「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(212ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin plate container 11 consists of a tray containing body 12 stacking a plurality of mutually removable mounting trays 16 and containing semiconductor wafers W while respectively holding in the gaps between respective mounting trays 16, and an external container 13 for containing the tray containing body 12.例文帳に追加

互いに着脱可能な複数枚の載置トレイ１６を積層し、各載置トレイ１６の間の隙間に半導体ウエハＷをそれぞれ挟持して収納するトレイ収納体１２と、このトレイ収納体１２を内部に収納する外部収納容器１３とからなる薄板収納容器１１である。 - 特許庁

The direction through which plasma from the ECR plasma source 102 flows is the normal direction of the substrate W, the angle between the normal of the surface in the target 105 and the direction through which the plasm from the ECR plasma source 102 flows is θ, and this is 60 to <90°.例文帳に追加

ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向を基板Ｗの法線方向としており、ターゲット１０５の表面の法線と、ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向とのなす角度がθであり、これが６０°以上９０°未満にされている。 - 特許庁

Conventionally, the rising flow of the cooling liquid 1 in the cooling vessel 2 is formed with e.g. a propeller stirring machine, and since the material W to be treated is rapidly cooled, the cooling capacities are different at the upper part and the lower part of the material to be treated, uneven quenched deformation is developed.例文帳に追加

従来は例えばプロペラ攪拌機により冷却槽２内に冷却液１の上昇流を形成し、これにより被処理物Ｗを急冷しているため、被処理物Ｗの上部と下部とで冷却能が異なってしまい、不均一な焼入れ変形が発生する。 - 特許庁

In the power source base 2a, a current limiting part 23a monitors current flowing through a primary coil 22a, a switching element is drawn into an OFF operation state when a limit current value is reached, and power supply to the control board 3 is limited to a specification value 15 W or less determining securement of fire safety.例文帳に追加

電源基板２ａでは、電流制限部２３ａが一次巻線２２ａに流れる電流を監視し制限電流値に達するとスイッチング素子をオフ動作状態に引き込み制御基板３への供給電力を火災安全性の確保を定める規格値１５Ｗ以下に制限する。 - 特許庁

In a packaging ream feeder 2c for feeding a packaging ream L to the flat paper packaging machine 2, the number of sheets of the flat paper that forms the packaging ream is counted by a sheet counter 20 from the top of the ream stack W, and the packaging ream L that has been formed is fed to the flat paper packaging machine 2.例文帳に追加

平判包装機２へ包装リームＬを供給する包装リーム給送装置2cに供して、リーム山Ｗの上部から包装リームを生成する平判紙の枚数をシートカウンタ20で計数し、生成された包装リームＬを平判包装機２へ供給する。 - 特許庁

Thus, regardless of the accuracy of the shape of the metallic mold such as a die 3, the cushion cylinder 4, a stock W is held with the pressure required for respective sections of the metallic mold, and consequently a flowing-in quantity or an elongation quantity of the stock is adjusted to an ideal value for each section of a pressed product.例文帳に追加

よって、ダイ３、クッションリング４等、金型形状の精度の如何に拘らず、実際にその金型の各部位に必要とされる圧力で素材Ｗを挟持することで、素材流入量または延び量を、プレス品の部位毎に理想的な値へと調整することができる。 - 特許庁

The electromagnetic wave absorptive object 1 is so constituted that an electromagnetic wave absorbing material W compounding an electrically conductive oxidizing titanium with a basic material in a space 3a is applied to a net body 3 forming a net-like body put on the surface of an electromagnetic wave passive reflector 2 with the thickness (d) of a net body 3 as a standard.例文帳に追加

電波吸収体１は、電波反射板２の表面に装着した網状体を構成する網体３に、網体３の厚さｄを基準として、その空隙部３ａに導電性酸化チタンを基材に配合した電波吸収材料Ｗを塗布して構成するものである。 - 特許庁

An estimation matrix calculator 12 calculates a first estimation matrix W^(1), on the basis of the autocorrelation matrix B of the spectral radiant intensity of a light source to be used to provide an illuminating environment in the shooting object, the spectral transmission factor f^(1) of a diffusing member, and the spectral sensitivity S of the imaging apparatus.例文帳に追加

推定行列算出部１２は、被写体における照明環境を提供するために用いられ得る光源の分光放射輝度の自己相関行列Ｂ、拡散部材の分光透過率ｆ^（１）、撮像装置の分光感度Ｓに基づいて、第１推定行列Ｗ^（１）を算出する。 - 特許庁

When bending a work W clamped in cooperation of a pressure die and a support die 5 by a bending die 6, there is the case a length of the pressure die is required to be set to a desired length by selecting a number of reference pressure dies and an adjusting die.例文帳に追加

押え金型３と受け金型５との協働によりクランプしたワークＷに曲げ金型６により曲げ加工を行う場合において、基準押え金型１５の個数および調整金型１３の選択により押え金型３の長さを所望の長さに設定する必要がある場合がある。 - 特許庁

Near the boundaries specifying the peripheries of the blocks 1, 2, and 3, wiring-inhibited regions 11, 12, and 13 in which wiring is inhibited are provided and the widths W of the regions 11, 12, and 13 are set, so that the wiring capacity between adjacent two wiring become almost zero.例文帳に追加

ブロック１，２，３の外縁を規定する境界の近傍には、配線が禁止された配線禁止領域１１，１２，１３が設けられており、配線禁止領域１１，１２，１３のそれぞれの幅Ｗは、隣接する２配線間の配線容量がほぼゼロとなるような幅に設定されている。 - 特許庁

The ice thickness controlling apparatus stores a second impedance E_2 when a first impedance E_1 between the first ice thickness electrode 24 and the common electrode 28 is higher than the second impedance E_2 between the second ice thickness electrode 26 and the common electrode 28 as a reference impedance E_3 in cooling water W.例文帳に追加

氷厚制御装置は、第１の氷厚電極２４と共通電極２８間の第１インピーダンスＥ_１が、第２の氷厚電極２６と共通電極２８間の第２インピーダンスＥ_２より高くなったときの第２インピーダンスＥ_２を、冷却水Ｗの基準インピーダンスＥ_３として記憶する。 - 特許庁

However, in the apparatus, a capacitor 22 having adequate capacitance is inserted between the grounding electrode 18 and the ground electric potential, a decrease of the stage impedance is compensated by the impedance insertion effect or the voltage division effect by the capacitor 22, and an increase of the voltage applied to the substrate W is suppressed thereby.例文帳に追加

しかし、接地電極１８とグランド電位との間に適正なキャパシタンスを有するコンデンサ２２が挿入されているため、コンデンサ２２によるインピーダンス挿入効果ないし分圧効果によりステージ・インピーダンスの低下が補償され、被処理基板Ｗに掛かる電圧の増加が抑制される。 - 特許庁

Therefore, even if a work processing device S happens to have no works to be irradiated on as the works W are only intermittently conveyed, or the like, maintenance of the microwave generating device 20 can be alleviated by minimizing a period for it to operate as in the case of a magnetron.例文帳に追加

したがって、ワークＷが間欠的に搬送されるなどして、被照射対象のワークＷが存在しない場合のあるワーク処理装置Ｓにおいて、マグネトロンなどのマイクロ波発生装置２０を稼働させる期間を最小限とし、該マイクロ波発生装置２０のメンテナンスを軽減することができる。 - 特許庁

A separation distance between the gas distribution plate 13 and the annular holder 15 is set such that a cooling gas for temperature decreasing which flows downward from the gas supply port 12 through the gas distribution plate 13 is in a laminar flow state on a surface of the semiconductor wafer W or a surface of the annular holder 15.例文帳に追加

そして、ガス整流板１３と環状ホルダー１５の離間距離は、ガス供給口１２からガス整流板１３を通り流下する降温のための冷却用ガスが半導体ウェーハＷ面上あるいは環状ホルダー１５面上で整流状態になるように設定されている。 - 特許庁

A plurality of the tire molding members W are bonded to the surface of the molding drum 11 as is conventional to be assembled into a cylindrical member and the press bonding device 12 is fitted to the outer peripheral surface of the molding drum 11 to be moved in parallel to the axis of the molding drum 11.例文帳に追加

成形ドラム１１上では、従来と同様に複数枚のタイヤ成形部材Ｗを貼付けて円筒部材を組立てるもので、前記圧着装置１２は、前記成形ドラム１１の外周面に嵌合し、かつ成形ドラム１１の軸心と平行に移動するものである。 - 特許庁

An error history information recording processing section 20 outputs error status data D1-D3 in erroneous operations for reception/demodulation, control signal separation/ extraction and MPEG decoding by discrete circuits (a latch circuit, three edge detection circuits, a 4-input OR circuit, a counter, an R/W address generating section).例文帳に追加

エラー履歴情報記録処理部２０が、個別回路（ラッチ回路、三つのエッジ検出回路、４入力ＯＲゲート、カウンタ、Ｒ／Ｗ・アドレス生成部）で処理した受信／復調、制御信号の分離／抽出及びＭＰＥＧデコードにおける誤り動作時のエラー状態データＤ１〜Ｄ３を出力する。 - 特許庁

In the method for forming a gate insulating film of silicon oxide by sputtering, power being thrown into a target is set at 4 W/cm^2 or smaller at the forming of the gate insulating film and film deposition pressure is set at 0.5 Pa or higher.例文帳に追加

酸化シリコンからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成するゲート絶縁膜の形成方法において、ゲート絶縁膜形成時のターゲットに対する投入電力を４Ｗ／ｃｍ^２以下とし、成膜圧力を０．５Ｐａ以上とすることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

This germination- suppressing material is laid in a layer state having a thickness W on the surface M part of a ground of an objective point P.例文帳に追加

この抗発芽資材を対象地Ｐの地表面Ｍ部分に厚さＷで層状に敷設し、この敷設面８を加圧すると、かかる敷設層が圧縮されて透水係数が略１０^５以上である不透水層となり、対象地Ｐの地表面Ｍ部分に抗発芽敷設物７が形成される。 - 特許庁

The shutter members 30F, 30R are in opening position where the lateral opening sections 40F, 40R are opened, and while, when the weight 21 is held at the high position of the shelf T, the shutter members 30F, 30R are displaced to the closing positions via the wire W when the weight 21 falls down by its own weight.例文帳に追加

重り２１が棚Ｔの高所に保持されているときはシャッタ部材３０Ｆ、３０Ｒが側方開口部４０Ｆ、４０Ｒを開いた開位置とされる一方、重り２１が自重により落下するときにワイヤＷを介してシャッタ部材３０Ｆ、３０Ｒが閉位置に向けて変位される。 - 特許庁

The alloy composition of the weld zone may be the one containing Mo and (or) W of 5.0% or less, or may be the one containing one or more kinds among Nb of 1.0% or less, Zr of 0.1% or less and B of 0.1% or less in place of the above, or together with the same.例文帳に追加

溶接部は、Ｍｏおよび（または）Ｗ：５．０％以下を含有する合金組成であってもよいし、それに代え、またはそれとともに、Ｎｂ：１．０％以下、Ｚｒ：０．１％以下およびＢ：０．１％以下の１種または２種以上を含有する合金組成であってもよい。 - 特許庁

To provide a water-in-oil (W/O) type emulsified sunburn care low viscosity cosmetic having a very excellent ultraviolet (UV) ray protection enhancing effect (=a booster effect on UV absorbability) over a wide range of UV ray region with excellent usability (such as smooth feeling, dry feeling without oily touch).例文帳に追加

幅広い紫外線領域に亘って極めて優れた紫外線防御促進効果（＝紫外線吸収能のブースター効果）を有し、かつ、使用性（なめらか感、さらさら感、べたつかない等）に優れる、低粘度の油中水型乳化日焼け止め化粧料を提供する。 - 特許庁

When the EBR treatment is made to the low- permittivity film in the organic resin material system with 1,4-dioxane as the rinse liquid, the improved shape of the periphery of the low-perimittivity film that is not to be removed, after removing the low-permittivity film from the end edge section of the substrate W.例文帳に追加

有機樹脂材料系の低誘電率膜に１，４−ジオキサンをリンス液としてＥＢＲ処理を行えば、基板Ｗの端縁部から低誘電率膜を除去した後に除去対象外の低誘電率膜の周縁の良好な形状を確保することができる。 - 特許庁

In a state that the mist generation device is operated, water of a liquid film W formed along the inner face of the mist generation body 4 is discharged from the mist holes 33 by the centrifugal force when the mist generation body 4 is rotationally driven by the motor 3 to directly generate the minute mist.例文帳に追加

ミスト発生装置を作動させた状態において、ミスト生成体４がモーター３で回転駆動されるときの遠心力で、ミスト生成体４の内面に沿って形成される液膜Ｗの水をミスト穴３３から放出して、微細ミストを直接生成する。 - 特許庁

When the robot 1 is shifted along the machining course by reproducing a machining program in a robot controller 10, the detected signal of a distance sensor 3 is inputted through a distance sensor amplifier 6, and a copying control is performed so as to keep the interval between the laser beam machining head 2 and the workpiece W to a prescribed value.例文帳に追加

ロボットコントローラ１０内で加工プログラムを再生し、ロボット１を加工経路に沿って移動させる際に、距離センサアンプ６を介して距離センサ３の検出信号を取り込み、レーザ加工ヘッド２とワークＷの間の間隔を所定値に保つように倣い制御を行なう。 - 特許庁

In the mode, the position of the valve element of the first three-way valve 350 is controlled to the position of the valve element where the circulating supply of the cooling water through the branched flow path 310c is carried out, and simultaneously a first motor-driven W/P320 is stopped, so that the cooling of the engine 200 is stopped.例文帳に追加

当該モードにおいては、第１三方弁３５０の弁体位置が、分岐流路３１０ｃを介した冷却水の循環供給がなされる弁体位置に制御され、同時に第１電動Ｗ／Ｐ３２０が停止されることによってエンジン２００の冷却が停止される。 - 特許庁

Furthermore, even after the zoom switch is turned off, the focal distance is moved by a prescribed amount so as to bring the focal distance toward the short focal point, and U-turned toward the long focus to obtain the focus when the zoom switch W is turned off thereby eliminating backlash in a zoom drive mechanism such as a zoom cam and a gear (one-side motion).例文帳に追加

また、ズームスイッチオフ後も焦点距離をさらに短焦点側になるように所定量だけ移動させ、ズームスイッチＷがオフされた時点の焦点距離となるように長焦点側にＵターンさせ、ズームカムや歯車等ズーム駆動機構におけるバックラッシを除去する（片寄せ動作）。 - 特許庁

A projected portion 23 is provided at a first circuit board 10 so that the extension lines 13 (u, v, w) and the common extension line 14 of the coil 12 in the stator 5 for the motor 7 may not directly come into contact with the support member (a frame chassis 3), then it is forcedly put into the opening 22 of the frame chassis 3.例文帳に追加

モータ７のステータ５におけるコイル部１２の引出線１３（ｕ,ｖ,ｗ）と共通引出線１４が、支持部材（フレームシャーシ３）と直接接触しないように、第１の回路基板１０に突出部２３を設け、これをフレームシャーシ３の開口２２に突入させておく。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The supporting groove 19 is formed along the circumferential direction so that the both end sides of an extending direction and the outer circumferetial surface 19 sides are opened; and is provided in the circular arc shape gradually separated from the peripheral border to the both end sides of the extending driection when the semiconductor wafer W is inserted.例文帳に追加

支持溝１９は、その延出方向両端側及び外周面１９側が開放するように、周方向に沿って形成され、半導体ウェハＷが挿入されたときに、延出方向の両端側に向って次第に前記周縁から離れる円弧状に設けられている。 - 特許庁

To enable one-by-one reception of spouts from a line of the spouts carried on a rail, in a state of forming one line, successive feeding of the received spouts to two adjacent spout holding members of a W type spout sealing machine and also 90-degree shifting of the direction of the spouts between the occasion of reception and that of delivery.例文帳に追加

レール上を１列の整列状態で搬送されるスパウトの列から、スパウトを１個ずつ受け取り、これをＷ型のスパウトシール機の隣接する２つのスパウト挟持部材に続けて供給すると同時に、受取り時と引渡し時でスパウトの向きを９０度変更する。 - 特許庁

The embossed part 7 is blanked by lowering an embossing punch 29 by keeping a coil W in a pressed and restricted condition by arranging a blanking die 31, an ejector pad 32 on the inner side thereof and an ejector pin 33 on a lower die 12 side, and a blanking punch 27 and an embossing punch 29 on an upper die 11 side.例文帳に追加

打ち抜き加工ダイ３１とその内側のエジェクタパッド３２およびエジェクタピン３３を下型１２側とし、打ち抜き加工ポンチ２７とエンボス加工ポンチ２９を上型１１として、コイル材Ｗの加圧拘束状態にてエンボス加工ポンチ２９の下動によりエンボス部７を成形する。 - 特許庁

A holder body 10 is formed like an upper face opened box with a flange 15, various types of connectors C are attached to the attaching part 12 provided in an interior or the like of the holder body 10, and the electric wire W, extended from each connector C, crosses a left side part 15A of the flange 15 and it is lead through to the left side.例文帳に追加

ホルダ本体１０は、フランジ１５付きの上面開放の箱状に形成され、その内部等に設けられた取付部１２に各種コネクタＣが取り付けられ、各コネクタＣから引き出された電線Ｗが、フランジ１５の左辺部１５Ａを横切って左方へ導出される。 - 特許庁

A maintenance server 130 registers alternative fingerprint information for each user, and transmits the alternative fingerprint information to the IC card using terminal 120, in response to a request for the change of the fingerprint information from the IC card using terminal 120, and changes the fingerprint information of the IC card 110 via an R/W 121.例文帳に追加

メンテナンスサーバ１３０は、ユーザごとに代替の指紋情報を登録し、ＩＣカード利用端末１２０からの指紋情報の変更要求に応答して代替の指紋情報をＩＣカード利用端末１２０へ送り、Ｒ／Ｗ１２１を介してＩＣカード１１０の指紋情報を変更する。 - 特許庁

In cutting a workpiece W, air is supplied from the center side to a divided chamber (e.g., C1 or C9) on the lower side of the machining portion and simultaneously, together with the air supplied from the side of the divided chamber, the dust produced from the machining portion is sucked out.例文帳に追加

被加工物Ｗを切断加工する際には、その加工箇所の下方側の区画室（例えばＣ１、またはＣ９）に中央側から空気を供給すると同時に、上記区画室の側部側から供給された空気とともに加工箇所から発生した粉塵が吸引される。 - 特許庁

Antlers coach Ishii Masatada said after the game, "We were frustrated by our loss to Real Madrid in the Club World Cup final, so we wanted to win the Emperor's Cup at all costs to finish the season well. I think the experience of battling against Real Madrid helped us win today."例文帳に追加

アントラーズの石井正(まさ)忠(ただ)監督は試合後に「クラブW杯の決勝でレアル・マドリードに敗れて悔しい思いをしていたので，何としても天皇杯で優勝し，良い形でシーズンを終えたかった。レアル・マドリードと戦った経験は今日私たちが勝利するのに役立ったと思う。」と話した。 - 浜島書店 Catch a Wave

The system 1 for producing a semiconductor substrate comprises a CVD furnace 2 for growing an epitaxial layer on a semiconductor substrate (wafer) W, an exhaust gas bubbler 3 branched from the way of piping 23 for discharging exhaust gas, and an analyzer 4 for analyzing metals in the exhaust gas captured by pure water 33 in the bubbler 3.例文帳に追加

半導体基板の製造装置１は半導体基板（ウェーハ）Ｗにエピタキシャル層を成長させるＣＶＤ炉２、その排気ガスの排出用配管２３の途中から分岐して設けられた排気ガスのバブリング装置３、バブリング装置３の純水３３に捕捉された排気ガス中の金属を分析する分析装置４とから構成される。 - 特許庁

The fine bubble generation apparatus 11 comprises fine bubble generator 10 immersed in water W in a storage tank 12, a pump P for supplying water to the fine bubble generator 10, an air pump AP for supplying air with an increased oxygen concentration by passing air to an oxygen-enriching apparatus 90 to the fine bubble generator 10.例文帳に追加

微細気泡発生装置１１は、貯留槽１２の水Ｗ中に浸漬された微細気泡発生器１０と、微細気泡発生器１０へ水を供給するポンプＰと、酸素富化器９０を通過して酸素濃度を高めた空気を微細気泡発生器１０へ供給する空気ポンプＡＰと、ポンプＰと微細気泡発生器１０とを備えている。 - 特許庁

In this removal method for removing a silicon oxide film formed on a surface of a processing object W in a processing vessel 4 capable of being vacuumed, a removal process of removing the silicon oxide film by using HF gas and NH_3 gas and setting a set range of processing temperature to 150-200°C is executed.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。 - 特許庁

This W/O emulsion type flame retardant hydraulic oil prepared by dispersing a base oil in water with a surfactant, is characterized by adding a compound represented by general formula (1) (R groups are each independently a 1 to 10C hydrocarbon group) in an amount of 0.01 to 10 mass%.例文帳に追加

界面活性剤を用いて基油に水を分散させたＷ／Ｏエマルション型難燃性油圧作動油において、下記一般式（１）：［式中、Ｒは、それぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基である］で表わされる化合物を０．０１〜１０質量％添加したことを特徴とするＷ／Ｏエマルション型難燃性油圧作動油である。 - 特許庁

This air processor 1 provided with the cooling device 2 for cooling at least air A taken in comprises an evaporation part 4 for evaporating water content permeated into a humidifying medium 3 by sending air F to the humidifying medium 3, and a water feeding part 5 for supplying drain water W produced in the cooling device 2 to the evaporation part 4.例文帳に追加

取込んだ空気Ａを少なくとも冷却する冷却装置２を備えるエアプロセッサ１を構成するに際して、加湿媒体３に送風Ｆを当てることにより当該加湿媒体３に浸透した水分を蒸発させる蒸発部４と、冷却装置２で発生したドレン水Ｗを蒸発部４に供給する送水部５を備える。 - 特許庁

Since each of the housing vessels 12 is formed into a flat shape and the housing vessels are arranged almost in parallel at predetermined intervals by frame members 13 having water permeability, flow resistance of the circulating water W in the antifouling apparatus 10 can be made small, the flow velocity can be accelerated and the antifouling effect can be improved.例文帳に追加

収容容器１２は、扁平形状に形成されており、通水性を有する枠部材１３により所定の間隔をあけて略平行に配置されているため、防汚装置１０に対する循環水Ｗの通水抵抗を小さくすることができるので、流速を速くすることができ、防汚効果を向上させることができる。 - 特許庁

The device for forming the shrinking tube, is provided with dies 1 divided into plurality, a driving mechanism for driving each die 1 so as to push from the outside in the diameter direction of the blank tube W, respectively and spacers 3 disposed between mutually adjoined dies 1, 1 for forming a space S permissible to a prescribed amount of fluidity in the material of the shrinking blank tube.例文帳に追加

縮管成形装置は、複数に分割された型１、１、１…と、各型１をそれぞれ素管Ｗの径方向外側から押圧させるよう駆動する駆動機構と、縮径される素管の材料の所定量の流動を許容する空間Ｓを形成するために互いに隣接する型１、１の間に配置されるスペーサ３と、を備えてなる。 - 特許庁

In this lithium ion secondary battery, a polymer electrolyte having non-aqueous electrolytic solution containing lithium salt up to 95 w% of the total is disposed in a polymer obtained by cross-linking and polymerizing (a) a polyether copolymer having at least glycygil ether with allyl base and ethylene oxide with (b) polyether polyol poly (meta)acrylate between a negative electrode and a positive electrode.例文帳に追加

ａ）アリル基を有するグリシジルエーテルとエチレンオキシドを少なくとも含んでいるポリエーテル共重合体と、ｂ）ポリエーテルポリオールポリ（メタ）アクリレートとを架橋重合して得られるポリマー中に、リチウム塩を含む非水電解液を全体の９５重量％まで含んでいるポリマー電解質を負極と正極の間に配置したリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

The system for cooling culture medium in tomato cultivation comprises using culture medium 11 comprising rock wool or the like, and trickling and flowing the culture solution on and through the culture medium 11 to cultivate the tomatoes T in a greenhouse 10: wherein the culture medium 11 is put on a lid-attached metal tub 16, and cool water w is supplied to the lid-attached tub 16 to cool the culture medium 11.例文帳に追加

ハウス１０内で、ロックウールなどの培地１１を用い、その培地１１に培養液をかけ流してトマトＴを栽培するトマト等の栽培における培地冷却システムにおいて、培地１１を、金属製の蓋付き樋１６上に載置し、その蓋付き樋１６に冷水ｗを供給して培地１１を冷却するようにしたものである。 - 特許庁

In a discrete track media (magnetic recording medium) 300 having a data tracks 308 which are recording regions 310 and non-recording regions (grooves) 312 therebetween, the width W in a radius direction of a discrete servo region 306 for specifying the position of the data tracks 308 is made to be less than the width SL of a center pad end provided on the slider of the magnetic disc device.例文帳に追加

記録領域３１０であるデータトラック３０８とその間に設けられた非記録領域（溝）３１２を備えたディスクリートトラックメディア（磁気記録媒体）３００において、データトラック３０８の位置を特定するディスクリートサーボ領域３０６の半径方向における幅Ｗを、磁気ディスク装置のスライダに設けられたセンターパッド端の幅ＳＬ未満とする。 - 特許庁