「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(339ページ目) - Weblio英語例文検索

The medium for detecting the low nutritional microorganism in water is obtained by adding 2-200 mg of sodium p-oxybenzoate, 0.5-50 mg of magnesium sulfate, 0.5-50 mg of monopotassium phosphate, 0.5-50 mg of dipotassium phosphate and 1-100 mg of ammonium nitrate to 1 liter of 1.5-2% agar medium and adjusting the medium to pH 7.2.例文帳に追加

１．５〜２％寒天培地１リットル中に、パラオキシ安息香酸ナトリウム２〜２００ｍｇ、硫酸マグネシウム０．５〜５０ｍｇ、燐酸１カリウム０．５〜５０ｍｇ、燐酸２カリウム０．５〜５０ｍｇおよび硝酸アンモニウム１〜１００ｍｇを含有し、ｐＨ７．２に調整された水中低栄養性微生物検出用培地。 - 特許庁

The back reflecting area 2a can be formed by providing an elliptical reflecting surface an arbitrary horizontal section of which has a primary focus of a luminous center of the lamp 3 and a secondary focus of the pole P, or by continuing plural planes such that the centers of the planes touch internally with an elliptical curve, in an arbitrary horizontal section.例文帳に追加

バック反射領域は、任意の水平断面においてランプの発光中心を第１焦点とし、ポールを第２焦点とする楕円反射面を備えているか、任意の水平断面において複数の平面をそれぞれ中心が楕円曲線に内接するように連続させることにより、形成することができる。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module comprises a p-type thermoelectric conversion element main body (11) and an n-type thermoelectric conversion element main body (13), which are so provided as to constitute a first plane on a high-temperature side and a second plane on a low-temperature side while connected in series (to face each other) using electrode members (13 and 14).例文帳に追加

熱電変換モデュールは、高温側の第１の平面と低温側の第２の平面を構成するように電極部材（１３，１４）により互いに直列に接続されかつ相互に対向して配置されるｐ型熱電変換素子本体（１１）およびｎ型熱電変換素子本体（１３）を備える。 - 特許庁

This neck pillow is provided with a neck supporting portion 10 at the front center of a pillow body 100 internally packed with packings 12 and 22, is provided with a recessed part P behind the neck supporting portion 10, is provided with auxiliary supporting portions 20 on both sides of the neck supporting portion 10 and is provided with ear rest grooves 30 in the respective auxiliary supporting portions 20.例文帳に追加

内部に充填物１２，２２が詰められる枕本体１００の前方中央に首支え部１０を設け、首支え部１０の後方に凹部Ｐを設け、首支え部１０の両側に補助支え部２０を設け、各補助支え部２０に耳載置溝３０を設けることを特徴とする。 - 特許庁

The loading plate 55 is provided with: a pair of guide bodies 55 swingingly supported around an axial core X at a posture parallel to the loading plate 55 and nipping a printing medium P from a width direction; and a guide width adjusting mechanism W moving a pair of guide bodies 66 in a separating or approaching direction from/to each other along the width direction.例文帳に追加

載置板５５は、載置板５５に平行姿勢の軸芯Ｘ周りで揺動自在に支持され、プリント媒体Ｐを幅方向から挟み込む一対のガイド体５５と、一対のガイド体６６を幅方向に沿って互いに離間または近接方向に移動させるガイド幅調節機構Ｗとを備えている。 - 特許庁

A pad 81 for a p electrode of the LED chip and a pad 85 for an n electrode which are disposed so as to oppose each other on a printed wiring board are formed by etching so that a gap (a gap between edges 811 and 851) at one end in an insulating region 89 therebetween is D1 and a gap at the other end is D2 (>D1).例文帳に追加

プリント配線板上に対向配置された、ＬＥＤチップのｐ電極用のパッド８１と、ｎ電極用のパッド８５を、その間の絶縁領域８９における一方端の間隔（エッジ８１１と８５１の間隔）がＤ１、他方端の間隔がＤ２（＞Ｄ１）になるように、エッチングにより形成する。 - 特許庁

Therefore the brightness of the pointer P is enhanced, when the indication instrument 1 is assembled, an incident angle adjustment range on the display plate 2 of the beam light is widened, the precision of each part constituting the indication instrument 1 is partially relieved, further, optical axis adjustment working is simplified in assembling, and the cost of the indication instrument 1 can be reduced.例文帳に追加

これにより、指針Ｐの明るさを増すと共に、指示計器１の組付け時におけるビーム光の表示板２への入射角度調整範囲を拡大して、指示計器１を構成する各部品の精度を一部緩和し、さらに、組付け時の光軸調整作業を簡略化して、指示計器１のコストを低減できる。 - 特許庁

A turning axis Q of the tension pulley 24 and the turning axis P of the bracket body 25 are set to be parallel with each other, and an energizing member 33 is provided for energizing the bracket body 25 to one turning direction, and a tilt detection means is provided for detecting the tilt of the bracket body 25 with respect to the shaft part 12 in the prescribed angle or more.例文帳に追加

テンションプーリ２４の回転軸心Ｑ及びブラケット体２５の回動軸心Ｐが互いに平行に設定され、ブラケット体２５を一方の回動方向へ付勢する付勢部材３３が設けられ、軸部１２に対するブラケット体２５の所定傾斜角度以上の傾斜を検知する傾斜検知手段が備えられる。 - 特許庁

This ventilating wall structure is formed to allow a working width W of a vertically laid external wall material A to correspond to the pitch P of skeletons 3 in a wall structure formed with a ventilating passage γ between the external wall material A and wall backing α by mounting the external wall material A provided with a recess A1 on the back face side, to the wall backing α.例文帳に追加

裏面側にくぼみＡ１を設けた縦張り外壁材Ａを壁下地αに取り付けることにより、外壁材Ａと壁下地α間に通気路γを形成した壁構造において、外壁材Ａの働き幅Ｗを躯体３のピッチＰに対応して形成した通気壁構造である。 - 特許庁

The manufacturing method for this compound semiconductor equipment comprises a process of letting silica of 1×10^16 cm^-3 to 8×10^17 cm^-3 contained in a first semiconductor layer 25 composed of p-type nitride compound or a first semiconductor layer 26 composed of i-type nitride compound, each of which contains magnesium, and then process to etch the first semiconductor layers 25 and 26.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法は、マグネシウムを含有する、ｐ型若しくはｉ型の窒化物系化合物からなる第１半導体層２５、２６に１×１０^16ｃｍ^-3〜８×１０^17ｃｍ^-3の珪素を含有させる工程と、その後、第１半導体層２５、２６をエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

In the dropping type interfacing fabric, the fiber directions of its front and rear base interfacing fabrics 12a and 12b are made almost the same as that of the face side fabric 18, while the weft P of the front and rear additive interfacings 13a, 13b are sewed to the face side fabric 18 so that it may extend downward from the cutting line of the top sleeve.例文帳に追加

垂れ芯１１は、その前側および後側台芯１２ａ、１２ｂの繊維方向が、表生地１８の繊維方向とほぼ一致するように、また、前側および後側増芯１３ａ、１３ｂの緯糸Ｐは、袖山の裁断線２１から下向き方向に延びるように、表生地１８に縫着される。 - 特許庁

The base bar 2 includes an IC tag supplier 4 supplying an IC tag 4a, from which specific information can be read, to a predetermined position and an IC tag transport machine 7 transporting the IC tag 4a being supplied to the predetermined position one at a time to the sealing portion, whereby the IC tag 4a is sealable integrally with the sealing preform P in a single piece.例文帳に追加

基台部２が、固有情報読み出し可能なＩＣタグ４ａを所定位置に供給するＩＣタグ供給装置４と、所定位置に供給されたＩＣタグ４ａを１枚毎に被シール箇所に搬送するＩＣタグ搬送装置７とを有していて、ＩＣタグ４ａを被シール材Ｐと一体的にシール可能する。 - 特許庁

An input sound signal s1 of ((maximum pitch period)×2)-number of samples out of sound signals recorded and held in a data recording part 1 is read out from a processing start position P and has high-band components suppressed by a low pass filter 7 and is properly down-sampled by a thinning processing part 8 and is read into a signal buffer part 9.例文帳に追加

データ記録部１に記録保持された音響信号のうち、処理開始位置Ｐより（最大ピッチ周期×2）サンプルの入力音響信号s1が読み出され、ローパスフィルタ７において高域成分が抑圧された後、間引き処理部８により適当にダウンサンプリングされ、信号バッファ部９に読み込まれる。 - 特許庁

At this time, the rear end of the detecting element 10 is held by a first holding claw 421 and a second holding claw 422 of a holding tool 420 so as to regulate a movement in the horizontal direction, whereby the axis O of the main fitting 50 and the axis P of the detecting element 10 can be aligned, when they are integrated.例文帳に追加

このとき、保持治具４２０の第１保持爪４２１および第２保持爪４２２により検出素子１０の後端部を保持し、水平方向への移動を規制することで、主体金具５０の軸線Ｏと検出素子１０の軸線Ｐとを揃えた状態で両者を一体化することができる。 - 特許庁

The suction duct 14 is provided to turn between a 1st position where the aperture part 14a of the suction duct 14 is opposed to the feeding guide body in order to press the transfer paper P to the feeding guide body and a 2nd position where the aperture part of the suction duct is opposed to either the fixing part 11 or the transfer part 3.例文帳に追加

吸引ダクト１４を、転写紙Ｐを搬送ガイド体に押付けるために吸引ダクトの開口部１４ａが搬送ガイド体と対向する第１位置と、吸引ダクトの開口部が定着部１１と転写部３のいずれか一方と対向する第２位置との間で回動可能に設けた。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

This paper stacking device receives a paper sheet P (S103) unless paper passing ends (S102) when starting driving in synchronization with a paper passing start signal from a previous step device (S101), determines whether a driving source is being driven or not (S104), and starts driving of the driving source when the driving source stops (S105).例文帳に追加

用紙積載装置は、前段装置からの通紙開始信号に同期して駆動を開始すると（Ｓ１０１）、通紙を終了するのでなければ（Ｓ１０２）、用紙Ｐを受け入れ（Ｓ１０３）、駆動源が駆動中かどうかを判定し（Ｓ１０４）、駆動源が停止していれば、駆動源の駆動を開始する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

A developer storage space 70 is formed in the developing apparatus 60 of a process cartridge 64, and a latent image writing position P on an image carrier 44 by an optical writing apparatus 58 is arranged lower than at least a part of the developer storage space 70, and the space between the paper feeding unit 18a and the optical writing apparatus 58 is made small.例文帳に追加

プロセスカートリッジ６４の現像装置６０には現像剤収納空間７０を有し、この現像剤収納空間７０の少なくとも一部よりも、光書込み装置５８による像担持体４４の潜像書込み位置Ｐが下方にあり、給紙ユニット１８ａと光書込み装置５８との間のスペースを小さくしてある。 - 特許庁

The image processing device includes a display part 70 having a display area 71 for displaying an image processing part 50 for processing image data generated in a capsule endoscope 10 per frame by imaging the inside of a subject P.例文帳に追加

被検体Ｐ内の撮像によりカプセル内視鏡１０で生成された画像データを処理する画像処理部５０をフレーム毎に表示する表示エリア７１を有する表示部７０を備え、画像処理部５０は、ｍフレームの画像データの内、ｎフレーム目の画像データに含まれる閾値以下の画素値を有する領域を検出する。 - 特許庁

After toner image formed on a photoreceptor drum 1 is successively electrostatically transferred to an intermediate transfer body 5, is is transferred to paper P and fixed simultaneously in this image forming device, which is provided with the cleaning blade 17 removing the toner remaining on the surface of the drum 1 after transferring the toner image.例文帳に追加

感光体ドラム１上に形成されたトナー像を順次、中間転写体５に静電転写し、その後トナー像を用紙Ｐに転写すると同時に定着する画像形成装置において、トナー像の転写後に感光体ドラム表面に残留したトナーを除去するクリーニングブレード１７を設ける。 - 特許庁

The organic inorganic composite dispersion is obtained by dispersing organic inorganic composite particles (X) in which a polymer (P) of a monomer including a (meth)acrylamide monomer (a) is incorporated with at least one inorganic material (B) selected from a water swelling clay mineral and silica into an aqueous medium (C).例文帳に追加

（メタ）アクリルアミド系モノマー（ａ）を含むモノマーの重合体（Ｐ）と、水膨潤性粘土鉱物及びシリカから選択される１種以上の無機材料（Ｂ）とが複合化した有機無機複合体粒子（Ｘ）が、水媒体（Ｃ）中に分散していることを特徴とする有機無機複合体分散液を提供する。 - 特許庁

Every two adjacent segments are electrically connected by a winding unit together so that a rotor winding includes m pieces of winding units, at least one of the winding units includes P pieces of coils connected in series, and each coil of each winding unit is directly connected to two segments corresponding to the coil.例文帳に追加

各２つの隣接セグメントが巻線ユニットにより一緒に電気的に接続されて、回転子巻線がｍ個の巻線ユニットを含むようにし、それら巻線ユニットの少なくとも１つは、直列に接続されたＰ個のコイルを含み、そして各巻線ユニットの各コイルは、それに対応する２つのセグメントに直接接続される。 - 特許庁

The alkylbenzene derivative represented by p- ethylisopropylbenene, isopropylbenzene, n-propylbenzene and the like is obtained by feeding a mixed gas of an aromatic compound represented by benzene, ethylbenzene with an alkyl alcohol represented by ethanol and isopropanol and reacting them in the presence of H-type ZSM-5 zeolite having 70-400 silica alumina ratio.例文帳に追加

シリカアルミナ比７０以上４００以下のＨ型ＺＳＭ−５ゼオライトの存在下にベンゼン，エチルベンゼンで示される芳香族化合物とエタノール，イソプロパノールで示されるアルキルアルコールとの混合ガスを供給しつつ反応させて、パラエチルイソプロピルベンゼン，イソプロピルベンゼン，ノルマルプロピルベンゼン等で示されるアルキルベンゼン誘導体を得る。 - 特許庁

Since the memory cell region M is sandwiched by the assist gate electrodes 21, the amount of an oxygen radical supplied to the surface of the exposed semiconductor substrate 1 is smaller than that supplied to the exposed semiconductor substrate 1 in the flat peripheral circuit region P.例文帳に追加

平坦な周辺回路領域Ｐに露出する半導体基板１の表面に供給される酸素ラジカルの量と比べると、メモリセル領域Ｍでは、アシストゲート電極部２１によって挟まれていることで、露出している半導体基板１の表面にまで供給される酸素ラジカルの量は少なくなる。 - 特許庁

This modifier for epoxy resins comprises an aromatic hydrocarbon resin having a softening point of 50 to 150°C and obtained by condensing a bifunctional aromatic compound such as p-xylylene glycol or 4,4'-bischloromethylbiphenyl with an aromatic hydrocarbon such as naphthalene in the presence of an acid catalyst, and an epoxy resin composition containing the same.例文帳に追加

ｐ−キシリレングリコールや４，４´−ビスクロロメチルビフェニルのような２官能性芳香族化合物とナフタレンのような芳香族炭化水素を、酸触媒の存在下に縮合することによって得られる軟化点が５０〜１５０℃の芳香族炭化水素樹脂からなるエポキシ樹脂用改質剤及びそれを含有するエポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

The semiconductor device has such an element integrated structure that a Zener diode (protection element) 2 for gate electrode protection against an overvoltage is connected to a DMOS transistor 1 in one element region E2 on one semiconductor substrate structure (P-type semiconductor substrate 10 having an epitaxial layer 11).例文帳に追加

この半導体装置は、一半導体基板構造（エピタキシャル層１１を有するＰ型半導体基板１０）上で過電圧に対するゲート電極保護のためのツェナダイオード（保護素子）２が一つの素子領域Ｅ２においてＤＭＯＳトランジスタ１に接続されて構成された素子一体化構造となっている。 - 特許庁

The method comprises the distillation of the alicyclic alcohol in the presence of 1-500 ppm of an acidic reactive compound such as p-toluene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, sulfanilic acid, camphor sulfonic acid, potassium hydrogensulfide, potassium hydrogensulfate, sodium dihydrogenphosphate, tetrabutylammonium hydrogensulfate, 9- anthracenecarboxylic acid, phosphorus pentoxide.例文帳に追加

この課題は、脂環式アルコールを１〜５００ｐｐｍのパラ−トルエンスルホン酸、ナフタリンスルホン酸、スルファニル酸、カンファースルホン酸、硫化水素カリウム、硫酸水素カリウム、リン酸二水素ナトリウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、９−アントラセンカルボン酸、五酸化リン等の酸性反応性化合物の存在下に蒸留することによって解決される。 - 特許庁

In the method of producing the partially or fully semi-insulated or p-doped ZnO substrate from the n-doped ZnO substrate, the n-doped ZnO substrate is brought into contact with an anhydrous molten salt selected from anhydrous molten sodium nitrate, lithium nitrate, potassium nitrate and rubidium nitrate.例文帳に追加

ｎ型ドーピングされたＺｎＯ基板から、部分的に又は完全に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板を製造する方法であって、ｎ型ドーピングされたＺｎＯ基板が、無水溶融硝酸ナトリウム、硝酸リチウム、硝酸カリウム及び硝酸リビジウムから選択される無水溶融塩と接触させられる方法。 - 特許庁

This soil bacterium-bearing carbide is characterized in that a substrate bearing thereon Bacillus coagulans and/or Bacillus circulans (FERM P-17807) as the soil bacteria is a carbide.例文帳に追加

本発明に係る土壌菌担持炭化物は、土壌菌である、バチルスコーアグランス（Ｂａｃｉｌｌｕｓ Ｃｏａｇｕｌａｎｓ）或いはバチルス サーアクランス（Ｂａｃｉｌｌｕｓ Ｃｉｒｃｕｌａｎｓ）（工業技術院生命工学研究所 ＦＥＲＭ Ｐ−１７８０７）のいずれか一方又は両方の菌体を担持させる支持体は、炭化物であることを特徴とする。 - 特許庁

Selection ratio of the titanium nitride film to the polysilicon film can be increased by performing etching at a p-type layer structure portion until the titanium nitride film is exposed, supplying plasma of nitrogen gas to a substrate, and then nitriding the polysilicon film in the layer structure portion for forming an n-type transistor.例文帳に追加

ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 - 特許庁

This novolac type phenolic resin is obtained by reacting phenols of which the composition is 20-70 wt.% m-cresol, 20-70 wt.% p-cresol and 1-20 wt.% 1-naphthol, with aldehydes comprising formaldehyde and/or para-formaldehyde, in the presence of an acidic catalyst.例文帳に追加

ノボラック型フェノール樹脂であって、フェノ−ル類の組成がメタクレゾール２０−７０重量％，パラクレゾール２０−７０重量％，１−ナフトール１−２０重量％で、アルデヒド類がホルムアルデヒド及び／又はパラホルムアルデヒドで、フェノ−ル類とアルデヒド類とを酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂である。 - 特許庁

To provide a technique for efficiently utilizing a polychlorinated aromatic compound having a low value of utilization produced as a by-product in producing p-dichlorobenzene by chlorination reaction of benzene, concretely, a technique for producing useful chlorobenzene by reacting the polychlorinated aromatic compound having a low value of utilization with benzene.例文帳に追加

ベンゼンのクロロ化反応によるパラジクロロベンゼンを製造する際に複製する、利用価値の少ないポリクロロ化芳香族化合物の効率的な利用技術を提供するものであり、具体的には利用価値の少ないポリクロロ化芳香族化合物とベンゼンを反応させて、有用なクロロベンゼンを製造する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a uniform, transparent and low viscosity liquid state polyester polycondensation catalyst containing Ti element, an alkaline earth metal element such as Mg and P element in the same catalyst even having high Ti concentration, a method for producing the catalyst, a method for producing the polyester by using the catalyst, and the polyester resin.例文帳に追加

Ｔｉ元素、Ｍｇのようなアルカリ土類金属元素、Ｐ元素を同一の触媒中に含み、高Ｔｉ濃度でも均一透明で低粘度の液状ポリエステル重縮合用触媒及びその製造方法、並びに該触媒を用いたポリエステル樹脂の製造方法及びポリエステル樹脂を提供する。 - 特許庁

The new microorganism belongs to the genus Streptomyces deposited as the accession number NITE P-630 in the International Patent Organism Depositary as the microorganism for producing a compound having less adverse effect on normal cells, toxic activity on cancer cells, infiltration inhibitory activity of cancer cells and superoxide scavenging activity.例文帳に追加

正常細胞に対する副作用が少なく、癌細胞への毒性活性の他、癌細胞の浸潤阻害活性やスーパーオキサイド消去活性を有する化合物を産生する微生物として、特許生物寄託センターに寄託番号ＮＩＴＥ Ｐ−６３０として寄託されたストレプトミセス（Streptomyces）属に属する新規微生物。 - 特許庁

If the respondent is thereupon adjudged guilty of indirect contempt committed, he may be punished by a fine not exceeding Thirty Thousand Pesos (P 30,000.00) or imprisonment of not more than six months, or both, and if the contempt consists in the violation of an injunction, he may also be ordered to make a complete restitution to the party injured by such violation.例文帳に追加

被告は，間接侮辱により有罪と裁定された場合は，3 万ペソ以下の罰金若しくは6 月以下の自由刑，又はその双方により罰せられ，当該侮辱が差止命令の違反による場合は，当該違反により被害を受けた当事者に完全な損害賠償をするよう命じられる。 - 特許庁

In addition, a well control layer 113 capable of independently controlling its well potential V_BC is formed on a lower layer of the n-well 110, where a p-type MOS transistor T1 is formed and the semiconductor substrate 100 is provided with a substrate potential control layer capable of independently controlling its substrate potential V_SC.例文帳に追加

さらに、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＴ１の形成されるＮウェル１１０の下層には、そのウェル電位Ｖ_ＢＣを独立して制御するためのウェル制御層１１３を形成し、半導体基板１００にも、その基板電位Ｖ_ＳＣを独立して制御することのできる基板電位制御層を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the superjunction region in an n-type epitaxial layer 13 comprising a plurality of n-type epitaxial layers 13X formed on an n+-type semiconductor substrate 12 by providing an n-type pillar region 15 and a p-type pillar region 14 alternately along a top surface of the n+-type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体装置１は、ｎ＋型半導体基板１２上に形成された複数のｎ型エピタキシャル層１３Ｘからなるｎ型エピタキシャル層１３内に、ｎ型ピラー領域１５とｐ型ピラー領域１４とをｎ＋型半導体基板１２の上面に沿って交互に設けてなるスーパージャンクション領域を備える。 - 特許庁

In particular, a TFT 30 is an N channel transistor that easily generates unpaired coupling hand and carrier trapping than a P channel transistor, and a predetermined treatment such as annealing or the like effectively suppresses the degradation of operational characteristic or reliability after BT testing caused by the unpaired coupling hand or carrier trapping.例文帳に追加

特に、ＴＦＴ３０は、Ｐチャネル型トランジスタより不対結合手及びキャリアトラップが発生し易いＮチャネル型トランジスタであり、アニール処理等の所定の処理によって、不対結合手及びキャリアトラップに起因して生じるＢＴ試験後のおける動作特性及び信頼性の低下が効果的に抑制されている。 - 特許庁

Therefore, even though snow is blown toward the second net surface 20 located at an upwind side and accumulated on the second net surface 20, warm air flows to the space P through the first net surface 10 located at the leeward side in the daytime and thus any snow accumulated on the second net surface 20 can be melted by the warm air.例文帳に追加

従って、風で吹き付けられた雪が風上側に配置した第２の網面に乗り上げても、日中の暖かい空気が風下側に配置した第１の網面１０の網目を介して前記空間Ｐに流入するため、この暖気が第２の網面２０に乗り上げた雪と接触することにより、雪を溶かすことができる。 - 特許庁

The plastisol composition comprises acrylic polymer fine particles (P), a diluent (X) and a plasticizer (Y), wherein the content of an aromatic organic solvent (exclusive of compounds of aromatic dibasic acid esters and alkylsulfonic acid phenyl esters) in the total of the plastisol composition is restricted to 0.5 mass% or less.例文帳に追加

アクリル系重合体微粒子（Ｐ）、希釈剤（Ｘ）、可塑剤（Ｙ）とを含有するプラスチゾル組成物であって、プラスチゾル組成物中に含まれる芳香族系有機溶剤（但し芳香族二塩基酸エステル類、アルキルスルホン酸フェニルエステル類の化合物を除く）の含有率が０．５質量％以下であるプラスチゾル組成物。 - 特許庁

In this LED chip 1a, an n-type semiconductor layer 121a on an insulating substrate 11a is provided with a step so that its external periphery may have a thickness thinner than that of center portion, and a light-emitting layer 122a and a p-type semiconductor layer 123a are laminated only on the center portion.例文帳に追加

本発明に係るＬＥＤチップ１ａは、絶縁性基板１１ａ上のｎ型半導体層１２１ａは、その外周部の厚みが中央部と比較して薄くなるよう段差が設けられており、その中央部においてのみ発光層１２２ａ及びｐ型半導体層１２３ａが積層されている。 - 特許庁

In the transfer device 20 provided with a transfer belt 21 and a cleaning roll 40 with a dielectric layer on its surface for cleaning a surface of the transfer belt 21 and transferring a toner image formed on a photoreceptor drum 10 onto transfer paper P on the transfer belt 21, electrostatic capacity of the dielectric layer is set to be ≥100 pF.例文帳に追加

転写ベルト２１と、転写ベルト２１の表面をクリーニングする、表面に誘電体層を有するクリーニングローラ４０とを備え、感光体ドラム１０上に形成されたトナー像を転写ベルト２１上の転写紙Ｐに転写する転写装置２０において、誘電体層の静電容量を１００ｐＦ以上に設定する。 - 特許庁

The lower end of the pivot 61 is formed arcuately and the pivot 61 and V-shaped groove 63 are formed at right angles to an optical axis L, so the holder 45 swings in an assembled state around a swing center axis P nearly parallel to the rotating direction of a rotary cylinder 5.例文帳に追加

ピボット６１の下端部が円弧状に形成されると共に、ピボット６１およびＶ字溝６３が光軸Ｌに直交するかたちで形成されているため、組付状態において、ホルダ４５は、回転筒５の回転方向に略平行な揺動中心軸Ｐをもって、加圧ばね４１に対して揺動する。 - 特許庁

The optical scanner 10 is so constituted that when the polarization direction of the laser light L emitted by a surface light emission laser 12 deviates from a desired direction, the quantity of light incident on a light quantity detection sensor 24 increases with a characteristic (difference in transmissivity between S-polarized light and P-polarized light) of a half-mirror 22.例文帳に追加

光学走査装置１０では、面発光レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌの偏光方向が所望の方向からずれた場合に、ハーフミラー２２の特性（Ｓ偏光とＰ偏光による透過率の違い）によって光量検出センサ２４の入射光量が増加するように構成する。 - 特許庁

An alloy element consisting of at least one kind of Si, Al, Be, Co, P and Sn having the effect of stabilizing the ferritic Fe phase and the effect of repulsion with carbon in steel is diffusion-coated from a surface layer, the surface layer is carburized, carbo-nitrided and/or nitrided, and quenched or quench-tempered.例文帳に追加

フェライトＦｅ相を安定化する作用および鋼中の炭素と反発し合う作用を有するＳｉ，Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｏ，Ｐ，Ｓｎのうちの少なくとも一種以上からなる合金元素を表面層から拡散浸透させるとともに、その表面層を浸炭、浸炭浸窒および／または浸窒処理した後に焼入れもしくは焼入れ焼戻し処理を施す。 - 特許庁