「FLASH」に関連した英語例文の一覧と使い方(192ページ目) - Weblio英語例文検索

A re-programmable non-volatile memory system, such as a flash EEPROM (R) system, having its memory cells grouped into blocks of cells that are simultaneously erasable is operated to perform memory system housekeeping operations in the foreground during execution of a host command, wherein the housekeeping operations are unrelated to execution of the host command.例文帳に追加

メモリセルが同時に消去可能なセルのブロックをなすようにグループ分けされているフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）システムのような再プログラム可能な不揮発性メモリシステムはホストコマンドの実行中にメモリシステムのハウスキーピング操作をフォアグラウンドで行うように操作され、そのハウスキーピング操作はホストコマンドの実行とは関連しない。 - 特許庁

This data rewriting device rewrites data stored in a flash ROM 2 as a nonvolatile memory the rewriting of which is restricted which is provided to a portable information terminal main body 20 by using a program to execute update to be supplied from a plate like memory 7 as an attachable/detachable recording medium and the data to be used for update.例文帳に追加

携帯情報端末装置本体２０に備えられた書き換えの制限された不揮発性メモリであるフラッシュＲＯＭ２に記憶されたデータを、着脱可能な記録媒体である板状メモリ７から供給される更新を実行するプログラムと更新に使用されるデータとを利用して行うものである。 - 特許庁

A laser current detecting circuit 15 for detecting a current (laser current) flowing through a laser diode under stable control of a laser emitting output is provided, the laser current value detected by the laser current detecting circuit 15 is stored in a flash ROM 104 with a fixed period together with data of an operation accumulated time of a laser unit.例文帳に追加

レーザ発光出力の安定化制御のもとでレーザダイオードを流れる電流（レーザ電流）を検出するレーザ電流検出回路１５を設け、このレーザ電流検出回路１５により検出されたレーザ電流値をレーザユニットの稼働累積時間のデータとともに一定周期でフラッシュＲＯＭ１０４に記憶する。 - 特許庁

This shooting game device is provided with the shot including a luminous material and illuminated by light radiation, a pseudo gun 10 shooting the shot and having a flash 18 radiating light to the shot at shooting, and a target 30 provided at an inner depth section in a casing 2, sticking the shot which is shot from the pseudo gun 10 for a short while, then dropping it.例文帳に追加

蓄光剤を含み、光照射により光る弾と、該弾を発射すると共に、発射の際に弾に光を照射させるフラッシュ１８を有する疑似銃１０と、筺体２内の内奥部に設けられ、疑似銃１０から発射された弾を少しの間付着し、その後に落下させる的３０とを具備する。 - 特許庁

The word line enable method of the flash memory device includes the step of driving a signal line corresponding to a selected word line with a work line voltage, and the step of stepwise increasing a gate voltage of a switch transistor connected between the selected word line and the signal line during a program execution period.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置のワードラインイネーブル方法は、選択されたワードラインに対応する信号ラインをワードライン電圧で駆動する段階と、そしてプログラム実行区間の間に前記選択されたワードラインと前記信号ラインとの間に連結されたスイッチトランジスタのゲート電圧を段階的に増加させる段階とを含む。 - 特許庁

A camera having a flash unit fixes a shutter speed to a strobe emission synchronization speed, when the shutter speed corresponding to an EV value specified, on the basis of a program diagram during photographing is the strobe emission synchronization speed or lower, and sets the shutter speed at a light amount indicated on the program diagram.例文帳に追加

閃光装置を有するカメラ装置において、撮影時にプログラム線図に基づき特定したＥＶ値に対応するシャッター速度がストロボ発光シンクロスピード以下であったときには、シャッター速度をストロボ発光シンクロスピードに固定する一方、ストロボの発光量をプログラム線図に示される光量に設定する。 - 特許庁

To maintain high speed performance by shortening an erasing time by boosting high voltage for writing and high voltage for erasing when the number of times of rewriting of a non-volatile memory cell exceeds the prescribed value, in an electrically erasable and writable non-volatile semiconductor memory device such as a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ等のような電気的消去及び書込み可能な不揮発性半導体記憶装置に関し、不揮発性メモリセルの書換え回数が所定値を越えたときは、書込み用高電圧及び消去用高電圧を高くして消去時間の高速化を図り、高速性能を維持することができるようにする。 - 特許庁

The solar simulator, which provides flash pseudo sunshine at a high output for a long time, using a combined circuit of a plurality of capacitors and power switching elements, achieves long service life and cost reduction by utilizing an advantage of a three-electrode discharge tube and a stable lighting system.例文帳に追加

複数のコンデンサとパワースイッチング素子とを組み合わせた回路により、大出力で長時間のフラッシュ疑似太陽光を実現するソーラーシミュレータにおいて、３電極放電管の長所を活かし、かつ安定した点灯方式を実現する３電極放電管を用いることにより、長寿命化とコスト低減を実現する。 - 特許庁

The second regulator 14 stably outputs third direct current voltage higher than the second direct current voltage on the basis of the first direct current voltage, and a first boosting circuit 4 further boosts the third direct current voltage into fourth direct current voltage and supplies it as operating power supply Vpp to a flash memory 9.例文帳に追加

第２レギュレータ１４は、第１直流電圧に基づいて第２直流電圧より高電圧の第３直流電圧を安定的に出力し、更に第１昇圧回路４によって第４直流電圧に昇圧してフラッシュメモリ９に対して動作用電源Ｖｐｐとして供給する。 - 特許庁

Each of a plurality of sectors 1a forming a flash memory 1 is divided into a plurality of blocks 1b, and each block 1b is equipped with a data recording area 1c and a block state management area 1d for recording data indicating whether the data is not yet recorded, being recorded, or already recorded on the data recording area 1c.例文帳に追加

フラッシュメモリ１を形成する複数のセクタ１ａ各々を複数のブロック１ｂに分割し、これら複数のブロック１ｂ各々にはデータ記録領域１ｃとこのデータ記録領域１ｃにデータを未記録、記録中または記録済かを示すデータを記録したブロック状態管理領域１ｄを設ける。 - 特許庁

The camera processor 104 determines per block into which a screen of the photographic image is two-dimensionally divided in the horizontal direction and the vertical direction whether the photographic image is within the arrival distance of the flash light by a strobe circuit 114 and a strobe light-emitting part 3 based on distance information by a distance measurement unit 5.例文帳に追加

さらに、カメラプロセッサ１０４は、ストロボ回路１１４およびストロボ発光部３によるフラッシュ光の到達距離範囲内であるか否かを、測距ユニット５による距離情報に基づいて、撮影画像の画面を水平方向および垂直方向の２次元にブロック分割したブロック単位で判定する。 - 特許庁

Even if the main oscillating circuit 120 having a different frequency is externally installed, the writing of data to the flash memory 100 is performed by the clock signal of the fixed frequency of the fixed oscillating circuit 130, whereby surplus voltage by the write disturb time error in data writing is minimized so as to hardly cause the holding omission of data.例文帳に追加

周波数が異なるメイン発振回路１２０が外付けされる場合でも固定発振回路１３０の固定した周波数のクロック信号でフラッシュメモリ１００へのデータ書き込みを行うことで、データ書き込み時におけるライトディスターブ時間の誤差による余剰電圧を少なくし、データ保持抜けをし難くする。 - 特許庁

Upon receiving the command (Get Max Size) via a host interface part 21, a memory control part 23 searches for unused logical blocks in the logical space of a flash memory 22 to calculate a maximum divisible size of logical space, and sends the maximum divisible size of logical space to the host device 10.例文帳に追加

メモリ制御部２３は、ホストインターフェース部２１を介してコマンド（Get Max Size）を受信すると、フラッシュメモリ２２が有する論理空間において未使用の論理ブロックを探索することにより論理空間の分割可能な最大サイズを算出し、論理空間の分割可能な最大サイズをホスト機器１０に送信する。 - 特許庁

The first error-correcting code(ECC) of an ECC circuit 107 of a controller 102 and the second ECC of on-chip ECC circuits 120-123 of flash memory chips 111-114 are made to be a BCH code (especially RS code) using the same Galois field and further, the generated polynomial of both the ECC has a continuous root.例文帳に追加

コントローラ（１０２）のＥＣＣ回路（１０７）における第１エラー訂正符号とフラッシュメモリチップ（１１１〜１１４）のオンチップＥＣＣ回路（１２０〜１２３）における第２エラー訂正符号とを、同じガロア体を用いたＢＣＨ符号（特にＲＳ符号）とし、さらに両エラー訂正符号の生成多項式は連続した根を持つものとする。 - 特許庁

When a camera 100 is mounted on a cradle 200, the image data of an image photographed by a camera module 110 of the camera 100 are directly transferred and recorded in an HDD 220 of the cradle 200, and the image data already recorded in a flash memory 133 of the camera 100 are backed up to the HDD 220 of the cradle 200.例文帳に追加

カメラ１００がクレードル２００に装着されると、カメラ１００のカメラモジュール１１０によって撮影された画像の画像データが、クレードル２００のＨＤＤ２２０に直接転送されて記録されるとともに、カメラ１００のフラッシュメモリ１３３に既に記録した画像データがクレードル２００のＨＤＤ２２０にバックアップされる。 - 特許庁

To provide a mobile information terminal having an LED flash function, which performs flat irradiation to allow dimming, macro photographing, light emission corresponding to a zoom angle, and multi-point light emission to be realized, by controlling the light emission of a back light of a liquid crystal display part for a subject and places no hidrance to constucting an excellent apperance on design.例文帳に追加

被写体に対し液晶表示部のバックライトの発光を制御することにより、フラット照射を行って調光，マクロ撮影，ズーム角相当の発光，多点発光を可能とし、デザイン上優れた外観を構築するのに支障のないＬＥＤフラッシュ機能を有する携帯情報端末を提供する。 - 特許庁

The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.例文帳に追加

このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁

To enable framing for making a user check the content of a picture to be photographed by displaying an object picture to be subjected imaged to imaging on a finder even under a low illuminance environment such as in dark place photographing, and to enable correct focusing even when visible light photographing is carried out by flash irradiation or a low-speed shutter thereafter.例文帳に追加

暗所撮影などの低照度環境下であっても、ファインダに撮像対象となる被写体画像を表示させてユーザに撮影画像内容を確認させるフレーミング処理を可能とし、さらに、その後フラッシュ照射や低速シャッタで可視光撮影を行った場合にも、正確なフォーカシングを可能とする。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

The flash memory 50 has a normal accessible area 51 recognized from a user terminal 110 by a standard function of the user terminal 110 and allowing information to be read from the user terminal 110, and a security protected area 52 not recognized from the user terminal 110 by the standard function.例文帳に追加

フラッシュメモリ５０は、ユーザ端末１１０が有する標準機能によってユーザ端末１１０から認識され、ユーザ端末１１０からの情報の読み出しが可能な通常アクセス可能領域５１と、標準機能によってはユーザ端末１１０から認識されないセキュリティ保護領域５２とを有する。 - 特許庁

In the selective erasing method for the flash memory, when the threshold voltage of the memory cell which is connected to an arbitrary word line being erased is lower than a prescribed erasing threshold voltage, no further erasing for the memory cell connected to the word line is performed and the erasing is conducted only for the remaining cells.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリのための選択的消去方法は、消去された任意のワードラインに連結されたメモリセルのスレッショルド電圧が所定の消去スレッショルド電圧より低ければ、当該ワードラインに連結されたメモリセルに対する消去は、それ以上遂行せず、残りのセルに対してのみ消去を遂行する。 - 特許庁

To enable proper calculation of a checksum without being conscious of unnecessary data, a free area size or the like before update by making a flash memory store size information about data on a program to be updated and executing the checksum calculation about only a data area of the updated program on the basis of the size information.例文帳に追加

更新するプログラムのデータのサイズ情報をフラッシュメモリに記憶させ、そのサイズ情報に基づいて、更新されたプログラムのデータ領域だけについてチェックサム計算を実行することにより、更新前の不要なデータや空き領域サイズなどを意識せずに的確にチェックサムの計算が行えるようにする。 - 特許庁

This optical fiber coating devise used for coating an optical fiber 1 with an ultraviolet-curing resin has a UV light source 12, which is an ultraviolet flash lamp emitting UV light to cure the ultraviolet-curing resin, an UV sensor 14 which measures UV light intensity from the UV light source 12 as well as its emission time, and a control circuit 11.例文帳に追加

光ファイバの被覆装置は、光ファイバ１の紫外線硬化樹脂による被覆に用い、紫外線硬化樹脂を硬化させるためのUV光を放射する紫外線フラッシュランプであるUV光源１２と、UV光源１２からのUV光の強さおよび発光時間を測定するためのUVセンサ１４と、制御回路１１を有する。 - 特許庁

A step-down power supply part 8 for generating an internal power source voltage VDDP provided in a flash memory 1 outputs the internal power supply voltage VDDP to a control system circuit 5 by a first step-down power supply circuit 19 in a normal operation mode when about 3. 3V is supplied from the outside as a power supply voltage VCC.例文帳に追加

フラッシュメモリ１に設けられた内部電源電圧ＶＤＤＰを生成する降圧電源部８は、外部から電源電圧ＶＣＣとして、３．３Ｖ程度が供給された場合、通常動作時は、第１降圧電源回路１９によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁

The controller controls a nonvolatile memory system (an example of a nonvolatile memory is a flash memory well-known for skilled in the art) organized into blocks, each block includes a plurality of sector locations for storing the sector information and a particular free block is designated for storing FSInfor sector information.例文帳に追加

そのコントローラは、複数のブロックに区分された不揮発性メモリシステム（不揮発性メモリの例は当業者にとって公知であるフラッシュメモリである）を制御し、各ブロックはセクタ情報を格納するための複数のセクタを含み、特定の空きブロックがＦＳＩｎｆｏセクタ情報を格納するように指定される。 - 特許庁

The light-diffusing warning lamp 1 comprises a plurality of warning lamp units such as a flashing unit 4 irradiating flash light, a rotating light unit radiating rotating light, or the like contained in a transparent globe 3, at least one of which is composed of a plurality of light-emitting diodes in alignment, that is, an LED type unit 5.例文帳に追加

閃光を照射する閃光型ユニット４、回転光を照射する回転光型ユニット等の警告灯ユニットを複数透光グローブ３内に収容して成り、上記複数の警告灯ユニットのうち少なくとも１つは複数の発光ダイオード１３を配列して成るＬＥＤ型ユニット５である散光式警告灯１。 - 特許庁

To provide such a transistor structure that can make a nonvolatile memory semiconductor device, having a flash memory section in which a memory transistor and a select transistor are formed and a logic section, in which a peripheral circuit transistor is formed on the same substrate to operate at high speed by suppressing the gate depletion, particularly in, the select transistor without making the processes complicated.例文帳に追加

メモリトランジスタとセレクトトランジスタとが形成されたフラッシュメモリ部と周辺回路トランジスタが形成されたロジック部とを同一基板上に有する不揮発性メモリ半導体装置において、工程を煩雑化することなく、特にセレクトトランジスタにおけるゲート空乏化を抑制し、高速動作可能なトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

In flash ROM 2, a mail header memory 3 stores a mail header file including the header portion of the plain text e-mail, and a received mail management table 2t includes the relation of the plain text e-mail and a transfer processing result code indicating whether the plain text e-mail has been transferred to a mail server apparatus 40 or not.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ２において、メールヘッダメモリ３は、上記平文電子メールのヘッダ部を含むメールヘッダファイルを格納し、受信メール管理テーブル２ｔは、上記平文電子メールと当該平文電子メールがメールサーバ装置４０に転送されたか否かを示す転送処理結果コードとの関係を含む。 - 特許庁

The control is executed by connecting a flash memory 7 storing an operation program, a memory 8 capable of storing a part of the data stored in the memory 7 as development data and a data changing means capable of changing the development data stored in the memory 8 to the CPU 5.例文帳に追加

この制御は、動作プログラムが格納されたフラッシュメモリ７と、このフラッシュメモリ７に格納されたデータの一部を展開データとして格納し得るメモリ８と、このメモリ８に格納された当該展開データを変更し得るデータ変更手段とがＣＰＵ５に接続されることによって実行されるように構成されている。 - 特許庁

To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell.例文帳に追加

マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the clarifying apparatus 3 of water or hot water, flash mode treatment for sterilizing only a water system circulation section by sequential control or process control, sterilization mode treatment or bacteriostasis mode treatment of the whole apparatus or cleaning mode treatment in which a rinsing process using no medicament is further added after sterilization and washing is provided.例文帳に追加

水又は湯の浄化装置３において、シーケンシャルコントロールやプロセスコントロールによって水系循環部のみを殺菌するフラッシュモード処理、装置全体の殺菌モード処理又は静菌モード処理、あるいは滅菌、洗浄後にさらに薬剤を含まないすすぎ工程を追加したクリーニングモードを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

When continuously photographing a subject at predetermined time intervals, information on quantity of reflected light from the subject is acquired in each photography, and the quantity of flash light and an exposure value suitable for photographing the subject are adjusted based on the information on the acquired quantity of reflected light, and are applied to photographing processing for the next frame.例文帳に追加

被写体の所定の時間間隔で連続して撮影する際に、各撮影において被写体からの反射光量に関する情報を取得し、取得した反射光量に関する情報に基づいて、被写体の撮影に適したフラッシュ光量および露出値を調整し、次のフレームの撮影処理に適用する。 - 特許庁

An MPU 62 reads the information on the delay from the flash memory 64 in response to the ON/OFF selection of the signal processing function by a user, a time difference of delays generated in the video-signal processing section 6 and the audio-signal processing section 7 is computed and the delay time of a delay section 8 is set at the value for synchronization.例文帳に追加

ユーザによる信号処理機能のＯＮ／ＯＦＦの選択指示に応じて、ＭＰＵ６２はフラッシュメモリ６４から遅延時間の情報を読み出し、映像信号処理部６及び音声信号処理部７で発生する両遅延時間の差を算出し、遅延部８の遅延時間をその値に設定して同期合わせを行う。 - 特許庁

Further, the pressure detecting unit 30 has the function of supplying low pressure air or high pressure air into the passage 28 for measuring the pressure, and the low pressure air restrains the intrusion of a releasing agent into the extrusion pin insertion part 42, and the high pressure air removes casting flash caused in the extrusion pin insertion part 42.例文帳に追加

さらに、圧力検出ユニット３０は、圧力測定用通路２８に、低圧エアーあるいは高圧エアーを供給する機能も有しており、低圧エアーにより押し出しピン挿通部４２に離型剤が侵入するのを抑制するとともに、高圧エアーにより押し出しピン挿通部４２で生じた鋳バリを除去することができる。 - 特許庁

When the number of photographing sheets Np is smaller than that of sheets that can be photographed by the battery (maximum number of photographing sheets) Nmax, erroneous judgment on battery run-down is prevented even if the output level of the battery is temporarily dropped like an arrow Lw by flash light emission, and reliability on judgment of battery run-down can be improved.例文帳に追加

これにより、電池での撮影可能な枚数(最大撮影枚数)Ｎmaxより少ない撮影枚数Ｎｐの場合においてフラッシュ発光等により矢印Ｌｗのように一時的に電池の出力レベルが落ち込んでも電池切れと誤判断されることがなく、電池切れの判定に関する信頼性を向上できる。 - 特許庁

To provide a decorative panel not generating a plate warpage phenomenon caused by the absorption and discharge of moisture in the open air during keeping or long-term use and enabling the use of a method good in productivity like a high frequency heating method in the adhesion of a core material and a frame material, and a flash panel manufactured using the same.例文帳に追加

保管中或いは長期間の使用に際して、外気による吸湿、放湿等による板反り現象を起こさず、また、芯材、枠材との接着に高周波加熱法のような生産性の良好な方法を用いることが出来る化粧板及びそれを用いて作製されたフラッシュパネルを提供することにある。 - 特許庁

This memory controller making access to the flash memory including a plurality of blocks on the basis of a logic block address is provided with a detection means detecting an illicit mapping block with an allocated logic block address ineffective for the respective blocks and a deletion means deleting the illicit mapping block detected by the detection means.例文帳に追加

論理ブロックアドレスに基づいて複数のブロックを含むフラッシュメモリにアクセスするメモリコントローラであって、それぞれのブロックにとって有効でない論理ブロックアドレスが割り当てられた不正マッピングブロックを検出する検出手段と、検出手段により検出された不正マッピングブロックをブロック消去する消去手段とを備えている。 - 特許庁

To enable threshold voltage of an erase cell to be verified stably in a NAND flash memory element, where the quantity of electrons filled in a floating gate does not change, the basic threshold voltage of the erase cell will therefore not change and the threshold voltage of the cell is made to increase only in the operating mode.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子において、フローティングゲートに充填された電子の量が変化することなく、したがって、消去セルの基本しきい値電圧が変化することなく、動作モードでのみセルのしきい値電圧を増加させて安定して消去セルのしきい値電圧を検証できるようにする。 - 特許庁

This resin composition for the torque limiter part includes (A) a thermoplastic resin of 5 to 50 wt.% and (B) a filler of 95 to 50 wt.% with the total quantity of the thermoplastic resin and the filler as 100 wt.%, and is characterized by setting the heat conductivity measured by a laser flash method to 1 W/mK or more.例文帳に追加

熱可塑性樹脂とフィラーの合計量を１００重量％として（Ａ）熱可塑性樹脂５〜５０重量％および（Ｂ）フィラー９５〜５０重量％を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とするトルクリミッタ部品用樹脂組成物。 - 特許庁

A memory system 1 has: a NAND flash memory 12 having a plurality of memory cells and capable of recording data of one bit, two bits or more in one memory cell; and a duplex conversion circuit 21 for duplexing by assigning input data to a predetermined threshold level and the other threshold level different from the predetermined threshold level.例文帳に追加

メモリシステム１は、複数のメモリセルを有し、１つのメモリセルに１ビット又は２ビット以上のデータを記録することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２と、入力データを所定の閾値レベルと、所定の閾値レベルとは異なる別の閾値レベルとに割り当てることにより二重化する二重化変換回路２１とを有する。 - 特許庁

When a rainfall intensity measured by a rainfall sensor 121 of the slave unit 10 and a wind velocity measured by a wind velocity sensor 122 are respectively not more than a first threshold value and a second threshold value predetermined as decision criterions of registration availability, the acquired voiceprint data of the visitor are registered in the flash ROM 220.例文帳に追加

さらに、子機１０の降雨センサ１２１により測定された降雨強度と、風速センサ１２２により測定された風速が、それぞれ、登録可否の判断基準として予め定められた第１の閾値および第２の閾値以下である場合には、取得された来訪者の声紋データが、フラッシュＲＯＭ２２０に登録される。 - 特許庁

A camera body includes: a body mount for supporting a removable lens unit; an imaging device which captures an optical image of a subject to produce image data; a hot shoe for supporting a removable flash device; and a camera controller that calculates an evaluation value on the basis of the image data from the imaging device to perform video AF.例文帳に追加

カメラ本体は、着脱可能なレンズユニットを支持するボディマウントと、被写体の光学像を撮像して画像データを生成する撮像素子と、着脱可能な閃光装置を支持するホットシューと、撮像素子からの画像データに基づき評価値を算出してビデオＡＦを行うカメラコントローラーと、を備える。 - 特許庁

A flash ROM 23 stores a plurality of kinds of unit components obtained by dividing the icon into a plurality pieces, icon correspondence information 23c showing a collective component constituting the icon, the collective component comprising a plurality of unit components, and collective component correspondence information 23d showing a plurality of unit components constituting a collective component.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ２３に、アイコンを複数に分割した複数種類の単位部品と、複数の単位部品からなる集合部品であって、アイコンを構成する集合部品を示すアイコン対応情報２３ｃと、集合部品を構成する複数の単位部品を示す集合部品対応情報２３ｄとを記憶する。 - 特許庁

When the data required for booting the system are rewritten and the location of the data in the HDD is changed (S4, S6), an address or the like of the new data is calculated, an address in an address management table is rewritten on the basis of the calculated result, and then the updated data are copied to the flash memory.例文帳に追加

また、当該システムの起動時に必要なデータが書き換えられて当該データのＨＤＤ上での位置が変更された場合には（Ｓ４，Ｓ６）、その新たなデータのアドレス等を計算し、その結果に基づいてアドレス管理テーブルのアドレスが書き換えると共に、その更新後のデータをフラッシュメモリにコピーする。 - 特許庁

The flash discharge lamp is provided with an arc tube made of a material having a light-transmitting region in a wavelength range of 200 nm or less, and a light-beam absorbing layer having absorption characteristics on light with a wavelength of 200 nm or less with yttrium oxide as a main component is fitted on an outer surface of the arc tube.例文帳に追加

本発明の閃光放電ランプは、２００ｎｍ以下の波長範囲に光透過域を有する材料よりなる発光管を備え、この発光管の外表面に、酸化イットリウムを主成分とする、波長が２００ｎｍ以下の光に対して吸収特性を有する光線吸収層が設けられた構成とされている。 - 特許庁