「Grow-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Among the elderly, the young-old population will peak in 2016 before going into decline. The old-old population, on the other hand, will continue to grow, and is projected to exceed the young-old population in 2018. It therefore appears that the proportion of old-old among the elderly will increase further. 例文帳に追加

また、高齢者人口のうち、前期高齢者人口は2016年をピークにその後は減少に転ずる一方、後期高齢者人口は増加を続け、2018年には前期高齢者人口を上回るものと見込まれており、増加する高齢者数の中で後期高齢者の占める割合は、一層大きなものになるとみられる。 - 経済産業省

However, in recent years, water facilities have deteriorated and the demand for renovation and renewal is expected to grow significantly, whereas now municipalities suffer under strict financial conditions. There is an estimate that the demand for renewal will exceed the amount of investment in Japan as early as 2020 if investment continues to decrease by one percent on a year-to-year basis.例文帳に追加

しかし、近年では水道設備の老朽化が進み、将来的には膨大な設備改修・更新需要が見込まれる一方で、地方自治体の財政は悪化しており、今後投資額が対前年比－1%で推移した場合には、早ければ平成32年度には我が国全体の更新需要が投資額を上回るとの試算もある。 - 経済産業省

In the same apparatus for growing the following regions, parts of a sub-collector layer and collector layer stacked on a substrate 1 are removed to form a collector region 6, part of a buffer layer 2 is made to expose, and a buried region consisting of InAlAs is made to grow.例文帳に追加

同一の成長装置内で、基板１上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域６を形成するとともに、バッファ層２の一部を露出させ、その露出部分にＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み領域を成長させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film, which prevents splash or the like causing a large trouble in production and can stably grow a flat film through a vacuum deposition method; a positive electrode for a lithium battery which has been formed through the method for forming the thin film; and a lithium battery provided with the positive electrode.例文帳に追加

蒸着法によって、生産上大きなトラブルの原因となるスプラッシュ等を防止し、安定して平坦な膜を成長することができる、薄膜形成方法、その薄膜形成方法で形成したリチウム電池用正極、その正極を備えるリチウム電池を提供する。 - 特許庁

A region of a second semiconductor layer 2d on a first insulator layer non-opening part region (A) is capable of being let grow in the lateral direction from the region of the second semiconductor layer 2d growing from a first semiconductor layer 2b within a first insulator opening part region (B).例文帳に追加

第１絶縁体層非開口部領域（Ａ）上の第２半導体層２ｄの領域は、第１絶縁体層開口部領域（Ｂ）内の第１半導体層２ｂから成長した第２半導体層２ｄの領域から横方向に沿って成長させることが可能である。 - 特許庁

The crystal growth apparatus is equipped with: a lid 11 to cover the upper part of a growth chamber having a crucible 1 inside to reserve a source melt and to grow a crystal; and an auxiliary heating means to heat the lid in addition to a main heating means for growing a crystal.例文帳に追加

原料融液を収めて結晶成長を行うルツボ1を内部に有する育成室の上部に、育成室上部を塞ぐ蓋11を備え、かつ結晶成長させるための主加熱手段に加えて該蓋を加熱する補助加熱手段とを備えたことを特徴とする結晶育成装置である。 - 特許庁

In this method for culturing mushrooms by inoculating spawns to a culture base prepared by using such as sawdust, rice bran and passing the spawns through culture and growth processes so as to artificially grow mushrooms, a plant of a herb is used as an auxiliary culture base to be added to the culture base.例文帳に追加

おが屑、米糠等の培養基材を用いて調製した培養基に種菌を接種し、培養、生育工程を経て人工的にきのこを生育させるきのこの栽培方法において、前記培養基材に添加する補助培養基材としてハーブ類植物を使用する。 - 特許庁

To solve the problem that fungi and molds easily grow on a catalyst provided in a hydrogen forming apparatus because the catalyst is kept under high temperature and high moisture conditions for a long time during stoppage of operation of a fuel cell system or immediately after stopping operation and it is thereby difficult to maintain the catalytic activity of the catalyst when the fuel cell system is used for a long period of time.例文帳に追加

燃料電池システムが停止動作中および停止した直後は、水素生成装置内の触媒は、高温高湿度条件に長時間保たれ、触媒上に菌、かびが発生しやすく、長期間の使用では、触媒活性を維持することが困難となる。 - 特許庁

In the method, after a liquid 3 composed of component elements of the compound is uniformly deposited on a substrate 2, a liquid or gas 5 composed of other component elements of the compound is contacted with on a liquid-deposited layer 4 to grow crystals.例文帳に追加

基板２上に化合物の構成元素からなる液体３を均一に付着した後、該液体の付着層４に化合物の他の構成元素からなる液体または気体５を接触させて結晶を成長させることを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。 - 特許庁

To improve quality by reducing slip dislocation or the like in an SOI wafer manufacturing method for making an epitaxial layer to grow on an SOI layer of an SOI wafer constituted of forming an oxide film and the SOI layer on a base wafer to thicken the SOI layer.例文帳に追加

ベースウエーハ上に酸化膜およびＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハのＳＯＩ層上にエピタキシャル層を成長させてＳＯＩ層を厚くするＳＯＩウエーハの製造方法において、スリップ転位等の少ない高品質なＳＯＩウエーハを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal under gripping the enlarged-diameter portion of the single crystal formed by CZ method, intended to grow and pull it in dislocation-free and stable state without causing its deformation or rupture even if the enlarged-diameter portion stands at high temperatures and the corresponding single crystal rod has a weight of as heavy as about 400 kg with large diameter.例文帳に追加

ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下部を把持する構成において、径拡大部が高温であり、４００ｋｇ程度の大重量、大径の単結晶棒であっても変形、破断を生じさせず、無転位でかつ安定した状態で成長させ引き上げる。 - 特許庁

In the liquid phase epitaxial growth method by which a semiconductor substrate 14 is vertically stood and is brought into contact with a growth solution 13 to make the epitaxial layer grow on the semiconductor substrate 14, the semiconductor substrate 14 is rotated so as to change places between the upper and the lower sides during growth.例文帳に追加

半導体基板１４を縦置きにして成長溶液１３と接触させてその半導体基板１４上にエピタキシャル層を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、成長中に上記半導体基板１４を上下入れ替るように回転させる。 - 特許庁

To provide a method for growing an aluminum nitride crystal, which, in growing an aluminum nitride crystal, can prevent the sublimation of a base substrate and can grow an aluminum nitride crystal having good crystallinity at an improved growth rate, to provide a method for producing an aluminum nitride crystal, and to provide an aluminum nitride crystal.例文帳に追加

窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。 - 特許庁

While establishing safety nets with government expenditures is important, this will not immediately stimulate domestic demand, although demand in some sectors may grow. I am always saying that we must consider how to deal with those problems. We need to implement financial measures from that perspective so as to enable blood (funds) to circulate throughout the body (economy). 例文帳に追加

政府支出でセーフティネットを張って、これは大事なことだけれども、セーフティネットを張っていくということはすぐ内需にはなっていかない。一部はなります。そういうことに対してどうやっていくかということをやらないといけないと私は常に言っております。 - 金融庁

To provide a device for physiological management of plants with which a plant growth/storage space is made an optimum space for growth and storage of plants so as to more effectively grow and store the plants and further effectively perform active circulation of the plants in the plant market.例文帳に追加

植物の育成貯蔵空間を植物の育成並びに貯蔵の最適空間とし、これによって植物の育成および貯蔵をより効果的に行い得るようにし、ひいては植物市場における植物の活性流通をより効果的に行い得るようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate which can grow an A axis oriented nitride-based semiconductor on an R surface sapphire substrate in a selected transverse direction, and to provide an epitaxial substrate manufactured by this method which has a low threading dislocation density and an excellent surface flatness.例文帳に追加

A軸配向の窒化物系半導体をR面サファイア基板上に選択横方向成長させるエピタキシャル基板の製造方法ならびにこの方法により製造した基板全面において貫通転位密度が低く、かつ、表面平坦性の優れたエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

A high-quality multifunctional substrate layer can prevent the deformation and decomposition of the lower seed substance layer at high temperature and in a hydrogen atmosphere, and has a single crystal that is a hexagonal structure or a polycrystalline structure to grow the good-quality single-crystal nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

高品質の多機能性基板層は高温及び水素雰囲気で下部のシード物質層の変形と分解とを防止することができ、良質の単結晶窒化物系半導体基板を成長するために六方晶構造である単結晶または多結晶構造を有する。 - 特許庁

A part of the seed bag is made separable oblongly from the main body and the plant name of the seeds in the bag is described on the oblong part, while the name of the seed and a photograph of the plant at the flowing season are shown on the front face and how to grow the seeds is described on the back face.例文帳に追加

種袋の一部を縦長に切り取るようにし、その部分に袋に収納された種の名称を記載しておき、袋部分の表面には収納された種の名称と開花時の様子を示す写真などが記載され、裏面には種の育成に関する栽培方法を記載しておく。 - 特許庁

A specific region and its vicinity in the thin film are irradiated with electromagnetic waves under different conditions, and then the thin film is melted and solidified again so as to grow crystal grains preferentially from the specific region, so that the position of the crystal grains of the crystalline thin film is controlled.例文帳に追加

薄膜に対して、特定領域とその周囲の領域とで互いに異なる条件で電磁波を照射した後に、該薄膜を溶融再固化させることにより、特定領域から優先的に結晶粒を成長させ、結晶性薄膜の結晶粒の位置を制御する。 - 特許庁

The method for producing the tungsten oxide fiber comprises heating a tungsten oxide or an alloy of tungsten to 1,200-3,000°C in a gas-phase oxidizing atmosphere prepared by mixing an oxidation promoter with an oxidation inhibitor and allowing the formed tungsten oxide to grow on a substrate.例文帳に追加

金属タングステンまたはその合金を、酸化促進物質に酸化抑制物質を混合することによって得られた気相酸化雰囲気下で、1200〜3000℃に加熱し、生成したタングステン酸化物を基材上で成長させることを特徴とするタングステン酸化物ファイバーの製造方法。 - 特許庁

The density change of halftone dots is suppressed by generating the small virtual dot area, halftone dot density changes while halftone dots are made to grow separately in an area where density is low, and the density of the final image can be prevented from being inappropriate due to edge effects.例文帳に追加

微少仮想ドット領域を生成することで，網点の密度変化を抑制し，濃淡度が低い領域で，網点を別々に成長させることに伴い，網点密度が変化してエッジ効果により最終画像の濃淡度が不適切になることを防止することができる。 - 特許庁

Methods are also provided for forming the article, and the articles so produced, exhibit sufficient continuous cycle fatigue crack growth resistance and hold time fatigue crack grow resistance to be utilized as turbomachinery components, and in particular, large, hot section components of gas or steam turbine engines.例文帳に追加

その物品を形成する方法も提供され、こうして製造された物品は、ターボ機械部品として、特に、ガス又は蒸気タービンエンジンの大型ホットセクション部品として利用するのに充分な連続的サイクル疲労亀裂成長抵抗及び保持時間疲労亀裂成長抵抗を示す。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, that inhibits transition into an epitaxial grow layer and generation of crystal defect caused by the difference in the atmosphere and thermal coefficient of expansion, while decreasing the temperature of a substrate after semiconductor layer growth, and has a high-quality ZnO-based oxide semiconductor layer with superior crystallizability.例文帳に追加

半導体層成長後の基板温度を下げる間の雰囲気や熱膨張係数の差に基づくエピタキシャル成長層への転移や結晶欠陥の発生を抑制して、結晶性の優れた高品質のＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法を提供する。 - 特許庁

Using as a mask the mask pattern for selective growth, the imbedding layer is made to selectively grow under the conditions growing sideways from the side face of the mesa extending in the second direction opposite from the first direction with the first boundary position as a reference, with the front face of the growth becoming a slope.例文帳に追加

選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第１の境界位置を基準として第１の向きとは反対の第２の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。 - 特許庁

The preventive method of soil-borne diseases comprises causing a microbial material comprising at least one of a bacterial cell, a spore or a product of a microorganism (accession number: NITE P-513) belonging to the genus Microsphaeropsis to grow in, or penetrate into, a root of a fruit tree belonging to the suborder of the order of Rosales.例文帳に追加

本発明に係る土壌病害の予防方法では、ミクロスフェロプシス属に属する微生物（受託番号：NITE P-513）の菌体、胞子、産生物の少なくともいずれか１つを含有する微生物資材を、バラ亜目の果樹の根に内生または含浸させることとした。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate produced by the above method is disposed opposing to a carbon supply feed substrate and heated while making an ultrathin melt layer of silicon be present therebetween so as to epitaxially grow a single crystal 4H-SiC in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy method.例文帳に追加

前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Thus without removing the mask 4 and with using the side of the steps as nuclei, a second group III nitride-based compound semiconductor 32 which dose not grow in epitaxially on the mask 4 can be grown upward with filling up the steps by longitudinal and lateral epitaxial growth.例文帳に追加

こうして、段差の上段の上面のマスク４を除かずに、側面を核として、マスク４上にはエピタキシャル成長しない第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めつつ、上方にも成長させることができる。 - 特許庁

To provide a simulator for rearing representing further pleasure to a player by a method wherein the player rears a virtual living body and makes the same grow in the simulator for rearing and makes the simulator for rearing move or travel other than a display.例文帳に追加

遊戯者が育成シミュレーション装置の仮想生命体を育成し、成長させることにより、遊戯者に対し、表示以外にも育成シミュレーション装置を、動作又は走行させることにより、遊戯者に更なる楽しさを演出することができる育成シミュレーション装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

If an ROP process which cannot be processed by a second drawing process section 22 is included in a drawing process for one band, a first drawing section 13 performs drawing process for the band and replace it with a drawing command by which image data for one band are made to grow to draw the image data.例文帳に追加

第１の描画処理部１３は、１バンド分の描画命令中に第２の描画処理部２２で処理不能なＲＯＰ処理が含まれていれば、そのバンドの描画処理を行い、１バンド分の画像データを生成して、その画像データを描画する描画命令に置き換える。 - 特許庁

The method for producing an edible mushroom bed comprises planting mushroom fungi into an edible mushroom bed 7 to culture them, crushing the mushroom bed 7 before the mushroom fungi get caught in the mushroom bed 7 and carpophores grow; reducing the water content of the crushed mushroom bed 7 into ≤10 wt%; and charging the mushroom bed into a bag.例文帳に追加

食用菌床の製造方法は、食することができる菌床７に茸の菌を植え付けて培養し、菌床７に前記茸の菌糸が絡み、子実体が生じる前に、菌床７を粉砕し、粉砕した菌床７を水分含有量を１０％以下にして袋詰めするものである。 - 特許庁

A holder 26 for holding a tungsten probe 10 is arranged in a container 21 with an exposed tip part 10a, and carbon-based gas introduced into the container 21 is changed into plasma, and the tip part 10a is exposed to the carbon-based gas changed into plasma, to thereby grow the carbon nanotube 31 on the tip part 10a.例文帳に追加

先端部１０ａを露出させてタングステン探針１０を保持するホルダー２６を容器２１内に配し、該容器２１内に導入した炭素系ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した炭素系ガスに先端部１０ａを曝すことにより、当該先端部１０ａにカーボンナノチューブ３１を成長させる。 - 特許庁

A clutch connection timing is delayed in consideration to a dispersion of the rise time of the stepping motor of the register roller 54 and the connection time of the clutch of the pre-register roller 50 such that it falls from a range that an initial loop formed to correct a skew travel does not grow into a range that the initial loop disappears.例文帳に追加

レジストローラ５４のステッピングモータの立上げ時間とレジスト前ローラ５０のクラッチ連結時間のバラツキを考慮して、斜行補正のために形成した初期ループが成長しない範囲から初期ループがなくなる範囲に収まるようにクラッチ連結タイミングを遅らせる。 - 特許庁

In the forming method of p-type telluride zinc by reacting zinc material gas, telluride material gas and doping gas through an organic metal vapor phase growth method, dimethyl zinc is supplied as the zinc material gas, diethyl tellurium is supplied as the tellurium gas and triethyl arsenide is supplied as the doping gas to grow.例文帳に追加

有機金属気相成長法によって亜鉛原料ガス、テルル原料ガスおよびドーピングガスを反応させてｐ型のテルル化亜鉛を形成する方法において、亜鉛原料ガスとしてジメチル亜鉛、テルル原料ガスとしてジエチルテルル、およびドーピングガスとしてトリエチル砒素を供給して成長させる。 - 特許庁

The raw material 4 in the reaction chamber 2 is heated by irradiation with a laser beam to sublimate; the sublimated raw material is re-crystallized on the base substrate 3 to grow a compound semiconductor single crystal; and then the compound semiconductor single crystal is separated from the base substrate 3 by using the laser beam.例文帳に追加

反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 - 特許庁

In forming the rubrene-based compound single crystal film on a substrate, the substrate is kept at 150°C or above and a rubrene-based compound gas is supplied onto the substrate to grow a single crystal of the rubrene-based compound on the substrate to obtain the single crystal film.例文帳に追加

ルブレン系化合物単結晶膜を基板上に形成する際に、前記基板を１５０℃以上に保持すると共にこの基板上に前記ルブレン系化合物の気体を供給することにより当該基板上にルブレン系化合物の単結晶を成長させて単結晶膜を得る。 - 特許庁

In the production method, a mixture containing at least one group III element selected from among gallium, aluminum, and indium, an alkali metal, and a liquid nitrogen compound is melted by heating, thereby reacting the group III element with the nitrogen compound to grow a group III nitride crystal.例文帳に追加

ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属と液体の窒素化合物とを含む混合物を加熱して溶解させることによって、上記少なくとも１つのIII族元素と上記窒素化合物とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させる。 - 特許庁

The carbon nanotube production method comprises forming a colloidal metallic catalyst on a substrate and feeding a feedstock gas over the catalyst while allowing moisture to be present in a reaction atmosphere to grow the gas into carbon nanotubes by a chemical vapor deposition (CVD) technique.例文帳に追加

基板上に触媒としてコロイド状金属触媒を配置し、原料ガスを供給するとともに、反応雰囲気中に水分を存在させて化学気相成長（ＣＶＤ）法によりカーボンナノチューブを成長形成させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

In the meantime, it has become necessary for oil producing countries to make investment for the diversification of industries to grow out of petroleum-dependent economy and for infrastructural improvement including welfare that has tended to be delayed. Because of this, they have to spend some of the profit from oil export for purposes other than upstream investment.例文帳に追加

また、産油国においては、石油依存型経済からの脱却のための産業多角化や遅れがちな福祉等社会資本整備に向けた投資も必要となっていることから、原油輸出収入の一部は上流投資以外にも振り向けざるを得なくなっている。 - 経済産業省

A country's optimal industrial structure changes over time, and, conversely, for the economy as a whole to continue to grow, factors of production need to be constantly redistributed among industries, adjusting also to consumer needs and advances in technological innovation.例文帳に追加

一国にとって最適な産業構造とは決して不変的なものではなく、むしろ、経済全体が成長を続けていくためには、消費者のニーズの変化や技術革新の進展に対応しながら生産要素が常に産業間で適材適所に再配分され続けていく必要がある。 - 経済産業省

The measures taken came out with a steady and increasing popularity and brand power in respect of an increment of visitors to the events from media around the world or diversification of the event. The Ministry of Economic, Trade and Industry would continue to support JFW so that JFW could grow to a hub for fashion and business.例文帳に追加

これまでの取り組みにより、世界からのメディア等の来場者の増加やイベントの多様化など、着実に知名度やブランド力の向上が図られているところであり、今後とも経済産業省では、JFWが、ファッション・ビジネスの拠点として確立するように、支援していく予定である。 - 経済産業省

However, the economy of the United States continues to grow on the strength of liberalization of trade and investment and its competitive edge in financial and other service sectors.例文帳に追加

しかし、米国経済は貿易・投資自由化や金融等サービス分野の競争力強化によって成長しており、今後もこうした分野の競争力を強化するべく、より投資や金融等のサービスにシフトした形で諸外国との経済連携を模索していくものと考えられる25。 - 経済産業省

To reduce cost in mass production of an SiCOI construction substrate with regard to a method to grow a cubic silicon carbide (3 C-SiC) crystal film with orientation (100) at relatively low substrate temperature.例文帳に追加

３Ｃ−ＳｉＣによる高周波デバイスやセンサー等の電子デバイスの作製において、ＳｉＣＯＩ構造が知られているものの、３Ｃ−ＳｉＣ膜をＳｉの熱酸化膜上へ直接成長させることによってＳｉＣＯＩ構造を形成する技術はこれまで報告されていない。 - 特許庁

Crystal units 20 occur at the start of crystal growth, and as the crystal growth continues, the films which start from the upper part of the protruding part 11 grow laterally to join each other, eventually covering the rough surfaces of the substrate with cavity parts 13 left in recessed parts.例文帳に追加

従って(ｂ)図に示すように、結晶成長開始時は結晶単位２０が発生し、さらに結晶成長を続けると凸部１１の上方部を起点とし横方向に成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹部に空洞部１３を残したまま、基板１の凹凸面を覆う。 - 特許庁

In the method of manufacturing the plate-like silicon by bringing a substrate having a growing plane into contact with silicon molten liquid to grow silicon on the substrate, the plate-like silicon having small fluctuation of quality is obtained by dividing the substrate having the growing plane of the plate-like silicon.例文帳に追加

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。 - 特許庁

In the filtering operation method for filtering a biological treatment liquid being raw water by combining filtration and back wash using a membrane module housing a membrane element, filtering operation is stopped for 0.5-2 min after the completion of back wash to grow flocs before resuming filtering operation.例文帳に追加

生物処理液を原水とする、膜エレメントが収容された膜モジュールを用いて濾過と逆洗浄を組み合わせて行う濾過運転方法であり、逆洗浄終了後、０．５〜２分間濾過運転を停止してフロックを成長させた後に濾過運転を再開する濾過運転方法。 - 特許庁