「Line source」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

In the optical bidirectional line switch ring (BLSR) transmission system, a user sets squelch information with the cross connect setting in a transmitting source node A, the transmitting source node A transmits the squelch information to a passage node B, the passage node B automatically performs setting of cross connect and construction of a squelch table on the basis of the squelch information.例文帳に追加

光双方向ラインスイッチリング（ＢＬＳＲ）伝送システムにおいて、送信元ノードＡではユーザーがクロスコネクト設定とともにスケルチ情報を設定し、送信元ノードＡが該スケルチ情報を通過ノードＢに送信し、通過ノードＢは該スケルチ情報を基にクロスコネクトの設定及びスケルチテーブルの構築を自動的に行う。 - 特許庁

Current from a power source 30 becomes excess a current beyond a prescribed current value because resistance 14 within an IG key cylinder switch 12 is not interposed, even if an engine is started by directly connecting a power source line from a YASFET 40 being a switching device and a relay ST26 without interposing the resistance 14.例文帳に追加

ＩＧキーシリンダスイッチ１２内の抵抗１４を介さないで、スイッチングデバイスであるＹＡＳＦＥＴ４０からの電源ラインとリレーＳＴ２６を直接接続（直結）することにより、エンジンを始動させようとしても、抵抗１４を介さないので、電源３０からの電流は所定の電流値を超えて過電流となる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide an excellent positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, ensures diminished line edge roughness, and has a wide defocus latitude.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、ラインエッジラフネスが抑えられ、デフォーカスラチチュードが広く、優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical amplifying resin composition suitable for a time when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (157 nm) is used, and specifically, to provide a chemically amplifying resin composition compatible with both excellent sensitivity and line edge roughness characteristics when a light source at 157 nm is used.例文帳に追加

本発明の目的は、１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適な化学増幅型樹脂組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に優れた感度及びラインエッジラフネス特性両立する化学増幅型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and to concretely provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and ensuring reduced line edge roughness and development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が著しく軽減されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A serum estimating apparatus 1 detects a transmitted light transmitted through a blood collecting tube 100 by a line sensor 12 opposed to an infrared ray surface source 11 via the tube 100 when the tube 100 in which a bar code label 200 is adhered, is irradiated with an infrared ray from the surface source 11.例文帳に追加

血清量推定装置１は、赤外光面光源１１からバーコードラベル２００が貼着された採血管１００に赤外光を照射すると、採血管１００を介してこの赤外光面光源１１に対向するラインセンサ１２がこの採血管１００を透過した透過光を検出する。 - 特許庁

A constitution can be simplified by dispensing with a relay disposed in a power source line connected to a power source for the outdoor unit control section in a conventional example 2, costs can be reduced by reducing the number of components, and the reliability can be improved as deterioration of quality such as degradation of reliability caused by mechanical deterioration of the relay, can be prevented.例文帳に追加

これにより、従来例２で室外機制御部用電源に接続される電源ラインに介設されていたリレーが不要となり構成が簡易になると共に、部品点数の削減によるコストダウンが図れ、リレーの機械的劣化等による信頼性の低下といった品質劣化を回避できるため信頼性が向上する。 - 特許庁

In the LCD driver IC 10, a cell 12a of an SRAM 12, a cell 15a of source logic 15 corresponding to the cell 12a, a cell 20a of a DAC part 20, and a cell 30a of a source amplifier part 30 are arrayed on a straight line in parallel to a direction d2 perpendicular to the length of the LCD driver IC 10.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１０において、ＳＲＡＭ１２のセル１２ａと、そのセル１２ａに対応したソースロジック１５のセル１５ａ、ＤＡＣ部２０のセル２０ａ及びソースアンプ部３０のセル３０ａをＬＣＤドライバＩＣ１０の長手方向に垂直な方向ｄ２と平行に一直線上に一列に配置する。 - 特許庁

An N-channel FET connected in series to a plus side line of a DC power source can also be available as a rush current limiter not only by utilizing its drain/source as a switching element but also by applying voltage to the gate of the FET with desired inclination to realize operation like class-A amplification.例文帳に追加

直流電源のプラス側のラインに直列接続されたＮチャンネル型のＦＥＴは、そのドレイン・ソースをスイッチング素子とするばかりか、ＦＥＴのゲートに所望の傾きで電圧を印加させＡ級増幅のような動作を実現させることでラッシュ電流制限素子としても利用することができる。 - 特許庁

A call transmitted from a communication terminal device 1 of a call originating source by the ISDN line received by a communication terminal device 3 via an exchange 2 and a terminal adapter 6, and the communication terminal device 3 becomes a transfer source and transfers the incoming call to the communication terminal devices of transfer destinations 4 and 5 by transfer during a call.例文帳に追加

発信元の通信端末装置１からＩＳＤＮ回線で送信された通話を交換機２、タ−ミナルアダプタ６を通して通信端末装置３が受信し、通信端末装置３は転送元となって、着信した通話を転送先４、５の通信端末装置に通話中転送で転送する。 - 特許庁

The device has a precharge power source 19 for setting a pair of bit lines 15 extending in parallel to each other with a gap at equal potential, a pair of transistors 20 for connecting or disconnecting the power source to or from each bit line 15, and the precharge circuit 10 having a short circuit transistor 21 for making or breaking a short circuit between both bit lines 15.例文帳に追加

互いに間隔をおいて平行に伸長する一対のビット線１５を等電位に設定するためのプリチャージ電源１９と、該電源をそれぞれのビット線１５に断続するための一対のトランジスタ２０と、両ビット線１５の短絡を断続するための短絡トランジスタ２１とを含むプリチャージ回路１０を備える。 - 特許庁

To provide a power source voltage monitoring device, which sets the type of voltage to be supplied thereto of a device using multiple kinds of voltages to one, moreover, enables monitoring for abnormality, even in case of the disconnection of a detecting line and makes even a power source unit of a low level of negative voltage invulnerable to the effect of noises.例文帳に追加

本発明は、多種類の電圧を使用する装置の電源電圧監視装置に供給する電圧を１種類とし、しかも検出するラインが断線した場合でも異常として監視でき、また低電圧のマイナス電圧の電源装置でもノイズの影響を受けにくい電源電圧監視装置を提供する。 - 特許庁

A driving voltage supplying transistor Qv is connected between a first power source line VL1 which supplies driving voltage Vdd for driving the driving transistor Q1 and an voltage supplying line Lo extended along the direction of the row of the pixel circuit 20 provided at the right end side of an active matrix section 12.例文帳に追加

そして、駆動トランジスタＱ１を駆動させるための駆動電圧Ｖｄｄを供給する第１の電源線ＶＬ１と、アクティブマトリクス部１２の右端側に設けられた画素回路２０の列方向に沿って延設された電圧供給線Ｌｏとの間に駆動電圧供給用トランジスタＱｖを接続した。 - 特許庁

In a TFT section of one pixel region 115 partitioned by a gate line 125 and a source line 127 of the substrate for the display device, a gate insulating film 3 and a first semiconductor film 4 are formed so as to be contained in the first metal film 2 of the gate electrode formed on the substrate 1.例文帳に追加

表示装置用基板のゲート線１２５およびソース線１２７で区画された１つの画素領域１１５のＴＦＴ部において、基板１上に形成されたゲート電極たる第１の金属膜２内に収まるようにゲート絶縁膜３および第１の半導体膜４が形成されたものである。 - 特許庁

If a calling signal from a line switched network is received while performing packet switched communication in a communication unit 102, the packet switched communication under execution is interrupted and a message notifying rejection of a response to the relevant calling signal is transmitted to a transmission source of the calling signal by line switched communication.例文帳に追加

通信部１０２においてパケット交換通信を行っているときに回線交換網からの呼び出し信号を受信すると、実行中のパケット交換通信が中断され、当該呼び出し信号に対する応答を拒否することを知らせるメッセージが回線交換通信によって呼び出し信号の発信元に送信される。 - 特許庁

The power supply circuit is provided with a constant current source 6 connected between a feedback line L2 and a grounding to generate sink current constantly and raise gate voltage to a FET 3 up to a predetermined value with the sink current, and a FET 7 connected between the feedback line L2 and a grounding to be turned on synchronizing with a signal for turning off a FET 3.例文帳に追加

帰還ラインＬ２と接地間に接続され常時シンク電流を発生させ前記シンク電流によってＦＥＴ３へのゲート電圧を所定値まで持ち上げる定電流源６と、帰還ラインＬ２と接地間に接続されＦＥＴ３をオフさせる信号と同期してオンするＦＥＴ７とを備えた。 - 特許庁

An active matrix type display device is equipped with a specified number of dummy gate lines 14 and/or 15 which are provided before a head gate line G1 among a plurality of gate lines G1 to S220 and/or behind the tail gate line G220, and current-programmed from source lines S1 to S176 under the control of the gate driver 11.例文帳に追加

複数のゲートラインＧ１〜Ｇ２２０の前記先頭行のゲートラインＧ１の前段および／または前記末尾行のゲートラインＧ２２０の後段に設けられた、ゲートドライバ１１の制御によりソースラインＳ１〜Ｓ１７６から電流プログラムされる所定数のダミーゲートライン１４および／または１５を備えたアクティブマトリックス型表示装置。 - 特許庁

By the above, the wiring sheet resistance of the scanning line becomes possible to reduce as low as a few m/?, and the voltage drop generated at the scanning line can be restrained in allowable range even in the case of constructing an FED with a large display surface of 40 inch by utilizing the hot electron type electron source, and an image of high quality without unevenness of brightness can be obtained.例文帳に追加

これにより、走査線の配線シート抵抗を数ｍ／？まで低減可能となり、ホットエレクトロン型電子源を利用して４０インチの大画面ＦＥＤを構成しても、走査線に生じる電圧降下量を許容範囲以下に抑えることが可能となり、輝度むらのない高品質な画像を得ることができる。 - 特許庁

The second line 20 formed on a position where it laps over the thin-film transistor is arranged on the position where the second line 20 laps over a source region 13A or a drain region 13B of the thin-film transistor and does no lap over a gate electrode 15 and a lightly doped drain region (LDD regions 13C, 13D).例文帳に追加

薄膜トランジスタと重なる位置に形成される第２配線２０は、薄膜トランジスタのソース領域１３Ａまたはドレイン領域１３Ｂと重なる位置であって、ゲート電極１５及び低濃度不純物拡散領域（ＬＤＤ領域１３Ｃ，１３Ｄ）とは重ならない位置に配置されている。 - 特許庁

In each memory cell unit, a memory cell array consisting of a series connection in the array direction of a predetermined number of memory cell transistors MC capable of electrical writing and erasure of data has one end connected with a bit line BL through a first select gate transistor and the other end connected with a source line SL through a second select gate transistor SGS.例文帳に追加

各メモリセルユニットは、電気的なデータの書き込みおよび消去が可能な所定個のメモリセルトランジスタＭＣを列方向に直列に接続したメモリセル列の、その一端が第１の選択ゲートトランジスタを介してビット線ＢＬに接続され、他端が第２の選択ゲートトランジスタＳＧＳを介してソース線ＳＬに接続されている。 - 特許庁

First and second circuit elements 15 and 16 are mounted on a signal line 2 and a signal ground line 3 of a receiving circuit 4 which receives a signal transmitted from a signal source 1, respectively, and these circuit elements are connected to an input end 5 and a reference end 6 of the receiving circuit 4 via grounded third and fourth circuit elements 17 and 18.例文帳に追加

信号源１から送信される信号を受信する受信回路４の信号線２、シグナルグランド線３にそれぞれ第１、第２の回路素子１５、１６を実装し、これらを、接地された第３、第４の回路素子１７、１８を介して受信回路４の入力端５、基準端６に接続する。 - 特許庁

In the display device in which microcapsules with a plurality of built-in charged particles are disposed on a plurality of pixel electrodes and which displays lightness/darkness by controlling the charged particles by using potential of the pixel electrodes, pixels and a drive circuit for driving a source signal line or a gate signal line are formed.例文帳に追加

複数の画素電極上に、複数の帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルを配置し、画素電極の電位により帯電粒子を制御することによって明暗を表示する表示装置において、画素と同一基板上にソース信号線またはゲート信号線を駆動する駆動回路を形成した表示装置である。 - 特許庁

In addition, when updating of the data base 30 becomes necessary in the case of editing the source file by a symbol information dynamic control part 103, the data base is reconfigured dynamically, by deleting invalidated symbol information using a symbol information dynamic deletion part 104 and updating line number information by a line number dynamic updating part 105.例文帳に追加

また、シンボル情報動的制御部１０３により、ソースファイル編集時にデータベース３０の更新が必要となった場合、シンボル情報動的削除部１０４で無効となったシンボル情報を削除し、行番号動的更新部１０５で行番号情報の更新を行うことによって動的に再構築する。 - 特許庁

Signal transmission lines including power source lines and ground lines wired between the optical pickup and the main body device are provided while also used as wires for supporting the optical pickup, and a ground line of a focus driving coil and a tracking driving coil of an actuator and a ground line for a liquid crystal panel are shared by one wire.例文帳に追加

光ピックアップと本体装置との間に配線される電源線及びグランド線を含む信号伝送線が光ピックアップ支持用のワイヤーを兼用して設けられ、アクチュエータのフォーカス駆動コイル及びトラッキング駆動コイルのグランド線と液晶パネル用のグランド線が１本のワイヤーで共有化されている。 - 特許庁

The signal transmission circuit includes: an inverter which includes transistors 41, 42 connected in series between power supply lines 21 and 22; a source transistor 32 which is provided between the power supply line 22 and the transistor 42 and is put into a state of conductivity based on control signals; and a load transistor 51 which is used as a load circuit provided between the power supply line 21 and the transistor 41.例文帳に追加

電源線２１，２２間に直列接続されたトランジスタ４１，４２を含むインバータと、電源線２２とトランジスタ４２との間に設けられ、制御信号に基づいて導通するソーストランジスタ３２と、電源線２１とトランジスタ４１との間に設けられた負荷回路となる負荷トランジスタ５１とを備える。 - 特許庁

In a modified local self boosting scheme, 0 volt or low voltages are applied to two or more word lines, on the source side and to two or more word lines on the drain side of the selected word line to reduce band-to-band tunneling, and to improve the isolation of the channel regions coupled to the selected word line.例文帳に追加

改造された局部的な自己昇圧方式では、０ボルトまたは低い電圧が選択されたワードラインのソース側の２本以上のワードラインとドレイン側の２本以上のワードラインに印加されて、帯域から帯域へのトンネリングを低減すると共に選択されたワードラインに結合されたチャネル領域の絶縁を改善する。 - 特許庁

Among the node devices 150-1 through 150-8, a set of terminal node devices 150-1 and 150-4 which perform a transmission source and a transmission destination of data comprises a failure detecting unit which detects an occurrence of failure in a line 200 corresponding to two-line paths set between the node devices 150-1 and 150-4.例文帳に追加

ノード装置１５０−１〜１５０−８のうちデータの送信元および送信先となる一対の終端のノード装置１５０−１，１５０−４は、ノード装置１５０−１，１５０−４間に設定される２系統のパスに係る回線２００の障害の発生を検出する障害検出部を備える。 - 特許庁

The switching device provides an electrical connection between the voltage source and the single one of the three output lines in response to a switching signal, a voltage of the connected output line switching value in response to connection to a predetermined voltage and the multiple bit value represented by the output line is thereby selected.例文帳に追加

該切り替え装置は、切り替え信号に応答して、該電圧源と該３本の出力線のうちの１本との間の電気接続を提供し、該接続された出力線の電圧は、既定の電圧への接続に応答して値を切り替え、それによって、該出力線によって表される該複数ビット値が選択される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device having a plurality of NAND strings, wherein each of the NAND strings comprises: a memory cell block to which a plurality of nonvolatile memory cells are serially connected; a first selection gate transistor connected to a data transfer line contact; and a second selection gate transistor connected to a source line contact.例文帳に追加

複数のＮＡＮＤストリングを有する不揮発性半導体記憶装置であって、ＮＡＮＤストリングの各々は複数の不揮発性メモリセルが直列に接続されたメモリセルブロックとデータ転送線コンタクトに接続された第１の選択ゲートトランジスタとソース線コンタクトに接続された第２の選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

To read radiation image information recorded on a stimulable phosphor sheet with a line light source composed of a plurality of light sources arranged in a line in the main scanning direction, thereby securely preventing deterioration of the image quality of a radiation image obtained by the information, and preventing degradation in the erasure characteristics of the stimulable phosphor sheet, after reading.例文帳に追加

複数の光源を主走査方向に線状に配列してなるライン光源を用いて蓄積性蛍光体シートに記録された放射線画像情報を読み取ることによって得た放射線画像の画質劣化を確実に防ぐことができると共に、読み取った後の蛍光体シートの消去特性の悪化を防止する。 - 特許庁

After a word line WL functioning as a gate electrode of a selection MISFET in a DRAM is formed on the main surface of a semiconductor substrate, a plug (to be formed on a connection plug BP and a pattern SNCT) is formed to be connected with the source/drain of an MISFET is formed on an insulating film covering the word line WL.例文帳に追加

半導体基板の主面上にＤＲＡＭの選択ＭＩＳＦＥＴのゲート電極として機能するワード線ＷＬを形成した後、ワード線ＷＬを覆う絶縁膜にＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインとと接続するプラグ（接続プラグＢＰおよびパターンＳＮＣＴに形成されるプラグ）を形成する。 - 特許庁

The number of lines (four lines) of the sub-power source line 140 connected to the common connection part 141 coincides with the number of lines (four lines) of sub-word lines SWL, and also coincides with the number of lines (four lines) of redundant sub-word lines RSWL belonging to one redundant main word line RMWL.例文帳に追加

共通接続部１４１に接続されるサブ電源線１４０の本数（４本）は、１本のメインワード線ＭＷＬに従属するサブワード線ＳＷＬの数（４本）と一致し、かつ、１本の冗長メインワード線ＲＭＷＬに従属する冗長サブワード線ＲＳＷＬの数（４本）とも一致する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device of the dot inversion driving system inverting polarities of voltages which are applied to picture element area with respect to the voltage of a common electrode at every gate electrode line and for every source electrode line, the order of colors in a pixel in which three colors of R, G, B are made to be a pair is cyclically changed at every pixel.例文帳に追加

絵素領域に印加された電圧の極性を共通電極の電圧に対してゲート電極線およびソース電極線毎に反転させるドット反転駆動方式の液晶表示装置において、ＲＧＢの３色を１組とする画素内の色の順序を画素毎に巡回的に変化させる。 - 特許庁

An organic EL light source is designed to include a linear transparent electrode that is subjected to patterning with a line width thinner than the thickness of a light guide plate, a metal electrode that is thicker than the line width of the linear transparent electrode and permits a mirror reflection, and an organic EL material provided between the linear transparent electrode and the metal electrode.例文帳に追加

有機ＥＬ光源を、導光板の厚みより細い線幅でパターニングされた線状透明電極と、線状透明電極の線幅より太く鏡面反射可能な金属電極と、線状透明電極と金属電極との間に設けられた有機ＥＬ材料を備えることとした。 - 特許庁

A driving-voltage supplying transistor Qv is connected between a first power source line VL1 for supplying a driving voltage Vdd to drive the driving transistor Q1, and a voltage supply line Lo extended along a column direction of the pixel circuit 20 provided in a right end side of an active matrix part 12.例文帳に追加

そして、駆動トランジスタＱ１を駆動させるための駆動電圧Ｖｄｄを供給する第１の電源線ＶＬ１と、アクティブマトリクス部１２の右端側に設けられた画素回路２０の列方向に沿って延設された電圧供給線Ｌｏとの間に駆動電圧供給用トランジスタＱｖを接続した。 - 特許庁

To each pixel 100a of a solid-state imaging device 100, a shield line 7 held at a constant potential is formed at a side with a source line 6a of a pixel adjacent to the pixel in X direction to a first electrode 81a, a drain electrode 6c, and a drain of a field effect transistor 30.例文帳に追加

固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。 - 特許庁

Next, by applying a dummy read voltage lower than a predetermined read voltage to each selected memory cell and conducting each unselected memory cell, a charge of a bit line connected to a selected memory cell having a threshold voltage sufficiently lower than the read voltage is discharged through the selected memory cell and a common source line.例文帳に追加

次に、所定の読み出し電圧より低いダミー読み出し電圧を各選択メモリセルに印加しかつ各非選択メモリセルを導通させることにより、読み出し電圧より十分に低いしきい値電圧を有する選択メモリセルに接続されたビット線の電荷を当該選択メモリセル及び共通ソース線を介して放電する。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

A power source plug 20 is inserted in jacks 13, 13 of the inductor loading apparatus 10, and plugs 11, 11 of the inductor loading apparatus 10 are inserted in a receptacle which is not shown in figure and connected with the power line, thereby making it possible to increase impedance of the electric apparatus side which is viewed from the power line.例文帳に追加

電源プラグ２０を電力線搬送通信用インダクタ装荷器１０のジャック１３、１３に差し込み、かつ、該インダクタ装荷器１０のプラグ１１、１１を図示してないコンセント（電力線に接続されている）に差し込むことにより、電力線から見た電気機器側のインピーダンスを高インピーダンス化することができる。 - 特許庁

A power source scanner switches a feeding line DS of previous line, from high potential to low potential before the mobility correcting operation, and after the threshold potential correcting operation, introduces a capacity coupling voltage into one current terminal of the transistor T2 for driving via auxiliary capacitance Csub and to make it conduct normal execution of the mobility correcting operation.例文帳に追加

電源スキャナは、閾電圧補正動作の後で移動度補正動作の前に、前行の給電線ＤＳを高電位から低電位に切り換え、補助容量Ｃｓｕｂを介して容量カップリング電圧を駆動用トランジスタＴ２の一方の電流端に入れ、以って移動度補正動作を正常に行わせる。 - 特許庁

A word line WL which functions as the gate electrode of the selective MISFET of a DRAM is made on the main surface of a semiconductor substrate, and then, plugs (a connecting plug BP and a plug made in a pattern SNCT) to be connected with the source and drain regions of the MISFET are made in the insulating film covering the word line WL.例文帳に追加

半導体基板の主面上にＤＲＡＭの選択ＭＩＳＦＥＴのゲート電極として機能するワード線ＷＬを形成した後、ワード線ＷＬを覆う絶縁膜にＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン領域と接続するプラグ（接続プラグＢＰおよびパターンＳＮＣＴに形成されるプラグ）を形成する。 - 特許庁

A scanner for control 104 makes a sampling transistor Trs conductive in a time band, when a signal line DTL1 is on a reference potential and applies the reference potential on a gate g of a driving transistor Trd, and sets low potential to a source s of the drive transistor Trd from a supply line DSL1.例文帳に追加

制御用スキャナ１０４は、信号線ＤＴＬ１が基準電位にある時間帯でサンプリング用トランジスタＴｒｓを導通させ、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートｇに基準電位を印加するとともに、給電線ＤＳＬ１から低電位を駆動用トランジスタＴｒｄのソースｓにセットする。 - 特許庁

This electrode substrate is constituted so that a wiring width in an area A where wirings 21, 22 of a memory power source intersect a signal line 11 becomes larger than a wiring width in an area B where the wirings 21, 22 do not intersect the signal line by making the wiring capacity of the area A wider than the wiring capacity of the area B.例文帳に追加

メモリ電源配線２１，２２が信号線１１と交差する領域Ａの配線幅を、メモリ電源配線２１，２２が信号線１１と交差しない領域Ｂの配線幅よりも広くして、領域Ａでの配線容量が領域Ｂでの配線容量よりも大きくなるように構成した。 - 特許庁

A drive circuit 1 for a focus coil 42 and a tracking coil 44 has a step-up DC-DC converter 2 which generates voltage 2Vcc double the voltage Vcc of an external supply power source, and a 2Vcc line 4 is supplied with boosting voltage, and a Vcc line 12 is supplied with power voltage Vcc.例文帳に追加

フォーカスコイル４２およびトラッキングコイル４４の駆動回路１は、外部供給電源電圧Ｖｃｃの２倍の電圧２Ｖｃｃを生成する昇圧型ＤＣ−ＤＣ変換器２を有し、昇圧電圧が２Ｖｃｃライン４に供給され、電源電圧ＶｃｃがＶｃｃライン１２に供給される。 - 特許庁

A rule having a singular point that a line perpendicularly extending to a line connecting two points of arbitrary shrines is converged at specific one point and a characteristic that lines connecting such singular points form an isosceles triangle are utilized to clearly view a positional relationship of shrines or remains and to determine locations of undiscovered remains or water source sites, extinguished shrines, and the like.例文帳に追加

任意の神社の二点を結んだ線に直角に伸びる線が、特定の一点に収斂する特異点を持つ規則とその特異点を結んだ線が二等辺三角形になる特性を利用して神社や遺跡の位置関係を明視すると共に、未発見の遺跡や水源跡、消滅した神社の位置になどを求める。 - 特許庁