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first memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5590件
In a first pipe line stage, words to be retrieved with prescribed bits are extracted from input data in a predetermined clock cycle, and the words to be retrieved are encoded by the second distance index, and outputted to the associative memory core 13.例文帳に追加
第1パイプラインステージにおいて、入力データから所定ビットの被検索ワードを所定のクロックサイクルで抽出し、この被検索ワードを第2の距離指標で符号化して連想メモリコア13へ出力する。 - 特許庁
Thus, the second surface of the original is read and is stored in the page memory even during the printing of the first surface of the recording sheet, so that both-side printing of the original recorded on both sides is efficiently executed.例文帳に追加
これにより、記録シートの第1の面の印字中であっても、原稿の第2の面を読み取ってページメモリに記憶させることができて、両面記録された原稿の両面印字を効率的に行うことができる。 - 特許庁
The first position information response device 112 also acquires position information from the position information memory device 111 in response to the inquiry about the position information be be acquired from an information inquiry device 411 and returns the information.例文帳に追加
また、第一位置情報応答装置112は、情報問い合わせ装置411から、取得したい位置情報の問い合わせを受けて位置情報記憶装置111から位置情報を取得し返信する。 - 特許庁
When the module is uninstalled from the first computer system and is inserted into a second computer system, the running image of the OS is loaded to an accessable second memory inside the second computer system, and is executed by a processor.例文帳に追加
上記モジュールが第1コンピュータ・システムから取り外され、第2コンピュータ・システムに挿入されると、OSのランニング・イメージが、第2コンピュータ・システム内のアクセス可能な第2メモリにロードされ、プロセッサによって実行される。 - 特許庁
When receiving a request from a first device, by analyzing the received request, the transfer device 1 specifies an address range to include an address of the memory in which target data of requested processing is stored.例文帳に追加
また転送装置1は、要求を第一の装置から受信した場合には、受信した要求を解析し、要求された処理の対象となるデータが格納されたメモリアドレスを内包するアドレス範囲を特定する。 - 特許庁
The packaging substrate has a double-layer conductive pattern structure, has signal wiring patterns and power supply wiring patterns 300-307 for connecting the memory device to the data processing device on the first surface, and has a ground pattern on a second surface.例文帳に追加
前記実装基板は2層の導電パターン構造を有し、第1面にはメモリデバイスとデータ処理デバイスを接続する信号配線パターンと電源配線パターン(300〜307)を有し、第2面にはグランドパターンを有する。 - 特許庁
The memory chip packaged in the package is tested with the internal test pattern (the first test mode) generated in the logic chip or the external test pattern (the second test mode) supplied from the outside according to the mode select signal.例文帳に追加
パッケージに実装されたメモリチップは、モード選択信号に応じて、ロジックチップ内で発生する内部試験パターン(第1試験モード)または外部から供給される外部試験パターン(第2試験モード)を使用して試験される。 - 特許庁
The display driving circuit (30) displays on a display panel (100), display data (DL) stored in the first memory (10) based on display quality specifying information (W1) specifying display quality of the display panel (100).例文帳に追加
表示駆動回路(30)は、表示パネル(100)の表示品位を特定する表示品位特定情報(W1)に基づいて、第1メモリ(10)に格納される表示データ(DL)を表示パネル(100)に表示する。 - 特許庁
In the multiport SRAM memory cell, an access transistor N3 of a first port is disposed inside a p-type well PW0, and an access transistor N6 of a second port is disposed inside a p-type well PW1.例文帳に追加
本発明のマルチポートSRAMメモリセルでは、第1ポートのアクセストランジスタN3はp型ウェルPW0内に配置されており、かつ第2ポートのアクセストランジスタN6はp型ウェルPW1内に配置されている。 - 特許庁
Each sub-control gate line SCG is connected commonly to first and second control gates 106A, 106B being adjacent in the row direction B out of two twin memory cells 100 of each row being adjacent in the row direction B.例文帳に追加
各サブコントロールゲート線SCGは、行方向Bで隣合う各行の2つのツインメモリセル100のうち、行方向Bで隣接する第1,第2のコントロールゲート106A,106Bにそれぞれ共通接続される。 - 特許庁
The battery container 69 is arranged at the side section of the memory card container 66, and a battery 111 is inserted into and pulled out from the opening provided in the second end face 68 continued to the first end face 65 of the above housing 8.例文帳に追加
バッテリー収納部69は、メモリーカード収納部66の側部に配置されていて、前記筐体8の第1の端面65に連続する第2の端面68に設けた開口部からバッテリー111を挿抜する。 - 特許庁
The color heat-sensitive recording sheet 10 is conveyed in a printing direction, the main scanning direction position of the side end edge is sequentially detected from a first line 10b of the recording area 10a, and its detection result is sequentially recorded in a data memory.例文帳に追加
カラー感熱記録紙10を印画方向に搬送し、記録エリア10aの第1ライン10bから順に側端縁の主走査方向位置を検出し、その検出結果を順次データメモリに記録する。 - 特許庁
The memory device includes a list of grown defect that identifies a plurality of data sectors stored along a track between the first servo wedge and the second servo wedge on a selected track as data sectors which may not be written to.例文帳に追加
メモリ装置は、選択されたトラック上の第1サーボウェッジと第2サーボウェッジ間のトラックに沿って記憶された複数のデータセクタを書き込み不能なデータセクタとして特定するための後発欠陥のリストを含む。 - 特許庁
METHOD, PROGRAM AND SYSTEM FOR PERFORMING COMMUNICATION BETWEEN FIRST AND SECOND HOST SYSTEMS IN DATA PROCESSING SYSTEM (SYSTEM AND METHOD FOR COMMUNICATION BETWEEN HOST SYSTEMS USING SOCKET CONNECTION AND SHARED MEMORY)例文帳に追加
データ処理システム内で第1のホスト・システムと第2のホスト・システムとの間で通信するための方法、プログラム、およびシステム(ソケット接続および共用メモリを使用するホスト・システム間の通信のためのシステムおよび方法) - 特許庁
Image data in PDL data are held in a first image memory 103, after being interleaved in a PDL rasterizer 102 and is combined with patterned accessory information by an output image data generation part 107 and is outputted.例文帳に追加
PDLデータ内の画像データはPDLラスタライザー102でインタープリトされた後に第1の画像メモリ103に保持され、出力画像データ形成部107でパターン化された付属情報と合成されて出力される。 - 特許庁
To provide a deep trench type capacitor manufacturing method removing an oxide remaining in a gap, guaranteeing electric connection of first and second conductive layers and improving validity of a single memory cell, that is an yield of products.例文帳に追加
隙間に残留の酸化物を除去し第1と第2の伝導層の電気的接続が保証され単一記憶セルの有効性即ち製品の良品率を向上させる深トレンチ型キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁
In addition, output of the memory 14 is connected with a sub-band division filer 15 which performs sub-band division in the vertical direction at the first stage, processing similar to the sub-band division in the horizontal direction is performed and the high frequency components are outputted to the outside.例文帳に追加
また、メモリ14の出力を、第1段目の縦方向のサブバンド分割を行うサブバンド分割フィルタ15に接続し、横方向のサブバンド分割と同様の処理を行い、高周波成分を外部に出力させる。 - 特許庁
Because the first and second select gates are self-aligned in a spacer configuration on both sidewalls of the stacked gate structure, it is enabled to decrease the area of the memory cell, thereby improving the degree of integration of the device.例文帳に追加
前記第1及び第2選択ゲートがスペーサ形態で前記積層ゲート構造の両側壁に自己整列されるので、メモリセルの大きさを減らすことができるので、素子の集積度を向上させることができる。 - 特許庁
Further, for a period when an iris drive motor 26 generates noise, the memory 62 stores sound picked up by the first microphone 42 located to pick up less noise of the iris drive motor 26 than the other microphone.例文帳に追加
また、アイリス駆動モータ26が騒音を発生している期間には、アイリス駆動モータ26の騒音を最も集音しないように配置された第1マイクロホン42が集音した音声をメモリ62に記憶させる。 - 特許庁
At first that didn't matter too much, since memory modules and disks came in sizes that were powers of two, so everyone knew that in such contexts "kilobyte" and "megabyte" meant 1024 and 1048576 bytes, respectively. 例文帳に追加
当初はこのことはあまり大きな問題ではなかった。 なぜならメモリモジュールやディスクは 2 の累乗になるものだったので、皆そのようなところでは「キロバイト」を 1024 バイト、「メガバイト」を 1048576 バイトであるとみなしていたからである。 - JM
The peripheral circuit section 100 contains circuits for selectively writing or reading-out information in and from the memory cells, for example, a first driving circuit 50, a second driving circuit 52, and a signal detecting circuit 54.例文帳に追加
周辺回路部100は、メモリセルに対して選択的に情報の書き込みもしくは読み出しを行うための回路、例えば第1駆動回路50,第2駆動回路52および信号検出回路54を含む。 - 特許庁
The controller 5 controls the multiplexer 9 so that the data is multiplexed at a ratio corresponding to the bit rate using encoding bit rate information of encoding data from the first accumulation memory 4 and the video encoder 3.例文帳に追加
このとき、制御器5は、第1の蓄積メモリ4とビデオ符号化器3からの符号化データに対する符号化ビットレート情報から、ビットレートに応じた比率で多重化するように多重化器9を制御する。 - 特許庁
The method of manufacturing a ferroelectric memory device includes a step of forming a conductive base layer above a substrate and a step of stacking a first electrode, a ferroelectric film, and a second electrode above the base layer.例文帳に追加
基板の上方に導電性の下地層を形成する工程と、下地層の上方に第1電極と強誘電体膜と第2電極とを積層する工程と、を含む強誘電体メモリ装置の製造方法である。 - 特許庁
Since the context parameter of the syntax element decoded in the first half is evacuated from the arithmetic register to the evacuation register, CABAC decoding processing is progressed without performing load processing or store processing into a main memory 300.例文帳に追加
また、前半に復号されるシンタックス要素のコンテキスト変数は、演算レジスタから退避レジスタに退避されるため、メインメモリ300へのロード処理またはストア処理を行うことなくCABAC復号処理が進められる。 - 特許庁
A processor 6 provided on a torque wrench body displays an inspection torque value on a second display 9 and inspection time on a first display 8, and stores the inspection time corresponding to the inspection torque value in a memory 31.例文帳に追加
トルクレンチ本体に設けた処理装置6は、第2表示部9に検査トルク値を表示させ、第1表示部8に検査時刻を表示させ、メモリ31に検査トルク値に対応させて検査時刻を記憶する。 - 特許庁
If the value indicates a number of clock cycles N that is less than a threshold number, the memory device transfers data associated with a first address between the signaling interface and the data buffer during each of the N cycles of the clock signal.例文帳に追加
この値が、閾値数未満であるクロックサイクル数Nを示す場合には、メモリ装置は、クロック信号のNサイクルのそれぞれの間に、信号インタフェースとデータバッファとの間で、第1のアドレスに関連するデータを転送する。 - 特許庁
A first program for updating the firmware, a second program for starting an information processor including a memory and a third program for receiving the firmware from the outside of the information processor are stored in the area 206.例文帳に追加
この領域206には、ファームウェアを更新する第1のプログラム、メモリを含む情報処理装置を始動する第2のプログラム、および情報処理装置の外部からファームウェアを受信する第3のプログラムが記憶される。 - 特許庁
Then, the condition of the servo system with respect to the rotation speed and reproduction laser power in the case of reproducing data from the optical disk is obtained from the first and second conditions stored in the memory by calculation and set.例文帳に追加
そして、該光ディスクからデータを再生する際の回転速度と再生用レーザパワーに対するサーボ系の条件を、上記メモリに記憶している第1及び第2の条件から演算で求めて設定する。 - 特許庁
The memory means (203 and 204) are so constituted that the signals inputted from the first microphone (103) and the signals inputted from the second microphone (102) are memorized in the respectively separate channels.例文帳に追加
好適な実施形態によれば、前記記憶手段(203,204)は、前記第1のマイクロホン(103)から入力された信号と前記第2のマイクロホン(102)から入力された信号とをそれぞれ別のチャネルに記憶する。 - 特許庁
The magnetic random access memory includes a transistor which has a gate electrode 11a located above a surface of a substrate 1 and a first and second impurity diffusion regions 13a, 12 interposing a channel region below the gate electrode between them.例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリは、基板1の表面の上方に設けられたゲート電極11aと、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む第1、第2不純物拡散領域13a、12とを有するトランジスタを含む。 - 特許庁
The semiconductor memory device is arranged on an inner face of a trench formed in a semiconductor substrate 1, and contains first insulating films 12, 14 having upper faces located at a height beyond the height of the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板1内に形成されたトレンチの内面上に配設され、且つ上面が半導体基板の表面の高さ以上の高さに位置する第1絶縁膜12、14を含む。 - 特許庁
The integrated circuit comprises a core circuit, and an I/O circuit fitted with an array of single poly-nonvolatile memory cells each comprising a first transistor 201 connected in series with a second transistor 202.例文帳に追加
集積回路はコア回路と、単一ポリ不揮発性メモリーセルのアレイがはめ込まれた入出力回路とを含み、各単一ポリ不揮発性メモリーセルは第二トランジスター202と直列接続される第一トランジスター201を具える。 - 特許庁
A combination of the first and second conductive paths in the connected condition and the non-connected condition gives the bit condition of a standard signature word, and gives an address data to a memory construct and generates a consequential signature word.例文帳に追加
結合状態及び非結合状態にある第一及び第二導電性経路の組合わせが基準シグナチャワードのビット状態を与え、メモリ構成体へのアドレスデータを与え且つ結果的シグナチャワードを発生する。 - 特許庁
When a shutter operation is performed during the compression processing, photographic processing of a second frame is performed by interrupting the compression processing of the YC data of the first frame and the obtained YC data are recorded in the free area of the internal memory.例文帳に追加
圧縮処理中にシャッタ操作が行われると、1コマ目のYCデータの圧縮処理を中断して2コマ目の撮影処理を行い、得られたYCデータが内部メモリの空き領域に記録される。 - 特許庁
On the other hand, if the lightness of the selected pixel value is smaller than the threshold value, each usage of a first coloring material group and each usage of a second coloring material group are stored in the memory in association with the selected pixel value.例文帳に追加
一方、選択画素値が表す明度が閾値よりも小さい場合は、第1の色材群のそれぞれの使用量、第2の色材群のそれぞれの使用量、を選択画素値と対応付けてメモリに格納する。 - 特許庁
The memory space control device 10 is provided with a defective address storing table unit 12, a replacement address storing table unit 13, a first address coincidence/noncoincidence detecting circuit 11, and an address information selecting circuit 14.例文帳に追加
メモリ空間制御装置10は、不良アドレス格納テーブルユニット12と、置換アドレス格納テーブルユニット13と、第1のアドレス一致/不一致検出回路11と、アドレス情報選別回路14とを少なくとも備えている。 - 特許庁
Light receiving light amount data of the light receiving parts 52B, 53B and 54B in a state that the second adjustment holders 62, 63 and 64 are arranged in the body 51 of the first adjustment holder 50 are stored to a temporary storage memory 97 as a reference value.例文帳に追加
第2調整治具62,63,64が第1調整治具50の本体部51に配置された状態での受光部52B,53B,54Bの受光光量データを基準値として一時記憶メモリ97に記憶する。 - 特許庁
When the information in the first nonvolatile memory 3 is rewritten, a control part 4 fixes one end of the power wiring 10 to the wire connection part 6 with a fixing part 7 from the beginning of the rewriting until the end of the rewriting.例文帳に追加
第1不揮発メモリ3の情報の書換えに際しては、制御部4が、書換え開始から書換え終了までの間、固定部7によって、電力配線10の一端を配線接続部6に固定させる。 - 特許庁
The first printing means M2 acquires read data from the memory 13 in the order of the read data of the last original read by the reading portion M to perform one-sided printing on printing paper, and ejects the printing paper with the printed side upward.例文帳に追加
第1印刷手段M2は、読取部M1が最後に読取った原稿の読取データから順にメモリー13から取得して印刷用紙に片面印刷し、印刷された面を上向きにして排出する。 - 特許庁
An updating method communicates with outside equipment 101 by an interface control program at first, acquires an interface control program part of a new control program, and substitutes to a memory region 116 storing equipment control program.例文帳に追加
まず、インターフェース制御プログラムにより外部機器101と通信を行い、新しい制御プログラムのインターフェース制御プログラム部分を取得し、機器制御プログラムが格納されているメモリ領域116へ上書きを行う。 - 特許庁
When read operation and verify operation are performed separating them two times to reduce a peak current, first, read operation and verify operation of a memory transistor selected by the word line WL1_i are started.例文帳に追加
ピーク電流を低減させるために、2回に分けてリード動作およびヴェリファイ動作を行う場合、まず、ワード線WLl_iによって選択されるメモリセルトランジスタの、リード動作およびヴェリファイ動作を開始する。 - 特許庁
The second distribution processing part changes the effective information stored in the first memory part when a change operation about the exit station is performed and distributes the changed effective information to a ticket gate machine in the changed exit station.例文帳に追加
第2の配信処理部は、出場駅を変更操作がある場合、第1の記憶部により記憶されている有効情報を変更し、変更後の有効情報を変更後の出場駅の改札機に配信する。 - 特許庁
A nonvolatile memory (4), in which stored information is rewritable, is provided with drivers (33R1 to 33Rn) which drive word lines by reading operations and a first power supply circuit (39A) which supplies operating power to the drivers.例文帳に追加
不揮発性メモリ(4)は記憶情報の書き換えが可能であり、読み出し動作でワード線を駆動するドライバ(33R1〜33Rn)と、前記ドライバに動作電源を供給する第1の電源回路(39A)とを有さうる。 - 特許庁
When a still image is to be displayed, the output grayscale data Dout is detected in each pixel circuit and stored, instead of the input grayscale data Din, ino a first memory M1 in an X driver and written in the pixel circuit.例文帳に追加
静止画を表示する場合、画素回路ごとに、出力階調データDoutを検出してこれを入力階調データDinの代わりにXドライバ内の第1メモリM1に取り込み、画素回路に書き込む。 - 特許庁
The algorithm processing device 30 determines ordering of the distributed market information of some days ago, and writes ordering information generated by adding time in the market information of some other days to obtained ordering details to a first memory 32.例文帳に追加
アルゴリズム処理装置30は、配信された過日市況情報を発注判定し、得られた発注内容に当該過日市況情報内の時刻を付加した発注情報を第1メモリ32に書込む。 - 特許庁
To provide a method and circuit for reading a multilevel NAND flash memory cell where a gray code can be used by providing a first page buffer for storing higher order bits and a second page buffer for storing lower order bits on a bit line.例文帳に追加
ビットラインに上位ビットを格納する第1ページバッファと下位ビットを格納する第2ページバッファを設け、グレーコードを用いることが可能なマルチレベルNANDフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路を提供する。 - 特許庁
This device has a first input/output interface 3 controlled by a system control part 7 for transferring data with a personal computer(PC) 1 and a second input/output interface 4 for transferring data with a memory card 2.例文帳に追加
システム制御部7により制御され、PC1との間でデータ転送を行う第1の入出力インターフェース3と、メモリカード2との間でデータ転送を行う第2の入出力インターフェース4とを有している。 - 特許庁
A memory 102 stores the initial reference location of a transfer arm, a first correlation between the processing recipe and the sidewall temperature of a processing chamber, and a second correlation between the sidewall temperature of the processing chamber and the corrected value of a reference location.例文帳に追加
記憶部102は、搬送アームの初期基準位置と、処理レシピと処理チャンバの側壁温度との第1の相関と、処理チャンバの側壁温度と基準位置の補正値との第2の相関とが記憶されている。 - 特許庁
This memory card recording/reproducing device 1 is provided with a main body central mechanism part 11, and first and second rotational parts 12 and 13 provided as side mechanism parts in the side faces of the main body central mechanism part 11.例文帳に追加
メモリカード記録再生装置1であって、本体中央機構部11と、本体中央機構部11の側面に設けられた側部機構部である第1回動部12と第2回動部13とで構成されている。 - 特許庁
Thus, the image data read by the read device 1 is processed by both the first and second image processing blocks 16 and 17 in an image data processing apparatus 2, before being sent out to the memory 4.例文帳に追加
このように、読取り装置1で読み取った画像データに対して、画像データ処理装置2内の第1の画像処理ブロック16と第2の画像処理ブロック17の両方で処理されて、メモリ4に送出することができる。 - 特許庁
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| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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