「残留熱応力」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

枠体と絶縁端子部材との接合部のボイドやロウ材不足等による気密性の劣化と、ロウ材溜まりによる基体と枠体と端子部材との間の残留熱応力で接合信頼性が損なわれていたのを解消すること。例文帳に追加

To dissolve deterioration in the airtightness caused by the void at the junction between a frame and an insulating terminal member, the shortage of brazing material, or the like, and the marring of the junction reliability by the residual thermal stress among the substrate, the frame, and the terminal member. - 特許庁

基板付き電子・電気回路部品の本体部側面に筒状ケースタイプ合金型温度ヒューズを臨ませてリード導体を基板に固定する場合、リード導体の固定作業性や残留応力を軽減しての良好な耐熱安定性や良好な動作性能を得る。例文帳に追加

To obtain fixing workability, heat-resistant stability under reduced residual stress, and superb working performance of a lead conductor, in case of fixing one to a base plate, with a cylindrical case type alloy temperature fuse made faced at a side face of a main body of an electronic/electric circuit component with a base plate. - 特許庁

これにより、シリンダブロック１の成型時にシリンダブロック本体２とシリンダライナ３との熱膨張差によって生じた残留応力の一部が解放されて、シリンダボア４のシリンダヘッドボルト穴７に臨む部位が外側に変形する。例文帳に追加

Thus, part of residual stress produced due to thermal expansion difference between the cylinder block body 2 and the cylinder liner 3 when forming a cylinder block 1 is released, and a portion of the cylinder bore 4 directed to the cylinder head bolt hole 7 is deformed outward. - 特許庁

外層と内層との熱膨張係数差が大きい場合でも、ロール内部に過大な残留応力が発生せず、ロール製造時に境界接合部が剥離するなどのロールの破壊を防止した超硬合金製圧延用複合ロールを提供する。例文帳に追加

To provide a composite roll made of cemented carbide for rolling which prevents the breaking of roll such as the boundary joint is separated when the roll is manufactured without causing excessive residual stress in the interior of the roll even in the case difference between thermal expansion coefficients of the outer layer and the inner layer is large. - 特許庁

これにより、熱伝導性、残留応力特性、構造安定性等が改善された記録ヘッド用の基体が提供され、高周波な吐出動作を安定した状態で長期間持続することが可能なインクジェット記録ヘッドが実現される。例文帳に追加

Thereby, the substrate for a recording head which has been improved in the thermal conductivity, a residual stress profile and structural stability is provided, and the ink-jet recording head which can maintain the high frequency discharge movement in the stable state for a long period is obtained. - 特許庁

さらに、需要家の溶接条件等に応じてあらかじめ設定されている許容値とパラメータとを比較し、パラメータが許容範囲内にないときは、矯正装置１０や熱処理炉９等を用いて矯正処理を行い、残留応力等を低減させる。例文帳に追加

Further, the allowable value previously set in accordance with welding conditions or the like by a demander and the parameter are compared, and in the case the parameter does not lie within the allowable range, straightening treatment is performed by using a straightening device 10, a heat treating furnace 9 or the like to reduce its residual stress or the like. - 特許庁

本発明は、熱間圧延鋼板の製造に関し、鋼材の冷却不均一によってもたらされる製品組織のばらつきに基づく品質の悪化、残留応力及び形状悪化を防止するための冷却装置の異常診断及び異常回避操業方法を提供する。例文帳に追加

To provide an abnormality diagnosis method of a cooling unit and an abnormality evading operating method by which the deterioration in quality, residual stress and the deterioration in shape on the basis of the variation in the structure of a product which is brought about by the non-uniform cooling of steel are prevented on the manufacture of a hot-rolled steel sheet. - 特許庁

加熱され、あるいは室温で加工された金属製薄板製品１に、より温度の低い、かつ製品形状を反転させた金型２、２′を表裏面から押し付けることを特徴とする金属製薄板製品の残留応力低減方法。例文帳に追加

In the method for reducing the residual stress, after the metal sheet product 1 is heated or is processed at room temperature, dies 2 and 2' which are colder than the room temperature and have the reversed shape of the product are pressed against the metal sheet product 1 from its top and bottom surfaces. - 特許庁

８％伸張のヒステリシス曲線において、張力緩和行程に於いて応力が０となった時の残留ひずみが３．３％以上であり、かつ、１５０℃での長手方向の熱収縮率が５．０％以下であることを特徴とするニ軸延伸ポリエステルフィルム。例文帳に追加

The biaxially stretched polyester film is characterized in that residual strain is not less than 3.3% when stress in a tension relaxing process becomes zero in a 8% stretching hysteresis curve and a heat shrinkage factor in the longitudinal direction of the film at 150°C is not more than 5.0%. - 特許庁

内面に貫通しない微小なき裂を有する鉛直方向の配管を拡管することにより、き裂の先端近傍に圧縮残留応力域を形成する施工方法において、配管の内部の流体を除去し、気体環境中とし、配管のき裂近傍に断熱材及び冷媒容器を設置する。例文帳に追加

In a construction method for forming a residual compressive stress region near a tip of a crack by enlarging the diameter of vertically arranged piping having a fine crack which does not pass through the inner surface, a fluid inside the piping is eliminated to form a gaseous environment, and a heat insulating material and a refrigerant container are provided near the crack of the piping. - 特許庁

さらに、需要家の加工条件等に応じて設定されている許容値と変形歪み又は変形量とを比較し、許容範囲内にないときは、矯正装置１０や熱処理炉９等を用いて矯正処理を行い、残留応力等を低減させる。例文帳に追加

Further, by comparing an allowable amount setup by the customer in accordance with the working condition with the deformation distortion or the deformation amount, the correction process is executed using a correcting device 10 and a heat treatment furnace 9 or the like to lower residual stress or the like if the given figures are out of permissible limits. - 特許庁

被溶接体１０１の溶接線１０５に沿って熱源を複数回移動させて複数の溶接パスで多層溶接したときの、被溶接体１０１の残留応力などの物理量を、現象を支配する微分方程式などを数値解析によって解く被溶接体物理量の解析方法である。例文帳に追加

This method for analyzing welded object physical quantity is provided to calculate the physical quantity such as the residual stress of the welded body 101 when a thermal source is moved several number of times along a weld line 105 of the welded body 101, and multi-layer welded by a plurality of weld paths by numerical analysis such as a differential equation governing a phenomenon. - 特許庁

電極２による加圧下で鋼板１同士をスポット溶接すると共にスポット溶接後の電極２に対する一時的通電にてスポット溶接部を発熱させて焼戻しし、かつ、スポット溶接部の周囲の引張り残留応力を電極２による加圧力の増大により減少させる。例文帳に追加

Steel sheets 1 are subjected to spot welding under a pressure by electrodes 2, and by temporary energizing to the electrodes 2 after spot welding, the spot weld zone is made to generate heat to temper it, and the residual tensile stress of the surroundings of the spot weld zone is decreased by the increase of a pressure force by the electrodes 2. - 特許庁

熱硬化処理を行う際に、既存の焼入れ設備を用いて内表面に未硬化層を安定して形成でき、しかも外表面の圧縮残留応力も十分確保できる中空シャフトおよび等速自在継手の外側継手部材を提供する。例文帳に追加

To provide a hollow shaft for allowing the use of existing quenching facilities to stably form an uncured layer on the inner surface during thermal hardening treatment while sufficiently securing compression residual stress on the outer surface, and to provide an outside joint member for a constant velocity universal joint. - 特許庁

半導体装置の表面保護膜または層間絶縁膜材料用途として、現像工程でアルカリ現像液が使用でき、低いキュア温度により、残留応力が低く、優れた耐熱性、機械特性等を発現するポジ型感光性レリーフパターン形成材料を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive relief pattern forming material for which an alkali developer can be used in a development process as a material for a surface protective film or an interlayer insulation film of a semiconductor device, and which ensures a low residual stress because of a low curing temperature and exhibits excellent heat resistance and mechanical characteristics. - 特許庁

熱間圧延後に水冷を施されて製造される厚鋼板について、一様な残留応力分布になるように調整することで、生産性を阻害すること無く、条切り歪等の形状不良の発生を防止することのできる厚鋼板の製造方法及び製造設備を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for manufacturing a thick steel plate by which the generation of defects in shape such as bar-cutting strain without inhibiting productivity by adjusting thermal stress so as to be uniformize residual stress distribution about the thick steel plate which is manufactured by performing water cooling after hot rolling. - 特許庁

半導体レーザ素子をサブマウントのような基板の表面上に実装する際に半導体レーザ素子に生じる残留熱応力を、低減ないし解消することで、信頼性が高く、正確に機能することのできる半導体レーザ素子の実装方法を提供する。例文帳に追加

To provide a packaging method of a semiconductor laser element of high reliability which can function accurately by reducing or canceling remaining thermal stress which is generated in the semiconductor laser element when it is mounted on the surface of a substrate such as a submount. - 特許庁

コーディエライト、スポジューメンおよびユークリプタイトなどを含む低熱膨張セラミックス部材において、加工による割れを抑え、高精度に仕上げた表面の残留応力を極小にし、かつ精度の変化を極小にするための処理方法を明らかにし、高精度を維持した部材を提供する。例文帳に追加

To provide a low thermal expansion ceramic member containing cordierite, spodumene and eucryptite, etc., in which high precision is maintained by clarifying a treatment method for suppressing crack by working and minimizing residual stress on the highly precisely finished surface and the change of precision. - 特許庁

セラミックス基板１に銅板２、３を直接接合法で接合して構成した金属−セラミックス複合基板に、室温から更に過冷却し再び室温に戻す温度サイクルを与えることにより、接合温度から室温に冷却する過程で発生する熱応力に起因する金属−セラミックス複合基板の残留応力を除去する。例文帳に追加

A metal-ceramic composite substrate constituted by bonding copper plates 2 and 3 to a ceramic substrate 1 by a direct bonding method is subjected to a temperature cycle of supercooling from a room pressure and returning to the room temperature again to remove the residual stress of the metal-ceramic composite substrate resulting from a heat stress occurring in a process for cooling from the bond temperature to the room temperature. - 特許庁

金属製の芯金８とこの芯金上の各々異なる材料の複数の弾性層９から構成された加熱定着ローラーにおいて、上記複数の弾性層の最外層９３は、表面抵抗率は１×１０^１６Ω以下であり、且つ、応力を印加し５０％伸張した後応力を零に戻したときの残留伸び率が３％以下の弾性材料である。例文帳に追加

In the heat fixing roller consisting of a metal core 8 and a plurality of elastic layers 9 made of different kinds of materials on the core, the outermost layer 93 of the plurality of elastic layers consists of an elastic material having ≤1×1016 Ω surface resistivity and ≤3% residual elongation when stretched by 50% by applying stress and then released from the stress. - 特許庁

該結晶薄膜１６は、縦長の３次元構造による変形の自由度を有するため、格子不整合や熱膨張係数差などに起因して基板１０と結晶薄膜１６との界面１６Ｂに応力が発生する場合であっても、上面１６Ａ側においては残留応力がほぼ存在しない状態となる。例文帳に追加

Since the crystal thin film 16 has a degree of freedom of deformation due to an oblong three-dimensional structure, even when stress takes place on an interface 16B between the substrate 10 and the crystal thin film 16 due to a lattice mismatch or a difference from coefficients of thermal expansion or the like, almost no residual stress exists on an upper face 16A. - 特許庁

シーム溶接の際に発生する変形や熱に起因する応力により、窓体にクラックや接合破壊が発生しないようにするとともに、窓体に発生する残留応力を低減し、長期にわたり気密信頼性を高く保持できる蓋体およびこれを用いた収納用パッケージを提供すること。例文帳に追加

To provide a cover and an optical element housing package using the cover capable of preventing cracks and joint damages from occurring on a window due to stress caused by deformation and heat occurring in seam welding, and of keeping the reliability of air tightness high, over a long period by reducing the residual stresses produced in the window body. - 特許庁

ＰＬＣを構成する基板１とそれを保持するキャリア６とを接合してなる光モジュールにおいて、基板１とキャリア６の線膨張係数の差によって生じる基板１への熱収縮応力及び残留収縮応力を極力低減するように構成し、高精度な光の波長制御を実現可能にする。例文帳に追加

To highly accurately control an optical wavelength, by reducing as much as possible a thermal contraction stress and a residual contraction stress to a substrate 1 caused by a difference between the linear expansion coefficients of the substrate 1 and a carrier 6, in an optical module obtained by bonding the substrate 1 comprising PLC and the carrier 6 holding it. - 特許庁

半導体材料の基板（２０）上に犠牲領域（２１）を形成し、そしてエピタキシャル層（２５）が成長し、その後、電気機械的超小型集積構造体が形成されるエピタキシャル層（２５）の領域（３３）を囲んで応力解放溝（３１）が形成され、その後、残留応力を解放するために、ウェハ（２８）が熱処理される。例文帳に追加

A sacrifice region 21 is formed on a substrate 20 of a semiconductor material, an epitaxial layer 25 grows, then a stress release groove 31 is formed by surrounding a region 33 of the epitaxial layer 25 in which an electromechanical microminiature integrated structural body is formed, and then a wafer 28 is heat-treated to release residual stress. - 特許庁

かかるバッファ層１３ａ，１３ｂにより、熱電変換層１１と電極層１２ａ，１２ｂにおける線膨張係数の差が軽減され、残留熱応力を緩和することができ、また、熱電変換層１１と電極層１２ａ，１２ｂの機械的な接合強度を向上させることができるので、耐久性に優れた熱電変換素子１となる。例文帳に追加

The differences between a linear expansion coefficient of the thermoelectric conversion layer 11 and those of the electrode layers 12a and 12b are reduced by the buffer layers 13a and 13b, residual thermal stress can be relaxed, and mechanical joint strength between the thermoelectric conversion layer 11 and the electrode layers 12a and 12b can be improved, whereby the thermoelectric conversion element 1 excelling in durability can be provided. - 特許庁

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要でシンプルな純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細で均質な残留応力の少ない加工性の良好な、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材に適した純銅板を提供する。例文帳に追加

To provide a simple method of manufacturing a pure copper plate in which cold forging, cold rolling and a subsequent heat treatment after hot forging or hot rolling are unnecessary and the pure copper plate obtained by the manufacturing method, which is fine and uniform, small in residual stress, excellent in workability, particularly suitable for a copper target base material for sputtering. - 特許庁

節点に対応する位置の固有ひずみの値を仮想温度差データおよび仮想熱物性データで置き換えた入力データを用いることにより、汎用解析コードを介して数値解析を行うことができ、仮想温度差データおよび仮想熱物性データで与えられる熱ひずみ分布と平衡する残留応力分布を求めることができる。例文帳に追加

By using input data formed by replacing the value of an inherent strain at a position corresponding to a node with imaginary temperature difference data and imaginary thermal physical data, a numerical analysis can be carried out through the universal analysis code, and the residual stress distribution counterpoising with a thermal strain distribution given by the imaginary temperature difference data and the imaginary thermal physical data can be obtained. - 特許庁

果汁飲料等の加熱殺菌された高温の内容物を充填する容器の高結晶化度および低残留応力化を確実かつ短時間で達成でき、高温時の形状安定性を向上させて熱変形を防止することができる低コストかつコンパクトな耐熱容器の成形装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for molding a low-cost and compact heat-resistant container which can reliably increas the crystallinity and reduce the residual stress of a container to be filled with a heat-sterilized hot content such as fruit juice and in a short time and can inhibit its thermal deformation by improving the shape stability at the time of a high temperature. - 特許庁

平板状のセラミック基板１１と；この基板１１の一方の面に形成された抵抗発熱体１２と；焼成により形成され、抵抗発熱体１２を直接的または間接的に被覆すると共にセラミック基板１１よりも小さな膨張率を有することにより、常温において内部に圧縮応力が残留しているオーバーコート層１４と；を具備している。例文帳に追加

This is equipped with the ceramic substrate 11 of flat-plate shaped; a resistor exothermic body 12 formed on at least one side of this substrate face; and an overcoat layer 14 which is formed by sintering and which directly or indirectly coats the resistor exothermic body 12 and wherein compressive stress remains inside at the room temperature by possessing a smaller coefficient of expansion than that of the ceramic substrate 11. - 特許庁

樹脂シートの加熱時や冷却時の温度変化による樹脂シートの伸縮量に対応しつつ樹脂シートを挟持し、加熱時における樹脂シートのシワや垂れ下がりを防止するとともに、冷却時において成形した樹脂シートに残留応力を発生させずに、品質的に安定させるとともに、所望する寸法の成形品を得る。例文帳に追加

To tightly hold a resin sheet while dealing with the expansion amount of the resin sheet due to temperature changes during heating or cooling of the resin sheet and prevent creases or sagging of the resin sheet from being generated during heating and further, ensure the qualitative stability of the resin sheet molded during cooling without generating a residual stress and obtain the molding having a desired size. - 特許庁

ガラス基板１０を、板状で平坦性に優れた耐熱性セッター（日本電気硝子株式会社製ネオセラムＮ−０）１１上に１枚づづ載置し、さらに耐熱性セッター１１の周囲に、４枚のダミーセッター１２を配置した状態でアニールすることによって、平面方向の残留応力が４ｋｇ／ｃｍ^2 のガラス基板を１２枚作製した。例文帳に追加

Glass substrates 10 are placed on heat-resistant setters 11 (Neoceram N-0(R)) having plate form with excellent flatness one for each setter and annealed by placing four dummy setters 12 around the heat-resistant setter 11 to produce 12 glass substrates having a residual stress of 4 kg/cm2 in the plane direction. - 特許庁

本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a GaAs single crystal wafer reduced in the influence of the warp of the wafer itself and the nonuniformity of wafer in-plane temperature for the thermal treatment in a device manufacturing process using the wafer, and generating no slip defects, which needs no relaxation of the residual stress by incorporation of dislocation, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

Ｎｉ：０．４〜６．０質量％、Ｓｉ：０．１〜２．０質量％を含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物から構成される電子材料用銅合金板又は条であって、表面から１μｍの深さにおける残留応力の絶対値が５０ＭＰａ以下であり、且つ、５００℃の温度で１分間加熱する熱処理によって引張強さが４０ＭＰａ以上低下する銅合金板又は条。例文帳に追加

The copper alloy or bar contains 0.4 to 6.0 mass% Ni and 0.1 to 2.0 mass% Si, and the balance Cu and inevitable impurities, wherein the absolute value of the residual stress at depth of 1 μm from the surface is ≤50 Mpa, and the tensile strength is decreased by ≥40 MPa by heat treatment of heating for one minute at 500°C. - 特許庁

弾性回復率＝応力残留変形回復量×１００／伸張変形量 （１） （Ａ）メルトフローレートが３．０±０．５ｇ／１０分であり、融解主ピークの温度が１４５±２℃であり、融解熱量が８７±５Ｊ／ｇであるプロピレン−エチレンランダム共重合体 （Ｂ）メルトフローレートが１．５±０．３ｇ／１０分であり、融解主ピークの温度が１３５±２℃であり、融解熱量が６０±５Ｊ／ｇであるプロピレン−エチレンランダム共重合体例文帳に追加

A temperature of a fusion main peak is 135±2°C, and quantity of heat of fusion is 60±5 J/g and 70 pts.wt. of the olefin polymer, is 70-100% in at least one resin composition for evaluation. - 特許庁

ステータコアに挿入配設した巻線コイルを加熱して、巻線コイルにおける電線被膜樹脂の残留応力除去及び水分除去を行うための予備乾燥工程Ｓ２と、予備乾燥工程Ｓ２において加熱された巻線コイルの温度をワニスの滴下温度まで低下させる冷却工程Ｓ３と、巻線コイルへのワニスの滴下を行う滴下工程Ｓ４とを含む。例文帳に追加

This vanish impregnation method includes a predrying process S2 for removing the residual stress and moisture of a cable covering resin in a winding coil by heating the winding coil inserted into a stator core, a cooling process S3 for dropping the temperature of a winding coil heated in the predrying process S2 to the drip temperature of vanish, and a dripping process S4 for dripping the vanish to the winding coil. - 特許庁

溶体化処理を施した後、引張加工によって残留応力を除去し、人工時効硬化処理を施して得られるアルミニウム合金の熱処理方法であって、人工時効硬化処理を施して得られたアルミニウム合金を、１７６℃以上１７８℃以下の温度に８時間以上１４時間以下保持することにより、ＳＡＥで規定された７４７５−Ｔ７３５１と同等の機械的性質を満足するアルミニウム合金が得られる。例文帳に追加

The aluminum alloy obtained by the application of the artificial age hardening treatment is held at 176 to 178°C for 8 to 14 h. - 特許庁

１８％Ｎｉ系マルエージング鋼からなる無端リングを５００〜７００Ｈｖの硬さに時効熱処理したのち、表面窒素濃度が０．５％以上、窒素の浸入深さが板厚中心までの距離の２０〜５０％、圧縮残留応力値が６００ＭＰａ以上となるように窒化処理を施す。例文帳に追加

This manufacturing method comprises ageing the endless ring made from 18%-Ni maraging steel to a hardness of 500-700 Hv, and then nitriding it so that a surface nitrogen concentration may be 0.5% or more, so that a nitrogen interstitial depth may be 20-50% of a distance to a center of board, and so that the compressive residual stress may be 600 MPa or more. - 特許庁

フレームの材料として、耐熱性が良く、加工性が良く、かつ外形が崩れないＰＰＥ（ポリフェニルエーテル：Ｐｏｌｙ Ｐｈｅｎｙｌ Ｅｔｈｅｒ）を用いることにより、残留応力による不具合の発生を防止して、分割した圧電素子を高精度に配列させて良好な超音波画像を得られる信頼性および強度の高い超音波振動子を提供すること。例文帳に追加

To provide a highly reliable and strong ultrasonic oscillator which prevents the occurrence of a trouble due to the residual stress and precisely arranges divided piezoelectric elements to acquire an excellent ultrasonic image by using PPE (Poly Phenyl Ether) which is excellent in heat resistance, is excellent in workability and maintains the external form as a material of a frame. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成した溝内に絶縁膜を埋め込む工程と、埋め込まれた前記絶縁膜上を覆うように被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を形成した後、熱処理により、前記半導体基板の前記絶縁膜周辺の領域に歪みを発生させる応力を前記絶縁膜に残留させ、素子分離領域を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: burying the insulating film in a groove formed in the semiconductor device; forming a coating film to cover the buried insulating film; and forming the element isolation region by leaving stress in the insulating film, the stress generating strain in a region of the semiconductor substrate at a periphery of the insulating film through a heat treatment after forming the coating film. - 特許庁

少なくとも経緯いずれか一方向の10％伸長時の応力が150N/5cm〜600N/5cmで、且つ当該方向における繰り返し変形後の残留歪みＲが１％以下である弾性織編物を融点の異なる２種以上のポリエーテルエステル系エラストマーからなる弾性糸を配した織編物を熱処理することにより得る。例文帳に追加

This elastic woven or knitted fabric having 150-600 N/5 cm stress at 10% elongation in at least either one of directions of warp and weft and ≤1% residual strain R after repeated deformation in the direction is obtained by heat-treating a woven or a knitted fabric comprising elastic yarns composed of two or more kinds of polyetherester-based elastomers different in melting point and arranged therein. - 特許庁

複数の分割積層鉄心を環状に組み合わせて構成する積層固定鉄心において、分割積層鉄心同士を溶接しても残留圧縮熱応力の影響を受けにくく、積層固定鉄心の径方向の位置ズレ防止に加えて、軸方向の位置ズレを抑制できる積層固定鉄心を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a laminated fixed core which is less apt to be affected by residual compression thermal stresses, even if split-laminated cores are welded to each other and which is capable of suppressing axial positional displacement, while preventing a positional displacement in the radial direction of the laminated fixed core, in the laminated fixed core constituted by annularly combining a plurality of the split-laminated cores. - 特許庁

コラム付き丸形鋼管柱は、曲げ精度が低いコラム付き半成形丸形鋼管を熱間成形することで、多大な労力と時間を要する手作業による精整作業を行うことなく、形状精度が良く、溶接部の品質を改善でき、残留応力が殆どなくて高い座屈強度を得られ、二次溶接性に優れ、十分な靱性を有するものとなる。例文帳に追加

The round steel pipe column with a column can improve shape accuracy; can improve the quality of the welding part; can provide high buckling strength without practically the residual stress; can improve secondary weldability and can have sufficient toughness without performing refining work by manual work requiring much labor and time by hot-forming the semi-molding round steel pipe with a column having low bending accuracy. - 特許庁

熱処理を施した歯車の歯底及び歯元に対し、先角形状の高硬度粒材をノズルからエヤ−と共に吹き付け投射して歯底及び歯元の表面異常層を剥離する工程と、該表面異常層を剥離させた歯底及び歯元に対し、所望の残留応力分布曲線が得られるピ−ニング条件でショットピ−ニングを施す工程と、を具備する。例文帳に追加

This bottom and dedendum surface treatment method comprises the steps of separating the abnormal surface layer of a bottom and a dedendum by projectedly blowing highly hard grain materials with sharp tip edge together with air from a nozzle onto the bottom and dedendum of the heat treated gear and applying a shot peening to the bottom and dedendum without the abnormal surface layer in such peening conditions that a specified residual stress distribution curve is obtained. - 特許庁

ステンレス鋼や合金工具鋼等からなる回転刃台の取り付け段部に超硬合金製の長尺刃部材がろう付けによつて固定されているペレタイザー用回転刃であっても、材料の熱膨張率の違いによつて内部に生じる残留応力をできるだけ小さくしたペレタイザー用回転刃を提供する。例文帳に追加

To provide a rotary blade for pelletizer in which a long size edge member made of a cement carbide is fixed by the soldering to the installing step of a rotary blade base which consists of a stainless steel, an alloy tool steel or the like, and the residual stress generated at the inside by the difference of the thermal expansion coefficient of the material is made as small as possible. - 特許庁

炭化珪素単結晶中に残留する熱応力歪や加工歪を、表面炭化による著しい結晶性劣化を起こすことなく除去し、結晶の加工プロセス時やデバイスプロセス時に結晶割れやクラック発生が起こらない炭化珪素単結晶の焼鈍方法、及び、その焼鈍処理を施された炭化珪素単結晶ウェハを提供する。例文帳に追加

To provide an annealing method of a silicon carbide single crystal capable of removing thermal stress distortion and processing distortion remaining in the silicon carbide single crystal without causing remarkable crystallinity deterioration due to surface carbonization and hardly causing crystalline cracking and crack generation at a working process of a crystal and at a device process and to provide a silicon carbide single crystal wafer subjected to an annealing treatment. - 特許庁