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diffusion methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3044件
In the processing method in which a planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on an anodically oxidized aluminum substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is subjected to at least development after exposure, a developing solution used contains an alkaline earth metal and glycerol or polyglycerol.例文帳に追加
陽極酸化されたアルミニウム支持体に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光後少なくとも現像処理する方法において、該現像液がアルカリ土類金属と、グリセリンまたはポリグリセロールを含有することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁
The method for developing a planographic printing plate having physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer and applying a silver complex salt diffusion transfer process, is characterized in that the plate surface of the planographic printing plate is coated with an amino acid-containing developing solution.例文帳に追加
陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の現像処理方法において、アミノ酸を含有する現像液を前記平版印刷版の版面上に塗布する事を特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁
After a protective film 6 has been formed on the first insulation film 4 in the DRAM circuit region 11 and on the logic circuit region 12, except a prescribed region 51 of the diffusion layer 5 formed on the periphery of a specified gate electrode 3a, a silicide layer 7 is formed above the prescribed region 51 by salicide method.例文帳に追加
DRAM回路領域11に形成された第1の絶縁膜4上と、所定のゲート電極3aの周辺に形成された拡散層5の所定領域51を除いたロジック回路領域12上に、保護膜6を形成した後、所定領域51の上部にシリサイド層7をサリサイド法により形成する。 - 特許庁
To provide a vacuum carburization method and a vacuum carburizing apparatus which achieve the uniform temperature between a surface and the inside of a workpiece in the high-temperature treatment even when the progression of carburization and diffusion is accelerated to shorten the treatment time by increasing the treatment time, and which provide the workpiece having the predetermined physical properties by suppressing the coarsening of crystal grains.例文帳に追加
処理温度を高くすることにより浸炭及び拡散の進行を速めて処理時間を短縮した場合にも、高温処理による被処理物の表面と内部との間における温度の均一化を図るとともに、結晶粒の肥大化を改善して所定の物性値をもつ被処理物を得る。 - 特許庁
The heating air rotation guiding injection device 20 is disposed around the after burner for burning a high-temperature combustible gas while rotating in a direction opposite to the spiral within the diffusion type fire blast nozzle of diffusion type spiral heating air mixing method.例文帳に追加
焼却炉3、回転式火台4、拡散型超高温熱分解火墳出口1と超高温アフターバーナー2、加熱空気回転誘導噴射装置20などを内部構造として設け、拡散型超高温熱分解火墳出口1と、超高温アフターバーナー2と、拡散型螺旋加熱空気混合方法の拡散型火墳出口で螺旋の反対方向に高温の可燃性ガスが回転しながら燃焼するアフターバーナーの周りに装置された加熱空気回転誘導噴射装置20等を主要な特徴としている拡散型螺旋加熱空気混合方法のPCB超高温焼却熱分解炉。 - 特許庁
A pseudo halftoning section performing pseudo halftoning of input image data and generating output image data employs a pseudo halftoning method having no specified periodic structure, e.g. an error diffusion method, wherein a relation D<Lp is satisfied assuming Lp is the length of one pixel being calculated based on the resolution and D is the beam diameter of irradiating light on a photosensitive drum.例文帳に追加
入力画像データに擬似中間調処理を施して出力用画像データを生成する擬似中間調処理部が、特定の周期構造を持たない誤差拡散法などの擬似中間調処理方法によって擬似中間調処理を行なうものであり、解像度に基づいて算出される1画素の長さをLpとし、感光体ドラム1上での照射光のビーム径をDとしたとき、D<Lpを満たす。 - 特許庁
In the plate-making method for the lithographic printing plate by applying and developing 60 ml or less liquid developer per 1 square meter to the printing surface of the lithographic printing plate for a silver salt diffusion transfer method, the liquid developer contains a compound expressed by a general formula (1) given below, and also contains at least one compound selected from propylene glycol, dipropylene glycol, and tripropylene glycol.例文帳に追加
銀塩拡散転写法平版印刷版の版面に1平方メートル当たり60ml以下の現像液を塗布して現像する平版印刷版の製版方法において、該現像液が下記一般式(1)で表される化合物を含有し、かつプロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールから選ばれる化合物の少なくとも一つを含有することを特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁
To appropriately select a compression ratio for performing operation at a high compression ratio to improve heat efficiency or ignitability of fuel during operation of diffusion combustion method, while suppressing the compression ratio to prevent occurrence of knocking during operation of premixed combustion method, in a dual fuel engine, while suppressing complication of cylinder head structure and complication of a control, with simple structure.例文帳に追加
デュアルフューエルエンジンにおいて、予混合燃焼方式の運転時にはノッキングの発生防止のために圧縮比を抑制しつつ、拡散燃焼方式の運転時には熱効率や燃料の着火性の向上のためにより高い圧縮比で運転することができるような適切な圧縮比の選択を、シリンダヘッド構造の複雑化および制御の複雑化を抑えて簡単な構造で達成することを課題とする。 - 特許庁
To provide a structure for an organism-enclosed bioreactor to suppress diffusion of enclosed organisms from a reaction system of the bioreactor to outside of the system while facilitating inward and outward transfer of materials of the bioreactor by controlling the size of the inner space of a porous structure, and to provide the organism-enclosed bioreactor and a method for producing the bioreactor.例文帳に追加
多孔質構造体における内部空間の大きさを制御してバイオリアクターの内外の物質移動を容易としながらも封入した生物体がバイオリアクターの反応系からその外部へ拡散することを低減した生物体封入バイオリアクター用構造物及び生物体封入バイオリアクター、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加
デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加
半導体レーザ素子1の製造方法では、SiH_4を熱分解して得られるSi原子41を予め吸着させることにより、埋込層13の初期成長において、半導体基板11の一面及び半導体メサ部12の側面に、高不純物濃度のSiドープInPによる拡散防止層31を形成する。 - 特許庁
The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.例文帳に追加
また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第IV族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁
The method includes the steps of: (a) preparing the substrate formed from an intermetallic alloy; (b) depositing gold on the surface of the substrate to be protected; and (c) annealing the substrate having the gold coating under a controlled condition so as to induce limited diffusion of gold at the surface to be protected.例文帳に追加
本発明による方法は、a)金属間化合物合金で形成された基材を調製する操作、b)保護する前記基材表面上に金を堆積する操作、c)保護する前記表面への制限された金の拡散を生じさせるために、前記金被膜を備える前記基材に、制御された条件で焼きなましを施す操作を含む。 - 特許庁
The method comprises the steps of forming a number of micro grooves 1 having an aspect ratio of one or more, forming and heat treating a polysilicon layer 31 doped in high concentration on an inside wall of the groove 1, forming a diffusion layer 32 to be becoming a drain region, forming trenches 101, 102 by removing silicon pillars 4, and filling the trenches 101, 102 by an insulating film 33.例文帳に追加
アスペクト比が1以上の微小な溝1を多数形成し、この溝1内壁に高濃度にドープされたポリシリコン層31を形成して、熱処理し、ドレイン領域となる拡散層32を形成し、シリコン柱4を除去することでトレンチ101、102を形成し、このトレンチ101、102内を絶縁膜33で埋める。 - 特許庁
To provide an air diffuser which can optionally deflect the direction of an air bubble flow to be formed by a jet, merely by making a simple remodeling of an air diffusion pipe and also, can optionally adjust the magnitude of the membrane rocking motion and significantly enhance the cleaning effect of the membrane surface, as well as a method of operating the air diffuser and a dipping type membrane separator with the air diffuser.例文帳に追加
散気管に簡単な改良を加えるだけで、噴射流により形成される気泡流の方向を任意に偏向させることができ、膜の揺動の大きさを任意に調整することができ、膜面の洗浄効果を著しく高めることができる散気装置、その運転方法及び同散気装置を備えた浸漬型膜分離装置を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which can form a barrier insulating film, having sufficient performance for preventing the diffusion of copper and can form a main insulating film having a sufficiently low dielectric constant, while improving the throughput, when the barrier insulating film and the main insulation film on it are sequentially formed on wiring which is mainly constituted of a copper film.例文帳に追加
銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜とその上の主絶縁膜とを順に形成する場合、スループットの向上を図りつつ、銅の拡散を防止するために十分な性能を有するバリア絶縁膜と、十分に低誘電率を有する主絶縁膜とを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electrically and mechanically stable laminated ceramic electronic part by preventing variations in composition due to diffusion of constitutive elements, warping, delamination and deterioration of strength of a substrate due to difference of thermal expansion coefficient or sintering behavior among the layers when burning a laminate made of different composite layers, and its manufacturing method.例文帳に追加
異なる組成を有する材料を積層して焼成するときに起こる構成元素の拡散による組成変動と、熱膨張係数や焼結挙動の違いによる基板の反り、層間剥離、機械的強度の低下を抑制して電気的、機械的に安定な積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
A method for forming a Cu wiring film on a TiN film for diffusion barrier, after the TiN is formed, includes an annealing step of heating a base film to a temperature of 200-500°C in a vacuum state without exposing the base film to the atmosphere after a step of forming the base film between the steps of forming the TiN film and the Cu wiring film.例文帳に追加
このCu配線膜形成方法は、拡散バリア用TiN膜を成膜し、TiN膜の上にCu配線膜を成膜する方法であり、TiN膜の成膜工程とCu配線膜の成膜工程の間に下地膜の成膜工程後大気にさらすことなく真空一貫の状態で200〜500℃の温度で加熱するアニール工程を設ける。 - 特許庁
To provide a strong light guide film having a simple structure, capable of brightly diffusing light from a light source without unevenness in a wide range and with uniform luminance even if a light diffusion sheet is not used, used for obtaining a beautiful image on a liquid crystal, and excelling in durability, and to provide a method of easily manufacturing the light guide film with a good yield.例文帳に追加
簡易な構造で丈夫であり、光拡散シートを用いなくとも、光源からの光を広範囲で均一な輝度となり、明るくてむら無く拡散させることができ、液晶上で綺麗な映像を得るのに用いられる耐久性に優れた導光フィルム、及び簡便かつ歩留まり良く製造できる導光フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁
In quantization processing in an error diffusion method, a peripheral element, where dots are formed among already quantized peripheral elements in the neighborhood of a pixel under consideration is detected, and the dot formation of the position of the target pixel is limited under the consideration of the density value of the peripheral element before it is quantized, the density value of the pixel under consideration, and a distance between both the elements.例文帳に追加
本発明は、誤差拡散法による量子化処理において、注目画素近傍の既に量子化された周辺画素のうちドットが形成されている周辺画素を検出し、その周辺画素の量子化される前の濃度値と注目画素の濃度値と両画素間の距離とを考慮し、注目画素位置のドット形成に制限を加える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can suppress remaining of an oxide layer on a surface layer of a conductive pattern, suppresses an increase in dielectric constant of a surface layer of an insulating film, and also suppresses a decrease in adhesiveness between the insulating film and a diffusion preventive film when SiOH, SiCOH, or an organic polymer is used for the insulating film.例文帳に追加
SiOH、SiCOH、又は有機ポリマーを絶縁膜として使用した場合に、導電パターンの表層に酸化層が残ることを抑制でき、絶縁膜の表層の比誘電率が上昇することを抑制でき、かつ絶縁膜と拡散防止膜の密着性が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an epock-making brazing method not generating a bias in the penetration of titan or a titan alloy composing element into a molten Ti-Zr series brazing material or diffusion of the Ti-Zr series brazing composing element, even in jointing structure after brazing, and capable of drastically enhancing the jointing strength, and a brazing material suitable therefor.例文帳に追加
溶融したTi−Zr系ロウ材へのチタン又はチタン合金構成元素の溶け込みやTi−Zr系ロウ材構成元素のチタン又はチタン合金への拡散に偏りを生ずることがなく、ロウ接後の接合組織が均一で接合強度を大幅に向上させることができる画期的なロウ接方法と、それに適したロウ材を提供すること。 - 特許庁
In the method of manufacturing the material for the gas diffusion electrode, (1) a porous body formed of continuous and discontinuous PTFE fine fiber and having three-dimensional continuous fine pores is made hydrophilic, (2) slurries containing the conductive material are infiltrated into and adhered to the porous body made hydrophilic, and (3) the porous body with the conductive material adhered is put under heat treatment.例文帳に追加
ガス拡散電極用材料の製造方法では、(1)連続及び不連続なPTFE微細繊維で形成され三次元連続微細孔を有する多孔質体を親水化し、(2)親水化した多孔質体に、導電性材料を含有するスラリーを浸透、付着させ、(3)導電性材料を付着させた多孔質体を熱処理する。 - 特許庁
The method for producing a compound oxide containing lithium by firing a precursor of the compound oxide containing lithium, is characterized in that a metallic material plated with Al, preferably diffusion plated with Al, is used in the part to be contacted with the precursor during firing.例文帳に追加
リチウム含有複合酸化物の前駆体物質を焼成してリチウム含有複合酸化物を製造する方法において、焼成中に該前駆体物質が接触する部分に、Alのメッキ処理、好ましくは、Alの拡散メッキ処理を施した金属材料を用いることを特徴とするリチウム含有複合酸化物の製造方法に関する。 - 特許庁
To provide a search method of a novel barrier material for a semiconductor integrated circuit device composed of a metal of relatively low cost or an intermetallic compound containing the metal, and having the excellent effect of suppressing copper diffusion similarly to a conventional ruthenium barrier material, with no problem in terms of supply performance.例文帳に追加
従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。 - 特許庁
The planographic printing material includes at least a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer successively layered on a support and employs a silver complex diffusion transfer method, wherein the physical development nucleus layer or at least one layer adjacent thereto contains gum arabic having an ash content of 1 mass% or less.例文帳に追加
支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於いて、該物理現像核層もしくは、これに隣接する少なくとも一層に、灰分が1質量%以下のアラビアゴムを含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁
In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁
In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.例文帳に追加
銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝TR1を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層16を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属17aを含むシード層を形成する。 - 特許庁
In an image processing method of drawing image data of resolution in subpixel units on a display screen where pixels consisting of subpixels of R, G and B are arranged longitudinally and laterally successively by using subpixels of R, G and B, values of respective subpixels to be displayed are determined by performing error diffusion processing for the image data and pixel display is made with the determined subpixel values.例文帳に追加
RGBそれぞれのサブピクセルからなるピクセルを縦横に連続して配置した表示画面に、サブピクセル単位の解像度をもつ画像データをそのサブピクセルを用いて描画する画像処理方法において、上記画像データに対して誤差拡散処理を行って表示すべき各サブピクセル値を決定し、決定したサブピクセル値によりピクセル表示を行う。 - 特許庁
To provide variant fine particles satisfactorily responding to advancement of demand in recent years such as further enhancement of optical characteristics such as total ray transmittance and light diffusion properties in a resin composition, further enhancement of feeling of usage, soft focus properties, concealment properties, durability and the like in cosmetics, to provide a method for producing the same and to provide its use.例文帳に追加
樹脂組成物においては全光線透過率及び光拡散性等の光学特性の一層の向上、また化粧料においては使用感、ソフトフォーカス性、隠蔽性及び持続性等の一層の向上等、近年における要求の高度化に充分に応えることができる異形微粒子、その製造方法及びその用途を提供する。 - 特許庁
[1] The cotton fabric treatment method imparts the water diffusion promoting ability to a cotton fabric used in direct contact with skin by attaching a glyceryl ether compound (A) to the cotton fabric in an amount of 0.1-50 mass% based on the mass of the cotton fabric.例文帳に追加
〔1〕下記一般式(1)で表されるグリセリルエーテル化合物(A)を、肌と直接触れる木綿布に、該木綿布の質量あたり0.1〜50質量%付着させて、該木綿布に水拡散促進能を付与する木綿布の処理方法、及び〔2〕前記グリセリルエーテル化合物(A)を含有する、肌と直接触れる木綿布に水拡散促進能を付与する水拡散促進剤である。 - 特許庁
To provide the in-situ cleaning method of contaminated soil and contaminated underground water for reliably preventing diffusion of soil gas including a volatile organic compound (contaminant), making gas treatment equipment for treating the soil gas unnecessary and performing the in-situ cleaning of the soil and underground water contaminated with the volatile organic compound.例文帳に追加
揮発性有機化合物(汚染物質)を含む土壌ガスの拡散を確実に防止し、且つ土壌ガスを処理するためのガス処理設備を不要にして、揮発性有機化合物で汚染された土壌及び地下水を原位置で浄化処理することを可能にする汚染土壌及び汚染地下水の原位置浄化処理方法を提供する。 - 特許庁
The method does not disrupt the coverage of the deposited trench diffusion barrier in a line opening that is located atop the via opening, and/or does not introduce damages caused by creating a gouging feature at the bottom of the via opening by sputtering into the interconnect dielectric material that includes the via and line openings.例文帳に追加
本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び/又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。 - 特許庁
An alloy powder production method in which rare earth metal-containing alloy powder is produced by the reduction diffusion reaction of rare earth metal oxide, the other metal and a reducing agent to be heat-generated by hydrogenation or nitriding, is provided with a step of heating the rare earth metal oxide, the other metal, and the reducing agent in a hydrogen atmosphere or a nitrogen atmosphere.例文帳に追加
希土類金属酸化物と、他の金属と、水素化又は窒化によって発熱する還元剤との還元拡散反応によって、希土類金属を含む合金粉末を製造する合金粉末製造方法に、前記希土類金属酸化物、他の金属及び還元剤を、水素雰囲気又は窒素雰囲気中で加熱する工程を備える。 - 特許庁
To provide a fuel cell capable of achieving miniaturization of a cell of the fuel cell by omitting a gas passage layer while burr and cut pieces generated at a pre-processing stage are canceled without damaging a gas diffusion layer and lessening a size of the fuel cell where fuel cell cells are laminated, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
ガス拡散層を傷めることなく、前加工段階で生じ得るバリや切断片等を解消しながら、ガス流路層を省略して燃料電池セルの体格縮小化を実現でき、もって該燃料電池セルが積層された燃料電池の体格の縮小化を図ることのできる燃料電池と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for carburizing and quenching a workpiece to be treated of a steel component is characterized by transferring the treated workpiece through a carburization process or a diffusion process to a temporary cooling process, a re-heating process, a quenching process, or the like, with a transferring unit which is kept under such a reduced pressure that the above workpiece is not oxidized or decarbonized.例文帳に追加
鋼部品を被処理品とする浸炭焼入れ工程において、浸炭拡散工程、あるいは拡散工程が終了した被処理品を、前記被処理品が酸化、あるいは脱炭しない程度の減圧下に保持された搬送ユニットを介して、一時冷却工程、再加熱工程、焼入れ工程等へ移送する浸炭焼入れ方法。 - 特許庁
To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加
オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる150μm以下の薄いウェハ(半導体基板)の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁
This pretreatment method for the magnesium alloy member comprises contacting the magnesium alloy member with a metal powder, heating the metal powder and the magnesium alloy member contacted with the metal powder, and etching the surface of the magnesium alloy member by the solid state diffusion of magnesium in the magnesium member contacted with the metal powder into the metal powder.例文帳に追加
マグネシウム合金部材の前処理方法は、マグネシウム合金部材を金属粉末と接触させ、金属粉末とこの金属粉末に接触したマグネシウム合金部材とを加熱し、金属粉末と接触したマグネシウム部材のマグネシウムを金属粉末へ固体拡散することによって、マグネシウム合金部材の表面をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁
Otherwise, this method comprises a first film forming process to form an alloy film mainly formed of copper to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the alloy film, and a copper film heat treatment process to execute the heat treatment of the alloy film.例文帳に追加
また、半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、銅を主成分とする合金膜を成膜する第1の成膜工程と、合金膜上に酸素拡散防止膜を形成する第2の成膜工程と、合金膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁
To provide a diffusion situation prediction device for a diffusive substance capable of predicting efficiently an elaborate air current field around the periphery of an event generation place as the center, even in an event incapable of specifying the place in advance, capable of shortening a processing time, and capable of making the device compact, a method therefor, and a program.例文帳に追加
事前に場所の特定ができないような事象に対しても、その事象発生場所周辺を中心とした緻密な気流場を効率よく予測を行うとともに、処理時間の短縮および装置の小型化を図ることのできる拡散物質の拡散状態予測装置及びその方法並びにプログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silver halide photographic sensitive material for making a lithographic printing plate by exposing a photographic sensitive material having a silver halide emulsion, subjecting the material to development (other than silver complex salt diffusion transfer development) and subjecting it to lipophilizing processing, whereby an undeveloped silver halide image area is selectively lipophilized to impart ink receptivity.例文帳に追加
本発明はハロゲン化銀乳剤を有する写真感光材料を露光し、現像処理(銀錯塩拡散転写現像を含まない)後、親油化処理を施し、未現像のハロゲン化銀像部を選択的に親油化しインキ受容性にした平版印刷版とするためのハロゲン化銀写真感光材料の製造方法に関する。 - 特許庁
A method for manufacturing the membrane electrode assembly includes the steps of: (a) forming a catalyst layer on the surface of the electrolyte membrane; (b) moistening with water the electrolyte membrane on which the catalyst layer is formed; and (c) heat-joining a diffusion layer to the catalyst layer under the environment where the contraction percentage of the electrolyte membrane becomes 3% or less.例文帳に追加
本発明の膜電極接合体の製造方法は、(a)電解質膜の表面に、触媒層を形成する工程、(b)触媒層が形成された電解質膜を、水で湿潤させる工程、(c)触媒層の上に、拡散層を、電解質膜の収縮率が3%以下となる環境下で、熱接合する工程を有する。 - 特許庁
To provide an organic polymer composition which can match the thermal characteristics and birefringence of the core portion of an optical waveguide with those of its clad portion, can reduce the diffusion of light, can easily control refractive index, and can more simply form the optical waveguide at a lower cost in high accuracy, and to provide a method for producing an optical waveguide.例文帳に追加
光導波路のコア部とクラッド部の熱的特性及び複屈折性を一致させるとともに、光の散乱損失が低く、屈折率の制御が容易であり、さらには、より簡便かつより低コストで高精度に光導波路を形成することが可能な有機高分子組成物及び光導波路並びに光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁
A lithographic printing plate which contains physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum supporting body and a silver halide emulsion layer and which utilizes a silver complex salt diffusion transfer method is exposed, developed and then treated with a processing liquid containing at least one compound in fluorides of metals selected from titanium, zirconium, zinc and hafnium.例文帳に追加
陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光、現像処理後に前記平版印刷版を、チタン、ジルコニウム、亜鉛及びハフニウムの中から選ばれる金属のフッ化物の中の少なくとも1つの化合物を含む処理液で処理する。 - 特許庁
The method for manufacturing the printed wiring board 108 includes a step of forming a wiring pattern 106 with a metal diffusion preventing layer 103 on the conductive frame 101 by electrolytic plating, a step of forming an insulating layer 107 on a wiring layer forming surface of the conductive frame 101, and a step of removing the conductive frame 101.例文帳に追加
導電性フレーム101上に、電解めっきにより、金属拡散防止層103が形成された配線パターン106を形成する工程と、前記導電性フレーム101の配線層形成面に絶縁層107を形成する工程と、前記導電性フレーム101を除去する工程とを含むプリント配線板108の製造方法。 - 特許庁
Also in a manufacturing method of the assembled camshaft, the shaft 2 processed in designated dimensions by drawing of spheroidize-annealed high carbon content chromium bearing steel material a cam lobe 3 of a compact moulding in designated dimensions formed from sintered alloy powder are made, and the cam lobe 3 is assembled on the shaft 2 and is diffusion-jointed.例文帳に追加
また、組立式カムシャフトの製造方法は、高炭素クロム軸受鋼鋼材を球状化焼き鈍し処理し、その後引き抜き加工して所定の寸法に加工したシャフト2と、焼結合金粉末を圧粉成形して所定の寸法の圧粉成形体に形成したカムロブ3とを作製し、カムロブ3をシャフト2に組み付け、それらを拡散接合して製造する。 - 特許庁
To provide a method for forming a fine metallic pattern of a semiconductor element, based on a damascene technique which can ensure broad width of a metallic layer for improving the operational speed of the element and can easily control steps by etching only the metal layer without etching the metallic layer, anti-diffusion layer and bonding layer at the same time.例文帳に追加
金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜,拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of jointing an electrode and a separator without impregnating a bonding material into the electrode unnecessarily, because the bonding material is impregnated into the electrode, gas diffusion in the electrode is obstructed, and battery performance is deteriorated if the electrode and the separator is jointed by applying bonding material for the reduction of a contact resistance between the electrode and the separator.例文帳に追加
電極とセパレータ間の接触抵抗を低減するため、接合材を電極に塗布して電極とセパレータを接合すると、接合剤が電極内に染み込み、電極内の反応ガス拡散を疎外し電池性能を低下させるので、電極内に不要に接合材を染み込ませることなく電極とセパレータを接合する製造方法を提供する。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a copper oxide film 21 only on the surface of wiring 15 embedded in an interlayer insulating film 12 and composed of copper or a copper alloy; selectively removing the copper oxide film 21; and forming the cap film 31 which prevents the diffusion of copper only on areas from which the copper oxide film 21 is removed.例文帳に追加
層間絶縁膜12に埋め込まれた銅もしくは銅合金からなる配線15の表面のみに酸化銅膜21を形成する工程と、酸化銅膜21を選択的に除去する工程と、酸化銅膜21を除去した領域のみに銅の拡散を防止するキャップ膜31を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
In the manufacturing method of a gas diffusion electrode 34 used in the fuel cell, supporting plates 32, 32 are arranged on both sides of a porous PTFE sheet 30 consisting of a porous polytetra-fluoro-ethylene film having 3-dimensional structure in which carbon particles of slurry shape are immersed, then, after setting this porous PTFE sheet 30 on a press machine 33, it is pressurized from both sides.例文帳に追加
燃料電池に使用されるガス拡散電極34の製造方法において、スラリー状の炭素粒子を浸漬させた三次元構造を有する多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜からなる多孔質PTFEシート30の両面に支持板32、32を配置した後、この多孔質PTFEシート30をプレス機33にセット後、その両面から加圧する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
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