「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

An evaporator 5 is provided with a heat insulating board 12 being put into a duct 10 and since chill flowing through the duct is recooled by the heat insulating board before being supplied into a chilled chamber (isolation chamber) 4a, cooling power of the chilled chamber (isolation chamber) can be enhanced.例文帳に追加

蒸発器５に、ダクト１０内に貫通して配置される放熱板１２を設け、ダクト内に流通される冷気を同放熱板により再冷却してチルド室（隔離室）４ａに供給するようにしたので、チルド室（隔離室）の冷却力を向上することができる。 - 特許庁

To provide an apparatus of aseismatic base isolation capable of effectively releasing pressure acting on a folding portion of a rolling sheet member while magnification of an air chamber in the rolling sheet type air spring employing as a long periodical means is intended, thus smoothly performing the vertical and horizontal three dimensional aseismatic base isolation.例文帳に追加

長周期化手段として用いるローリングシート型空気ばねの空気室の拡充化を図りつつ、ローリングシート部材の折り返し部分に作用する圧力を効果的に逃がし、もって、上下および水平の三次元免振を円滑に行うことができる免振装置を提供する。 - 特許庁

To provide a support structure of an overhang plate of a base isolation building capable of reducing weight of the overhang plate, capable of simplifying even an installing structure to the upper structure, hardly exerting influence on base isolation performance and capable of realizing a nonrestrictive construction plan, excellent workability and cost reduction.例文帳に追加

はね出し板を軽量化できると共に、それの上部構造体に対する取付構造も簡素化でき、免震性能への影響が少なく、制約の少ない建築計画と良好な施工性および低コスト化を実現できる免震建築物のはね出し板の支持構造を提供すること。 - 特許庁

Then a channel stop is injected with energy such that it passes through a partial isolation oxide film PT11 to form a peak of an impurity profile within an SOI layer 3, and a channel stop layer N1 is formed within the SOI layer 3 under the partial isolation oxide film PT11, i.e., in a separated region.例文帳に追加

そして、部分分離酸化膜ＰＴ１１を通過してＳＯＩ層３内で不純物プロファイルのピークが形成されるエネルギーでチャネルストップ注入を行い、部分分離酸化膜ＰＴ１１の下部のＳＯＩ層３内、すなわち分離領域にチャネルストップ層Ｎ１を形成する。 - 特許庁

The wiring tool 1 includes: a quasi-isolation part 12B which is formed to be separated from other parts by a series of cuts 120 except for a root part connected to a connection part 14 which is a part thereof, and capable of being bent and deformed; and a fastening hole 13B to which a part of the quasi-isolation part 12B is inserted.例文帳に追加

配線具１は、その一部である連結部位１４に繋がる根元部以外は一連の切り目１２０により他の部分から分離して形成され、曲げ変形可能な準孤立部１２Ｂと、準孤立部１２Ｂの一部が挿入される留め孔１３Ｂとを有する。 - 特許庁

To provide a radio relay apparatus which performs an isolation check periodically at a predetermined time interval so as to adapt each link gain to a change in the environment where the apparatus is installed, and inhibits the isolation check during a telephone call so as not to disturb the telephone call.例文帳に追加

所定の時間間隔でアイソレーションチェックを行うことより、各リンクの利得を装置が設置されている環境の変化に対応させることが可能であると共に、通話中にアイソレーションチェックが行われ通話が妨害されることがない無線中継装置を提供する。 - 特許庁

An element isolation region 21 is formed on a main surface of a semiconductor substrate SUB1, a n-type well NW2 is formed in an active region defined by the element isolation region 21, and a silicon film pattern SP1 is formed on the n-type well NW2 through an insulating film 22a.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢ１の主面に素子分離領域２１が形成され、素子分離領域２１で規定された活性領域にｎ型ウエルＮＷ２が形成され、ｎ型ウエルＮＷ２上に絶縁膜２２ａを介してシリコン膜パターンＳＰ１が形成されている。 - 特許庁

Since the loss of the signal of the isolation terminal 4b is not increased to the isolation terminal 4b via a resistance element but the loss of the signal is increased according to the line state apart from the line forming process, there is no need about the resistance element arranging process, and the manufacturing process can be simplified.例文帳に追加

アイソレーション端子部４ｂに抵抗素子を介してアイソレーション端子部４ｂの信号損失を増加するのではなく、線路形態により信号損失を増加するので、線路形成工程とは別に抵抗素子配設工程を設ける必要が無く、製造工程の簡略化を図ることができる。 - 特許庁

This device has a silicon substrate 12, an isolation structure 10 present in the substrate 12 (for example, a shallow trench isolation), an active element structure (for example, a transistor structure), a dielectric layer covering the active element structure, and a metal interconnect layer (a first metal layer) 28 covering the dielectric layer 26.例文帳に追加

本発明のデバイスは、シリコン基板と、その基板内に有るアイソレーション構造（例えば、浅いトレンチ・アイソレーション）と、能動素子構造（例えば、トランジスタ構造）と、その能動素子構造を覆う誘電体層及びその誘電体層を覆うメタル・インターコネクト層（第１メタル層）を具備する。 - 特許庁

In the cross-section along a region between word lines 8 and 8, a trench isolation oxide film 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and source liens 3a and 18a and bit lines 3b and 18b are formed in an element forming region between the trench isolation oxide films 2.例文帳に追加

ワード線８とワード線８とによって挟まれた領域に沿った断面において、半導体基板１の表面にトレンチ分離酸化膜２が形成され、そのトレンチ分離酸化膜２によって挟まれた素子形成領域にソース線３ａ、１８ａとビット線３ｂ、１８ｂが形成されている。 - 特許庁

An isolation groove 7 isolating the respective photovoltaic cell elements 1 from each other is cut in the resin base material 8 halfway along the thickness direction from the top surface sides of the photovoltaic cell elements 1, and the respective photovoltaic cell elements 1 are held by the resin base materials 8 while isolated by cell isolation grooves 7.例文帳に追加

各光電池セル素子１間を分離するセル分離溝７を光電池セル素子１の表面側から樹脂基材８の厚み方向途中部にかけて切り込み形成し、各光電池セル素子１をセル分離溝７によって分離された状態で樹脂基材８によって保持する。 - 特許庁

A PMOSFET 100 is formed on an active region segmented by an element isolation insulating film 16, and a stress providing film 17 for applying a compression stress in a gate length direction on the channel region of the PMOSFET 100 is formed on the upper part of the element isolation film 16.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１６によって区画された活性領域にＰＭＯＳＦＥＴ１００が形成されており、素子分離絶縁膜１６の上部には、ＰＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域にゲート長方向に圧縮応力を印加する応力付与膜１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid enclosed type vibration isolation device and a liquid enclosed type vibration isolation device unit sufficiently reducing generation of noise while securing low dynamic spring characteristics at a time of relatively small amplitude vibration input and high damping characteristics at a time of relatively large amplitude input.例文帳に追加

比較的小振幅の振動入力時の低動ばね特性と、比較的大振幅入力時の高減衰特性とを確保しつつ、異音の発生を十分に低減することができる液封入式防振装置及び液封入式防振装置ユニットを提供すること。 - 特許庁

In this vibration isolation device of a band saw machine, the vibration isolation roller 39 heavier than a contact roller 35U is rotatably brought into contact with a contact roller 35U brought into contact with a band saw blade 21 for rotating, and pressed against and biased to the contact roller 35U.例文帳に追加

帯鋸盤における防振装置であって、帯鋸刃２１に接触して回転する接触ローラ３５Ｕに、当該接触ローラ３５Ｕよりも大重量の防振ローラ３９を回転自在に接触してあり、前記防振ローラ３９は前記接触ローラ３５Ｕに対して押圧付勢してある。 - 特許庁

An edge part of the fastening hole 13B and a part of the quasi-isolation part 12B constitute a fall-out prevention mechanism for preventing the quasi-isolation part 12B inserted to the set of connection holes formed in the cover member and inserted to the fastening hole 13B from falling out of the fastening hole 13B.例文帳に追加

留め孔１３Ｂの縁部と準孤立部１２Ｂの一部とが、カバー部材に形成された１組の連結用孔に通されるとともに留め孔１３Ｂに挿入された準孤立部１２Ｂが留め孔１３Ｂから抜けることを妨げる抜け止め機構を構成する。 - 特許庁

To provide the marine isolation method of carbon dioxide, which is applied to a ship towage system of a marine isolation technique for dissolving/diluting a large quantity of carbon dioxide in the intermediate layer of the ocean and in which carbon dioxide is dissolved by making effective use of the intermediate layer of the ocean being a specified discharge site.例文帳に追加

多量の二酸化炭素を海洋中層へ溶解希釈させる海洋隔離技術の船舶曳航方式に適用され、指定された放出サイトの海洋中層を有効に利用して二酸化炭素を溶解させる二酸化炭素海洋隔離方法を提供すること。 - 特許庁

Thus the amount of the relative movement of the lower story 22 and the upper story 34 in the horizontal direction is restricted due to the deformations of the base isolation devices 26 beyond the predetermined value, the base isolation function can be exhibited in the estimated earthquake and strong wind, minimizing damage to the upper story 34.例文帳に追加

このように、免震装置２６が所定値以上変形して下層階２２と上層階３４との水平方向の相対移動量が規制されることで、想定した地震時や強風時等には免震機能が発揮されると共に、上層階３４の被害を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第１導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域６の底面と、素子分離領域６に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域（Ｎ型チャネルストッパー領域９）を有する。 - 特許庁

In this case, the cathode electrode has a line electrode having a recessed portion on one side, an isolation electrode which is located on the substrate exposed by the recessed portion by being isolated from the line electrode and on which an electron emitting part is placed, and a resistance layer which electrically connects the line electrode with the isolation electrode.例文帳に追加

この時、カソード電極は、一側辺に凹部を備えたライン電極と、凹部によって露出された基板上でライン電極と離隔して位置し、電子放出部が置かれるようになる隔離電極と、ライン電極と隔離電極とを電気的に連結させる抵抗層とを含む。 - 特許庁

To provide a reinforcing frame making the most of the constitution of building units being a minimum unit in production and execution work, being easy and inexpensive in design and production and increasing no construction cost of a base isolation building in the base isolation building by the unit buildings by a box rigid-frame structure.例文帳に追加

ボックスラーメン構造等によるユニット建物による免震建物において、生産・施工上の最小単位である建物ユニットの構成を生かし、設計・生産が容易で、安価で、免震建物の建築費を高騰させることがない補強架台を提供すること。 - 特許庁

A plurality of base-isolation supports 25 which can be deformed horizontally without being deformed vertically are interposed between a lower structure 22 and an intermediate structure 23 and between the intermediate structure 23 and an upper structure 24 to form a first and second base-isolation layers 26 and 27.例文帳に追加

下部構造体２２と中間構造体２３との間、および中間構造体２３と上部構造体２４との間に、鉛直方向に変形せず水平方向に変形可能な複数の免震支承２５を介装することにより、第一および第二の免震層２６，２７をそれぞれ形成した。 - 特許庁

The photodiode structure comprises a second-conductivity-type region 210 that is formed at a specific region from an isolation region 204 adjacent to a substrate 200, and a mask layer for covering at least a peripheral strip near the edge of the isolation region so that the doped second-conductivity- type region is exposed.例文帳に追加

基板２００の隣接するアイソレーション領域２０４から所定の位置に形成されたドープされた第２の導電型領域２１０と、ドープされた第２の導電型領域が露出するように少なくともアイソレーション領域の端近くの辺縁のストリップを覆うマスク層とを備える。 - 特許庁

The rigid pillars 4, 4 are connected to a base isolation interval guide housing 15 placed between the upper layer 3 and the lower layer 2 to synchronize rocking of the guide rails 5, 5, and the base isolation interval guide housing 15 is formed with a surrounding part 16 of a balance weight 14 to avoid an interference with an elevator car 19.例文帳に追加

剛性柱体４，４は上層３と下層２の中間に配置される免震間案内筺１５に連結してガイドレール５，５の揺動の同期を取り、また、免震間案内筺１５につり合いおもり１４の囲繞部１６を形成してエレベータかご１９との干渉を回避する。 - 特許庁

Each output-side winding of the n pieces of isolation transformers 14 is connected in series, and a resonance circuit 15, which boosts the shortage of the required boosting ratio to be achieved by the n pieces of isolation transformers 14, is connected to this output-side winding connected in series.例文帳に追加

ｎ個の絶縁トランス１４の各出力側巻線を直列に接続し、この直列に接続された出力側巻線に、ｎ個の絶縁トランス１４による昇圧比が所要の昇圧比に対して足りない不足分を昇圧する共振回路１５を接続する。 - 特許庁

The space between the floating electrodes 5 that are adjacent in the gate width direction has the same width as the space between the end parts of the floating electrodes 5 that are adjacent on the surface of the filler for isolation 31, and has the small trench width of the deep part as compared with that of the surface part of the filler for isolation 31.例文帳に追加

ゲート幅方向に隣接する浮遊電極５間において、分離用充填材３１の表面で隣接する前記浮遊電極５の端部間と同一の幅を有し、分離用充填材３１の表面部分に比べて深い部分のトレンチ幅が小さい。 - 特許庁

The ion isolation area 32 brings a PSG film 13 being an interlayer isolation film into contact with the silicon board 10 through a groove 33 formed on a silicon oxidation film 12, and traverse diffusion to the circuit element area 31 of the alkali ion intruded from a chip edge 21 to the oxidation films 11, 12 is suppressed.例文帳に追加

イオン遮断領域３２は、層間絶縁膜であるＰＳＧ膜１３を、シリコン酸化膜１２に形成した溝３３を介してシリコン基板１０に接触せたもので、チップエッジ２１から酸化膜１１，１２に侵入するアルカリイオンの回路素子領域３１への横方向拡散を抑制する。 - 特許庁

A second-conductivity-type collector region 16 delimited by element isolation regions 20 is formed on a first-conductivity-type semiconductor substrate 10, and a first-conductivity-type first base semiconductor layer 40 extends from the top face of the collector region 16 to the top faces of the element isolation regions 20.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０上に素子分離領域２０によって限定される第２導電型のコレクタ領域１６が形成され、第１導電型の第１ベース半導体層４０がコレクタ領域１６の上面から素子分離領域２０の上面まで延びている。 - 特許庁

A hole 90 communicating with the atmosphere and a tube insertion hole 88 are surrounded by an isolation wall 120 standing on the back surface of a lid member 82 in the waste ink treating unit 42 wherein the isolation wall 120 abuts, at the forward end thereof, against a waste ink absorbing member 94 thus eliminating a gap causing leakage of ink mist.例文帳に追加

排インク処理装置４２の蓋体８２裏面に立設した遮断壁１２０で大気連通孔９０およびチューブ挿入口８８を囲み、遮断壁１２０は先端で排インク吸収部材９４と当接しているのでインクミストが漏出する隙間は発生しない。 - 特許庁

When a tail void 6 is generated at the rear section of a skin plate 4 with the boring of a shield machine 3, a vibration-isolation layer can be formed in the tail void 6 at the same time as the generation of the tail void 6 or immediately after the generation by injecting the vibration isolation material from the grout hole (such as Ha) facing the tail void 6.例文帳に追加

シールド機３の掘進に伴い、スキンプレート４の後部にテールボイド６が発生したときは、該テールボイド６に臨んだグラウトホール（例えばＨａ）から免震材を注入することにより、テールボイド６の発生と同時若しくは発生直後に、該テールボイド６に免震層を形成できる。 - 特許庁

In the vibration isolation method mounting a ground structure on an upper foundation by piling the upper foundation on a lower foundation, a base isolation device is so provided that it is fixed to one foundation and that it is slidable to the other foundation, and it is provided by fixing a damping device between one foundation and the other foundation.例文帳に追加

下部基礎上に上部基礎を積載して上部基礎上に地上構造物を搭載する免震構法において、一方の基礎に固定され他方の基礎に摺動自在となるように免震装置を設け、一方の基礎と他方の基礎の間に減衰装置を固定して設ける。 - 特許庁

In a NAND flash memory, the sides of an element isolation region 107 and the ends of an element region and floating gates 103 and 104 are formed in a self-aligned manner, and a part of the top of the element isolation region 107 is recessed to serve as a recess 111 in the mutual region of the adjacent floating gates.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、素子分離領域107 の一対の側面部と素子領域および浮遊ゲート103,104 の各端部が自己整合状態で形成されており、隣接する浮遊ゲート相互間領域の素子分離領域の上面の一部が窪んで凹部111 となっている。 - 特許庁

An element which decreases the oxidation speed of the surface layer portion of the semiconductor substrate is obliquely injected into the surface layer portion of the semiconductor substrate on condition that a region which comes into contact with the device isolation insulating film which is part of the surface of the active region is in the shadow of the projection portion of the device isolation insulating film.例文帳に追加

活性領域の表面のうち、素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、半導体基板の表層部に、半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する。 - 特許庁

According to the earthquake resistance improving method, a base isolation device 30 is set on a PC bottom slab 12 of the existing PC tank 10, and a steel internal cylinder 20 having a diameter smaller than the internal diameter of the existing PC tank 10 is set on the base isolation device 30, followed by storing liquid 40 inside the steel internal cylinder 20.例文帳に追加

既設ＰＣタンク１０のＰＣ製底版１２の上に免震装置３０を設置し、その免震装置３０の上に、既設ＰＣタンク１０の内径よりも小さい径の鋼製内筒２０を設置し、その鋼製内筒２０の内部に液体４０を貯留するようにする。 - 特許庁

To provide an elevator device for base isolation building in which a guide rail is elastically deformed in a section where both of a basic part building body and a base isolation building body oppose and relative positions of mutual guide rails are maintained when both of them are relatively displaced in the horizontal direction due to earthquake.例文帳に追加

基部建築体及び免震建築体の両者が地震等によって水平方向に相対変位したときに上記両者の対向箇所において案内レールが弾性変形すると共に、案内レール相互の相対位置が維持される免震建築用エレベーター装置を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of preventing the occurrence of a film-thinning phenomenon for relatively thinning the thickness of an oxide film at a boundary surface between an STI(Shallow Trench Isolation) structure and a thick gate oxide film, when a dual gate oxide film process is applied to the normal STI structure.例文帳に追加

ノーマルSTI(normal Shallow Trench Isolation)構造にデュアルゲート酸化膜工程を適用する際に、STIと厚いゲート酸化膜の境界面で前記酸化膜の厚さが相対的に薄くなる薄膜化現象が惹起されることを防ぐことができる半導体素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1 have a joint P joined mutually right above an element isolation layer 12, and at least one of the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1 has a narrow segment 17 right above the element isolation layer 12.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１は、互いに接合された接続部Ｐを素子分離層１２の直上に有し、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１の少なくとも一方は、素子分離層１２の直上に狭窄部１７を有する。 - 特許庁

At this time, the electrode film WL is protruded further than the isolation dielectric film 14 toward the silicon pillar SP at the inner face of the through-hole 17, and an end face of the isolation dielectric film 14 has a curved shape displacing toward the silicon pillar SP side as the electrode film WL is approached.例文帳に追加

このとき、貫通ホール１７の内面において、電極膜ＷＬを素子分離絶縁膜１４よりもシリコンピラーＳＰに向けて突出させ、素子分離絶縁膜１４の端面を、電極膜ＷＬに近づくにつれてシリコンピラーＳＰ側に変位するように湾曲させる。 - 特許庁

When a vibration isolation material is injected into the tail void 14 of a shield tunnel and the vibration-isolation layer 15 is formed on the outer circumference of a segment 16, hydrophilic water-impermeable plastic fluidized gel is injected onto the outer circumference of a skin plate 13 for a shield machine 12 from a filler hole 19 beforehand formed to the skin plate 13.例文帳に追加

シールドトンネルのテールボイド１４に免震材を注入してセグメント１６の外周に免震層１５を形成する際に、予めシールド機１２のスキンプレート１３に設けた注入口１９からスキンプレート１３の外周へ親水性且つ不透水性の塑性流動ゲルを注入する。 - 特許庁

To provide a network fault isolation method by which even a user having no high skill capable of understanding a communication protocol can deal with a fault at the time of the construction/formation of a network without requiring perfect protocol analysis at an application level, and to provide a network fault isolation tool and a program.例文帳に追加

アプリケーションレベルでの完全なプロトコル解析を必要とせず、通信プロトコルを理解できる高いスキルを持った人でなくてもネットワークの構築・施工時の障害に対応することができるネットワーク障害切り分け方法、ネットワーク障害切り分けツール及びプログラムを提供することにある。 - 特許庁

In an SOI layer 99 of an SOI substrate 100 having a buried oxide film 102, a first insulating isolation trench 109 is formed deep enough to reach the buried oxide film 102, and the IGBT is formed in an element region 103 insulated and isolated while enclosed with the first insulating isolation trench 109.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２を有するＳＯＩ基板１００のＳＯＩ層９９に、埋め込み酸化膜１０２に達する深さまで第１絶縁分離トレンチ１０９を形成し、第１絶縁分離トレンチ１０９に取り囲まれて絶縁分離された素子領域１０３にＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁

To provide an efficient and economical base isolation structure building and an economic base isolation structure building without making large stress act on a column, by setting a span suitable for a use division with every story of a building, while maintaining aseismatic performance.例文帳に追加

本発明は、耐震性能を維持しながらも、建築物の階層毎の用途区分に適したスパンが設定出来、効率的、経済的な免震構造建築物、また大きな応力が柱に作用することがなく経済的な免震構造建築物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The element isolation insulating film adjacent to a first end at a memory string side of a dummy memory transistor is formed in the first region, and the element isolation insulating film adjacent to a second end of a selection transistor side of the dummy memory transistor is formed in the second region.例文帳に追加

ダミーメモリトランジスタのメモリストリング側の第１の端部に隣接する素子分離絶縁膜は前述の第１の領域に形成され、ダミーメモリトランジスタの選択トランジスタ側の第２の端部に隣接する素子分離絶縁膜は前述の第２の領域に形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing system which can make with LOCOS the element isolation films, that is, the size of an active region to be fixed for each semiconductor substrate to be manufactured in formation of an element isolation film on a semiconductor substrate, whereon a flash memory is formed.例文帳に追加

フラッシュメモリが形成される半導体基板上に素子分離膜をロコスで形成する場合において、素子分離膜間の距離、すなわち活性領域の寸法を製造される半導体基板ごとに一定にさせることが可能な半導体装置製造システムを得ること。 - 特許庁

The element isolation insulation film 6 is provided with a projected pattern part 6a which is projected to the side of the element isolation insulation film facing across the element active region on a planar pattern and the gate electrode crosses on the element active region, whose width is narrowed by the projected pattern part 6a.例文帳に追加

素子分離絶縁膜６は、平面パターン上で素子能動領域を挟んで対向する素子分離絶縁膜側に突出する凸状パターン部６ａを有し、凸状パターン部６ａにより幅が細くなった素子能動領域部分上をゲート電極が交叉している。 - 特許庁

The element isolation insulating film 132 is formed thicker than the element isolation insulating film 134, and in the n-type source side diffusion region 114, the peak concentration section having a highest impurity concentration is formed in a deeper position than in the n-type drain side diffusion region 112.例文帳に追加

ここで、素子分離絶縁膜１３２が素子分離絶縁膜１３４よりも膜厚が厚く形成され、ｎ型ソース側拡散領域１１４において、ｎ型ドレイン側拡散領域１１２よりも、不純物の濃度が最も高いピーク濃度部分が深い位置に形成されている。 - 特許庁