「For the N」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

A spiral main conductor pattern 24 of n/2 turns, a ceramic pattern 26 covering an area substantially half that at one side of the chip, a short connecting conductor pattern 28 for connecting a start terminal of the main conductor pattern adjacent in the laminating direction with the end terminal, and a ceramic pattern 30 which covers an area substantially half that of the opposite side are printed in this order and laminated.例文帳に追加

ｎ／２ターンのスパイラル状の主導体パターン２４と、チップの片側ほぼ半分の面積を覆うセラミックスパターン２６と、積層方向で隣接する主導体パターンの始端と終端を接続する短い接続用導体パターン２８と、反対側ほぼ半分の面積を覆うセラミックスパターン３０を、その順序で印刷積層する。 - 特許庁

A means for changing loop gain is connected between the output of a loop filter 29 and a VCO 33 and it switches the loop gain by a control signal outputted from any one of a microcomputer, a PLL synthesizer IC and a link IC at the time of switching a transmission rate by the microcomputer or setting up the frequency dividing ratio N of a programmable divider, and thus it obtains an optional phase noise characteristics.例文帳に追加

ループフィルタ２９の出力とＶＣＯ３３との間にループゲインを可変にする手段を有し、マイコンによる伝送レートの切換えやプログラマブルデバイダの分周数Ｎの設定時に、マイコン、ＰＬＬシンセサイザＩＣ、およびＬＩＮＫ ＩＣのいずれかから出力される制御信号によってループゲインを切換え、任意のフェーズノイズ特性を得る。 - 特許庁

The copper alloy foil for the laminate has superior handling properties and conductivity, and has 180 degree peel strength of 8.0 N/cm or higher when being directly bonded to the polyimide film without being roughened by plating, by means of including particular elements and making the surface roughness to be 2 μm or less according to the ten points average surface roughness (Rz).例文帳に追加

特定の元素を含有した銅合金において、表面粗さが十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で２μｍ以下とすることにより、ハンドリング性と導電性に優れ，かつ粗化めっき処理を施さずにポリイミドフィルムと直接に接合したときの１８０゜ピール強度が８．０Ｎ／ｃｍ以上である、積層板用の銅合金箔を提供する。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

To provide a slowly releasing package of a functional powder for receiving a powder which exhibits various functions by dissolving or dispersing in water wherein, when the package is put i-n the water, the powder can easily flow out into the water sequentially to exhibit a required function and during transportation or storage the powder does not leak outside.例文帳に追加

水に溶解又は分散させることで、各種機能を発揮する粉体を収納したものであって、水中に投入した場合、該粉体が容易に水中へ逐次流出して所要の機能を発揮することができ、また運搬や保管時には、該粉体が外部に洩れることのない機能性粉体の徐放性包装体を提供する。 - 特許庁

A weld part 14 for welding the sole side wall part 12S to the head body includes a non- ridgeline wed part N passing an area 15 and extending within a range of 3 mm to 15 mm onto the sole part 4 side from a ridgeline X that partitions the crown part 3 from the side part 9 and extends from a toe to a shaft fitting part 11.例文帳に追加

ソール側壁部１２Ｓがヘッド本体部１３に溶接された溶接部１４は、クラウン部３とサイド部９とを区画しトウ５からシャフト取付部１１までのびる稜線Ｘからソール部４側へ３mm以上かつ１５mm以内で該稜線Ｘに沿ってのびる稜線下方の領域１５を通る非稜線溶接部分Ｎを含んでいる。 - 特許庁

This film or sheet is obtained by mixing MgF_2 powder with a chelate solution obtained by adding MgCl_2 to polyethylene oxide or polyvinyl alcohol in a molar amount of 20 to 40%, leaving the mixture in an N^2 magnetic field for several days to dissolve the MgF_2 powder in the chelate solution, developing the chelate solution on a glass plate, vacuum-drying the developed chelate solution.例文帳に追加

ポリエチレンオキサイドあるいはポリビニルアルコールのＭｇＣｌ_２ がモル比２０〜４０％添加されたキレート溶液に対し、ＭｇＦ_２ の粉末を混和し、Ｎ^２ 磁場中で数日間放置することによって、ＭｇＦ_２ 粉末をキレート溶液に溶解し、このキレート溶液をガラス板上に展開して減圧乾燥することによってフィルムあるいはシートを得る。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

The manufacturing method of a cutting blade for manufacturing a glass chopped strand joins the edge section 1a and base section 1b via the alloy layer 1c by irradiating a coordinating section with a laser beam after coordinating the edge section 1a made of a cemented carbide and the base section 1b made of a carbon tool steel through a nickel foil or cobalt foil N.例文帳に追加

本発明のガラスチョップドストランド製造用切断刃の製造方法は、超硬合金からなる刃部１ａと、炭素工具鋼からなる基体部１ｂをニッケル箔又はコバルト箔Ｎを介して整合させた後、その整合部をレーザー照射Ｒすることによって、刃部１ａと基体部１ｂとを合金層１ｃを介して接合する。 - 特許庁

When the driver's braking operation is released (step ST4), current target driving torque ETo(n) is calculated (steps ST7 and ST8) so that the driving torque generated by the engine is limited to be less than driving torque with which a vehicle speed V can reach a target vehicle speed Vo for a predetermined time after the release of the driver's braking operation (step ST6).例文帳に追加

運転者による制動操作が解除された場合（ステップＳＴ４）、運転者による制動操作の解除から所定時間Ｔ（ステップＳＴ６）は、エンジンが発生する駆動トルクを車速Ｖを目標車速Ｖｏとすることができる駆動トルクよりも小さく制限されるように、今回の目標駆動トルクＥＴｏ（ｎ）を算出する（ステップＳＴ７，ＳＴ８）。 - 特許庁

The printing device has a recording head having dot recording elements totaling N of a k dot space, and acquires a portion of image data which is necessary for one main scan of the recording head, converts the tonal value of the image data to dot formation status data and sequentially processes each picture element while performing computation to distribute error information of density at the time of conversion to untreated picture elements.例文帳に追加

ｋドット間隔のＮ個のドット記録要素を有する記録ヘッドを備え、画像データから記録ヘッドの一の主走査に必要な分を取得し、画像データの階調値をドット形成有無データに変換し、変換の際の濃度の誤差情報を未処理画素に分配する演算を行ないつつ、各画素について順次処理を行なう。 - 特許庁

Article 238 The employer shall, as regards steel materials for main parts of supports, girders or supporting members for girders to be used for concrete form shoring, not use those materials unless otherwise conform to the Japanese Industrial Standard, G 3101 (Rolled Steel for General Structure), the Japanese Industrial Standard, G 3106 (Rolled Steel for Welded Structure), the Japanese Industrial Standard, G 3444 (Carbon Steel Tubes for General Structural Purposes), or the Japanese Industrial Standard, G 3350 (Cold-formed Light Gauge Steels for Construction Structure), or those materials of which the value of tensile strength is 330 N/mm2 or more in a test conducted by the method prescribed by the Japanese Industrial Standard, Z2241 (Method of Tensile Test for Metallic Materials), and which have elongation listed in the right column of the following table corresponding to the type of material and value of the tensile strength listed in the left column and the middle column of the same table respectively: 例文帳に追加

第二百三十八条　事業者は、型わく支保工に使用する支柱、はり又ははりの支持物の主要な部分の鋼材については、日本工業規格Ｇ三一〇一（一般構造用圧延鋼材）、日本工業規格Ｇ三一〇六（溶接構造用圧延鋼材）、日本工業規格Ｇ三四四四（一般構造用炭素鋼鋼管）若しくは日本工業規格Ｇ三三五〇（建築構造用冷間成形軽量形鋼）に定める規格に適合するもの又は日本工業規格Ｚ二二四一（金属材料引張試験方法）に定める方法による試験において、引張強さの値が三百三十ニュートン毎平方ミリメートル以上で、かつ、伸びが次の表の上欄に掲げる鋼材の種類及び同表の中欄に掲げる引張強さの値に応じ、それぞれ同表の下欄に掲げる値となるものでなければ、使用してはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In a method for determining combustion characteristics (ϕ_VL, T) for each cylinder of the internal combustion engine based on variables indicating crankshaft rotation speed n, especially signal of a crankshaft transmitter or a camshaft transmitter, the combustion characteristics for each cylinder include at least either of crankshaft torque T or combustion position ϕ_VL of at least one cylinder.例文帳に追加

シリンダごとの燃焼特性（ψ_ＶＬ、Ｔ）が、クランク軸回転速度（ｎ）を表わす変数、特にクランク軸伝送器またはカム軸伝送器の信号から決定される、内燃機関のシリンダごとの燃焼特性（ψ_ＶＬ、Ｔ）の決定方法において、シリンダごとの燃焼特性が、少なくとも１つのシリンダの燃焼位置（ψ_ＶＬ）およびクランク軸のトルク（Ｔ）の少なくともいずれかを含む。 - 特許庁

In a flame sensor that uses a photodetector constituted of an Al-Ga-N based semiconductor material and detects light emitted by a flame, a film for preventing the reflection of light in an ultraviolet-ray region is provided at a side where the light enters in a photodetector PS, and the photodetector PS with the reflection prevention film is provided in a sealing member C for airtightly sealing against the outside.例文帳に追加

火炎から発する光をＡｌ−Ｇａ−Ｎ系の半導体材料で構成される受光素子を用いて検出するように構成された火炎センサにおいて、受光素子ＰＳにおける入光側に、紫外線領域の光の反射を防止する反射防止膜が備えられ、その反射防止膜を備えた受光素子ＰＳが、外部に対して気密状に封止する封止部材Ｃ内に設けられている。 - 特許庁

IR tags 10.1 to 10.n are attached to objects, respectively, identify corresponding objects and include infrared LEDs 12 which transmit light with light emitting patterns corresponding to identification information for identifying the corresponding objects and light emitting patterns for expressing attribute information of the corresponding objects, photodiodes 14 which receives control signals and memories 18 for storing the attribute information.例文帳に追加

ＩＲタグ１０．１〜１０．ｎは、対象物にそれぞれ付され、対応する対象物を識別するためのものであり、対応する対象物を識別する識別情報に対応した発光パターンおよび対応する対象物の属性情報を表現するための発光パターンで光を送出する赤外線ＬＥＤ１２と、制御信号を受信するフォトダイオード１４と、属性情報を格納するためのメモリ１８とを含む。 - 特許庁

A pre-scan window screen 52 for obtaining and displaying a plurality of pre-scan images 52-n is arranged as an assist function for easily finding an optimum condition of the detected scattering angle α, and a means for registering the plurality of pre-scan images in compliance with the position d of a dark-field detector 14 (condition of a detected scattering angle αd) is arranged.例文帳に追加

また、最適な検出散乱角αdの条件を容易に見つけるためのアシスト機能として、検出散乱角αdの異なる複数のプリスキャン画像５２-ｎを取得して表示するためのプリスキャンウィンドウ画面５２を設け、複数のプリスキャン画像をその画像を取得したときの暗視野検出器１４の位置ｄ（検出散乱角αdの条件）と対応させて登録する手段を設けた。 - 特許庁

A software extension system 1 comprises a digital camera 10, a server 40, and a connection terminal 30 connected with a reader/writer 35 for reading/writing data from/to a memory card 20 used on the digital camera 10, and connects the server 40 and connection terminal 30 via communication lines N.例文帳に追加

デジタルカメラ１０と、サーバ４０と、デジタルカメラ１０で利用されるメモリカード２０に対してデータの読み書きを行うリーダライタ３５が接続された接続端末３０とを具備したソフトウェア拡張システム１において、サーバ４０と接続端末３０とが通信回線Ｎを介して接続される。 - 特許庁

This (meth)acrylic acid derivative is expressed by general formula (1) [wherein, R is a lower alkyl; R' is H or methyl; (s) is a 1-8C alkylene or phenylene X is a halogen ion: and (n) is 8-20 integer], and the method for producing the same is also provided.例文帳に追加

下記の一般式（１）（式中、Ｒは低級アルキル基を、Ｒ'は水素原子またはメチル基を示し、ｓは炭素数１ないし８のアルキレン基又はフェニレン基を、Ｘはハロゲンイオンを示し、ｎは８から２０までの整数を意味する）表わされる（メタ）アクリル酸誘導体およびその製造方法。 - 特許庁

The method for producing the thienyl ketoester represented by general formula (1) (R^1 is an alkyl group; R^2 is a halogen atom or an alkyl group; n is an integer of 0-3) comprises adding an acetylthiophene to a mixed solution obtained by mixing a carbonic acid ester with a base at ≤35°C.例文帳に追加

炭酸エステル類と塩基とを３５℃以下で混合した混合液にアセチルチオフェン類を添加することを特徴とする下記一般式（１）（式中、Ｒ^１はアルキル基を示し、Ｒ^２はハロゲン原子またはアルキル基を示し、ｎは０〜３の整数を示す。）で表されるチエニルケトエステル類の製造方法。 - 特許庁

When write-in erasing the number of times is increased and a memory cell block in which erase is insufficient for the initial value Vera0 occurs; thereafter, erase start voltage Verast is updated not to Vera0 but to a higher voltage (Vera0+nΔV:(n) is natural number) than this.例文帳に追加

書き込み／消去回数が増加して、初期値Ｖｅｒａ０では消去不十分なメモリセルブロックが発生した場合には、その後所定のタイミングで、消去開始電圧ＶｅｒａｓｔをＶｅｒａ０でなく、これよりも大きい電圧（Ｖｅｒａ０＋ｎ・ΔＶ、ただしｎは自然数）に更新する。 - 特許庁

Scroll directions of patterns in a changeable display unit are changed at timing of many sorts, that is at a random timing, during changeable display to make a directed reach (ready-for-winning) action display in the necessary condition of a timing when control to make the direction reach action display is conducted ((K)-(N)).例文帳に追加

リーチ演出動作表示をするための制御が行なわれる時期であることを必要条件として、リーチ演出動作表示をするために可変表示装置の図柄のスクロール方向を、可変表示中に複数種類のタイミング、すなわち、ランダムなタイミングで切換える（（Ｋ）〜（Ｎ））。 - 特許庁

The level conversion circuit comprises a circuit for assisting transition of the voltage level at a second joint between a second P type MOS transistor and a second N type MOS transistor from a low level to a high level when a low voltage signal makes a transition from a high level to a low level.例文帳に追加

本発明のレベル変換回路は、低電圧の信号がハイレベルからローレベルに遷移する場合に、第２のＰ型ＭＯＳトランジスタと第２のＮ型ＭＯＳトランジスタとの間の第２の接続点の電圧レベルがローレベルからハイレベルに遷移するのを補助する補助回路を備えている。 - 特許庁

This method is composed of interleave type processing provided with a preprocessing phase for preparing an auxiliary symbol composed of an auxiliary complex sample Ak concerning each initial symbol and a processing phase including the inverse Fourier transformation of a size N concerning each auxiliary symbol, and the transmission of 2N pieces of real number output data xp.例文帳に追加

各初期シンボルについての補助複素サンプル（Ａｋ）からなる補助シンボルが作られる前処理フェーズと、各補助シンボルについてのサイズＮの逆フーリエ変換を含む処理フェーズと、を含むインターリーブ型の処理、および２Ｎ個の実数出力データ（ｘｐ）の送信からなる方法である。 - 特許庁

When a change of the turbine rotating speed Nt is satisfied with preset conditions (for example, the turbine rotating speed shows a tendency to reduce continuously n-times due to others than noises), a piston is determined to be in contact and a time interval ti between a current time and a precharge control starting time is found.例文帳に追加

タービン回転数Ｎｔの変化が所定の条件（例えば、ｎ回連続してタービン回転数が減少傾向を示し、ノイズによるものでない場合）を満たすに到った場合、ピストンが接触したものと判定し、該時点とプリチャージ制御開始時点との時間間隔ｔｉを求める。 - 特許庁

Fast neutrons are emitted from an accelerator to a raw material target of a solid or liquid, to produce (n, 2n) reaction for emitting two neutrons by the irradiation of a single neutron, and the radioisotope (excluding Mo) is generated directly or by β-decay.例文帳に追加

固体又は液体の原料ターゲットに加速器からの高速中性子を照射し、１個の中性子の照射により２個の中性子を放出する（ｎ，２ｎ）反応を起させ、放射性同位元素（但し、Ｍｏを除く）を直接にあるいはベータ崩壊により生成させることを特徴とする。 - 特許庁

A quantization characteristic determining means 3 receives a pixel value from a pixel value input means 1, measures a length S by which the same pixel value lasts and a pixel value difference D for the pixels to be encoded, and determines quantization characteristics (n) by referring to a functional evaluation result.例文帳に追加

量子化特性決定手段３は、画素値入力手段１から画素値を受け取って符号化対象画素に関連して同一画素値が連続する長さＳおよび画素値差分Ｄを計測し、官能評価結果を参照して量子化特性ｎを決定する。 - 特許庁

This recording and reproducing device is configured so as to buffer music data stored in a HDD 5 into a memory 2, and read out the data by using signals RD1 to RDn which are transferred from DMAC 61 to FIFO buffers 63, 73, 83, 93 for distributing the music data to each of a room 1 to a room n and are synchronized.例文帳に追加

ＨＤＤ５に蓄積されている曲データはメモリ２にバッファリングされ、ＤＭＡＣ６１によりルーム１〜ルームｎの各部屋に曲データを配信するためのＦＩＦＯバッファ６３，７３，…，９３に転送されて同期した信号ＲＤ１〜ＲＤｎにより読み出される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

To provide a valve gate used in a hot runner mold for injection molding which can open and close a gate hole by a pin of a valve body by a simple constitution, ca n eliminate a clatter caused by a backlash formed between gears because no gear is used, and can accurately open, close, and drive the gate hole in the pin.例文帳に追加

簡易な構成で、バルブ体のピン部にてゲート孔を開閉することができ、歯車を使用しないことから、歯車間に形成されているバックラッシによるガタがなくなり、ピン部にて、ゲート孔を精度よく開閉駆動できる射出成形用ホットランナ金型に用いられるバルブゲートを提供する。 - 特許庁

To provide a nanoparticulate formulation of meloxicam, wherein the material is known as 4-hydroxy-2-methyl-N-(5-methyl-2-thiazolyl)-2-H-1,2-benzothiazine-3-carboxamide-1,1-dioxide and the nanoparticulate form is necessary for an easily bioavailable pharmaceutical formulation of meloxicam exhibiting anti-inflammatory, analgesic and antipyretic activity.例文帳に追加

４−ヒドロキシ−２−メチル−Ｎ−（５−メチル−２−チアゾリル）−２−Ｈ−１，２−ベンゾチアジン−３−カルボキシアミド−１，１−ジオキシドとして知られるメロキシカムは抗炎症、鎮痛、及び解熱の活性を示し、メロキシカムの容易な生体利用な形の製剤の必要性のためナノ粒子のメロキシカム製剤の提供。 - 特許庁

Thereafter, when a shutter switch is operated, processing of step S8 is performed and photographed images (the present images) taken into an image RAM and those (the past images 1, 2, ..., n) that have already taken therein in order, for example, five photos per one second, are compared in a predetermined marked area.例文帳に追加

この後、シャッタスイッチを操作すると、ステップＳ８の処理が実行され、今回画像ＲＡＭに取り込まれた撮影画像（現在画像）と既に画像ＲＡＭに順次例えば１秒間に５枚ずつ取り込まれている撮影画像（過去画像１、２・・・ｎ）とを所定もマークの領域において比較する。 - 特許庁

The composition for a thermosetting silicone resin includes: (1) a silicone resin having silanol groups at both ends and represented by formula (I) wherein R^1 is a monovalent hydrocarbon group; n is an integer of 20-10,000; provided that all of R^1s may be the same or different; (2) trialkoxysilane; and (3) a condensation catalyst.例文帳に追加

(１)式(I)：(式中、Ｒ^１は一価の炭化水素基を示し、ｎは20〜10000の整数であり、但し、全てのＲ^１は同一でも異なっていてもよい)で表わされる両末端シラノール型シリコーン樹脂、(２)トリアルコキシシラン、及び(３)縮合触媒を含有してなる、熱硬化性シリコーン樹脂用組成物。 - 特許庁

Though the magnetic field communication method for low-power node management is performed in a radio network of a low-frequency band that is comprised of one MFAN-C and at least one MFAN-N, a physical layer frame is comprised of a preamble, a header, and a payload, and the preamble is comprised of a wake-up bit string and a synchronization bit string.例文帳に追加

１つのＭＦＡＮ−Ｃと少なくとも１つのＭＦＡＮ−Ｎとで構成された低周波帯の無線ネットワークで行われるが、物理層フレームをプリアンブルと、ヘッダーと、ペイロードとで構成し、前記プリアンブルをウェイクアップビット列と同期ビット列とで構成してなる。 - 特許庁

The method for preparing a crosslinked poly(meth)acrylic acid nitroxide compound comprises reacting a crosslinked poly(meth)acrylic acid imino compound obtained by crosslinking a poly(meth)acrylic acid imino compound, with an oxidizing agent in the presence of a catalyst containing a 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl compound.例文帳に追加

ポリ（メタ）アクリル酸イミノ化合物が架橋されてなる架橋ポリ（メタ）アクリル酸イミノ化合物と酸化剤とを、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル化合物を含む触媒の存在下で反応させることを特徴とする、架橋ポリ（メタ）アクリル酸ニトロキシド化合物の製造方法。 - 特許庁

To provide a frequency conversion circuit 10 for a cable television transmitter that uses a frequency mixer 2 to conduct frequency conversion so as to simplify the entire configuration and to prevent deterioration in the C/N thereby effectively eliminating an unnecessary frequency component.例文帳に追加

１個の周波数混合器２を用いて周波数変換を行い、全体構成を簡素化するとともにキャリア対ノイズ比の悪化を防ぎ、不要な周波数成分を有効的に除去することを可能にしたケーブルテレビジョン送信機の周波数変換回路１０を提供する。 - 特許庁

A hardware (HW) resource management function virtual machine 13 includes a manager capable of obtaining a processing result by managing the HW resources provided in each PC to be connected to a network N, and by transmitting a request to an information processor for performing processing corresponding to the request.例文帳に追加

ＨＷリソース管理機能仮想マシン１３は、ネットワークＮに接続される個々のＰＣにそれぞれ備えられるハードウェアリソースを管理し、要求に応じた処理を行える情報処理装置に当該要求を送信して処理結果を取得することが可能なマネージャを有する。 - 特許庁

To provide substituted aryl and heteroaryl (R)-chiral halogenated 1-substituted amino-(n+1)-alkanol compounds useful as inhibitors of cholesteryl ester transfer protein (CETP; plasma lipid transfer protein-I) and a composition of the compound, and provide a method for treating atherosclerosis and other coronary artery diseases by using the compound.例文帳に追加

コレステリルエステル伝達タンパク（ＣＥＴＰ；血漿脂質伝達タンパク質Ｉ）の阻害剤として有用な置換アリール及びヘテロアリール（Ｒ）−キラルハロゲン化１−置換アミノ（ｎ＋１）アルカノール化合物、組成物、並びに、アテローム硬化症及びそのほかの冠動脈疾患を治療の提供。 - 特許庁

The fuel oil for use in a compression self-ignition type of engine, containing 40-80% by volume of GTL and 60-20% by volume of oxygen-containing substances, is characterized in that the above oxygen-containing substances contain 40-10% by volume of ethanol and 20-10% by volume of ethyl tertiary-butyl ether, ethyl n-butyrate or ethyl iso-butyrate.例文帳に追加

ＧＴＬ４０〜８０容積％、及び含酸素物質６０〜２０容積％を含み、前記含酸素物質がエタノール４０〜１０容積％と、エチルターシャリーブチルエーテル、ノルマル酪酸エチル又はイソ酪酸エチル２０〜１０容積％を含む、圧縮自着火式エンジン用燃料油。 - 特許庁

A polymer solution obtained by polymerization of Isobutyl polymethacrylate and n-butyl polymethacrylate is diluted with a solvent to obtain a certain solution, and a rare earth permanent magnet is dipped into the solution, then dried out, and heated at a temperature of 50 to 300°C for curing the polymer film formed on its surface.例文帳に追加

ポリメタクリル酸イソブチルとポリメタクリル酸ｎ−ブチルとが重合したポリマー溶液を溶剤で希釈した溶液中に、希土類永久磁石体を浸積した後、乾燥し、その後50〜300℃で加熱硬化することを特徴とする希土類永久磁石の表面処理方法。 - 特許庁

When a missing person occurs, search information necessary for the search of the missing person is inputted to an input means 11 in a monitoring device 10 and transmitted from a monitor side transmitter-receiver 14 to all searching devices 20-1 to 20-n as a search request.例文帳に追加

行方不明者が発生すると監視装置１０の入力手段１１によって行方不明者の捜索に必要な捜索情報が入力され、この捜索情報が捜索依頼として監視側送受信装置１４から全ての捜索装置２０−１〜ｎに送信される。 - 特許庁

The water-repellent composition for the glass contains a main component comprising a fluoroalkylsilane expressed by Chemical Formula CF_3(CF_2)nCH_2CH_2Si(OR)_3 (wherein R represents CH_3 or C_2H_5, and n is 2 to 9), a stabilizing agent comprising alkoxide or chelate compounds of zirconium and titanium, and a silicone oil.例文帳に追加

化学式ＣＦ_3（ＣＦ_2）ｎＣＨ_2ＣＨ_2Ｓｉ（ＯＲ）_3（但し、式中のＲはＣＨ_3又はＣ_2Ｈ_5、ｎは２〜９である。）で表されるフルオロアルキルシランからなる主剤とジルコニウム及びチタニウムのアルコキシド又はキレート化合物からなる安定化剤と反応性シリコーンオイルとを含有する。 - 特許庁

In a progress information processing, a planned travel route to a destination is set (S130), a passage point setting processing is performed (S140), and planned points are set for every distance obtained by dividing the entire distance of the planned travel route set in S130 by a preset dividing number N.例文帳に追加

経過報知処理では、目的地までの移動予定経路を設定し（Ｓ１３０）、通過地点設定処理を実行して（Ｓ１４０）、Ｓ１３０にて設定された移動予定経路の全距離を予め設定された分割数Ｎにて等分割した距離毎に、通過予定地点を設定する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has a high C/N characteristic even in a short wavelength region in particular and makes higher density recording possible as a magnetic recording medium of a large capacity for the next generation, such as a magnetic recording tape formed with a magnetic layer by a vapor deposition method and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録テープなど、次世代の大容量の磁気記録媒体として、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有してさらなる高密度記録化が可能な磁気記録媒体と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case that a node conducts transmission (ST11) and loses competition with other node because of occurrence of an error or due to low priority (ST12), the communication controller counts number of times of defeated transmission (transmission failure) and continues transmission until transmission is defeated for a prescribed number of times (N times in this case) (ST13).例文帳に追加

送信を行い（ＳＴ１１）、エラーの発生や、優先度が低く他のノードとの競合に負けた場合（ＳＴ１２）、通信制御装置は送信負け（送信失敗）の回数をカウントし、所定回数（ここではＮ回）送信負けするまで送信動作を続ける（ＳＴ１３）。 - 特許庁

In a 1st CMOS circuit and a 2nd CMOS circuit which are different in driving voltage on a TFT array substrate of the electrooptical device, N-channel type TFTs and P-channel type TFTs constituting the CMOS circuits, have 4-terminal structure equipped with a back gate for threshold voltage control.例文帳に追加

電気光学装置のＴＦＴアレイ基板において、駆動電圧が相違する第１のＣＭＯＳ回路と第２のＣＭＯＳ回路では、ＣＭＯＳ回路を構成するＮチャネル型ＴＦＴ、およびＰチャネル型ＴＦＴを、しきい値電圧制御用のバックゲートを備えた４端子構造とする。 - 特許庁