「Current source」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

The multi-port memory device has the data transmitting/receiving structure of a current sensor system and includes a data transmitting/receiving block for exchanging data with the global data bus, wherein the unnecessary charging source is cut off and also a desirable switch on/off control model is presented when driving a global data by locating a switch between the receiver of the data transmitting/receiving block and the global data bus.例文帳に追加

電流センサ方式のデータ送受信構造を備えて、グローバルデータバスとデータを交換するデータ送受信ブロックを備えるマルチ−ポートメモリ素子において、データ送受信ブロックの受信機とグローバルデータバスとの間にスイッチを配置してグローバルデータの駆動時、不要な充電ソースを遮断すし、合せて、好ましいスイッチオン／オフ制御モデルを提示する。 - 特許庁

The in-phase indicator lamp drive circuit extracts timing signals in a region changing from a negative electrode to a positive electrode, using as the center the zero-point voltage crossing region of the highest inclination in the voltage change, with respect to the phase change in the alternating current sine waves of the power source inputs input, respectively from the first and second input ends, and compares these two timing signals.例文帳に追加

同相表示灯駆動回路は、第１および第２の入力端からそれぞれ入力する電源入力である交流正弦波に対し位相変化に対する電圧変化傾斜の最も大きいゼロボルトを中心とし、正極から負極に変化する領域のタイミング信号をそれぞれ抽出し、これら２つのタイミング信号を比較する。 - 特許庁

In this case, when a voltage V_ESD based on electrostatic discharge is applied to the input terminal In, a discharge current Id not absorbed by the electrostatic discharge protection element 10a flows to the ground terminal GND via the electrostatic discharge protection element 20 and parasitic resistors (Rex2, Rch and Rex1) between the drain and the source of the Nch transistor N1 which has been turned on.例文帳に追加

ここで、入力端子Ｉｎに静電気放電による電圧Ｖ_ＥＳＤが印加された場合、静電気保護素子１０ａによって吸収できない放電電流Ｉｄが静電気保護素子２０およびオンとなったＮｃｈトランジスタＮ１のドレイン・ソース間の寄生抵抗（Ｒｅｘ２、Ｒｃｈ、Ｒｅｘ１）を介して接地端子ＧＮＤに流れる。 - 特許庁

A reference signal source 17 outputs, as a reference signal, a signal made by superimposing two signal components on each other: one is included in the measurement signal outputted by the converter 16 and caused by the leakage current of the thin-film specimen 10, and the other is caused by parasitic capacitance of a measurement system and by capacitance of the thin-film specimen 10.例文帳に追加

参照信号源１７は、電流電圧変換器１６が出力する測定信号に含まれる強誘電体薄膜試料１０の漏洩電流による信号成分と、測定系の寄生容量および強誘電体薄膜試料１０の静電容量による信号成分とを重畳した信号を参照信号として出力する。 - 特許庁

The sensor 111 has laminated sensor elements each of which is composed of a magnetic layer 211 and a conductive layer 212 which is formed between the magnetic layer 211 and a flexible substrate 214 and both ends of which are connected to a high-frequency current source 101 on the substrate 214 and magnetic anisotropy is imparted to the magnetic layers 211 in the width direction of the elements.例文帳に追加

磁界検出センサ１１１は、可撓性基板２１４上に、磁性体層２１１、該磁性体層２１１と基板２１４との間に形成され両端が高周波電流源１０１に接続される導電層２１２とが形成された積層型センサ素子を有し、磁性体層２１１には素子幅方向の磁気異方性が与えられている。 - 特許庁

The first and second electrodes 20, 24 are connected to the source of current via extension terminals 20T, 24T extended out to the peripheral edge of the substrate from the electrodes, and the terminal width of the extension terminal 20T of at least one of the electrodes 20 formed from a transparent conductive material such as ITO(indium tin oxide) is about 50% or more of the width of the electrode.例文帳に追加

第１及び第２電極２０、２４は、各電極から基板周縁部に引き出された引出端子２０Ｔ、２４Ｔを介して電流源に接続され、２つの電極のうち少なくともＩＴＯ等の透明導電性材料から構成される電極２０の引出端子２０Ｔの端子幅を該電極の幅の５０％以上としている。 - 特許庁

This detecting element B turns the transistor Q5 on/off according to the potential difference between both ends of the detecting resistor R1, and sends a current from a power source 4 out to the judging part 3 as a detection result reporting to the effect that the resistor R1 is disconnected, since by the on-state an open breakdown of the detecting resistor R1 is detected.例文帳に追加

この検出部Ｂは、検出用抵抗Ｒ１の両端の電位差に応じてトランジスタＱ５をオンオフし、トランジスタＱ５のオン状態により検出用抵抗Ｒ１のオープン破壊の検出状態となり、断線を検出した旨の検出結果として電源４からの電流をトランジスタＱ５を介して判定部３に送出する。 - 特許庁

Insulation property (voltage resistance characteristic) is assured between the primary and the secondary side of the piezoelectric transformers 2, 3 and/or between the primary side and the secondary side of the balance transformer 4 and moreover an impedance Zt is arranged to the balance transformer 4 for generating a virtual voltage source to cause a current to flow in the direction cancelling the leakage currents of the primary side and the secondary side.例文帳に追加

圧電トランス２，３の１次側と２次側及び／または前記バランス用トランス４の１次側と２次側との間で絶縁（耐圧特性）を確保すると共に、前記バランス用トランス４部分に１次側と２次側の漏洩電流を打ち消す方向に電流を流す仮想電圧源を生成するインピーダンスＺｔを配置する。 - 特許庁

The pulse width control circuit 13 feed-back-controls DC power while controlling pulse width modulation, based on a function table in variable value control which lets a current flow gradually according to a specified envelop pattern and a function table in fixed value control after variable value control, based on the conduction pattern corresponding to the AC power voltage from a three-phase commercial AC power source 5.例文帳に追加

パルス幅制御回路１３は、三相商用交流電源５からの交流電源電圧に対応した導通パターンに基づいて、所定の包絡線パターンに従って徐々に電流を流す追値制御の関数テーブルと追値制御後の定値制御の関数テーブルとに基づいてパルス幅変調制御しつつ、直流電力をフィードバック制御する。 - 特許庁

After separating into respective sensor chips 1 through dicing, a terminal connected with a power source such as a probe or the like abuts against a pad for applying voltage 16 of the sensor chip, then the current is passed through the bridge 28 so as to fuse the bridge 28 by applying the voltage between the both pads 16 for applying voltage, and the cantilever 4 is made operatable.例文帳に追加

ダイシングを行って、個々のセンサチップ１に分割した後に、センサチップ１の電圧印加用パッド１６、１６に、電源と接続されたプローブ等の端子を当接して両電圧印加用パッド１６，１６間に電圧を印加することによりアルミワイヤのブリッジ２８に電流を流して該ブリッジ２８を溶断し、カンチレバー４を可動とする。 - 特許庁

The opamp includes an input that communicates with the output of the zero-order TIA, a first transistor driven by the input, a second transistor that is driven by a first bias voltage and communicates with the first transistor, a first current source that communicates with the second transistor, and an output at a node between the first transistor and the second transistor.例文帳に追加

オペアンプは、０次のＴＩＡの出力に接続する入力と、該入力によって駆動される第１のトランジスタと、第１のバイアス電圧によって駆動され且つ上記第１のトランジスタに接続する第２のトランジスタと、第２のトランジスタに接続する第１の電流源と、第１のトランジスタと第２のトランジスタの間のノードに存在する出力と、を備える。 - 特許庁

To provide a switching power source apparatus in which a plurality of switching power supply units for supplying power of different voltages are included and all of them stop power supply at the same time when at least one of the switching power supply units supplies a voltage and/or a current beyond a predetermined range.例文帳に追加

相異なる電圧の電気を供給する複数のスイッチング電源部が備えてなるスイッチング電源装置において、前記複数のスイッチング電源部の少なくとも一つが予め設定した範囲を超えた電圧又は／及び電流の電気を供給すると、前記複数のスイッチング電源部の全てが電気の供給を同時に停止することを目的とする。 - 特許庁

When a second output transistor 12 is turned on after turning a first output transistor 11 from ON to OFF, first, a current flows from the source terminal of a second output transistor 12 to the drain terminal by the energy accumulated in an inductance element 13.例文帳に追加

第１の出力トランジスタ１１が導通から遮断に転じた後、第２の出力トランジスタ１２が導通すると、先ず、インダクタンス素子１３に蓄積されたエネルギーにより、第２の出力トランジスタ１２のソース端子からドレイン端子に向けて電流が流れ、次いで、出力コンデンサ１４の放電により、ドレイン端子からソース端子に向けて電流が流れる。 - 特許庁

A silicon meting device comprises a melting container 11 housing the silicon raw material 2, a cylindrical preliminary heating mechanism 14 surrounding the silicon raw material 2, an induction coil 12 wound around the preliminary heating mechanism 14, a power source circuit 13 supplying alternating current to the induction coil 12, and an attaching and detaching mechanism 15 attaching and detaching a preliminary heating mechanism.例文帳に追加

シリコン原料２を収容する溶解容器１１と、シリコン原料２を取り囲む筒状の予備加熱機構１４と、予備加熱機構１４の周囲に巻回された誘導コイル１２と、誘導コイル１２に交流電流を供給する電源回路１３と、予備加熱機構の着脱を行う着脱機構１５とを備えている。 - 特許庁

A method for reading out data stored in the memory cell includes applying boosted voltage to the node (A) electrically-communicating with the memory cell, this boosted voltage is higher than the power source voltage, further, this method includes detecting a current relating to the memory cell to indicate a binary value relating to data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加

メモリセルに記憶されたデータを読出すための方法は、メモリセルと電気通信するノード（Ａ）に昇圧された電圧を印加することを含み、この昇圧された電圧は電源電圧よりも高く、この方法はさらに、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した２進値を示すためにメモリセルと関連した電流を検知することを含む。 - 特許庁

The fixed electrode 211 is connected to an active layer 213 via a reverse conductivity-type impurity region 212, having a polarity opposite to that of an impurity region corresponding to source and drain, and removes electric charges which have accumulated in an active layer to cause saturation characteristics deterioration, when the TFT 210 for the current programming is in operation.例文帳に追加

固定電極２１１は、ソース及びドレインに相当する不純物領域とは逆の極性を有する逆導電型不純物領域２１２を介して活性層２１３と接続されており、電流プログラム用ＴＦＴ２１０の動作時には、活性層中に蓄積して飽和特性を劣化させる原因となる電荷を除去する。 - 特許庁

Here, a power supply device 60 comprises a single power supply unit, and the power supply unit receives an input of an alternating current AC from a power supply source via a single input path, and outputs direct currents DC0 and DC1 via a first output path to the control unit 70 and a second output path to the load, respectively.例文帳に追加

ここで、電源装置６０は、単一の電源ユニットで構成されており、この電源ユニットは、単一の入力経路を介して電力供給源からの交流電流ＡＣが入力され、制御部７０に至る第１の出力経路と、負荷に至る第２の出力経路とを介して直流電流ＤＣ０，ＤＣ１をそれぞれ出力する。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor resistor element and a semiconductor module with the semiconductor resistor element which can suppress a change in a resistance value of a resistor element layer due to a potential difference between a potential of the resistor element layer and a potential of a semiconductor substrate, power source line, signal line or the like which are disposed around the resistor element layer, without causing useless current and signal distortion or the like.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪み等を発生させることなく、抵抗素子層の電位と、その周辺の半導体基板や電源線、信号線等の電位との電位差によって抵抗素子層の抵抗値が変化してしまうことを抑えることのできる半導体抵抗素子及び半導体抵抗素子を有する半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加

ｐ型の不純物が導入される場合、このｐ＋不純物領域１３とｎ−不純物領域６とによってｐｎ接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極５に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのｐｎ接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れない。 - 特許庁

When he was young, he was a stubborn nationalist, but when the relationship between Japan and US deteriorated due to anti-immigrant movement seen in 'California Alien Land Law' (in 1912), he formed a plan of news service agencies to send Japanese news to the mass media in US, which was not successful, but this became the source of the current Jiji Press and Kyodo News. 例文帳に追加

若い頃は頑迷なナショナリストであったが、「外人土地所有禁止法」（1912年）に見られる日本移民排斥運動などで日米関係が悪化した際には、対日理解促進のためにアメリカの報道機関へ日本のニュースを送る通信社を立案、成功はしなかったが、これが現在の時事通信社と共同通信社の起源となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It has been pointed out that behind the rise is major companies’ shift to borrowing from banks as a fund source amid the deterioration of the environment for fund-raising through corporate bonds (commercial paper). The business condition for SMEs is severe in the current tough economic situation, with the balance of outstanding loans provided by Japanese banks to SMEs continuing to decline year-on-year. As a result, many SMEs are concerned about their fund-raising prospect and the economic condition, as I understand it. 例文帳に追加

国内銀行の中小企業向け貸出残高については、前年比マイナスで推移しているところでありまして、現下の厳しい経済情勢の下、中小企業の業況は厳しい状況にあり、多くの中小企業は資金繰りや景気の先行きに不安を感じていると認識をいたしております。 - 金融庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which is suitable for improvement in the information storing characteristic of a semiconductor device such as DRAM and SRAM or the like through reduction of a junction leak current resulting from a defect, by processing vacant hole defect remaining in the source-drain diffusing layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層に残留する空孔欠陥に対する処理を行うことにより、欠陥起因の接合リーク電流を低減する半導体装置の製造方法を提供し、これによってＤＲＡＭやＳＲＡＭ等の半導体記憶装置の情報保持特性を向上させるために好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The current detecting circuit is formed of a p-type output MOS transistor M1 as an element to be protected, a clamping circuit 1 for clamping a gate-source voltage of the output MOS transistor M1, a detecting circuit 2 for detecting operation of the clamping circuit 1, and a comparator circuit 3 for comparing the reference potential Vref and potential of output signal Out.例文帳に追加

本発明の電流検知回路は、被保護素子であるｐ型の出力ＭＯＳトランジスタＭ１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧をクランプするクランプ回路１と、クランプ回路１が動作したことを検出する検出回路２と、基準電位Ｖｒｅｆと出力信号Ｏｕｔの電位を比較するコンパレータ回路３で構成されている。 - 特許庁

The anti-microorganism agent dosing device using an ion phoresis is provided with a donor electrode 100 containing an anti-microorganism agent, a reference electrode 110 opposite the donor electrode and a power source unit 12 for feeding currents between the donor electrode and the reference electrode so as to bring the total amount of energizing current to 1 to 30 mA min/cm^2.例文帳に追加

本抗微生物剤投与装置はイオントフォレーシスを用いるものであり、抗微生物剤を含むドナー電極１００と、ドナー電極の対向電極として設けられるリファレンス電極１１０と、通電の総電流量が１〜３０ｍＡ・ｍｉｎ／ｃｍ^^２となるようにドナー電極とリファレンス電極間に電流を流す電源装置１２０とを備える。 - 特許庁

The device for confining plasma includes a chamber, a magnetic field generator 525 for applying a magnetic field into the chamber 310 substantially along the main axis of the chamber 310, a current coil 320 for inducing an azimuthal electric field into the chamber 310, and a plasma supply source 345 for injecting the plasma including electrons and ions into the chamber.例文帳に追加

プラズマ閉じ込めデバイスであって、以下：チャンバ、このチャンバ３１０の主軸に実質的に沿って、チャンバ３１０内に磁場を適用するための磁場発生器５２５、チャンバ３１０内に方位性電場を誘導するための電流コイル３２０、および電子およびイオンを含むプラズマをこのチャンバに注入するためのプラズマ供給源３４５を備える。 - 特許庁

As stated above, the surface of a part of the source region 12 and the drain region 13 is formed lower than the other regions, whereby a current flowing concentratedly on an upper face of the recess concerned of the gate electrode 10 flows uniformly in the entire trench 8, and an effective gate width of the recess formed so that its depth changes in the gate width direction is widened.例文帳に追加

このように、ソース領域１２とドレイン領域１３の一部の表面を他よりも低くすることにより、ゲート電極１０の当該凹部上面に集中して流れていた電流がトレンチ部８の全体に一様に流れるようになり、ゲート幅方向に深さが変化するように形成された凹部の実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁

Each electric floor heating panel 30 incorporates a temperature fuse 42 with a resistor where a fuse 42 is melted down by electric current flowing in the detection wire 24 when the meltdown layer 23 is melted by abnormal heating and the heater wire 22 and the detection wire 24 are shunted, in the neighborhood of both power source connection ends of the cord-like heater 20.例文帳に追加

各電気式床暖房パネル３０には異常加熱により溶断層２３が溶融してヒータ線２２と検知線２４とが短絡したときに検知線２４を流れる電流に起因してヒューズ４２が溶断するようになっている抵抗器付き温度ヒューズ４２を、コード状ヒータ２０の両電源接続端の近傍に組み込む。 - 特許庁

To solve the problems that relay wiring performed at every measurement requires much labor and sometimes a wattmeter is broken by a wrong operation, in the background that a voltage between both ends of a lamp and a current flowing in the lamp are inputted to the wattmeter through the relay so that a high voltage generated when a power source of an inverter is inputted is not applied to the wattmeter.例文帳に追加

インバータの電源を投入したときに発生する高圧が電力計に印加されないように、リレーを介してランプ両端の電圧およびランプに流れる電流を電力計に入力していたが、測定の度にリレーを配線するために手間がかかり、かつ誤操作して電力計を壊してしまうことがあるという課題を解決する。 - 特許庁

The plasma confinement device includes a chamber, a magnetic field generator for applying a magnetic field in the chamber substantially along the spindle of the chamber, and a current coil for inducing an azimuthal electric field in the chamber, and a plasma supply source for injecting plasma which has electrons and ions into the chamber.例文帳に追加

プラズマ閉じ込めデバイスであって、以下：チャンバ、このチャンバの主軸に実質的に沿って、このチャンバ内に磁場を適用するための磁場発生器、このチャンバ内に方位性電場を誘導するための電流コイル、および電子およびイオンを含むプラズマをこのチャンバに注入するためのプラズマ供給源、を備える、プラズマ閉じ込めデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a switching regulator which can prevent over-current from flowing into a switching element, even when the connection between a control circuit section controlling the switching element and a negative side power source voltage is interrupted, in the switching regulator controlling the switching of a switching element to convert input voltage to a prescribed voltage to output the same.例文帳に追加

スイッチング素子のスイッチングを制御することにより、入力電圧を所定の電圧に変換して出力するスイッチングレギュレータであって、スイッチング素子を制御する制御回路部と負側電源電圧との間の接続が遮断された場合でも、そのスイッチング素子に過電流が流れることを防止することができるスイッチングレギュレータを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first fin FET 100, a second fin FET 200 and a third fin FET 300 are increased in the number of fins according to the value of a drain current, but are equalized in the number of contacts to be connected to a pair of source/drain regions.例文帳に追加

第１のｆｉｎＦＥＴ１００と、第２のｆｉｎＦＥＴ２００と、第３のｆｉｎＦＥＴ３００とについて、ドレイン電流の値に応じてフィンの数を増加させるが、第１のｆｉｎＦＥＴ１００と、第２のｆｉｎＦＥＴ２００と、第３のｆｉｎＦＥＴ３００とのそれぞれにおいて、一対のソース・ドレイン領域に接続させるコンタクトを同一の数にする。 - 特許庁

A more uniform electromagnetic field space with coil surface flux density of 10-40 mTesla and flux density of about 0.5 mTesla at a position 20-40 cm away from the coil can be produced by applying a 50 or 60 Hz AD voltage from a plug 15 and a power source cord 16 to continuously pass 500-2,000 AT electric current through the coil.例文帳に追加

プラグ１５及び電源コード１６より６０Ｈｚ或いは５０Ｈｚの交流電圧を印加し、５００〜２０００ＡＴの電流を連続的にコイルに流すことにより、コイル表面での磁束密度が１０〜４０ミリテスラで、コイルから２０〜４０ｃｍ離れた位置の磁束密度が０.５ミリテスラ程度の、より均一な交番磁場空間をつくることができる。 - 特許庁

The fluid heater comprises a heating bent tube 10 formed in a tubular state of a conductive material and connected at both ends to communicate with piping in which the fluid to be heated flows, a coil 14 arranged at an outside of the bent tube and wound to surround the bent tube, and a power source 16 for supplying a high-frequency current to the coil.例文帳に追加

導電性材料によって管状に形成され、被加熱流体が流される配管に両端部が連通接続された発熱曲管１０と、発熱曲管の外側に配設され発熱曲管を取り囲むように巻装されたコイル１４と、コイルに高周波電流を流す電源装置部１６とを備えて、流体加熱装置を構成する。 - 特許庁

The deflection electromagnet control device comprises a pick-up coil 3 and an integrator 4 which measure the effective length integral value of the magnetic field generating deflection electromagnet, a computing element 5 which calculates the difference of the effective length integral value measured and an effective length integral value to be targeted, and a coil current value controlling power source 6 which controls the magnetic field generating deflection electromagnet according to the result of the difference.例文帳に追加

偏向電磁石が発生する磁場の有効長積分値を計測するピックアップコイル３及び積分器４と、計測した有効長積分値と目標とする有効長積分値との差を求める演算器５と、その差に応じて偏向電磁石が発生する磁場を制御するコイル電流値制御電源６とを備える。 - 特許庁

To measure the chip temperature of a semiconductor laser as a light source for an optical recorder in accordance with the detection of the output of semiconductor laser light, to control the correction of a droop and a thermal cross-talk and the correction of a change in photoreceptor-sensitivity caused by wavelength variation, and to always set a bias current value to be applied to the semiconductor laser to the optimum value.例文帳に追加

光記録装置の光源である半導体レーザのチップ温度の測定を半導体レーザ光出力の検出に従って実施し、ドループ、熱的クロストークの補正制御、波長変化に起因する感光体の感度変化の補正制御を行い、また半導体レーザに加えるバイアス電流値を常時最適値に設定する。 - 特許庁

Regarding the insider trading problem that was mentioned earlier, a sales official at Nomura Securities leaked information again, after a similar case in March. What do you think of the current situation in which the largest Japanese securities company is repeatedly leaking insider information? Also, don't you think that there is a problem with internal control systems? Currently, the source of an information leak is not subject to punishment. Won't you consider an institutional revision so that the source can be punished? 例文帳に追加

先ほどのインサイダーの件なのですけれども、3月に続いて今回も野村証券の営業社員が情報を流したということなのですけれども、最大手の証券会社が、たび重ねてインサイダー情報を流している現状についてどのようにお考えかと、この内部管理体制について問題があるというふうには思われないか。現在、その情報元というのは処分の対象ではないと思うのですが、これを処分が出せるように制度の変更等することは検討しないのかというのを教えてください。 - 金融庁

To provide a pump flow rate estimating system and a pump flow rate estimating method, for estimating a flow rate of a variable speed pump driven by variable voltage and a variable frequency power source controlled by delivery pressure constant control or estimated end pressure constant control, by an electric current and a speed of a driving electric motor and net generation pressure of the pump.例文帳に追加

本発明は、吐出圧力一定制御、あるいは、推定末端圧力一定制御によって制御されている可変電圧、可変周波数電源で駆動される可変速ポンプの流量を、駆動電動機の電流と速度、並びに、ポンプの正味発生圧力によって推定するポンプ流量推定システムおよびポンプ流量推定方法に関するものである。 - 特許庁

A buffer amplifier 1 of wide band low impedance which reduces output impedance of a transistor Q0 is inserted between the transistor Q0 being the signal source and a transistor Q1 constituting the current mirror with this transistor Q0, thereby, output capacity of the laser drive circuit can be reduced even when the number of transistors Q1, Q2, ... Qn constituting the output stage are many.例文帳に追加

信号源となるトランジスターＱ０と、このトランジスターＱ０とカレントミラーを構成するトランジスターＱ１との間に、トランジスターＱ０の出力インピーダンスを低下させる広帯域低インピーダンスのバッファアンプ1を挿入し、これにより、出力段を構成するトランジスターＱ１、Ｑ２、・・・Ｑｎの数が多い場合でも、レーザー駆動回路の出力容量を低下させることができる。 - 特許庁

The light source device 8 comprises an isolation circuit 23 for transmitting an electric signal and power while keeping electric insulation between the integral type receptacle 18b, and a signal connector 24 and a power supply circuit 25 at a predetermined withstand voltage and leaked current, and an isolation circuit 27 for transmitting power while keeping withstand voltage between the power supply circuit 25 and a commercial power supply.例文帳に追加

前記光源装置８は、前記一体型レセプタクル１８ｂと信号コネクタ２４及び電源回路２５との間の電気的絶縁を所定の耐電圧、漏れ電流で維持しつつ電気信号及び電力を伝達するアイソレーション回路２３と、前記電源回路２５と商用電源との間の耐電圧を維持しつつ電力を伝達するアイソレーション回路２７とを有している。 - 特許庁

The photoelectric conversion circuit includes: a circuit that becomes a current source according to intensity of infrared modulation light entering a photodiode by fixing voltage applied to the photodiode regardless of incidence intensity of light; and an LC parallel resonance load having a resonance frequency of the same frequency as that of infrared modulation light emitted from a light projection means.例文帳に追加

フォトダイオードにかかる電圧を光の入射強度に関係なく一定となるようにし、フォトダイオードに入射する赤外線変調光の強度に応じた電流源となる回路と、投光手段から発せられる赤外線変調光の周波数と同じ周波数の共振周波数を有するＬＣ並列共振負荷とで光電変換回路を構成した。 - 特許庁

The sensor has a constitution including: a temperature detection element wherein a constant current source to which the supply voltage is supplied is connected to an anode, and a cathode is connected to the ground; a level shift circuit having a temperature characteristic for shifting a voltage level of the anode of the temperature detection element; and a noninverting amplifying circuit wherein output of the level shift circuit is connected to a noninverting input terminal.例文帳に追加

電源電圧が供給される定電流源とアノードが接続されており、接地にカソードが接続された温度検出素子と、前記温度検出素子のアノードの電圧のレベルをシフトする温度特性を有したレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路の出力が非反転入力端子と接続された非反転増幅回路と、を有する構成により実現する。 - 特許庁

The EL display device having a plurality of pixels arranged in a grid shape includes a switch 121a, capable of preventing flowing of current to the drain electrode of a driving transistor 11a from an EL power source 12 during a video writing period for writing a video signal in an EL element 15, by turning on a switching transistor 11k by a gate signal from a gate signal line 2.例文帳に追加

格子状に配された複数の画素を有するＥＬ表示装置において、ゲート信号線２からのゲート信号によってスイッチングトランジスタ１１ｋをＯＮ状態にして、ＥＬ素子１５へ映像信号を書き込む映像書き込み期間において、ＥＬ電源１２から駆動トランジスタ１１ａのドレイン電極に電流が流れないようにするスイッチ１２１ａを有する。 - 特許庁

The source amplifier 25 includes: an NMOS differential pair including first and second NMOS transistors MN11 and MN12; a PMOS differential pair including first and second PMOS transistors MP11, MP12; output circuit parts (2, 3) for outputting the drive voltage in accordance with a current flowing to the NMOS differential pair and the PMOS differential pair; and first and second input level converting circuits 4 and 5.例文帳に追加

ソースアンプ２５は、第１及び第２ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１１，ＭＮ１２を含むＮＭＯＳ差動対と、第１及び第２ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１１，ＭＰ１２を含むＰＭＯＳ差動対と、ＮＭＯＳ差動対とＰＭＯＳ差動対に流れる電流に応じて駆動電圧を出力する出力回路部（２，３）と、第１及び第２入力レベル変換回路４、５とを備えている。 - 特許庁