「Random Access」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid state storage device 100 is constituted by comprising a memory device 114 including any one of an atomic resolution storage device (ARS) and a magnetic random access memory (MRAM), a controller 400, and an integrated connector 104 to be used for directly connecting the storage device 100 with the other device.例文帳に追加

原子分解能記憶装置（ＡＲＳ）と磁気ランダム・アクセス・メモリ装置（ＭＲＡＭ）とのいずれか１つを含むメモリ装置１１４と、コントローラ４００と、記憶装置１００を別の装置に直接に接続するために使用される一体型コネクタ１０４とを含んでなる固体記憶装置１００を提供する。 - 特許庁

To provide: a magnetoresistive element structure that prevents characteristic deterioration of a magnetoresistive element due to heat etc., generated by heating or current injection during element manufacture; a magnetic random access memory using the magnetoresistive element structure; and a spatial light modulator using the magnetoresistive element structure.例文帳に追加

素子作製時の加熱や、電流注入によって生じる熱等による磁気抵抗効果素子の特性劣化を防止することができる磁気抵抗効果素子構造体、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた磁気ランダムアクセスメモリ、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた空間光変調器を提供する。 - 特許庁

If the SPS C-RNTI is contained and re-transmission is not instructed, or if the uplink grant contains T C-RNTI corresponding to the message of random access, the mobile station device determines only the cyclic shift that is applied to DMRS based on the cyclic shift information of the uplink grant (step S205).例文帳に追加

ＳＰＳ Ｃ−ＲＮＴＩが含まれており再送信を指示していない場合、および上りリンクグラントにランダムアクセスのメッセージに対応するＴ Ｃ−ＲＮＴＩが含まれている場合は、上りリンクグラントのサイクリックシフト情報に基づき、ＤＭＲＳに適用するサイクリックシフトのみを決定する（ステップＳ２０５）。 - 特許庁

This pachinko machine 1 stores the game information on the game state in a RAM(random access memory) 83C, feeds a backup voltage to the RAM 83C from a large-capacity capacitor C via connectors C2 and C3 when the operating voltage drops to a prescribed value or below, and can preserve the game information stored in the RAM 83C.例文帳に追加

パチンコ機１は、遊技状態に関する遊技情報をＲＡＭ８３Ｃに記憶し、動作用電圧が所定値以下に低下した場合に、ＲＡＭ８３Ｃに大容量コンデンサＣ１からバックアップ電圧をコネクタＣ２及びＣ３を介して供給して、ＲＡＭ８３Ｃに記憶されている遊技情報を保存できる。 - 特許庁

A magnetic random access memory is provided with memory cells MC11∼MCnm having a TMR (tunneling magnetoresistive) element 10 and a selection element Tr, and a read-out circuit 50 reading out storage information from the TMR element by applying read-out voltage to a selected memory cell and making to flow in the TMR element through the selection element.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、ＴＭＲ素子１０と選択素子Ｔｒとを有するメモリセルＭＣ１１〜ＭＣｎｍと、選択したメモリセルに読み出し電圧を印加し、選択素子を介してＴＭＲ素子に電流を流すことにより、ＴＭＲ素子から記憶情報を読み出す読み出し回路５０とを備えている。 - 特許庁

The integrated circuit has, on one hand, a RAM(random access memory) for the purpose of storing the pattern, and has, on the other hand, an extraction means (PE) for the purpose of extracting the pixels as a function indicating the number of bit per pixel from a selected pattern, and supplying a coding means(CM) with the extracted pixels.例文帳に追加

集積回路は、一方では、パターンを保存することを目的とするＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）を備え、また他方では、選択されたパターンからピクセル当りのビット数を示す関数としてピクセルを抽出し、それらの抽出されたピクセルを符号化手段（ＣＭ）に供給することを目的とする抽出手段（ＰＥ）を備える。 - 特許庁

When the user uses an entry section 103 to conduct prescribed entry to set a random access point setting while observing a moving picture displayed on a screen of a display section 102, a coding mode of an image coding section 104 is switched from an inter-frame coding mode into an in-frame coding mode automatically in interlocking with the entry of the user.例文帳に追加

ユーザが表示部１０２に画面表示された動画像を見ながらランダムアクセスポイント設定のための所定の入力操作を入力部１０３から行うと、そのユーザ入力に連動して画像符号化部１０４の符号化モードが自動的にフレーム間符号化モードからフレーム内符号化モードに切り替えられる。 - 特許庁

When recording time sequential data groups, such as video and music data, on a disk array part 30 capable of random access, file management information which shows the relation of a plurality of time-ordered data groups from a time code of the time-ordered data group is prepared by a file unit and is stored in an SRAM 405 of an operation management part 40.例文帳に追加

映像や音楽データ等の時間順データ群をランダムアクセス可能なディスクアレイ部３０に記録する際に、時間順データ群のタイムコードから複数の時間順データ群のつながりを示すファイル管理情報をファイル単位で作成して動作管理部４０のＳＲＡＭ４０５に記憶させる。 - 特許庁

To provide a method for improving interaction between a scheduling request (SR) procedure and a random access (RA) procedure in a user equipment (UE), in order to prevent uplink transmission error or RA procedure failure that may occur when performing the RA procedure corresponding to the SR procedure and to provide a communication apparatus.例文帳に追加

ＵＥ（ユーザー端末）でスケジューリングリクエスト（ＳＲ）プロシージャに対応するランダムアクセス（ＲＡ）プロシージャーを実行するときに発生しうるアップリンク伝送エラーまたはＲＡプロシージャの失敗を防止するために、ＳＲプロシージャとＲＡプロシージャーの間の相互作用を改善する方法及び通信装置を提供する。 - 特許庁

In the monitoring recording/reproducing device, an equipped RAM (high-speed random access memory) for alarm recording is utilized to control read from a hard disk drive and that from the RAM, thus switching the display without any additional costs and any breaks from the time shift reproduction to the live video reproduction.例文帳に追加

監視記録再生装置において、アラーム録画用の具備したＲＡＭ（高速ランダムアクセスメモリ）を利用し、ハードディスクドライブからの読み出しと、前記ＲＡＭからの読み出しを制御することで、余分なコストをかけることなくタイムシフト再生からライブ映像再生に切れ目を作ることなく表示を切替えることができる。 - 特許庁

Verification information generated based on both a verification factor generated as a random number by a server device 3, and transmitted to terminal equipment 2 and a file whose access right is held by a user by the terminal equipment 2 is transmitted to a server device 3, and stored in a verification information storage means 32 of the server device 3 together with the verification factor.例文帳に追加

サーバ装置３で乱数として生成され端末装置２に送信された検証因子と、端末装置２にてユーザがアクセス権を有するファイルの両方に基づいて生成された検証情報が、サーバ装置３に送信され、検証因子と共にサーバ装置３の検証情報格納手段３２に格納される。 - 特許庁

A radio base station apparatus includes: a traffic detection section 11 for detecting concentration of traffic; and a congestion prevention control section 12 for preventing generation of a congested state by discarding a random access channel signal or responding disabled radio link setting when the traffic detection section 11 detects traffic exceeding a predetermined volume.例文帳に追加

トラヒックの集中を検出するトラヒック検出部１１と、トラヒック検出部１１が所定量を超えるトラヒックを検出したときに、ランダムアクセスチャネル信号の破棄又は無線リンク設定不可応答を行って輻輳状態の発生を防止する輻輳防止制御部１２と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A mobile station UE is provided with a measurement unit 22 which is so configured as to perform measurement process based on predetermined information and a reporting unit 23 which is so configured as to report in a random access procedure a measurement result measured by the measurement unit 22, to a wireless base station eNB.例文帳に追加

本発明に係る移動局ＵＥは、所定情報に基づく測定処理を行うように構成されている測定部２２と、ランダムアクセス手順において、無線基地局ｅＮＢに対して、測定部２２によって測定された測定結果を報告するように構成されている報告部２３とを具備する。 - 特許庁

Specifically, a plurality of DAUs continued in such a manner that a playback time becomes 0.4 to 1.0 sec are collected into one and re-divided again and each re-divided DAU is applied to a pack format to be used for a DVD and TMAP information for achieving random access is generated from chain information of the DAUs.例文帳に追加

具体的には、再生時間が０．４秒から１．０秒になるような連続した複数のＤＡＵを１つにまとめ、それを再分割し、その再分割した各々を、ＤＶＤで使用されるパックフォーマットに当てはめると共に、ＤＡＵのチェーン情報から、ランダムアクセスを実現するためのＴＭＡＰ情報を生成する。 - 特許庁

This random access memory device is provided with NMOS transistors 14 connecting one end of plate lines PLS0-PLSm to word lines WL 0-WLm in accordance with switch control signals SELa, SELb, and NMOS transistors 16 connecting the other end of plate lines PLS0-PLSm to reference voltage (ground voltage) in accordance with switch control signals PRCHGa, PRCHGb.例文帳に追加

スイッチ制御信号ＳＥＬａ，ＳＥＬｂに応じてプレートラインＰＬＳ０〜ＰＬＳｍの一端をワードラインＷＬ０〜ＷＬｍに接続するＮＭＯＳトランジスタ１４と、スイッチ制御信号ＰＲＣＨＧａ，ＰＲＣＨＧｂに応じてプレートラインＰＬＳ０〜ＰＬＳｍの他端を基準電圧（接地電圧）に接続するＮＭＯＳトランジスタ１６とを設ける。 - 特許庁

And a method of manufacturing the magnetic random access memory is characterized that the tunnel oxide film is formed by atomic layer laminating method, and the other material films, especially the anti-oxidation film, are formed by a non-atomic layer laminating method.例文帳に追加

磁気トンネル接合層が下部磁性膜、酸化防止膜、トンネル酸化膜および上部磁性膜で構成されたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ、ならびに前記トンネル酸化膜は原子層積層法で形成し、他の物質膜、特に前記酸化防止膜は非原子層積層法で形成することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁

To provide a method and a system for inspecting a semiconductor by which the continuity etc., of circuit elements in a semiconductor device can be inspected by observation by a scanning charged particle microscope such as the electronic microscope etc., without performing such troublesome work as the random access operation of a probe.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、プローブのランダムアクセス操作のような厄介な作業をすることなく、電子顕微鏡等の走査型荷電粒子顕微鏡の観察から半導体デバイスにおける回路要素の導通等の検査を可能とする検査手法を提示し、それを実現するシステムを提供することにある。 - 特許庁

A control method of such a static random access memory (SRAM) cell is provided that an anti-parallel storage circuit storing a logic high level or a logic low level is included across a true node and a complementary node, and the true node and the complementary node are connected respectively to a true bit line (BLT) and a complementary bit line (BLC) by first and second transistors.例文帳に追加

真ノード、相補ノード間に論理ハイレベルまたは論理ローレベルを記憶するアンチパラレル記憶回路を含み、真ノードと相補ノードとは、それぞれ第１、第２のトランジスタによって真ビット線（ＢＬＴ）と相補ビット線（ＢＬＣ）とに接続されているスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルの制御方法が提供される。 - 特許庁

The CPU 11 selects a storage part (a RAM (Random Access Memory) 17 or an HDD 19) in which each individual file after ZIP extension is made to be stored based on the use frequency list 191, performs the ZIP extension to the individual file, and makes the individual file after the ZIP extension be stored in the selected storage part.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ１１は、当該利用頻度リスト１９１に基づいて、ＺＩＰ伸張後の各個別ファイルを記憶させる記憶部（ＲＡＭ１７又はＨＤＤ１９）を選択し、前記個別ファイルにＺＩＰ伸張を行い、前記選択した記憶部にＺＩＰ伸張後の個別ファイルを記憶させる。 - 特許庁

By using a clock signal x4Clk having a frequency higher than that of the operation clock c1Clk of a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR-SDRAM), a strobe signal edge detection part 1303 samples data strobe signals Dqs to detect the switching edge of the data strobe signals Dqs, and output an edge switching detection signal.例文帳に追加

ダブルデータレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ）の動作クロックｘ１Ｃｌｋの周波数より高い周波数をもつクロック信号ｘ４Ｃｌｋを用いて、ストローブ信号エッジ検出部１３０３が、データストローブ信号Ｄｑｓをサンプリングして、データストローブ信号Ｄｑｓの切り替わりエッジを検出し、エッジ切り替わり検出信号を出力する。 - 特許庁

To manage source music PCM data and copy music PCM data with the same time base as a reference even when signals with analog reproducing of the source music PCM data recorded on a magnetic tape together with a time code are sampled for each unknown sampling cycle by a computer and stored on a random access recording medium as copy music PCM data.例文帳に追加

タイムコードとともに磁気テープに記録されたソース音楽ＰＣＭデータをアナログ再生した信号をコンピュータにて不明のサンプリング周期ごとにサンプリングしてコピー音楽ＰＣＭデータとしてランダムアクセス記録媒体に格納しても、ソース音楽ＰＣＭデータとコピー音楽ＰＣＭデータとを同じ時間軸を基準にして管理できるようにする。 - 特許庁

The two-chip/single-die switching device architecture includes an internal memory storage block on the single-die, an external memory storage interface to a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM), an external memory manager, and a packet data transfer engine effecting packet data transfers between an internal memory store and the external DDR SDRAM memory.例文帳に追加

この２チップ／単一ダイの交換装置アーキテクチャは、単一ダイ上の内部記憶装置ブロック、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）への外部記憶装置インタフェース、外部記憶装置マネージャ、及び内部記憶装置と外部ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ記憶装置との間でパケット・データの転送を実行するパケット・データ転送エンジンを含む。 - 特許庁

An encoded signal (AS) is generated, including sinusoidal codes (Cs) that include a representation level (r) for each frame or including sinusoidal codes (Cs) where some of these codes comprise a phase (ψ); and a frequency (ω) and a quantization table (Q) for a given frame, when the given frame is designated as a random-access frame.例文帳に追加

符号化信号(ＡＳ)が生成され、この符号化信号は、フレーム毎の表現レベル(ｒ)を含む正弦波コード(Ｃ_S)を含むか、あるいは、所定フレームがランダムアクセス・フレームとして指定されている際には、この符号化信号が含む正弦波コード(Ｃ_S)の一部は、この所定フレームについての位相(ψ)、周波数(ω)及び量子化テーブル(Ｑ)を含む。 - 特許庁

The base station, when a predetermined value is set in a predetermined region containing a region arranged with radio resource assignment information in a downlink, sets a region in the downlink control channel other than the predetermined region with an identification number used for preamble specification as data concerning the preamble transmission using the random access channel, and transmits the downlink control channel to the mobile station.例文帳に追加

基地局は、所定の値を下りリンクの無線リソース割当て情報が配置される領域を含む所定の領域に含めたときは、下りリンク制御チャネルの該所定の領域以外の領域に、ランダムアクセスチャネルを用いたプリアンブルの送信に関するデータとして、プリアンブルの指定に用いる識別番号を含めて、移動局へ送信する。 - 特許庁

A spin injection magnetic random access memory has an antiferromagnetic coupling structure in which filter layers 22, 32 composed of ferromagnetic layers 23, 33, nonmagnetic layers 24, 34, and ferromagnetic layers 25, 35, a plurality of ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31 having mutually different switching current characteristics being stacked in series, and equalized in plane area of each ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31.例文帳に追加

フィルター層２２，３２が強磁性層２３，３３／非磁性層２４，３４／強磁性層２５，３５からなる反強磁性結合構造を有するとともに互いに異なったスイッチング電流特性を有する強磁性トンネル接合素子２１，３１を直列に複数個積層し、且つ、前記各強磁性トンネル接合素子２１，３１の平面面積を同じにする。 - 特許庁

The traffic detection section 11 detects the concentration of traffic when the number of random access channel signals per unit time, the number of call setting requests from an RNC 20 per unit time, the number of control signals from the RNC 20 and/or from a mobile unit 30 per unit time, and a CPU use rate of a BTS 10 exceed predetermined thresholds.例文帳に追加

トラヒック検出部１１は、単位時間当たりのランダムアクセスチャネル信号の数、単位時間当たりのＲＮＣ２０からの呼設定要求数、単位時間当たりのＲＮＣ２０及び／又は移動機３０からの制御信号数、並びに、ＢＴＳ１０のＣＰＵ使用率が所定の閾値を超えたときにトラヒックの集中を検出する。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

The OS checks whether elapsing a prescribed time using a time measuring part 16, when elapsing the prescribed time, checks data in a RAM(random-access memory) region storage part 15 under use, clears a counter related to the device to RAM device in which data is written, and increases the counter related to the device in which no data is written.例文帳に追加

時間測定部１６を用いて一定時間が経過したかどうかをチェックし、一定時間経過していれば使用中ＲＡＭ領域記憶部１５内のデータをチェックし、データが書かれているＲＡＭデバイスに対してはそのデバイスに関するカウンタをクリアし、データが書かれていないＲＡＭデバイスに対してはそのデバイスに関するカウンタをインクリメントする。 - 特許庁

The information recording device recording the MPEG transport streams uses the information recording medium where blocks each storing one MPEG transport stream or more are formed, table information is generated to manage recording addresses on the recording medium for each block, and an MPEG transport packet whose random access indicator (random_-access_- indicator) is '1' is selected and recorded at the head of each block.例文帳に追加

ＭＰＥＧトランスポートストリームを記録する情報記録装置であって、一つ以上のＭＰＥＧトランスポートストリームを格納したブロックを形成し、前記ブロックごとに記録媒体上での記録アドレスを管理するテーブル情報を生成し、前記ブロックの先頭には、ランダムアクセスインジケータ（ｒａｎｄｏｍ＿ａｃｃｅｓｓ＿ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）が１であるＭＰＥＧトランスポートパケットを選択して記録する。 - 特許庁

To provide a storage element of a magnetic random access memory (MRAM) with a thermally assisted switching writing procedure comprising: a magnetic tunnel junction formed from a magnetic storage layer, a reference layer, and an insulating layer inserted between the reference layer and the storage layer; and a first strap portion laterally connecting one end of the magnetic tunnel junction to a first selection transistor.例文帳に追加

磁気記憶層、基準層及び基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層から成る磁気トンネル接合部と、磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分とを有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の記憶素子である。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

The subscriber station requests up-band allocation in accordance with random access control at a communication start, requests up-band allocation or reports communication stop in accordance with polling control during a communication pause, and adds information of an up-request band corresponding to the existence/absence of subsequent incoming data to the incoming data during communication.例文帳に追加

加入者局は、通信開始時にランダムアクセス制御に応じて上り帯域割当を要求し、通信休止中はポーリング制御に応じて上り帯域割当の要求または通信停止の報告を行い、通信中は上りデータに後続する上りデータの有無に応じた上り要求帯域の情報を付加する制御手段を備える。 - 特許庁

The thermal printer includes: a plurality of heating elements 8; a thermal head 1 which is under thermal control per dot; a RAM (Random Access Memory) 7 which stores density data (printing gradation values) of each dot or values related thereto when the thermal head 1 is driven at a same gradation data (predetermined gradation value) and performs printing.例文帳に追加

本発明によるサーマルプリンタは、複数の発熱体８を有し、ドット単位で発熱制御されるサーマルヘッド１と、サーマルヘッド１を同一の階調データ（所定の階調値）で駆動して印画した際における、各ドットの濃度データ（印画階調値）あるいはそれに関連した値を記憶するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）７とを備える。 - 特許庁

The mobile station 11 redetermines a phase which is to be used for random access transmission to a base station with replacing an individual corresponding table 40-m included with user ID, quality of services QoS and mobile station class every time if collisions occur between another mobile station 11' and itself, and Ack cannot been received from the base station.例文帳に追加

移動局１１では、基地局へのランダムアクセス送信の際における位相の決定を、他の移動局１１’との間で衝突が起こり、基地局からのＡｃｋを受信できない状態では、毎回、例えばユーザＩＤ，サービス品質ＱｏＳ，移動局クラスといった個別対応テーブル４０-ｍを取り替えながら位相を決定し直す。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) cell based on a thermally assisted switching writing procedure, comprising a magnetic tunnel junction having at least a first magnetic layer, a second magnetic layer, an insulating layer disposed between the first and second magnetic layers, further comprising a select transistor and a current line electrically connected to the junction.例文帳に追加

少なくとも第一の磁気レイヤ、第二の磁気レイヤ及び第一の磁気レイヤと第二の磁気レイヤの間に配置された絶縁レイヤを有する磁気トンネル接合部を備え、更に、選択トランジスタと、接合部と電気的に接続された電流ラインとを備えた熱アシストスイッチング式書き込み手順にもとづく磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。 - 特許庁

To provide the device structure of a superconducting random access memory of ultra high speed and a large scale, of which the high temperature process can be employed for most of manufacturing processes, a memory cell can be miniaturized, an inductance can be efficiently formed on a DC bias current supply line, and a magnetic field is not affected by the bias current.例文帳に追加

大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。 - 特許庁

Each branch has a space stage that selects and packs at least a subset of data to be exchanged from an input data flow and a 2nd time stage including a random access memory device relating to a write memory and read memory that store sub sets of exchanged data and driven by a microprocessor and a main counter.例文帳に追加

このブランチの各々は少なくとも、交換されるデータのサブセットを入力データフローから選択しパックすることができる空間ステージと、交換されるデータのサブセットを格納することができかつマイクロプロセッサと主カウンタによって駆動される書込みメモリと読取りメモリに関連するランダムアクセスメモリ装置を含む第２の時間ステージとを含む。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell 100 comprises an insulating substrate 110, an electrically conductive base line 130 provided on the insulating substrate, at least one magnetic quantum dot 150 attached to the base line, and an electrically conductive top line 160 provided across at least one magnetic quantum dot in a direction transverse to the base line.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセル１００は、絶縁性基板１１０と、この絶縁性基板上に設けられる導電性のベースライン１３０と、このベースラインに取り付けられる少なくとも１つの磁気量子ドット１５０と、ベースラインを横切る方向に少なくとも１つの量子ドットのところで交差して設けられる導電性のトップライン１６０を有する。 - 特許庁

An SDRAM (static and dynamic random access memory) module MMD is constituted of macro selection circuits MSE0 to 3 to select whether or not instructions from the outside is carried out, operation registers provided in the macro selection circuits so that the instructions selected by the macro selection circuits are programmed from the outside and SDRAMs 10 to 13 to be operated by receiving instructions from the macro selection circuits.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭモジュールＭＭＤを、外部からの命令を実行するか否かを選択するマクロ選択回路ＭＳＥ０〜３と、このマクロ選択回路が選択する命令を外部よりプログラムできるようにマクロ選択回路内に設けたオペレーションレジスタと、マクロ選択回路からの指示を受けて動作するＳＤＲＡＭ１０〜１３により構成する。 - 特許庁

The magnetic random access memory disclosed herein includes a magneto-resistance effect element MTJ, a write line 42 for providing a magnetic field for data write to the magneto-resistance effect element MTJ, and a means Is2 for increasing the temperature of the magneto-resistance effect element MTJ more than that of other magneto-resistance effect elements during the data write.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線４２と、データ書き込みを行っている間、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段Ｉｓ２とを備える。 - 特許庁

This magnetic random access memory is provided with a magneto resistance effect element MTJ and current source circuits I1, I2, I3 for giving bias current/voltage to the magneto resistance effect element MTJ when data of the magneto resistance effect element MTJ is read out, a value of the bias current/voltage does not depend on a power source potential, and is varied depending on temperature.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪのデータを読み出すときに、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにバイアス電流／電圧を与えるための電流源回路Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３とを備え、バイアス電流／電圧の値は、電源電位に依存せず、温度に依存して変化する。 - 特許庁

Then, the setting value of the size and position or the like for display of the signal on the slave screen is recorded and preserved in a random access memory RAM 13, and the setting value is fed through the central processing unit 11 to the OSD 12 which generates a graph so as to be reduced or magnified corresponding to the magnification or reduction of the image on the slave screen.例文帳に追加

そして子画面の表示のサイズ及び位置等の設定値はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１３に記録保存され、この設定値が中央処理装置１１を通じて重畳表示手段１２に供給されて子画面の拡大または縮小に対応して縮小または拡大するように図形の発生が行われる。 - 特許庁

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric.例文帳に追加

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。 - 特許庁

A data transfer circuit 30 is configured by an SRAM (Static Random Access Memory) 304 for once storing the data transferred from the CPU, a bus switch 302 for disconnecting the SRAM 304 from a bus 11 after the data is stored into the SRAM 304, and a logic circuit 306 for reading the data out of the SRAM 304 and for supplying the data to a decoder 32.例文帳に追加

ＣＰＵから転送されたデータを一旦格納するためのＳＲＡＭ３０４と、ＳＲＡＭ３０４にデータが格納された後、当該ＳＲＡＭ３０４をバス１１から切り離すバススイッチ３０２と、ＳＲＡＭ３０４からデータを読み出して、デコーダ３２に供給するロジック回路３０６とによって、データ転送回路３０を構成する。 - 特許庁

A resource board for a circuit emulator holds other emulation resources such as a programmable logic device (PLD) and a random access memory (RAM), and employs both hard-wired and network-based virtual signal paths to flexibly route signals between the emulation resources on the resource board and resources mounted on other resource boards, workstations and other external equipment.例文帳に追加

回路エミュレータ用のリソースボードは、プログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）とランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のような他のエミュレーションリソースを具備し、ハードワイヤードでネットワークベースの仮想信号通路を用いてリソースボード上のエミュレーションリソースと、他のリソースボード上に取り付けられたリソース及びワークステーション並びに他の外部機器の間に柔軟に信号を送る。 - 特許庁