「Tr in a」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A CPU-PWM conversion section 20 receiving positive digital data generates a pulse signal having a duty ratio in response to a value of (n-1) bit data except a sign bit, this pulse signal validates a drive operation of a driver 42 to allow a transistor(TR) 52 to make switching.例文帳に追加

正のデジタルデータが入力されると、符号ビットを除く（ｎ−１）ビットデータの値に応じたデューティ比を有するパルス信号がＰＣＭ−ＰＷＭ変換部２０によって生成され、このパルス信号に応じてドライバ４２による駆動動作が有効になって、トランジスタ５２によるスイッチング動作が行われる。 - 特許庁

In the other side semiconductor chip, as a trigger pulse TR is made a high level and the write- enable signal WE0 also is kept at a high level and the signal Add2 is not changed from a high level state, a second sector address is not received, and operation cannot be performed.例文帳に追加

他方の半導体チップではトリガパルスＴＲがハイレベルとなってライトイネーブル信号ＷＥ０もハイレベルのままとなり、信号Ａｄｄ２がハイレベルの状態から変化しないので２回目のセクタアドレスを受け入れず、動作不可となる。 - 特許庁

The adhesive S, which is interposed inside a through-hole 30 in a state wherein a mat surface 23 of a resin mat 20 is superposed on the mat surface 23 thereof, is cured by adhering to a backside Tr of the tile T on the side of the mat surface 23.例文帳に追加

樹脂マット２０のマット面２３にマット面２３に重ねた状態で、貫通孔３０にはその内部に接着剤Ｓが介在し、この接着剤Ｓは、マット面２３の側でタイルＴのタイル裏面Ｔｒに接着して硬化している。 - 特許庁

To reduce a circuit scale and to reduce current consumption when an erroneous write-in preventive circuit charging a bit line is provided for preventing that a memory cell unnecessary of write-in is erroneously written in due to wiring capacitance between adjacent bit lines in an SRAM using a four Tr(transistor) memory cell.例文帳に追加

４Ｔｒメモリセル使用のＳＲＡＭにおいて、隣接するビット線間の配線容量により書き込みの必要のないメモリセルが誤書き込みされるのを防止するために、ビット線を充電する誤書き込み防止回路を設ける場合に、回路規模を縮小すると共に、消費電流を低減する。 - 特許庁

In the start-up circuit 11, a 1st MOS transistor(TR) TN1 is turned on/off in a prescribed timing at a control voltage Vn, based on an external power supply until the external power supply reaches a usual operating voltage after rising of the external power supply, and the circuit 11 generates a start-up signal(STTZ), based on the on/off.例文帳に追加

起動回路１１は、外部電源が立ち上がってから通常の動作電圧となるまでに、該外部電源に基づいた制御電圧Ｖn にて第１ＭＯＳ形トランジスタＴＮ１を所定のタイミングでオン・オフさせ、そのオン・オフに基づいて起動信号ＳＴＴＺを生成する。 - 特許庁

A drive circuit 58 consists mainly of transistors Tr and is controlled to be turned on/off in accordance with six drive signals D for driving four lamps 44 and two LEDs 45 as shown in Fig. 1(d).例文帳に追加

また、ドライブ回路５８はトランジスタＴｒを主体に構成されたものであり、６個のドライブ信号Ｄに基づいてオンオフ制御され、図１の（ｄ）に示すように、４個のランプ４４および２個のＬＥＤ４５を駆動する。 - 特許庁

At that time, when the temperature Tr in the compartment becomes suitable for breeding the microorganisms, an ion supplying device 16 is actuated, and cations with a disinfection effect are supplied in the compartment, so as to restrain breeding of the microorganisms.例文帳に追加

その際、車室内温度Ｔｒが微生物の繁殖に適した温度になるとイオン供給装置１６を作動させて除菌効果のあるプラスイオンを車室内に供給して微生物の繁殖を抑制する。 - 特許庁

A charging/discharging circuit 34 charges a capacitor 45 across which a trapezoidal wave voltage Vc is obtained and a drive circuit 35 drives an output transistor(TR) 36 on the basis of the voltage Vc to provide a voltage Vo in response to the terminal voltage Vc to a load 41.例文帳に追加

充放電回路３４は、コンデンサ４５の端子電圧Ｖｃを台形波電圧とし、駆動回路３５は、端子電圧Ｖｃに基づいて出力トランジスタ３６を駆動することにより、負荷４１に対し端子電圧Ｖｃに応じた電圧Ｖｏを出力する。 - 特許庁

At this time, the potential circuit 16 is in a stable state and the charging operation by the TR MP1 is not carried out in the special case, i.e., in the first operation period after the specified period when the non-operation period of a semiconductor circuit receiving the supply of the potential is a specified period or longer.例文帳に追加

このとき、特別の場合、即ち、電位の供給を受ける半導体回路の非動作期間が一定期間以上である場合の当該一定期間後の最初の動作期間では、電位生成回路１６は、安定状態で、トランジスタＭＰ１による充電動作が行われない。 - 特許庁

This image reader is provided with photodiodes D1-Dn for image reading that are placed in a line, MOS switching transistors(TRs) Cl-Cn for sequentially extracting the output signals of the photodiodes D1-Dn, and a dummy switching TR C0 that is turned off nearly at the same time, as when the 1st switching TR C1 is turned on.例文帳に追加

画像読み取り装置は、ライン状に配された画像読み取り用の複数のフォトダイオードＤ１〜Ｄｎと；前記複数のフォトダイオードＤ１〜Ｄｎの出力信号を順次取り出すためのＭＯＳ型のスイッチングトランジスタＣ１〜Ｃｎと；１番目のスイッチングトランジスタＣ１のＯＮと略同時にＯＦＦとなるダミーのスイッチングトランジスタＣ０とを備えている。 - 特許庁

In this case, a control part 1 starts the time limit of the prescribed alarm sound stop time, and when any fire is not sensed by all the fire alarms TR after the lapse of the alarm sound stop time, the interlocking stop state is shifted to a standby state, and when the fire is sensed by at least one fire alarm TR, the interlocking stop state is shifted to the interlocking ringing state.例文帳に追加

その際、制御部１では所定の警報音停止時間の限時を開始し、この警報音停止時間が経過した後に、全ての火災警報器ＴＲで火災を感知していなければ待機状態に遷移し、少なくとも１台の火災警報器ＴＲで火災を感知していれば連動鳴動状態に遷移する。 - 特許庁

A radio terminal device (D) 17 newly joining the radio communications system 1 sets and transmits a special number for registration request '8190' to the TR number of a calling side in the case of depending on a transceiver communication, and in the case of the public communication, the registration request cold is set in the field for setting a called subaddress and transmitted.例文帳に追加

無線通信システム１に新たに加入する無線端末装置（Ｄ）１７は、トランシーバ通信による場合は、発側のＴＲ番号に登録要求用の特番「８１９０」を設定して送信し、また、公衆通信の場合は、着サブアドレスを設定するフィールドに登録要求コードを設定して送信する。 - 特許庁

On the inner peripheral surface of the sector molds 30, blades 331 to 333 protruding toward the center CL side of a ring, extending in the circumferential direction and forming a sipe 530 extending in the circumferential direction of the tire in the tread part of the green tire TR are arranged.例文帳に追加

セクターモールド３０の内周面には、前記円環の中心ＣＬ側に向かって突出するとともに周方向に沿って延び、前記生タイヤＴＲのトレッド部にタイヤ周方向に延びるサイプ５３０を形成するブレード３３１〜３３３を設けている。 - 特許庁

As suspension wires, it includes a pair of suspension wires 161 and 162 which are mounted in parallel with each other from one end to the other end so as to extend along with a first direction A perpendicular to both of a tracking direction TR and a focusing direction FC, and which can be elastically expanded and contracted in the first direction A.例文帳に追加

サスペンションワイヤとして、一端から他端までトラッキング方向ＴＲおよびフォーカス方向ＦＣの両方に直交する第１の方向Ａに延びるように互いに平行に取り付けられた、第１の方向Aに弾性伸縮可能な一対のサスペンションワイヤ１６１および１６２を有している。 - 特許庁

To prevent a voltage detection motion from being unstable due to a difference of a temperature characteristic of a gate threshold voltage of each transistor(TR) even in the case of a configuration where a power supply voltage level is detected on the basis of a difference of the gate threshold voltage of PMOS TRs forming differential pairs.例文帳に追加

差動対を構成するＰＭＯＳ型トランジスタのゲートしきい値電圧の差に基づいて電源電圧レベルを検出する構成とする場合でも、各トランジスタのゲートしきい値電圧の温度特性の相違に起因して電圧検出動作が不安定になる事態を防止すること。 - 特許庁

A flow ratio Vrb of a radiator flow Vr to a bypass flow Vb is determined on the basis of a pump water temperature Tp (first water temperature sensor 621), a bypass water temperature Tb (second water temperature sensor 622) and a radiator water temperature Tr (third water temperature sensor 623), and the relationship between the flow rate Vrb and a valve opening is determined in advance and mapped.例文帳に追加

ポンプ水温Ｔp （第１水温センサ６２１）、バイパス水温Ｔb （第２水温センサ６２２）及びラジエータ水温Ｔr （第３水温センサ６２３）からラジエータ流量Ｖr とバイバス流量Ｖb との流量比Ｖrbを求め、この流量比Ｖrbとバルブ開度との関係を事前に求めてマップ化する。 - 特許庁

A liquid crystal layer is sandwiched between the first substrate 3 and the second substrate in the display, and the first substrate 3 is provided thereon with a plurality of pixel circuits with a thin film transistor Tr, and the first insulating film covering those.例文帳に追加

第１基板３と第２基板との間に液晶層が挟持された表示装置であり、第１の基板３上には、薄膜トランジスタＴｒを備えた複数の画素回路、これらを覆う第１絶縁膜が設けられている。 - 特許庁

Each of a plurality of transfer control elements Tr comprises a transfer gate 22 provided to the surface of substrate through an insulating film, and a charge holding region 24 which is present in the substrate and holds the optical generation charge under the transfer gate.例文帳に追加

複数の転送制御素子Ｔｒのそれぞれは、基板表面に絶縁膜を介して設けられた転送ゲート２２と、基板内であって転送ゲートの下に光発生電荷を保持する電荷保持領域２４を有する。 - 特許庁

The machine 4 corrects a dropping- down temperature Ta set by means of a remote controller 8 so that the temperature Tb of hot water actually dropped down in a bathtub 6 may become Tb= Ta+α(Tr).例文帳に追加

給湯熱源機４は、受信した室温情報に基づき、リモートコントローラ８で設定されている落とし込み温度Ｔａを補正し、実際に浴槽６に落とし込まれる湯の温度が、 Ｔｂ＝Ｔａ＋α（Ｔｒ） となるように補正する。 - 特許庁

An optical current (electrical signal), generated by making light incident onto a photodiode PD, causes the gate voltage of MOS transistors(TRs) T1, T2 to increase and a current in response to this gate voltage flows through a MOS TR T2.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤに入射されることによって発生する光電流（電気信号）によって、ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２のゲート電圧を上昇させ、このゲート電圧に応じた電流がＭＯＳトランジスタＴ２を流れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device that can be operated at a low amplitude clock signal without making the circuitry complicated in order to turn on/off all the transistors (TRs) of the device driven by the low amplitude clock signal.例文帳に追加

低振幅のクロック信号にて駆動される全てのトランジスタ(Tr)がON/OFFできるようにするために回路が複雑になることなく、低振幅クロック信号にて動作可能な半導体記憶保持装置を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor device includes a support substrate 3 in which both surfaces of the plastic substrate 5 are covered with two heat radiation layers 7a and 7b connected to each other, and a thin film transistor (semiconductor element) Tr disposed at the upper part of the support substrate 3.例文帳に追加

互いに接続された２層の放熱層７ａ，７ｂによってプラスチック基板５の両面が覆われた支持基板３と、支持基板３の上部に配置された薄膜トランジスタ（半導体素子）Ｔｒとを備えている。 - 特許庁

An assigned shared bus time is divided into plural frames with the same length (a step 502), and when a bus request is received in the present frame, whether or not the bus request is related with an asynchronous TR is discriminated (504).例文帳に追加

割当てられた共有バス時間を同じ長さの複数のフレームに分割し（ステップ５０２）、現在のフレームにおいてバス要求を受け取ると、該バス要求が、非同期ＴＲについてのものか否かを判定する（５０４）。 - 特許庁

The lower layer of the organic protective film 27 is provided with an inorganic protective pattern 21 in the shape of covering the elements such as the transistor Tr configured using a semiconductor material including a semiconductor substrate 11 among the elements.例文帳に追加

有機保護膜２７の下層には、素子のうち半導体基板１１を含む半導体材料を用いて構成されたトランジスタＴｒなどの素子上を覆う形状で無機保護パターン２１が設けられている。 - 特許庁

Herein, torque greater than a torque set value Tr is limited by the torque limiter 145, and sheet members P are carried at the peripheral speed of the heat receiving belt 116 to suppress a variation in the carrying speed of the sheet members P.例文帳に追加

ここで、トルクリミッタ１４５によりトルク設定値Ｔｒより大きいトルクが制限され、シート部材Ｐは、受熱ベルト１１６の周速度で搬送されるので、シート部材Ｐの搬送速度の変動を抑えることができる。 - 特許庁

A feedback transistor (TR) 14 whose conduction state is controlled by a control voltage CLT interconnects an output and an input of an inverting amplifier circuit consisting 3-stages of inverters 11-13 in cascade connection.例文帳に追加

縦続接続された３段のインバータ１１〜１３からなる反転増幅回路の出力側と入力側の間は、制御電圧ＣＬＴで導通状態が制御される帰還用のトランジスタ１４で接続されている。 - 特許庁

In an electric driving system 13, a thrust T for opening/closing the electric drive type door 1 is generated according to the thrust command value Tr after compensation, and a door driving mechanism 14 is driven to control the electric drive type door 1.例文帳に追加

電気駆動系１３では、補償後推力指令値Ｔｒに従って電気駆動式ドア１を開閉するための推力Ｔを発生し、ドア駆動機構１４を駆動して電気駆動式ドア１を制御する。 - 特許庁

Furthermore, measurement system error-cause Et in receiving means 20 can also be acquired, because a receiver (TR) 26a measures the S parameter on the signal received, when a signal source 10 is directed connected to the receiving means 20.例文帳に追加

しかも、レシーバ（ＴＲ）２６ａが、信号源１０と受信手段２０とを直結したときの受信信号に関するＳパラメータを測定するため、受信手段２０における測定系誤差要因Ｅｔを取得できる。 - 特許庁

Consequently, even when the pause period and carrier detection period of the transmission-side radio device TR overlap with each other, a carrier can be detected in a next transmission period to reduce the delay of the information transmission while avoiding collision.例文帳に追加

よって、送信側の無線機ＴＲの休止期間とキャリア検知期間が重なっていても次の送信期間でキャリアを検知することができ、衝突を回避しつつ情報伝送の遅延を減らすことができる。 - 特許庁

In the temperature difference calculating part 117a, if the utilization units 4a, 10a are operated together, a temperature difference Tx is calculated between a target set temperature To of the first utilization unit 4a and a detected temperature Tr in the object space sq by the temperature sensor 107a.例文帳に追加

温度差算出部１１７ａは、各利用ユニット４ａ，１０ａが共に運転している場合に、第１利用ユニット４ａの目標設定温度Ｔｏと温度センサ１０７ａによる対象空間ｓｑ内の検知温度Ｔｒとの温度差Ｔｘを算出する。 - 特許庁

A reset period Tr in which prescribed voltage not based on image data is applied is set to be 1 ms longer than an ON response time 26, and a scanning period Ts in which prescribed voltage based on the image data is applied is set to be 4 ms shorter than 10 ms of a holding time 28.例文帳に追加

画像データに基づかない所定の電圧を印加するリセット期間Ｔｒをオン応答時間２６より長い１ｍｓに、画像データに基づく所定電圧を印加する走査期間Ｔｓを保持時間２８の１０ｍｓより短い４ｍｓに設定してある。 - 特許庁

Peculiar identification information and a rental period Tr are ciphered and written in a protection key connected to the personal computer 2a, and a license file 4 is further prepared to serve as a protecting means and an illegal use preventing means.例文帳に追加

パソコン２ａに接続するプロテクションキーに固有の識別情報やレンタル期間Ｔｒが暗号化して書き込まれており、更に認可ファイル４を作成することでプロテクト手段や不正使用防止手段を兼ねるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

An interval for change-over of the burners 21, 22 between combustion and exhaust is a steady interval t1 as a preset time interval during steady operations B-E after a temperature T in the heating furnace 4 reaches a target temperature Tr as targeted.例文帳に追加

各バーナ２１，２２における燃焼と排気との切替時間間隔は，加熱炉４内の温度Ｔが目標とする目標温度Ｔｒに到達した後の定常運転時Ｂ〜Ｅにおいては，所定の時間間隔である定常間隔ｔ１とする。 - 特許庁

Then a negative voltage (substrate bias voltage) is applied to each of the P well regions 200 in matching with electric charge transfer operations by the transfer transistor Tr 111 to control a potential balance between the PD 119 and a transfer gate part thereby decreasing a voltage for electric charge transfer.例文帳に追加

そして、Ｐウェル領域２００には、転送Ｔｒ１１１の電荷転送動作に合わせて負電圧（基板バイアス電圧）を印加することにより、ＰＤ１１９と転送ゲート部とのポテンシャルバランスを制御し、電荷転送の低電圧化を図る。 - 特許庁

To prevent a useless through-current between an output terminal and the ground potential in an LSI output circuit so as to avoid a problem of reliability deterioration caused by a breakdown voltage of an NMOS transistor(TR) connected to the output terminal and to also control a trailing speed.例文帳に追加

ＬＳＩの出力回路において、出力端子と接地電位との間の無駄な貫通電流を防止し、出力端子に接続されているNMOSトランジスタの耐圧に起因する信頼性劣化の問題を避け、同時に立下りスピードを制御する。 - 特許庁

When a set target for an object to be controlled is changed, a change processing means 200 increases or decreases an intermediate target value Tr2 in order to make it gradually close from an initial set target Tr0 to a new set target Tr until the detected output of the state quantity of the object to be controlled reaches the new set target Tr.例文帳に追加

制御対象についての設定目標が変更された場合に、変化処理手段２００が、制御対象の状態量の検出出力が新たな設定目標Ｔｒに達するまでの間において、中間目標値Ｔｒ２を当初の設定目標Ｔｒ０から徐々に新たな設定目標Ｔｒに近づけるように増加または減少させる。 - 特許庁

A counter electrode driven circuit applies a counter voltage Vc, adjusted in a rise time tr and a fall time tf to a counter electrode as a transition pulse, so that increase in the peak value of a voltage Vt to be applied to the pixel transistors is suppressed for the transition period, extending from a spray state of an OCB liquid crystal cell to a bend state.例文帳に追加

対向電極駆動回路は、ＯＣＢ液晶セルのスプレイ状態からベンド状態への転移期間に、画素トランジスタに印加される電圧Ｖｔの波高値の増大が抑制されるように、立ち上がり時間ｔｒと立ち下がり時間ｔｆが調整された対向電圧Ｖｃを転移パルスとして対向電極に印加する。 - 特許庁

A soft output decoding circuit 90 in an element decoder comprises a storage circuit 155 for receiving data and delay storing both receiving data for decoding, i.e., a selected receiving value and a priori probability information RAP, and data for delay, i.e., a receiving value TR.例文帳に追加

要素復号器における軟出力復号回路９０は、復号に用いる受信データである選択受信値及び事前確率情報ＲＡＰと、遅延用のデータである受信値ＴＲとを、ともに記憶する受信データ及び遅延用記憶回路１５５を有する。 - 特許庁

The sheet material adhering device is provided with a torque limiter TR for imparting a torque reverse to the conveying direction of the release paper with respect to a sheet holding roll for deliverably holding the second sheet material adhering to the first sheet material with an adhering means and a laminated released paper in a winding state.例文帳に追加

貼着手段に依って第１シート材と貼り合わせる第２シート材および積層された剥離紙を、巻回状態で繰出し可能に保持するシート保持ロールに対して、剥離紙搬送向きとは逆向きのトルクを付与するトルクリミッタＴＲを設ける。 - 特許庁

In this case a power supply interruption detection circuit 20 detects interruption of the external power supply and provides an output of a power interruption detection signal POF at a high level, then an N-channel MOS TR QN 2 is turned on to set the node (a) forcibly to a ground level.例文帳に追加

この際、電源遮断検出回路２０が前記外部電源の遮断を検出して、Ｈレベルの電源遮断検出信号ＰＯＦを出力するので、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱＮ２がオンし、前記ノードａは強制的に接地電位に設定される。 - 特許庁

Each pixel area Pmn is provided with a photodiode 10, a source follower amplifier 14 which converts electric charges in the photodiode 10 into a voltage, amplifies the voltage and outputs image data, and a horizontal selection transistor (TR) 16 that outputs the image data to a prescribed vertical selection line CLn.例文帳に追加

画素領域Ｐｍｎは、フォトダイオード１０と、フォトダイオード１０の電荷を電圧に変換して増幅し、画像データを出力するソースフォロワアンプ１４と、画像データを所定の垂直選択線ＣＬｎに出力する水平選択トランジスタ１６とを備えている。 - 特許庁

In this device 10, a frame telegraphic message transmitting means 20 arranged at a station in a line and within a ground device chamber has a speed control logic block 40 for a train TR, and the speed control is provided with an information organizing portion 42 for control information receiving command information S41 and the like, and an aspect table portion 44.例文帳に追加

本装置１０は、路線上の駅や地上機器室内に設置したフレーム電文の伝送手段２０が、列車ＴＲの速度制御論理ブロック４０を有し、これに指令情報等Ｓ４１を受ける制御情報等のための情報編成部４２と、その現示テーブル部４４とを設ける。 - 特許庁

A control part 13 of a DVD reproducing apparatus detects the remaining time of the movie under reproduction and provides information and a control signal for specifying a household electric appliance to be operated stored in a memory 14 to a remote control transmitter 3 as the detected remaining time reaches time TR stored in the memory 14.例文帳に追加

ＤＶＤ再生装置の制御部１３は、再生中の映画の残時間を検出し、検出した残時間がメモリ１４に記憶されている時間ＴＲになったことに応じて、メモリ１４に格納されている操作対象の家電機器４を特定するための情報と制御信号をリモコン送信機３に与える。 - 特許庁

The circuit operates a gate potential correction of decreasing a gate potential Vg of a driving transistor Tr by inputting a voltage change in a scan line WSL1 from a voltage Von1 to a voltage Voff1 to a gate of the drive transistor Tr2 via the threshold-correction auxiliary transistor Tr3 and a threshold-correction auxiliary capacitor C2.例文帳に追加

走査線ＷＳＬ１における電圧Ｖon１から電圧Ｖoff１への電圧変化を、閾値補正補助トランジスタＴｒ３および閾値補正補助容量素子Ｃ２を介して駆動トランジスタＴｒ２のゲートへ入力させ、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電位Ｖｇを下げるゲート電位補正動作を行う。 - 特許庁

When the arc machining is not performed, the arc generation signal Ad is turned to the Low level, and the water temperature setting signal Tr is set to the value of the water temperature setting signal Tbr in a non-arc machining mode.例文帳に追加

アーク加工を行っていないときはアーク発生信号ＡｄがＬｏｗレベルになるので、水温設定信号Ｔｒは非アーク加工時水温設定信号Ｔbrの値に設定される。 - 特許庁