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target patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 874件
To detect a position with high accuracy without executing pattern matching in a rotational direction even when a detection target is disposed in an attitude including displacement in the rotational direction.例文帳に追加
検出対象が回転方向の位置ずれを含んだ姿勢で配置されている場合にも、回転方向のパターンマッチングを行うことなく、高精度の位置検出を行う。 - 特許庁
A control part 10 prepares correspondence relation in which actual measurement levels J1, J2, ..., J7 of pattern images G1, G2, ..., G7 are associated with target levels K1, K2, ..., K7 (a step S4).例文帳に追加
制御部10は、パターン画像G1,G2,…,G7の実測レベルJ1,J2,…,J7と目標レベルK1,K2,…,K7とを関連付けた対応関係を作成する(ステップS4)。 - 特許庁
A mounting stage 30 controls the position and posture, with respect to a reference plane, of a target work 22 on which exposure light is formed into an image and to be exposed with a predetermined mask pattern.例文帳に追加
露光光が結像されて所定のマスクパターンが露光される対象ワーク22の基準平面に対する位置および姿勢を制御する載置ステージ30である。 - 特許庁
To provide a hole pattern detector which can detect a hole, even in the case where the target of observation is charged up and the background cannot be expressed with a light and shade value.例文帳に追加
被観察対象物がチャージアップし、背景が一意の濃淡値で表されない場合であってもホールの検出が可能なホールパターン検出装置を提供すること。 - 特許庁
The upper layer film in the vicinity of a processing target position of the object to be processed is removed by the FIB processing, and a recognizable layout pattern is made exposed in the FIB image.例文帳に追加
被加工体の加工目的位置の近傍の上層膜をFIB加工によって除去し、FIB像において識別可能なレイアウトパターンを露出させる。 - 特許庁
A crown 8 has such an illusional pattern as to be sensed to move visually in the same direction as the line 1 passing the target and the ball visually recognized from the visual line in addressing.例文帳に追加
アドレス時の視線で視覚上認識される目標とボールを通過する線1に視覚上同方向に動くと知覚される錯視図をクラウン8に施す。 - 特許庁
First the arithmetic processing section 2 applies first quantization to a target pixel of the multi-level image data associated with the blue color to decide a dot incidence pattern C_(B)i,j [k].例文帳に追加
この演算処理部2は、まず、ブルーに関する多階調画像データの注目画素について、ドット出現パターンC_(B)i,j[k]を決定する第1量子化を行う。 - 特許庁
Then, a processing unit 10 outputs the width and length of the wiring pattern designated as the wiring information output target into a file identified by the file name.例文帳に追加
そして、演算処理装置10は、配線情報出力対象として指定された配線パターンの幅と長さを上記したファイル名で特定されるファイルに出力する。 - 特許庁
This method can make the luminescence center form, by irradiating interference light of a laser beam, in the domain of the target corresponding to the above interference pattern.例文帳に追加
この方法は、レーザー光の干渉光を照射することにより、ターゲットのうち、前記干渉パターンに対応した領域に発光中心を形成させることができる。 - 特許庁
The matoe for tekichu-sei is triple black rings, the same pattern as kasumi-mato for kinteki, and the one for tokuten-sei is the same as target archery (the size of a whole mato and the point allocation are different). 例文帳に追加
的絵は、的中制は近的用霞的と同様の三重の黒輪、得点制はターゲットアーチェリーの配色と同様である(全体の寸法と配点は異なる)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A developing means 16 expands the inputted sentence to a target language pattern, on the basis of the combination of the original language patterns of the nesting structure by referring to the dictionary 14 and obtains translation results.例文帳に追加
展開手段16は、入れ子構造の原言語パターンの組み合わせに基づきパターン辞書14を参照して目的言語パターンに展開し、翻訳結果を得る。 - 特許庁
Then, the predicted inflow water volume pattern at the operation plan preparation target date of a dam is prepared based on the calculated predicted error, and displayed to an operation plan preparator.例文帳に追加
そして、算出した予測誤差に基づいてダムの運用計画作成対象日の予測流入水量パターンを作成し、運用計画作成者に対して表示する。 - 特許庁
Concerning each target pixel, when the coincidence of pattern matching is not good, it is judged that there is the possibility of wrong detection of an object outside the measurement range.例文帳に追加
また、各ターゲット画素について、パターンマッチングの一致度が良くない場合には、計測範囲外の物体を誤検出している可能性があると判断してもよい。 - 特許庁
Therefore, the battery can be charged so that the temperature of the battery at the charging completing time may become the target temperature value (the lowest temperature) by optimizing the temperature rising pattern.例文帳に追加
このため、温度上昇パターンを最適にすることで、充電完了時の温度が到達目標温度値(最も低い温度)となるように充電することができる。 - 特許庁
To provide a design system capable of proposing a design pattern employing a low power consumption flip-flop while preventing the deterioration of a target machine cycle (delay).例文帳に追加
目標マシンサイクル(ディレイ)を悪化させないように考慮しつつ、低消費電力フリップフロップに切替えた設計パターンを提供し得る設計方式を提供する。 - 特許庁
A consultant side 13 receives design data of a target circuit pattern of an integrated circuit device, a difference between a pattern form formed on a substrate using the design data and the design data, and manufacturing process information when the circuit pattern is formed on the substrate from a manufacturer side 11 via a network 12.例文帳に追加
製造者11側からコンサルタント13側が、集積回路装置における目標とする回路パターンの設計データと、前記設計データを用いて基板上に形成されたパターン形状と前記設計データとの差異と、前記回路パターンを基板上に形成した際の製造工程情報とを、ネットワーク12を介して受け取る。 - 特許庁
The inspection pattern 13 is constituted by an aggregate in which each of multiple pieces of a flaw inspection pattern 13a including the length corresponding to a flaw inspection standard, and each of multiple pieces of a flaw inspection pattern 13b including the length corresponding to a dent inspection standard are alternately provided along the edge of the inspection target area.例文帳に追加
検査用パターン13は、傷の検査規格に応じた長さを有する個片状の傷検査用パターン13aと、打痕の検査規格に応じた長さを有する個片状の傷検査用パターン13bとが、検査対象エリアの縁に沿って複数個交互に配置された集合体で構成されている。 - 特許庁
A detection probe pattern by means of a first solution (nucleic acid probe) is formed on a detection substrate 108, and after the volatile substance in the first solution has been volatilized, a spot pattern due to a second solution (target nucleic acid) is formed on the detection probe pattern, to cause the hybridization reaction of the first and second solution.例文帳に追加
検出用基板108上に第1の溶液(核酸プローブ)による検出用プローブパターンを形成し、第1の溶液における揮発物質の揮発後に、検出用プローブパターン上に第2の溶液(標的核酸)によるスポット状パターンの形成を行い、第1の溶液及び第2の溶液のハイブリダイゼーション反応を起こす。 - 特許庁
To provide a fine pattern forming material in which an alloy layer provided for forming a fine pattern on the surface side of a substrate can be made of only one layer, and further, fine pattern holes can be surely formed at an extremely narrow period to several hundreds nm period, and to provide a stacked structure and a sputtering target.例文帳に追加
基板の表面側に微細パターンを形成するために設ける合金層を一層だけとすることができる上に、数百nm周期までの極めて狭い周期で微細パターン穴を確実に形成することができる微細パターン形成材料、および積層構造体、ならびにスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
When the flaws of a pattern is inspected by comparing the pattern formed on an object to be inspected with the designed data of this pattern by inspection algorithms 3a, 3b,..., 3n, 33a, 33b,..., 33n, the inspection algorithms are selected from a memory means in which a plurality of the inspection algorithms are stored to be transmitted to target substrates 2, 32.例文帳に追加
被検査体に形成されたパターンとそのパターンの設計データとを検査アルゴリズム3a、3b…3n、33a、33b…33nにより比較して、パターンの欠陥検査をおこなうに際し、検査アルゴリズムは、記憶手段に複数個格納されているものから選択されてターゲット基板2、32に伝送して用いる。 - 特許庁
To provide a reference image forming method capable of performing the stable inspection of a product pattern by forming the optimum reference image so that an excessively large number of products among inspection target products are detected as abnormal products and products having pattern flaw are detected as normal products, a method of inspecting a product pattern using it and device for inspecting the product pattern.例文帳に追加
検査対象のうち過剰に多くの製品が異常であると検出されないように、かつ、パターンに欠陥がある製品が正常であると検出されることがないように、最適な基準画像を作成して、安定した製品パターン検査を行うことを可能とする基準画像作成方法と、これを用いた製品パターン検査方法および装置を提供する。 - 特許庁
The function of calculating an obstacle avoiding passage for accurately parking in a target parking position P2 while avoiding an avoiding point AP1, is imparted to a parking support controller, besides a standard passage of a standard pattern being a general passage pattern, as a guiding passage for guiding one's own vehicle to the target parking position P2 from a retreat starting position P3.例文帳に追加
自車を後退開始位置P3から目標駐車位置P2へと誘導するための誘導経路として、一般的な経路パターンである標準パターンの標準経路のほかに、回避ポイントAP1を回避しつつ目標駐車位置P2に正確に駐車させる障害物回避経路を計算する機能を駐車支援コントローラに持たせる。 - 特許庁
In the manufacturing method of a transparent conductive film where a mask is placed on a substrate, a pattern shaped transparent conductive layer is formed on the substrate by a sputtering method, a grid having a magnet is placed between a target and a substrate, and a pattern shaped transparent conductive film comprising the target material is formed over the substrate by a sputtering method.例文帳に追加
基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットを備えたグリッドを設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 - 特許庁
To provide a connector of a small area type, which can connect a thin plate connection target having a signal pattern on one surface and a ground pattern on the other surface, has a small number of contacts, and can simply and certainly hold an insertion state of the thin plate connection target into an insulator and release the holding of that.例文帳に追加
一方の面に信号用パターンを有し他方の面に接地用パターンを有する薄板状の接続対象物を接続可能でコンタクト数が少ない小面積タイプのコネクタでありながら、薄板状の接続対象物のインシュレータに対する挿入状態の保持と保持解除を簡単かつ確実に行えるコネクタを提供する。 - 特許庁
In a guide photography for performing a series of pattern photographys about a specific photographic target, a plurality of guide images G1 to G3 to be samples of the series of pattern photography are simultaneously displayed on a rear LCD (liquid crystal display) 10 provided to the imaging apparatus.例文帳に追加
特定の撮影対象物について一連のパターン撮影を行うガイド撮影において、一連のパターン撮影の見本となる複数個のガイド画像G1〜G3を撮像装置に設けられた背面LCD10に同時に表示する。 - 特許庁
An orientation controlling section 66 makes the master object orient by a first speed pattern, and the slave object by a second speed pattern in the direction of the orientation target object when the orientation angle which is acquired by the orientation angle acquiring section 64 is larger than a specified angle.例文帳に追加
指向制御部66は、指向角度取得部64によって取得される指向角度が所定角度より大きい場合、主オブジェクトを第1の速度パターンで、従オブジェクトを第2の速度パターンで指向目標オブジェクトの方向へと指向させる。 - 特許庁
An etching target film 101, a hard mask film 102, and a first auxiliary pattern 104a are formed on the top of a semiconductor substrate 100, and an insulation film 110 and a second auxiliary film 112 are formed on the top of the hard mask film and the first auxiliary pattern.例文帳に追加
半導体基板100の上部にエッチング対象膜101、ハードマスク膜102及び第1補助パターン104aを形成し、それらハードマスク膜と第1補助パターンの上部に絶縁膜110と第2補助膜112を形成する。 - 特許庁
The method for transferring a fine-structure that transfers the fine pattern formed on one surface side of the stamper to a resist layer by pressing the fine pattern against the resist layer applied to one surface side of the transfer target body is characterized by substituting vapor of resist for an in-space atmosphere between the stamper and transfer target body before pressing the stamper against the transfer target body.例文帳に追加
本発明の微細構造転写方法は、スタンパの一方の面側に形成された微細パターンを、被転写体の一方の面側に塗布されたレジスト層に押圧することにより前記微細パターンを前記レジスト層に転写することからなる微細構造転写方法において、前記スタンパを前記被転写体に押圧する前に、前記スタンパと前記被転写体との間の空間内雰囲気を前記レジストの蒸気で置換することを特徴とする。 - 特許庁
Next, the substrate table is positioned relative to a radiation beam on the basis of the reading of the level sensor, and the value of the level sensor is read by using the level sensor and the patterned radiation beam while a pattern is synchronously imaged on a target portion by scanning the target portion of the substrate.例文帳に追加
さらに、基板テーブルをレベルセンサ読取値に基づいて放射ビームに対して位置決めし、基板のターゲット部分をスキャンすることによってパターンをターゲット部分に同期イメージングしている間、レベルセンサとパターン付き放射ビームを使用してレベルセンサ値を読取る。 - 特許庁
The measurement system is provided with a target mounted to any one of the substrate support and the reference frame, a radiation source mounted to the other one and a sensor configured to detect a pattern of radiation propagating from the target, indicating the position or movement of the substrate support.例文帳に追加
この測定システムは、基板支持体および基準フレームのうち一方に設けられたターゲットと、他方に設けられた放射源と、ターゲットから伝播した、基板支持体の位置または移動を示す放射のパターンを検出するように構成されたセンサと、を備える。 - 特許庁
The mold stage includes heating means (501 to 503, 603 to 606) for heating a predetermined area of the mold in contact with the target object such that the predetermined area of the mold outside the pattern area of the mold serves as a start area for starting mold release from the target object.例文帳に追加
また、型ステージは、型のパターン領域の外側にある型の所定領域が被転写物からの離型が開始する開始領域となるように被転写物に接触している型の所定領域を加熱する加熱手段(501〜503,603〜606)を含む。 - 特許庁
From a coordinate of the exposed pattern on the layout data identified like this and a coordinate of the target position on a previously instructed layout data, a movement amount necessary to position the target position on the actual object to be processed onto the processing position is calculated.例文帳に追加
このようにして特定されたレイアウトデータ上における露出パターンの座標、及び予め指示されているレイアウトデータ上における目的位置の座標から、現実の被加工体上の目的位置を加工位置に位置させるために必要な移動量が演算される。 - 特許庁
On a lower surface 31b of each of a number of wiring boards 31 used for manufacturing the semiconductor device; a target mark for determining a cutting position of the wiring board 31 is formed for each dicing area, and a pattern deviation detector 36 is provided in the vicinity of the target mark.例文帳に追加
半導体装置の製造に用いる多数個取りの配線基板31の下面31bにおいて、配線基板31の切断位置の位置決め用のターゲットマークをダイシング領域毎に形成し、ターゲットマークの近傍にパターンずれ検出部36を設ける。 - 特許庁
In detection, the actual measurement values X1, Y1 are detected by the pattern matching between the reference image and a detection target image obtained by imaging the detection target disposed in the attitude which includes the displacement in the rotational direction, and the detected actual measurement values X1, Y1 are corrected by the calibration amounts ΔX1, ΔY1.例文帳に追加
検出時には、回転方向の位置ずれを含んだ姿勢で配置されている検出対象を撮像した検出対象画像と、基準画像とのパターンマッチングにより実測値を検出し、この実測値を校正量ΔX1,ΔY1で補正する。 - 特許庁
When print data including print target data are received from an external device 100 while a print pattern setting mode is established, all the layout patterns, in which the print target data are arranged in respective print areas defined by the template data, are generated (S12).例文帳に追加
印刷パターン設定モードが設定されている場合に、外部装置100から印刷対象データを含む印刷データが受信されると、テンプレートデータに規定された各印刷領域に印刷対象データを配置した配置パターンが全て生成される(S12)。 - 特許庁
If a target block has a restricted surface for which nodes and connecting lines have been set, the nodes on the restricted surface and the nodes of each angle are connected on the block while a connection pattern for the restricted surface is maintained, so as to simply mesh the target block with a tetrahedral element.例文帳に追加
処理対象ブロックが節点及び結線設定済の拘束面を有する場合、拘束面の結線パターンを維持して当該ブロックにおける拘束面の節点及び各角の節点を結び処理対象ブロックを簡素に四面体要素でメッシュ化する。 - 特許庁
Since a developer is supplied to the film 12' for development, and thus, removal target portions (uncured portions 12b) of the film 12 for the pattern are swollen together with the film 12' for development, the removal target portions can be easily removed together with the film 12' for development.例文帳に追加
そして、現像用フィルム12’に現像液が供給されることで、パターン用フィルム12の除去対象部(未硬化部12b)が現像用フィルム12’とともに膨潤化するので、その除去対象部を現像用フィルム12’とともに除去しやすくなる。 - 特許庁
To provide a sputtering target capable of depositing a transparent conductive film by the magnetron sputtering without any wasteful consumption of a sputtering target material, and easily controlling the resistivity and the transmittance of the transparent conductive film in a target for the magnetron sputter which has a mask on a substrate to perform the pattern-forming of the transparent conductive film on the substrate by the magnetron sputtering method.例文帳に追加
基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、マグネトロンスパッタリングにより、スパッタリングターゲット材の消費に無駄が無く透明導電膜を形成でき、また透明導電膜の抵抗率や透過率の制御が容易にできるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
The lithography system includes an illumination system for providing projection beams, a mask table for supporting a mask that gives a pattern to the cross-section of the projection beams, a substrate table that holds the substrate, and a projection system that projects the pattern-formed beams to the target portion of the substrate.例文帳に追加
投影ビームを提供する照明システムと、投影ビームの断面にパターンを与えるマスクを支持するマスクテーブルと、基板を保持する基板テーブルと、パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを含むリソグラフィシステムに関する。 - 特許庁
The image forming apparatus forms a toner pattern on an image carrier 202 and adjusts a charging bias, an exposure amount and a developing bias based on a toner deposition amount of the toner pattern so as to have a ratio of a background potential to a development potential being a predetermined first target ratio.例文帳に追加
画像形成装置は、像担体202上にトナーパターンを形成し、トナーパターンのトナー付着量を基に、現像ポテンシャルに対する地肌ポテンシャルの比率が所定の第1の目標比率となるように、帯電バイアスと露光量と現像バイアスとを調整する。 - 特許庁
An energy-saving support apparatus 1 includes a resource use information acquiring section 11, a target setting section 13, a reference amount acquiring section 14, a use planned amount arithmetic section 15, a storage section 16, a reduction pattern selection section 17, a recommendation pattern generation section 18 and a presentation section 19.例文帳に追加
省エネルギー支援装置1は、資源使用情報取得部11と目標設定部13と基準量取得部14と使用予定量演算部15と記憶部16と削減パターン選択部17と推奨パターン生成部18と提示部19とを備える。 - 特許庁
When the correction is performed again, based on the read data of the pattern for detecting the density deviation and the test pattern having the first mark, the position of the first mark is obtained, and based on the position of the first mark obtained, the positional information of the second mark is operated to calculate the position of the target delivering nozzle.例文帳に追加
再補正の際、濃度むら検出用のパターン及び第1マークを有するテストパターンの読取データに基づいて、第1マークの位置を求め、求めた第1マークの位置に基づいて第2マークの位置情報を演算し、目標吐出ノズル位置を算出する。 - 特許庁
The lithography equipment of this invention comprises a substrate table that holds a substrate, radiation system that forms radiation projection means, pattern providing means for patternization of projection beams according to a desired pattern, and projection system that projects patterned beams to the target part of the substrate.例文帳に追加
本発明リトグラフ装置は、基板を保持する基板テーブルと、放射投影ビームを形成する放射系と、所望のパターンに応じて投影ビームをパターン化するように働くパターン付与手段と、基板の目標部分にパターン化されたビームを投影する投影系とを含む。 - 特許庁
The correction value determination method also comprises a step of making the head record a second pattern for checking the amount of the conveyance of the medium while conveying the medium by correcting the target amount of the conveyance of the medium by means of the first correction value, and a step of determining a second correction value on the basis of the second pattern.例文帳に追加
また、第1の補正値を用いて目標搬送量の補正を行って媒体を搬送させつつ、媒体の搬送量を確認するための第2パターンをヘッドに記録させるステップと、第2パターンに基づいて、第2の補正値を求めるステップと、を含む。 - 特許庁
To obtain a process for producing a semiconductor product in which pattern dimensions are brought close to the target dimensions when a resist pattern is formed by a double exposure method, and light exposure is corrected individually for two sheets of masks by correcting the light exposure while relating respective correction quantities with each other.例文帳に追加
半導体製品の製造方法に関し、二重露光法でレジスト・パターンを形成する場合、2枚のマスクに対する露光量を別個に補正する際、それぞれの露光量に於ける補正量を関連させて補正し、パターン寸法を目標に近付ける。 - 特許庁
The DKC 10, according to information in a DB 60, executes the determination of a specific I/O pattern of received I/O and preliminary cache control using the CM 130 on target data 32 about critical I/O related to the specific I/O pattern.例文帳に追加
DKC10は、DB60の情報に従って、受領したI/Oにおける特定I/Oパターンの判定と、特定I/Oパターンに関連するクリティカルI/Oの対象データ32を対象とした、CM130を用いた事前のキャッシュ制御とを実行する。 - 特許庁
To provide a lithography processing method for providing a desired pattern to the target section of the layer of radiation photosensitive materials by using a plurality of exposures and a device manufactured by the method.例文帳に追加
複数の露光を使用して放射線感光材料の層の目標部分に望ましいパターンを提供するリソグラフィ処理方法およびそれにより製造したデバイスを提供する。 - 特許庁
A screen 50B of the Web page contains a band-shaped life pattern indication 57 presenting the time sequential daily living action of the target person in different colors corresponding to the kinds of the action.例文帳に追加
上記Webページの画面50Bには、対象者の一日の生活動作を時系列で動作の種類に応じて色分けして現わした帯状の生活パターン表示57が含まれている。 - 特許庁
A game result lottery means (310) is provided with a target stopped pattern determination means (311) to determine patterns (120) to be stopped in accordance with the operation of stop switches (90 to 92) by a lottery.例文帳に追加
遊技結果抽選手段(310)には、各ストップスイッチ(90〜92)の操作に対応させて停止する目標となる図柄(120)を、抽選により決定するための目標停止図柄決定手段(311)を備える。 - 特許庁
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