「しりこんごむ」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。例文帳に追加

A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14. - 特許庁

第１及び第２方向に配列されて交互に直交する方向のストライプパターンを各々有する４領域でなされたマスクを利用して、非晶質シリコン膜が形成された基板をマスク幅の１／４だけ移動させてレーザービームを照射することによって、正四角形状の一定な大きさを有するグレーンを形成する。例文帳に追加

A mask, comprising four regions having respective stripe patterns which are arranged in first and second directions and alternately perpendicular to each other, is utilized and a substrate on which an amorphous silicon film is formed is shifted by a distance of a quarter of the width of the mask when a laser beam is applied to the film to form a polycrystalline silicon film having square grains with uniform sizes. - 特許庁

ｐ型ＭＩＳトランジスタＰＴｒは、半導体基板１０における第１の活性領域１０ａ上に形成された第１のゲート絶縁膜１３ａと、第１のゲート絶縁膜１３ａ上に形成され第１の金属膜１４ａ及び第１の金属膜１４ａ上に形成された第１のシリコン膜１５ａからなる第１のゲート電極１４Ａとを備えている。例文帳に追加

The p-type MIS transistor PTr includes a first gate insulating film 13a formed on a first active region 10a of the semiconductor substrate 10, and a first gate electrode 14A composed of a first metal film 14a formed on the first gate insulating film 13a, and a first silicon film 15a formed on the first metal film 14a. - 特許庁

次いでガラス素材により所要数量の質量部を形成し（工程１０３）、該質量部と、前記ガラス・ウェハーおよび前記シリコン・ウェハーとを、ベース、ダイアフラムおよび質量部が半導体加速度センサを構成するように対応させて、接着剤等により接合してセンサ・ウェハーを形成する（工程１０４）。例文帳に追加

Then the required numbers of mass parts are formed of glass material (103), and the mass part, glass wafer, and silicon wafer are allowed to correspond so that the base, diaphragm, and mass part constitute a semiconductor acceleration sensor, which is jointed with a bond, etc., to form a sensor wafer (104). - 特許庁

この方法は、反応器の一端部で溶融ポリプロピレンと溶融無水マレイン酸との均質混合物を連続的に形成すること、遊離基開始剤を連続的に導入すること及び反応器の反対側端部から低着色の高酸価高分子量マレイン化ポリプロピレンを連続的に取り出すことによって製造することができる。例文帳に追加

In a method for preparing the maleated polypropylene, an intimate mixture of polypropylene melt and maleic anhydride melt is continuously formed at one end of a reactor, the free radical initiator is continuously introduced, and a maleated polypropylene with a high acid value, a high molecular weight and a low color is continuously taken out from the opposite end of the reactor. - 特許庁

さらに固体塩基触媒がアニオン交換樹脂、塩基の特徴を有するゼオライト、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属をドープしたアルミナもしくはシリカ−アルミナ、又はこれらの触媒の混合物であり、好ましくはジビニルベンゼンと架橋したポリスチレンをベースとし、アミン、四級アンモニウムポリエチレンポリアミン、グアニジンもしくはアミジン官能基を有する樹脂である方法。例文帳に追加

The solid base catalyst used in the method is an anion exchange resin, a zeolite having basic character, an alumina or a silica alumina doped with an alkali metal or an alkali earth metal or a mixture of those catalysts, preferably a resin based on divinylbenzene and a crosslinked polystyrene having a functional group such as an amine, a quaternary ammonium polyethylenepolyamine, guanidine or amidine functional group. - 特許庁

接着が困難であるＰＰＡ、ＬＣＰ等の熱可塑性プラスチックからなる各種パッケージの材料や、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ等の金属からなる電極に対しても十分な接着強度を与え、かつ透明性を有する硬化物を与える硬化性シリコーンゴム組成物、及びこの組成物の硬化物により封止された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a curable silicone rubber composition giving a transparent cured product having sufficient adhesive strength to hardly adhesive materials for various packages composed of a thermoplastic material such as PPA and LCP and to electrodes made of a metal such as Ag, Au, Ni and Pd and provide a semiconductor device encapsulated with the cured material of the composition. - 特許庁

鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）及びシリコン（Ｓｉ）は、いずれも地球上において最もありふれた元素の一つであり、地球環境に与える負荷の非常に小さい材料であることから、このような元素を主成分とする合金を記録層の材料として用いることにより、環境負荷を低減することが可能となる。例文帳に追加

Since the iron (Fe), aluminum (Al) and silicon (Si) are the most common elements of the earth respectively and also the materials whose load to be inflicted to the global environments is very small, it is possible to mitigate the environmental load by using the alloy composed mainly of these elements as the materials of the recording layer. - 特許庁

電荷転送方向に隣接するポリシリコン電荷転送電極３４，３５がＣＭＰ法により研磨されて重ならずに略同じ厚みに形成され、電荷転送方向と交差（または直交）する方向に隣接する電荷転送電極の間が上層に設けられた金属配線層３７によって電気的に接続されている。例文帳に追加

Polysilicon electric charge transfer electrodes 34, 35, adjacent to each other in an electric charge transfer direction, are polished by the CMP method and formed to have nearly the same thickness, without being overlapped, and electric charge transfer electrodes adjacent in a direction of crossing (or orthogonal to) the electric charge transfer direction are electrically connected by a metallic wiring layer 37, provided to the upper layer. - 特許庁

シリコン基板１００上にＳｉＯ_２膜１０１を形成し、クラッド層１０３、１０４と、コア１０５、１０６からなる光導波路と光導波路上にＣｒ薄膜ヒータ１０７、１０８を形成し、Ｃｒ薄膜ヒータパターンの領域で基盤の厚みをうすくしてダイヤフラム構造１０２を形成した。例文帳に追加

A SiO_2 film is formed on a silicon substrate 100, optical waveguides consisting of clad layers 103, 104 and cores 105, 106 are formed, Cr thin film heaters 107, 108 are formed on the optical waveguides, and a diaphragm structure 102 is formed by reducing the thickness of a base in the region of the Cr thin film heater pattern. - 特許庁

そして、モータバルブ１１において、ケーブル３２が導入されたケース本体１８の切欠溝２７と蓋体１９の凸部１９ｃとの対向面間及び溝部１９ｄ内にパッキン３１が配設された状態での前記溝部１９ｄ内には、密閉用樹脂としてのシリコンゴム３３が充填されることにより防水構造が施されている。例文帳に追加

In the motor valve 11, a gap between opposite surfaces of the notch groove 27 of the case body 18 into which a cable 32 is introduced and of a projection 19c of a cover 19, and a groove portion 19d in which packing 31 is seated are both filled with silicone rubber 33 as a sealing resin, which offers a waterproof structure. - 特許庁

非常に高い温度に耐えられない分野で使用可能であり、その実施に関する熱負荷の低下にも寄与し、４５０℃未満の温度で行なわれ、触媒の構成元素のためにナノワイヤの不純物をもたらさず、結晶性に関して組織され、欠陥をほとんど有しないシリコン及び／又はゲルマニウムナノワイヤを組み立てる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a silicon and/or germanium nanowire which can be used in a field of very high temperature not to be bearable and contributes to reduction of thermal load about its enforcement and is carried out at temperature of lower than 450°C and does not bring impurity to the nanowire for a constituting element of a catalyst and is organized about crystallinity and hardly has a defect. - 特許庁

ビデオカセットテープ１７が磁気記録再生装置１０に挿入され入力操作部１４から早送り／巻き戻しの開始操作が入力されると、システムコントローラ１５はリールモータドライバ１２にユーザの入力に応じたリールモータ駆動の制御電圧あるいは電流を供給し、リールモータ１１ａを駆動するようにする。例文帳に追加

When a video cassette tape 17 is inserted into this magnetic recording and reproducing device 10 and an input operating part 14 inputs a fast forwarding/rewinding start operation, a system controller 15 supplies control voltage or current for reel motor driving in response to an input of the user to a reel motor driver 12, so as to drive the reel motor 11a. - 特許庁

(ａ) 側鎖にシリコン原子を有し、かつアルカリ水溶液に不溶性又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマー、及び（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定のフェナシルスルホニウム構造を有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。例文帳に追加

The positive resist composition is characterized in that it contains (a) a polymer which has a silicon atom in a side chain, is insoluble or slightly soluble in an aqueous alkali solution and is made soluble in the aqueous alkali solution by the action of an acid and (b) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray or a radiation and has a specified phenacylsulfonium structure. - 特許庁

ジシクロペンチルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシランなどのシリコン化合物からなるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料を用い、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を成膜する際、酸素などの酸化剤を同伴させるとともに、成膜温度を２００℃〜３００℃とし、ついで絶縁膜に２００ｎｍ以上の波長の紫外線を照射して絶縁膜とする。例文帳に追加

When the insulating film is formed by a plasma CVD method by using an insulating film material for plasma CVD made of a silicon compound, such as, dicyclopentyl dimethoxysilane and dicyclohexyl dimethoxysilane, an oxidant, such as oxygen is accompanied; a filming temperature is set to 200 to 300°C; and the insulating film is irradiated with ultraviolet rays of 200 nm or longer. - 特許庁

生理学的に許容可能な媒体中に、混合シリケートを除く、有効量の少なくとも１種の鉱物性フィラーを含有する抗シワ即効性を持つ化粧品組成物において、鉱物性フィラーを、水性、アルコール性又は水性アルコール性媒体のディスパージョン中でその少なくとも７０％が０．１から１００ｎｍの範囲の直径を持つようなコロイド粒子の形態のものとする。例文帳に追加

This cosmetic composition containing an effective amount of at least one kind of a mineral filler except a mixed silicate in a physiologically acceptable medium, and having immediately effective wrinkle-preventing properties is regulated so that the mineral filler may have a shape of colloid particles at least 70% of which has 0.1-100 nm diameters in the dispersion in an aqueous, alcoholic or hydroalcoholic medium. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

本発明は、研磨粒子の粒径を最適化し、最適の組成を有するシリコンウエハの最終研磨用スラリー組成物を提供することによって、ウエハ表面に形成される５０ｎｍを超える大きさを有するＬＬＳ欠陥の数を減少させ、ヘイズ（ＨＡＺＥ）及び表面ラフネスを大きく減少させることができる。例文帳に追加

The particle diameter of the abrasive particles and the contents of the components can be selected so that the slurry composition can markedly reduce the number of LLS defects having a size larger than about 50 nm formed on the surface of wafers, and greatly reduce the haze and roughness of wafer surfaces. - 特許庁

ネット家電機器コントローラ１２が貸し出しされているネット家電機器群１１の機能の使用制御を行う制御信号送信手段を持つことにより、貸し出し期間中で貸し出し料金が正しく支払われている間のみネット家電機器を使用可能にするネット家電機器の貸し出しシステムである。例文帳に追加

In the rental system for the network home appliance, the network home appliance can be used only while the rental fee is being paid properly during the rental period by providing a control signal sending means for carrying out usage control of a function of a rented network home appliance group 11 in a network home appliance controller 12. - 特許庁

鉄製の芯金内部にヒータを挿入した、定着ローラ、加圧ローラ等のローラの表面温度均一性を向上させることでローラ全体の温度を低く抑えることを可能にし、シリコンゴムの熱劣化を防止し、同時に定着ユニットの消費電力を低減させる定着ユニットに使用するローラを提供する。例文帳に追加

To provide a roller used in a fixing unit reducing power consumption of the fixing unit, at the same time by suppressing the temperature of the roller to be low as a whole by improving surface temperature uniformity of the roller, such as a fixing roller and a pressure roller inserting a heater in an iron-made metal core in the inside and preventing thermal deterioration of silicone rubber. - 特許庁

検体と試薬とが予め収容された検査チップを、検査装置内に組み込んで必要な情報を自動的に検出するようにしたマイクロ総合分析システムにおいて、作動用の流体を供給するマイクロポンプとチップ側との接続部を密着させ、試料必要量の最小量化を図り、かつ解析精度を高めることを目的とする。例文帳に追加

To bring the junction of a micropump for supplying an operating fluid with an inspection chip to a close contact state not only to minimize the necessary amount of a sample but also to enhance analytical precision in the micro-synthetic analyzing system constituted so as to incorporate the inspection chip, in which a specimen and a reagent are preliminarily housed, in an inspection device to automatically detect necessary data. - 特許庁

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment. - 特許庁

シリコン基板１８上のＢＰＳＧ膜２０に開けられた目合わせ用ホール１２の上端エッジと、目合わせ用ホール１２に埋設されたタングステンプラグ１４表面との間に形成される傾斜面の平面形状からなり、アルミニウム膜１５の配線パターニングに用いられる目合わせパターンであって、目合わせ用ホール１２の深さを、ＢＰＳＧ膜２０の膜厚より深く形成した。例文帳に追加

The alignment pattern used for patterning wiring of an aluminum film 15 comprises a planar shape of an inclining face formed between the upper edge of an alignment hole 12 opened in a BPSG film 20 on a silicon substrate 18, and the surface of a tungsten plug 14 filling the alignment hole 12 wherein the alignment hole 12 is formed deeper than the thickness of the BPSG film 20. - 特許庁

振動によって外部から着信があったことを所持者に知らせるバイブレータ30と、このバイブレータを保持するシリコンゴムからなるホルダ31と、このホルダに設けられた突起部32と、バイブレータ収納部13の電池収納部11側に面する部分に開口部12が設けられたかつ電池収納部11を有する上ケース10とから構成されている。例文帳に追加

This battery housing structure consists of a vibrator 30 which notice the owner the arrival of an incoming call by vibration, a silicone rubber holder 31 which holds the vibrator, a projecting part 32 placed on the holder, a battery housing part 11, and an upper case 10 which has an open part 12 on the side of the vibrator housing part 13 facing the battery housing part 11. - 特許庁

単糸繊度が９ｄｔｅｘ以上２０ｄｔｅｘ以下、芯部にカーボンブラックを３０質量％以上含み、印加電圧１００Ｖにおける単繊維の抵抗値が１０^３ＭΩ／ｃｍ以下、繊維表面にシリコン系油剤が付着しているブラシ用導電性芯鞘複合アクリル繊維である。例文帳に追加

This is a conductive sheath-core conjugate acrylic fiber for a brush whose single fiber fineness is ≥9 dtex and ≤20 dtex, which includes 30 mass% or more of carbon black in the core part, whose single fiber resistance at the applied voltage of 100 V is ≤10^3 MΩ/cm, and which has silicone oil agent attached on the surface of the fiber. - 特許庁

シリコン基板上に絶縁層を介して電極を形成したＭＩＳ構造を有する半導体装置において、絶縁層は、熱励起した電子によるトンネル電流を低くするバンドギャップが４．５ｅＶ以上のＳｉ_3 Ｎ_4 膜２と、フェルミ準位近傍からのトンネル電流を低くする誘電率３０以上のＴｉＯ_2 膜３とを積層した構造からなる。例文帳に追加

In a semiconductor device having MIS structure where an electrode is formed on a silicon substrate through an insulating layer, the insulating layer is formed by stacking a Si3N4 film 2 whose band gap for reducing tunnel current by thermally excited electrons is not less than 4.5 eV, and a TiO2 film 3 whose permittivity for reducing tunnel current from the vicinity of a Fermi level is not less than 30. - 特許庁

ＩＴＯが表面に設けられた基板、シリコン基板、アルミニウム基板からなる群から選択される何れかの基板上に、周期律表におけるIII Ａ族元素から選択される１以上の元素と窒素原子と水素とを含み、かつ、室温においてバンド端でのフォトルミネッセンスを発生する窒化物系化合物による膜を設けたことを特徴とする半導体デバイス。例文帳に追加

The semiconductor device is manufactured by forming a film of a nitride-based compound on any substrate selected from a group consisting of a substrate with ITO formed on a surface thereof, a silicon substrate and an aluminum substrate, wherein the nitride-based compound includes one or more elements selected from group IIIA elements of the periodic table, a nitrogen atom and hydrogen, and generates photoluminescence at the band edges at room temperature. - 特許庁

シリコン結晶化膜を作製するレーザアニール方法において、非結晶領域（領域Ａ）が平均粒径０．０５〜０．２ｕｍの粒状結晶で構成される粒状結晶領域（領域Ｐ）に相変化され、かつ既に形成されている粒状結晶領域が相変化されないような照射条件で、レーザ光を照射する。例文帳に追加

The laser annealing method includes a step of executing laser beam irradiation on irradiation conditions that a non-crystal region (region A) is subjected to phase change into a granular crystal region (region P) consisting of granular crystals of 0.05-0.2 um average grain size and a formed granular crystal region is not subjected to phase change. - 特許庁

多孔質のインクジェットインク受容層を表面に有するインクジェットプリントシート等の表面に塗工するコーティング液であって、前記コーティング液は、水系エマルジョン溶液中に含まれる樹脂成分の固形分重量比が、シリコンゴム系樹脂１００重量部に対し、アクリル系樹脂が３０乃至６０重量部となるように処方した。例文帳に追加

The coating fluid is coated on the surface of an inkjet printing sheet having a porous inkjet ink receptive layer and the like and is formulated to have 30-60 pts.wt. acrylic resin based on 100 pt.wt. silicone rubber based resin as the weight ratio of the solid content of the resin components present in an aqueous emulsion solution. - 特許庁

本発明のポリエステルポリオール組成物は、水を発泡剤として用いる硬質ポリウレタンフォームの製造において使用され、平均分子量が１９０〜１０００（特に１９０〜６００）であるポリエチレングリコール、及び炭素数４〜９（特に６〜８）のアルキレングリコールから選択される少なくとも１種の二価アルコールと、オルソフタル酸とを含有する原料混合物を反応させてなる。例文帳に追加

The polyester polyol composition usable for the production of a rigid polyurethane foam by using water as a foaming agent is produced by reacting a raw material mixture containing at least one kind of dihydric alcohol selected from polyethylene glycol having an average molecular weight of 190-1,000 (especially 190-600) and a 4-9C (especially 6-8C) alkylene glycol and orthophthalic acid. - 特許庁

パターン８と、サイズの異なるコーン欠陥であり、シリコン基板１上にランダムに形成された擬似欠陥部７とを備えた欠陥検出感度校正標準基板を用いて、欠陥検査装置の照明部２１におけるランプ２１ａの交換後の感度調整を判断する指標として製造管理に利用する。例文帳に追加

Using a defect detection sensitivity correction standard substrate including a pattern 8 and pseudo-defective sections 7 that are cone defects differing in size and are randomly formed on a silicon substrate 1, defect detection sensitivity is used in product management as an indicator for judging sensitivity adjustment after a lamp 21a in a lighting section 21 of a defect detecting device is replaced. - 特許庁

半導体基板１００のロジック内部回路領域においては、相対的に小さい膜厚を持つ第２のシリコン酸化膜からなる第２のゲート絶縁膜１１５と、第１の金属膜からなるバリアメタル１１６と、第２の金属膜からなる第２のゲート電極１１７とを有する第２のＭＯＳＦＥＴが設けられている。例文帳に追加

In the inner circuit region of the logic circuit on the semiconductor substrate 100, there is provided a second MOSFET having a second gate insulating film 115 comprising a second silicon oxide film with a relatively small film thickness, a barrier metal 116 comprising a first metal film and a second gate electrode 117 comprising a second metal film. - 特許庁

ネット家電機器コントローラ１２が貸し出しされているネット家電機器群１１の電源制御を行う電源制御信号送信手段４３を持つことにより、貸し出し期間中で貸し出し料金が正しく支払われている間のみネット家電機器を使用可能にするネット家電機器の貸し出しシステムである。例文帳に追加

A networked home appliance controller 12 has a power supply control signal sending means 43, which controls the power supply of a group of rental networked home appliances 11, so that a rental system for networked home appliances allows users to use networked home appliances only in the period, in which rents are paid correctly during the rental periods. - 特許庁

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。例文帳に追加

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted. - 特許庁

本発明は、試料と試薬を混合して濃度の測定をする自動分析装置の反応セルにおいて、反応セルの内・外側表面に放電加工による親水化処理が施された処理領域を有し、反応セルは上部が開口し、下部に閉じた底がある容器形状を有し、前記処理領域は、反応セルの底部から開口に向かう途中まで存在することを特徴とする。例文帳に追加

In the reaction cell for the autoanalyzer that measures concentration by mixing a sample and a reagent, there are regions on the outside/inside surface of the reaction cell where hydrophilic treatment is performed by electric discharge machining, and the reaction cell is shaped like a container, having an opening on top and a closed bottom, wherein the treated regions cover, from the bottom to the middle directed toward the opening. - 特許庁

目の周囲に接合して片方の目を覆うカバー本体の一端から、その中心部に向って眼鏡の鼻当支持具に差込んで止めるための差込手段を設けた、前記カバー本体の他端側には、眼鏡のつるの部分に対して圧着した状態で取付ける取付具を設けることで、着脱が容易な眼鏡用の視力矯正具とした。例文帳に追加

The eyesight corrector for spectacles which is easy to attach and detach is constituted by providing an insertion means which is inserted for fixation into a nose pad supporter of the spectacles from one end of a cover body joined around one eye to cover the eye toward the center part thereof, and then providing a fitting unit fitted to a temple part of the spectacles while pressed at the other end side of the cover body. - 特許庁

基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。例文帳に追加

A thin film transistor for a liquid crystal display device comprises: a gate electrode 11 formed on a substrate; a gate insulation film 12 formed of a high dielectric constant insulating material having structure in which functional group, metal oxide (Me), silicon (Si) and oxygen (O) are bonded on the gate electrode 11; and a source electrode 16a and a drain electrode 16b formed on the gate insulation film 12. - 特許庁

該シリコンウェーハは、バルク内に少なくとも１０^7ｃｍ^-3の酸素析出のための核形成中心の密度、及びウェーハ表側面に少なくとも１μｍの厚さを有する核形成中心不含のゾーン並びにウェーハ厚さの少なくとも５０％に相当する深さまで１００００ｃｍ^-3未満のＣＯＰｓ密度を有する。例文帳に追加

The silicon wafer has a density of nucleation centers for the oxygen precipitation of at least 10^7 cm^-3 in its bulk, and has a zone that does not contain nucleation centers, having a thickness of at least 1 μm on the wafer front surface, and COPs density that is smaller than 10,000 cm^-3, down to a depth corresponding to at least 50% of the wafer thickness. - 特許庁

防振支持装置Ｍは、振動源に固定されるアウター部材１１と、支持部に固定されるインナー部材１２と、両部材１１，１２を接続する弾性部材１４とを備え、弾性部材１４の内部に形成された空室１５にシリコンゲルや液晶高分子材料等の減衰機能を有する物質１６が封入される。例文帳に追加

This vibration isolating support device M is provided with an outer member 11 fixed to a vibration source, an inner member 12 fixed to a support part, and an elastic member 14 connecting both the members 11, 12, a hollow space 15 formed inside the elastic member 14 is sealed with a substance 16 having a damping function of silicone gel, liquid crystal polymeric materials, etc. - 特許庁

数平均分子量１万未満のポリフェニレンエーテル（Ａ）とクレゾールノボラックがたエポキシ樹脂（Ｂ）を混合反応させる製造方法において、成分（Ａ）の含有するアミン成分（Ｃ）の窒素原子が（Ａ）全量に対して１０〜１０００ｐｐｍであることを特徴とするエポキシ変性ポリフェニレンエーテルの製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the epoxy-modified polyphenylene ether comprises mixing the polyphenylene ether (A) having a number-average molecular weight of less than 10,000 with a cresol novolak epoxy resin (B) to cause them to react, where the amount of the nitrogen atom in an amine component (C) contained in the component (A) is 10-1,000 ppm based on the total amount of (A). - 特許庁

半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、シリコンウエハなどの基材上に形成された金属膜などの表面に存在する不純物金属、不純物無機材料、砥粒などのパーティクル等を効率的に除去することができる洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning solution capable of efficiently removing particles, such as an impurity metal, an Impurity inorganic material, an abrasive grain, and the like, in surfaces of a metal film or the like formed on a substrate, such as a silicon wafer or the like; and to provide a cleaning method using it. - 特許庁

配線基板が，基板上に配線層と，有機絶縁層とを少なくとも１層ずつ交互に積層してなり，かつ最上層の有機絶縁層がポリイミド系樹脂からなる積層体と，前記積層体の最上層の有機絶縁層上に配置される，酸化シリコンからなる無機絶縁層と，を具備する。例文帳に追加

The wiring board is provided with: a layered product formed by alternately stacking at least one wiring layer and one organic insulation layer on the board, wherein the organic insulation layer of the uppermost layer is formed of a polyimide-based resin; and an inorganic insulation layer arranged on the organic insulation layer of the uppermost layer of the layered product, and formed of silicon oxide. - 特許庁

発音部を内蔵するケーシング１２と、このケーシング１２に開設された放音孔１９と、この放音孔１９の前面に取り付けたパッキン２３とを有する電磁型発音体において、前記パッキン２３をシリコンゴムによって形成し、このパッキン２３をプライマ処理が施されたケーシング１２の前面１４に一体的に固着した。例文帳に追加

The gasket 23 of the electromagnetic sound producing body having a casing 12 incorporating a sound absorption section, a sound releasing hole 19 bored at this casing 12 and the gasket 23 mounted at the front surface of this sound releasing hole 19 is formed of a silicone rubber and the gasket 23 is integrally fixed to the front surface 14 of the casing 12. - 特許庁

ＣＺ法により、単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶を製造する際に、単結晶製造装置の駆動部をデジタル信号で制御して、無欠陥結晶を安定して育成し、単結晶の歩留まりと生産性を向上させることができる単結晶製造装置の駆動部の制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling the driving part of a single crystal manufacturing apparatus, by which a single crystal free from defects can be stably grown and the yield and productivity of the single crystal can be improved by controlling the driving part of the single crystal manufacturing apparatus with digital signals when a silicon single crystal is manufactured by a CZ(Czochralski) method using a single crystal manufacturing apparatus. - 特許庁

ダイレクトオフセット印刷用原版は、基板上に直接または他の層を介して積層された、親水性ポリマー、ポリマーエマルジョン、波長７００〜１２００ｎｍの範囲内に吸収を持つ光吸収剤、架橋剤及び親水性添加剤を混合して得られる感光性樹脂組成物からなる親水性樹脂感光層に、非画像部を形成する印刷用原版であって、該親水性樹脂感光層の表面にシリカおよび／またはアルミナが存在することを特徴とする。例文帳に追加

Silica and/or alumina exists on the surface of the hydrophilic resin photosensitive layer. - 特許庁