「ra」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface coating film layer that has such a special surface state as this can be realized by coating the steel sheet with a coating constituting a surface coating film layer through an undercoat coating film layer having, for example, an uneven surface with the Ra of ≥1.5 μm both in the direction L and in the direction C.例文帳に追加

このような特殊な表面形態を有する表面塗膜層は、例えば、ＲａがＬ方向、Ｃ方向とも１.５μｍ以上の凹凸表面を有する下地塗膜層を介して、その上に表面塗膜層を構成する塗料を塗布することによって実現できる。 - 特許庁

When it is defined that a reflection factor and transmittance of a laser beam on the face of the substrate, on which the reflection/transmission film is formed, are Rb and Tb and the reflection factor of the laser beam on the face of the substrate, on which the antireflection film is formed, is Ra, the following conditional expressions are satisfied.例文帳に追加

上記基板の反射透過膜が形成された面でのレーザ光の反射率および透過率をそれぞれＲｂおよびＴｂとし、上記基板の反射防止膜が形成された面でのレーザ光の反射率をＲａとすると、以下の条件式（１）および（２）を満足する。 - 特許庁

The shape is straightened by furthermore performing skin pass rolling at the draft of ≤0.5% by taking the work rolls at the final stand as the rolls having the surface roughness Ra of ≤1.0 μm after rolling a steel sheet into the final thickness of ≤0.1 mm.例文帳に追加

板厚０．１ｍｍ以下の最終板厚に圧延した後、さらに最終スタンドのワークロールを表面粗さＲａ：１．０μｍ以下のロールとし、圧下率０．５％以下のスキンパス圧延を行うことにより形状を矯正する。 - 特許庁

In the friction welding method by making the joining face of a steel tube and that of an aluminum alloy hollow member butt at each other and by relatively rotating them while pressurizing, the joining face of the steel tube is machined to a surface roughness Ra (center line average height) of 1.5-20 μm.例文帳に追加

鋼管とアルミニウム合金中空部材の接合面を突き合わせ、加圧しながら相対的に回転させることによって摩擦圧接する方法において、鋼管の接合面が表面粗さＲａ（中心線平均粗さ）１．５μｍ〜２０μｍに旋削されている。 - 特許庁

When the position I is switched to a position II, communication between the port B and the port RB is continued; other ports P, A, RA are closed to stop supply of air to the air cylinder, and the piston is moved by expansion of air while decelerating to relaxedely stop.例文帳に追加

位置Ｉから位置IIへ切り換えると、ポートＢとポートＲＢとの連通が継続され、他のポートＰ・Ａ・ＲＡが閉鎖され、エアシリンダへのエアの供給が停止し、エアの膨張によりピストンは減速しつつ移動し、緩衝停止する。 - 特許庁

In the chip resistor 10 where a filmlike resistor 14 is formed on the insulating surface of a substrate 12 and coated with a protective layer 16 and an external electrode 18 is provided, arithmetic average roughness Ra on the surface of the substrate 12 for forming the resistor film 14 is set at 0.02 μm or less.例文帳に追加

基板１２の絶縁性の表面上に膜状の抵抗体１４を形成し、この抵抗体膜１４を保護層１６で被覆し、外部電極１８を設けたチップ抵抗器１０において、抵抗体膜１４を形成する基板１２表面の算術平均粗さＲａを０．０２μｍ以下とする。 - 特許庁

In this coating layer 37, its Vickers hardness Hv is 3000 or more, the coefficient of dynamic friction μ is less than 0.15, the surface roughness Ra is less than 0.4, the color tone is less than 5.0 in brightness and the chroma of all chromatic colors is 2.5 or less (for example, gray).例文帳に追加

このコーティング層３７においては、そのビッカース硬度Ｈｖは、３０００以上であり、動摩擦係数μは、０．１５未満であり、表面粗さＲａは、０．４未満であり、色調は、明度５．０以下で、且つ、全ての有彩色の彩度２．５以下（例えばグレー）である。 - 特許庁

As a mold having a cavity C corresponding to the shape of the molding to be molded, a mortar mold 11 whose inner wall face S is formed of a cemented carbide with the average particle diameter of 0.2 to 5 μm, and having a face roughness Ra of 0.005 to 0.5 μm is used.例文帳に追加

成形すべき成形体の形状に応じたキャビティＣを有する金型として、内壁面Ｓが、平均粒子径０．２〜５μｍの超硬合金から形成され、面粗度Ｒａが０．００５〜０．５μｍとされた臼型１１を用いる。 - 特許庁

The water-soluble resin film is produced by coating a mixed solution having a minute domain formed of a birefringence material dispersed in a water-soluble resin solution on a metal surface having a surface roughness (Ra) of 1.5 μm or less and drying the coating to form the film.例文帳に追加

この水溶性樹脂フィルムは、複屈折材料により形成された微小領域が、水溶性樹脂溶液中に分散している混合溶液を、表面粗さ（Ｒａ）が１．５μｍ以下の金属表面上に塗布、乾燥することにより製膜を行うことにより製造する。 - 特許庁

The fluorescent material consists of a ceramic sintered compact composed of a single inorganic material, has a linear transmittance at a peak wavelength of the fluorescent light of ≥73%, and a surface roughness (Ra) at a light emitting surface of 0.6 to 2.7 μm.例文帳に追加

本発明に係る蛍光体は、単一の無機材料のみで構成されたセラミックス焼結体からなり、蛍光のピーク波長に対する直線透過率が７３％以上であり、光出射面における表面粗さ（Ｒａ）が０．６μｍ以上２．７μｍ以下である。 - 特許庁

This ridge-forming machine includes an auxiliary ridge-forming tool 19 for repairing the collapsed upper and lateral sides Ra, Rb of the formed ridge R2, when the ridge R1 is formed adjacent to the formed ridge R2, while making a part of it overlap the formed ridge R2.例文帳に追加

既成形畝Ｒ２に一部オーバーラップさせながら該既成形畝Ｒ２に隣接する畝Ｒ１を成形する際に、前記既成形畝Ｒ２の、崩された側の上面Ｒａ及び側面Ｒｂを修復する補助畝成形具１９を設ける。 - 特許庁

From the beat signal Xn in the up modulation after the action, a correlation matrix Ru is calculated (S310), and the matrix Ru, a correlation matrix calculated last time Ru1, and a correlation matrix calculated before last Ru2 are integrated to determine a matrix Ra.例文帳に追加

また、作用後の上り変調時のビート信号Ｘｎから、相関行列Ｒｕを算出すると共に（Ｓ３１０）、行列Ｒｕと、前回算出の相関行列Ｒｕ１と、前々回算出の相関行列Ｒｕ２とを積算して行列Ｒａを求める。 - 特許庁

A difference between a resistance-temperature coefficient TCR and a sensitiveness-temperature coefficient TCS of the resistors Ra and Rb is substantially equalized to a resistance- temperature coefficient TCRts of the feedback resistor, while the reference voltage Vref is prevented from fluctuating according to a sensed physical quantity change or temperature change.例文帳に追加

抵抗Ｒａ、Ｒｂの抵抗温度係数ＴＣＲと感度温度係数ＴＣＳとの差と、フィードバック抵抗の抵抗温度係数ＴＣＲｔｓとがほぼ同等となるようにすると共に、参照電圧Ｖｒｅｆがセンシングされた物理量変化や温度変化に対して変化しないようにする。 - 特許庁

The light reflecting layer is formed such that (1) the surface roughness value Ra of the flat metallic particles is smaller than 0.02 μm, and (2) the hard coating film serving as the light reflecting film is formed as a layer having the thickness within the range from 0.3 to 1.0 μm.例文帳に追加

光反射層を、▲１▼前記扁平状金属粒子は、該粒子の表面粗さ値をＲａとするとき、Ｒａが０．０２μｍ以下であり、かつ、▲２▼前記光反射層としての前記硬化塗膜は、膜厚が０．３〜１．０μｍである層として形成する。 - 特許庁

This polyolefin-based film has a surface roughness Ra of at least one surface of 0.15 or more, an in-plane phase difference before elongation R0 of 300 nm or less, and a ratio of R0 to an in-plane phase difference after 25% elongation R25, R25/R0 of 1.50 or less.例文帳に追加

ポリオレフィン系フィルムを、少なくとも片面の表面粗度Ｒａが０．１５以上であり、伸張前の面内位相差Ｒ_０が３００ｎｍ以下、２５％伸張後の面内位相差Ｒ_２５とＲ_０との比Ｒ_２５／Ｒ_０が１．５０以下のフィルムとする。 - 特許庁

A coating liquid for forming a surface layer the thin film of which formed on a flat plate has a gloss level of 2.0-30.0 (when measured at an incidence angle of 85°) is used for forming a surface layer, and the surface roughness Ra of the development roller is 0.9-2.1 μm.例文帳に追加

表面層形成に、平板上に形成した薄膜が光沢度（入射角８５°で測定）２．０以上３０．０以下である表面層形成用塗工液を使用し、現像ローラの表面粗さＲａが０．９μｍ以上２．１μｍ以下である。 - 特許庁

In a fuel assembly, for a coating tube 22 of each fuel rod, a centerline average roughness Ra meets range conditions of 0.25 μm or more and 0.7 μm or less and a ten-point average roughness Rz meets range conditions of 2.5 μm or more and 5 μm or less as the surface property characteristics thereof.例文帳に追加

燃料集合体において、各燃料棒の被覆管２２は、その表面性状特性として、中心線平均粗さＲａが０．２５μｍ以上、０．７μｍ以下の範囲条件を満たすと共に、十点平均粗さＲｚが２．５μｍ以上、５μｍ以下の範囲条件を満たす。 - 特許庁

The method includes a process where a molded form is obtained by press-molding metal particles of a predetermined composition in a magnetic field, and a process where the molded form is sintered in a state that it is held in a sintering container whose area above 50% of an outside surface has a surface roughness Ra below 1.0 μm.例文帳に追加

所定組成の金属粉末を磁場中にて加圧成形して成形体を得る工程と、その外表面の５０％以上の領域が１．０μｍ以下の表面粗度Ｒａを有する焼結容器内に成形体を収容した状態で焼結する工程と、を備える。 - 特許庁

The insulating base board of the organic EL element includes a base material made from a metal plate or metal foil, where an insulating layer made of an organic resin having a thickness of 1-40 μm and a surface roughness of Ra≤0.5 μm and Rmax≤1.5 μm is formed on the surface of the base material.例文帳に追加

この有機ＥＬ素子用絶縁基板は、金属板または金属箔を基材とし、有機系樹脂からなる膜厚１〜４０μｍ、表面粗さがＲａ≦０．５μｍ、Ｒｍａｘ≦１．５μｍの絶縁層を基材表面に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The surface of a press member 26 protruded partially into a cover storage space and engaged with a container cover is formed into a rough face having the bending central average roughness Ra in the range of 0.50-0.90 μm, particularly in the range of approximately 0.60-0.70 μm.例文帳に追加

蓋収容空間内に部分的に突出せしめられて容器蓋に係合せしめられる押圧部材（２６）の表面を、湾曲した、中心線平均粗さＲａが０．５０乃至０．９０、μｍ、特に０．６０乃至０．７０μｍ程度の粗面にする。 - 特許庁

In the optical sheet for a display device having one side surface on which the lens shape is shaped, the surface roughness Ra of the other surface on which the lens shape is not shaped is in the range of 0.2-0.6 μm, and the dynamic friction coefficient of the surface on which the lens shape is not shaped is ≤0.1.例文帳に追加

一方の表面にレンズ形状が賦型された表示装置用光学シートであって、レンズ形状が賦型されていない他方の面の表面粗さＲａが、０．２〜０．６μｍの範囲内であり、かつ、レンズ形状が賦型されていない面の動摩擦係数が０．１以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The relative positions of the transmitting element 20, the receiving element 30, and the test object 100 are set so that a gas propagation time ta in a gas route RA between the transmitting element and the receiving element is longer than a propagation time tb of the reflected wave in a reflecting route RB.例文帳に追加

反射経路ＲＢにおける反射波の伝播時間ｔｂよりも送信子及び受信子間の気中経路ＲＡの気中伝播時間ｔａが長くなるように送信子２０、受信子３０及び試験体１００の相対位置を設定する。 - 特許庁

In a doughnut shaped glass substrate, arithmetic average roughness Ra of the chamfered area and the side surface area of the internal circumferential surface is ranged from 0.05 to 1 μm, the maximum height Ry of the areas is ranged from 0.5 to 15 μm, and developed length ratio Lr of the areas is 1.006 or more.例文帳に追加

ドーナツ形状のガラス基板において、内周面の面取部および側面部の算術平均粗さＲａが０．０５〜１μｍ、かつ、それらの最大高さＲｙが０．５〜１５μｍあり、さらに、それらの展開長さ比Ｌｒが１．００６以上である。 - 特許庁

In the processing method of optical element, compression forming is performed by using a free curved plane die having the surface roughness Ra ≤6 nm and the shape precision PV ≤1 μm in the superplasticity flow temperature region of the amorphous metal thin film and the surface roughness and shape precision of the free curved plane die is applied.例文帳に追加

加工方法において、非晶質金属薄膜の超塑性流動温度域で、面粗度Ｒａ≦６ｎｍ及び形状精度ＰＶ≦１μｍ以下の自由曲面型を用いて圧縮成形し、自由曲面型の表面粗度及び形状精度を付与させる。 - 特許庁

This suction sheet to be used as a means to fix or more the article by suction shows 1 μm or less surface roughness in terms of arithmetic mean roughness (Ra) of at least one of the sides of a porous body, 300-1,500 mmAq breathing resistance and 500-7,000 kg/cm2 bending modulus.例文帳に追加

物品を吸引により固定乃至は移動する手段として使用する多孔質体の少なくとも片面の表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で１μｍ以下、通気抵抗を３００〜１５００mmAq、かつ曲げ弾性率を５００〜７０００kg/cm^2にする。 - 特許庁

After transfer, chemical dry etching (CDE) is applied, to make the surface roughness (Ra) of the rear surface 4 of the semiconductor chip 30≥0.05μm, for example, and hereby to remove minute chippings, microcracks, and crushed layers or the like on the cut surface of the semiconductor chip 30.例文帳に追加

転写後、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）を行い、半導体チップ３０の裏面４の面粗さ（Ｒａ）を、例えば、０．０５μｍ以上にして半導体チップ３０の切断面の微少なチッピング、微少なカケ、破砕層等を除去する。 - 特許庁

After that, roller vanishing working is applied on the surface of the raceway 1c, its average roughness Ra of the center line is made to be ≤0.25 μm, and the residual compressive stress at the depth at least 0.2 mm from the surface of the raceway part 1c is made to be ≥1,000 MPa.例文帳に追加

その後、当該軌道部１ｃの表面にローラバニシング加工を施して、その中心線平均粗さＲａを０．２５μｍ以下、軌道部１ｃの表面から少なくとも０．２ｍｍの深さの残留圧縮応力を１０００ＭＰａ以上にする。 - 特許庁

The production method comprises a step of working to form a surface roughness Ra of 5 μm or less on a spatter face 6 of a target 5 and a step of forming a film 4 on the surface of a preform 2 by a spattering method using the target 5.例文帳に追加

光学素子成形用金型１の製造方法であって、ターゲット５のスパッタ面６の表面粗さＲａを５μｍ以下に加工する工程と、前記ターゲット５を用いて、スパッタ法により母材２の表面に被膜４を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Volume resistivity of the upper region 13a of the substrate is 1×10^9-1×10^12 Ωcm, the surface roughness of the surface of the upper region 13a of the substrate is not more than 0.4 μm in centerline average roughness Ra, and the resin film is made of a modified fluorocarbon resin.例文帳に追加

基体の上部領域１３ａの体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１２Ω・ｃｍであり、基体の上部領域１３ａの表面の表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．４μｍ以下であり、上記樹脂膜が変性フッ素樹脂よりなる。 - 特許庁

In the semiconductor storage device 101, in addition to a BIST circuit 103 for testing a memory, a RA circuit 104 is incorporated to obtain a saving solution for replacing a defective cell by a redundant circuit based on a test result (fail data) obtained by the BIST circuit 103.例文帳に追加

半導体記憶装置１０１内に、メモリをテストするＢＩＳＴ回路１０３の他に、ＢＩＳＴ回路１０３が求めたテスト結果（フェイルデータ）に基づいて不良セルを冗長回路に置き換える救済解を求めるＲＡ回路１０４を内蔵する。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a magnetic disk which has very few defects existing on a surface in a level of proximity of 0.1 nm in arithmetic average roughness (Ra), and is suitable as a substrate for a magnetic disk of high recording density, and to provide a magnetic disk.例文帳に追加

算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１ｎｍ近傍におけるレベルにおいて表面に存在する欠陥数が非常に少なく、高記録密度磁気ディスク用の基板として適している磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを提供すること。 - 特許庁

Semispherical bodies of 5-50 μm are spread all over the surface of a cathode in the zero-gap electrolytic cell, and the activating cathode having 1-10 μm arithmetic surface roughness Ra according to JIS B-0601 is appropriately used.例文帳に追加

ゼロ・ギャップ電解槽において、陰極の表面形状が５〜５０μｍの半球状物を敷き詰めた形状であり、好適にはＪＩＳ Ｂ−０６０１で規定する算術表面粗さＲａ値が１〜１０μｍの活性化陰極を用いることを特徴とする。 - 特許庁

A state of the prescribed internal column address signal bit (CA<9:8>) is selectively fixed conforming to a mode switching circuit (8), and a specific row address signal bit (RA<12>) is transmitted instead of a column address signal bit (CA<9>) under control of the mode switching circuit (8).例文帳に追加

モード切換回路（８）に従って、所定の内部列アドレス信号ビット（ＣＡ＜９：８＞）の状態を選択的に固定し、またモード切換回路（８）の制御の下に、列アドレス信号ビット（ＣＡ＜９＞）に代えて特定の行アドレス信号ビット（ＲＡ＜１２＞）を伝達する。 - 特許庁

Semicircular images IA and IB are separately formed on display elements DA and DB installed inside the video projectors PA and PB, then, the two semicircular images IA and IB are optically formed through the relay lenses RA and RB so as to form a circular image IM, the circular image IM is projected on a doom screen 1 through the fisheye lens GL.例文帳に追加

ビデオプロジェクタＰＡ，ＰＢはそれぞれの内部の表示素子ＤＡ，ＤＢに半円像ＩＡ，ＩＢを生成し、リレーレンズＲＡ，ＲＢは２つの半円像ＩＡ，ＩＢを光学的に結像させて円像ＩＭを生成し、魚眼レンズＧＬは円像ＩＭをドームスクリーン１上に投射する。 - 特許庁

The solid electrolyte film of the thickness of 0.1-10 μm is formed on the surface of a porous plate-like sintered body for a thin-film gas sensor matrix made of trisilicon tetranitride needle crystal with the surface roughness of 30-300 nm in Ra value.例文帳に追加

針状結晶の四窒化三ケイ素からなり、表面粗さが、Ｒａ値で３０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である薄膜ガスセンサ基材用の多孔質板状焼結体の表面に、０．１〜１０μｍの厚さの固体電解質薄膜を形成させる。 - 特許庁

This game machine further includes a first transistor Q1 short-circuiting the DC voltage corresponding to the ON operation of itself and turning off the photocoupler PC, and a second transistor Q2 receiving the token putout signal PAY through a current control resistance Ra and being turned on.例文帳に追加

自らのＯＮ動作に対応して直流電圧を短絡させて、フォトカプラＰＣをＯＦＦ動作させる第１トランジスタＱ１と、電流制限抵抗Ｒａを通してメダル払出信号ＰＡＹを受けて、ＯＮ動作する第２トランジスタＱ２と、が設けられる。 - 特許庁

A resist film R is formed on a mirror finished surface of a substrate 10 consisting of silicon or glass subjected to mirror finish polishing on its surface and this resist film is exposed by a convergent electron beam or UV laser, etc., and is developed, thereby, the resist films Ra of the patterns corresponding to rugged shapes are formed.例文帳に追加

表面を鏡面研磨したシリコンあるいはガラスからなる基板１０の鏡面上にレジスト膜Ｒを形成し、このレジスト膜に集束電子ビームあるいは紫外線レーザなどにより露光し、さらに現像して、凹凸形状に対応するパターンのレジスト膜Ｒａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a precast concrete product by which the work of lining and integrating a sheet to the precast concrete product such as a culvert can be simplified , ra roughness coefficient can be reduced, durability can be enhanced, and the fixing work of the sheet to an inner mold face can be simplified.例文帳に追加

暗渠等のプレキャストコンクリート製品へシートを被覆一体化する作業の簡素化、粗度係数の低減、耐久性の向上、内型枠面へのシートの固定作業の簡略化等を図れるプレキャストコンクリート製品の製法を提供する。 - 特許庁

At such an area boundary, distance information on one area RA is mixed with distance information on the other area CA because of a perspective conflict, so that the distance information tends to vary to the value of the distance information on the other area toward the area boundary QM, which causes an error.例文帳に追加

このような領域境界では、遠近競合によって一方の領域ＣＡの距離情報に他方の領域ＲＡの距離情報が混入していることから、領域境界ＱＭに近づくにつれて他方領域の距離情報の値へと変化しようとする傾向になり、それが誤差の原因となる。 - 特許庁

The apparatus is provided with photodetecting sensors RA, RB and RC, optical systems (lens) LA, LB and LC for forming respective images of a subject on the photodetecting sensors, a projection element (LED) 40 for projection light onto the object, and a control means (CPU) 50.例文帳に追加

受光センサＲＡ，ＲＢ，ＲＣと、前記各受光センサに対してそれぞれ被写体像を結像するための光学系（レンズ）ＬＡ，ＬＢ，ＬＣと、被写体に対して光を投光する投光素子（ＬＥＤ）４０と、制御手段（ＣＰＵ）５０を備える。 - 特許庁

The diamond coated electrode is the electrode composed of the substrate and the diamond layer coated on the substrate, in which the substrate is silicon, the maximum height Rmax of the surface roughness of the substrate is 0.1 to 10 μm and the average roughness Ra is ≥0.05 μm.例文帳に追加

基板および該基板に被覆したダイヤモンド層からなる電極において、基板がシリコンであり、基板の表面粗さの最大高さＲｍａｘが０．１〜１０μｍであり、平均粗さＲａが０．０５μｍ以上であることを特徴とするダイヤモンド被覆電極である。 - 特許庁

Three original images are prepared as three-dimensional image data; interference fringes generated by object light Oa emitted from a first original image Fa and reference light Ra are obtained by computation and recorded in the recording regions A1, A2, A3 belonging to the first group.例文帳に追加

３通りの原画像を三次元画像データとして用意し、第１の原画像Ｆａから放出された物体光Ｏａと参照光Ｒａとによって生じる干渉縞を演算によって求め、第１のグループである記録領域Ａ１，Ａ２，Ａ３に記録する。 - 特許庁

Irregularity processing such as shot peening is applied to a surface side of the seal land part 18 of the shoe 9 to form a lot of microscopic concavities and convexities 18A, of which average surface roughness Ra is within a range of 0.5-5.0, to a whole surface.例文帳に追加

そして、シュー９のシールランド部１８の表面側には、例えばショットピーニング等の微細な凹凸加工を施すことにより、その平均表面粗さＲａが、０．５〜５．０の範囲内となる微細な多数の凹凸１８Ａを全面にわたって形成する。 - 特許庁

A reticle set RA for measurement having formed aperture patterns (PH_1 to PH_N) is lit with the light diffused with a light diffusing member with a timing such that the aperture patterns (PH_1 to PH_N) respectively become a conjugated relationship with the aperture 41a regarding the projected optical system PL.例文帳に追加

開口パターン（ＰＨ_１〜ＰＨ_Ｎ）が形成された測定用レチクルセットＲＡを、光拡散部材で拡散された光で、開口パターン（ＰＨ_１〜ＰＨ_Ｎ）のそれぞれが開口４１ａと投影光学系ＰＬに関して共役関係となるタイミングで照明する。 - 特許庁

In the component composing a vacuum film deposition system, a sprayed coating is formed on the surface of a base material composing the component body, and the surface roughness of the sprayed coating is 30 to 80 μm based on the center line average roughness (Ra).例文帳に追加

真空成膜装置を構成する部品であって、部品本体を構成する基材の表面に溶射皮膜が形成されており、この溶射皮膜の表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）基準で３０μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 特許庁