱する。 - 特許庁

According to this method, the necessary change of a circuit is effected through a single layer of all wiring layers, and a desired wiring correction for changing chip version is effected by wiring layers necessary for the correction of mask accompanied by the addition of a function or the correction of bug whereby the shortening of the diffusion period of time and the reduction of expense for the mask are realized.例文帳に追加

これにより、所望の回路変更を全ての配線層の単一層のみで行うことができ、機能追加やバグ修正に伴うマスク修正に必要な配線層のみで、チップバージョンを変更する所望の配線修正が行え、拡散期間の短縮、マスク費用削減が実現できる。 - 特許庁

To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

To provide an asymmetric thermoelectric module and a manufacturing method of the same, that can prevent diffusion of a semiconductor element and prevent deterioration due to aging by forming auxiliary layers for both sides of a semiconductor element to improve the thermoelectric performance and eliminate the defect caused by contact crack.例文帳に追加

半導体素子の両側に融点の異なった補助層を形成して熱電性能を向上させ、接点クラックによる不良を改善し、時間経過による劣化を防止するうえ、半導体素子の拡散を防止することができるようにする、非対称熱電モジュールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of removing contamination due to impurities and physical damages onto the surface of a semiconductor substrate before crystal growth or on the surface of a semiconductor before regrowth, with a minimum change in shape, without inducing the diffusion of impurities or crystal defects in an original semiconductor layer.例文帳に追加

もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加

イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のＴＥＤ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）現象を最大限抑え、アウトガス（ガス抜け）による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, method for manufacturing an active layer of the thin film transistor, and a display device for minimizing deterioration of semiconductor properties of a polycrystalline semiconductor layer due to density difference of metal catalysts even if a silicon layer is formed to the polycrystalline semiconductor layer by using diffusion of the metal catalysts.例文帳に追加

金属触媒の拡散を利用してシリコン層を多結晶半導体層に形成しても、金属触媒の濃度差によって多結晶半導体層の半導体特性が低下することを最少化する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置を提供する。 - 特許庁

This gas diffusion layer is filled with a conductive agent including boron denaturation carbon black in a fiber porous base material and only having one peak in an Log differential pore volume distribution graph measured by a mercury intrusion method and that peak exists within a range of a pore diameters of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、繊維多孔質基材にホウ素変性カーボンブラックを含む導電剤が充填されているガス拡散層であり、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁

The junction wafer inspection method includes the steps for diverging a laser beam (S100); diffusing the diverged laser beam by a laser diffusion means (S200); irradiating the junction wafer with a diffused laser beam (S300); and detecting the laser beam with which the junction wafer is irradiated and which is transmitted therethrough (S400).例文帳に追加

接合ウェハ検査方法は、レーザービームを発散するステップ（Ｓ１００）、発散されたレーザービームがレーザー拡散手段によって拡散されるステップ（Ｓ２００）、拡散されたレーザービームが接合ウェハに照射されるステップ（Ｓ３００）、及び、接合ウェハに照射されて透過されるレーザービームを検出するステップ（Ｓ４００）を含む。 - 特許庁

To provide an adhesion method of various adherends, using a 2-cyanoacrylate-based adhesive composition, which is substantially free from the diffusion of formaldehyde from adherend to the environment without injuring performances such as quick-curing property, stability and adhesive property, which are inherent in a 2-cyanoacrylate-based adhesive composition itself.例文帳に追加

本発明の目的は、２−シアノアクリレート系接着剤組成物自体の速硬化性、安定性や接着性といった性能を損なわずに被着物から空間内に放散されるホルムアルデヒドが実質的に皆無となる２−シアノアクリレート系接着剤組成物を用いた各種被着体の接着方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for obtaining a primary composite for manufacturing a Nb_3Al superconductive wire rod wherein wire disconnection is hardly generated until the diameter is reduced by surface reduction working, consequently, diffusion length of aluminum in Nb can be shortened in manufacturing the Nb_3Al superconductive wire rod by the jelly roll process.例文帳に追加

Ｎｂ_３Ａｌ系超電導線材をジェリーロール法によって製造するにあたり、減面加工により細径化するまで断線が生じ難く、結果としてＮｂ中へのＡｌの拡散距離を短くすることのできるＮｂ_３Ａｌ系超電導線材製造用一次複合材を得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide simple measuring technique based on an electrophoretic method of histamine capable of measuring histamine in a specimen simply and rapidly with high reliability and electrophoretic technique capable of performing the sharp color development even of a thin specimen soln. and preventing the diffusion of spots to measure a large number of specimens at the same time by one migration filter paper.例文帳に追加

試料中のヒスタミンを簡易、迅速に信頼性高く測定できるヒスタミンの電気泳動法による簡易測定技術を提供し、併せて薄い試料液であっても鮮明に発色させ、スポットの拡散を防止して１枚の泳動用ろ紙で多数の検体を同時に測定できる電気泳動技術を提供する。 - 特許庁

A film formation method for forming a Cu film on a substrate to be treated comprises a first process of forming a contact film on the Cu diffusion prevention film formed on the substrate to be treated, and a second process of forming the Cu film on the contact film containing Pd.例文帳に追加

被処理基板上にＣｕ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に密着膜を形成する第１の工程と、前記密着膜上にＣｕ膜を成膜する第２の工程と、を有し、前記密着膜はＰｄを含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same, in which diffusion of carriers in a double-hetero-structure is suppressed by reducing defects of the double-hetero-structure to uniform an in-plane carrier concentration distribution, thereby manufacturing a light emitting element having small variance in light emission lifetime and a long lifetime.例文帳に追加

ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fire power auxiliary tool for a stove burner and its manufacturing method capable of not only preventing diffusion of heat by flame from a burner portion but also promoting complete combustion of the flame at the burner portion, obtaining sufficient fire power even though the supply amount of a fuel is small, and considerably saving the fuel.例文帳に追加

バーナー部からの火炎による熱の放散を防ぐだけでなく、バーナー部における火炎の完全燃焼化を促進して、燃料の供給量が少量であっても十分な火力を得ることができ、もって燃料の大幅な節約を可能とするコンロ用火力補助具とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

This method for producing the synthesis gas is characterized by composing a pair of apparatus walls so as to have a temperature difference in which either one thereof is a higher temperature and the other is a lower temperature, oppositely arranging the apparatus walls, forming a reactional space between the apparatus walls, using the resultant thermal diffusion reactional tube, reacting the methane with the carbon dioxide and obtaining the synthesis gas.例文帳に追加

一対の器壁を、その一方が高温に他方が低温となる温度差を有するように構成して対向させて配置し、その器壁間に反応空間を形成させてなる熱拡散反応管を用いて、メタンと二酸化炭素を反応させて合成ガスを得ることを特徴とする合成ガスの製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solid polyelectrolyte membrane-assembly superior in power generation durability by improving joining strength between a catalyst layer containing a protonic acid group containing aromatic polymer which is formed on both faces of the solid polyelectrolyte membrane and a gas diffusion layer joined on the catalyst layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両面に形成されたプロトン酸基含有芳香族系ポリマーを含む触媒層と、該触媒層上に接合されたガス拡散層との間の接合強度を向上させ、発電耐久性に優れた固体高分子膜−電極接合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method for suppressing the diffusion to a semiconductor substrate of nitrogen for suppressing the punch-through of conductive impurities introduced into a gate electrode, while suppressing the punch-through to the semiconductor substrate of the conducive impurities and suppressing the deterioration of transistor characteristics.例文帳に追加

ゲート電極中に導入された導電性不純物の半導体基板への突き抜けを抑止しつつ、当該導電性不純物の突き抜けを抑止するための窒素の半導体基板への拡散をも抑止してトランジスタ特性の劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy brazing sheet using a 6XXX series alloy as a core material, in which diffusion of a brazing material upon brazing is suppressed so as to achieve satisfactory brazing, and which has excellent strength by performing a suitable aging treatment after the brazing, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

心材に６ＸＸＸ系合金を用いたアルミニウム合金ブレージングシートにおいて、ろう付時のろう拡散を抑制して良好なろう付けを実現し、且つろう付後に適切な時効処理を施すことにより優れた強度を有するアルミニウム合金ブレージングシート、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device in which the thickness of electroless Ni-P plating of circuit patterns is not thick as the film, and the diffusion of Ni in the Ni-P plating into solder is restrained, and which has high reliability and can be manufactured with high yield, and to prove a manufacturing method of the power semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、回路パターンの無電解Ｎｉ−Ｐめっきの厚さを厚膜化することなくＮｉ−Ｐめっき中のＮｉがはんだ中に拡散することを抑制し、かつ、信頼性および歩留まりを高めることができる電力半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resin composition suitable for production of biochips, with which a resin composition layer excellent in diffusion controllability of an acid generated by exposure can be formed and various kinds of polymers can be stably and accurately formed with high density on a substrate even when exposure amount is low, and to provide a method for producing biochips by using the composition.例文帳に追加

露光により発生した酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成でき、露光量が少ない場合であっても基板上に多種類の高分子を高密度、かつ安定して正確に形成できるバイオチップの製造に適した樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

In a method for preventing diffusion of toxic substances, coal ash 1' or a matter 1 or 11 mainly comprising the coal ash 1' is used as a cover soil auxiliary material in a waste disposal site 2, thereby fixing toxic substances generated from waste 4 to the coal ash 1' or the material 1 or 11.例文帳に追加

石炭灰類１’又は石炭灰類１’を主原料とした物１又は１１を廃棄物処分地２において覆土助材として使用することにより、廃棄物４から発生する有害物質を石炭灰類１’又は上記物１又は１１に固定することを特徴とする方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chip LED light emitting body by which there is no inconvenience in fitting of a reflection housing to a printed wiring board, there is no fear of damaging a packaging component in the case of fitting in addition, and charging work of an optical diffusion lens to the reflection housing is carried out properly and simply.例文帳に追加

プリント配線基板に対し反射用ハウジングの取付け不便が一切無い許かりでなく、取付け時に実装部品を毀損させる虞れもなく、しかも反射用ハウジングへの光拡散レンズ部の充填作業を適正簡易に実行し得るチップＬＥＤ発光体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

As for the manufacturing method, a composite is constituted which is composed of laminating a boron (B) layer so as to contact a magnesium (Mg)-lithium (Li) alloy layer, and after processing this to a wire shape or a tape shape, the magnesium boride (MgB_2) superconducting layer is formed by heat-treating this at a diffusion reaction temperature of magnesium (Mg) and boron (B).例文帳に追加

製造方法は、マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）合金層と接触する形でボロン（Ｂ）層を積層してなる複合体を構成し、これを線状あるいはテープ状に加工した後、マグネシウム（Ｍｇ）とボロン（Ｂ）の拡散反応温度で熱処理することによって二硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）超伝導層を生成させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an NdFeB-based rare earth magnet where diffusion processing of Nd-Cu is performed after atomization processing, at least one kind of Al, Zr and Nb is added to the raw material of an NdFeB-based rare earth magnet.例文帳に追加

ＮｄＦｅＢ系希土類磁石を製造する際に、細粒化処理後に、Ｎｄ−Ｃｕの拡散処理を行なう製造方法において、上記ＮｄＦｅＢ系希土類磁石の原料に、Ａｌ、ＺｒおよびＮｂの少なくとも１種を添加することを特徴とするＮｄＦｅＢ系希土類磁石の製造方法。 - 特許庁

There are provided a polysiloxane composition including (A) a polysiloxane, and (B) a compound having a nitrogen-containing heterocyclic structure and at least one selected from a polar group and an ester group, and a method for forming a pattern using a resist underlayer film obtained from a polysiloxane composition having an acid diffusion-controlling agent.例文帳に追加

（Ａ）ポリシロキサン、並びに（Ｂ）窒素含有複素環構造と、極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種とを有する化合物を含むことを特徴とするポリシロキサン組成物と、酸拡散制御剤を有するポリシロキサン組成物から得られるレジスト下層膜を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for a polymer electrolyte fuel cell with gas diffusion properties having a slanted distribution in a thickness or a film face direction against a polymer electrolyte membrane with mechanical strength maintained, and with a high effective utilization factor of catalyst, and to provide its manufacturing method and a polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

機械的強度を保ちつつ、高分子電解質膜に対して厚さ方向または膜面方向にガス拡散性が傾斜分布を持ち、触媒の有効利用率が高い固体高分子型燃料電池用電極触媒層、その製造方法および固体高分子型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration.例文帳に追加

拡散防止膜パターン１２の形成された半導体基板１０上にｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜を形成した後で、ｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜に追加的にプラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙイオンを注入してｉｍｐｕｒｉｔｙ濃度を高める。 - 特許庁

The method for plating the surface of a recessed space with a metal comprises immersing a workpiece 2 such as a printed wiring board having a recessed space in a plating liquid, and performing the plating while generating an MHD flow 4 by the Lorentz force and a micro-MHD flow 5 at the boundary area 3 of a diffusion layer by applying a magnetic filed 1 with an arbitrary intensity.例文帳に追加

凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 - 特許庁

To provide a calcium aluminate clinker which can be produced by a general-purpose method which suppresses a steep rise in the production cost and has an excellent fast hardening property and easy grain refining by pulverization, and a quick hardening material and a quick hardening admixture material for injection which can form firm foundation without spots and without causing the elution diffusion of heavy metals.例文帳に追加

製造コストの高騰を抑えた汎用の方法で製造でき、高い速硬性を有し、且つ粉砕による細粒化が容易なカルシウムアルミネートクリンカ及び速硬材並びに重金属の溶出拡散を起こさずに強固な地盤を斑無く形成できる注入用速硬性混和材を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of simply measuring the diffusion speed of an organic solvent component, which is based on a volatile organic compound (VOC), from a coating film because the reduction of the volatile organic compound diffused from the coating after the coating of a building material or the like with coating is required in recent years from the problem of a residential environment.例文帳に追加

近年、住環境の問題より建材等に塗料を塗装後の塗膜から放散する揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の低減が求められており、揮発性有機化合物の主成分である有機溶剤成分の塗膜からの放散速度を簡便に測定できる方法を提供すること。 - 特許庁

The method further includes a step of depositing by wire-arc spray a NiCrAIY bonding coat (48) overlying a roughened surface (46) of the diffusion aluminide coating (42) and contacting the roughened surface (46), and a step of applying a ceramic thermal barrier coating (50) overlying a bond coat (48) and contacting the bond coat (48).例文帳に追加

本方法はさらに、ワイヤアーク溶射によって、拡散アルミナイド皮膜（４２）の粗面（４６）を覆いかつ該粗面（４６）に密着させてＮｉＣｒＡｌＹボンディングコート（４８）を堆積させるステップと、ボンディングコート（４８）を覆いかつ該ボンディングコート（４８）に密着させてセラミック断熱皮膜（５０）を施工するステップとを含む。 - 特許庁

The protective film for a thin film device formed on an upper part of a substrate comprises at least a first layer as a hydrogen diffusion protecting layer formed on the side of the thin film device, and a second layer formed by a CVD method or sputtering to which hydrogen is introduced in depositing the film.例文帳に追加

基板上部に形成される薄膜素子のための保護膜であって、薄膜素子側に位置する水素拡散防止層としての第一層と、前記第一層の上部にＣＶＤ法または成膜時に水素を導入したスパッタ法により形成された第二層とを少なくとも有することを特徴とする保護膜。 - 特許庁

As a method for judging cooking time of instant food such as instant noodle for having after pouring hot water, color change of pigment including paper 2, which includes base ion or acid ion dissociated from alkali including paper or acid including paper 3 owing to steam, in a specific time by diffusion effect is used.例文帳に追加

熱湯を注いで食する即席麺などのインスタント食品の調理時間を判断する方法として、水蒸気でアルカリ含浸紙あるいは酸含浸紙３から塩基イオンあるいは酸イオンが解離して色素含浸紙２に含浸し、拡散効果により所定時間で色素含浸紙２が変色されることを利用する。 - 特許庁

A detecting element 21 of the hydrogen sensor is made up in the form like a round rod and composed of a porous layer 27, inner electrodes 29, 30, a solid electrolyte layer 28, outer electrodes 31, 32, a gas diffusion layer 33 and a fine layer 34, which are formed on the outer circumference side of a heater section 22 by using a curved surface printing method or the like.例文帳に追加

水素センサの検出素子２１は、ヒータ部２２の外周側に曲面印刷等の手段を用いて形成された多孔質層２７、内側電極２９，３０、固体電解質層２８、外側電極３１，３２、ガス拡散層３３および緻密層３４からなり、全体として円形のロッド状をなす構造とする。 - 特許庁