「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(213ページ目) - Weblio英語例文検索

The image forming apparatus selects either a first state where the belt member 8 is wound on the pressure rotating body 19 by a predetermined winding amount on the upstream of the nip N1 to form a pre-nip W, or a second state where the winding amount in the first state is reduced while the pressure rotating body 19 is in contact with the belt member 8.例文帳に追加

そして、ニップ部Ｎ１の上流側で加圧回転体１９にベルト部材８が所定の巻付け量にて巻装されてプレニップ部Ｗが形成された第１の状態と、加圧回転体１９がベルト部材８に当接した状態で第１の状態における巻付け量を減少させる第２の状態と、が切り替え可能に構成されている。 - 特許庁

Moreover, an opening of the enclosed space 3a through the deformation of the buffer 3 improves makes a region inside the enclosed space 3a serve as an air space A to improve a void rate inside the fuel assembly storage cask 200 and restrain a pressure (internal pressure) in an internal space 201a from rising due to an expansion of the water W in a thermal environmental event.例文帳に追加

しかも、緩衝体３が変形して密閉空間３ａを開放することで、密閉空間３ａ内の領域が空気層Ａとなって燃料集合体収納容器２００内のボイド率が向上され、熱的環境事象において、水Ｗの膨張による内部空間２０１ａの圧力（内圧）の上昇が抑制される。 - 特許庁

After filling up rubber material X more than the volume of the molding part into the molding part 11 of the mold 10, a base plate 2 having the through-hole 2a loaded with a pipe member 20 is fitted in a plate fixation section 13 of the mold 10, and the base plate 2 is pushed in by applying the load W while releasing the extra rubber material X into the pipe member 20.例文帳に追加

成形型１０の本体成形部１１にその容積よりもゴム材料Ｘを多めに充填した後、貫通穴２ａにパイプ部材２０を装填したベースプレート２を成形型１０のプレート嵌込み部１３に嵌め込み、荷重Ｗを負荷することにより、余分なゴム材料Ｘをパイプ部材２０内に逃がしながら、該ベースプレート２を押し込む。 - 特許庁

A sensing device 100 includes: control lines CA1 to CA240 and CB1 to CB240; sensing data lines SL1 to SL320; a plurality of sensor circuits Q installed in association with the crossing of the control lines CA1 to CA240 and the sensing data lines SL1 to SL320; and a plurality of amplifier circuits W installed in association with the sensing data lines SL1 to SL320.例文帳に追加

センシング装置１００は、制御線ＣＡ１〜ＣＡ２４０，ＣＢ１〜ＣＢ２４０と、感知データ線ＳＬ１〜ＳＬ３２０と、制御線ＣＡ１〜ＣＡ２４０と感知データ線ＳＬ１〜ＳＬ３２０との交差に対応して設けられた複数のセンサ回路Ｑと、感知データ線ＳＬ１〜ＳＬ３２０に対応して設けられた複数の増幅回路Ｗとを備える。 - 特許庁

An upper heating element 3 which heats a single semiconductor wafer W arranged in a processing chamber 2 of the single wafer type heat treatment apparatus 1 from above is area-divided into a plurality of first to third upper heating zones 31a to 31c, and first to third upper heaters 5a to 5c which are brought individually under temperature control are arranged in the first to third upper heating zones 31a to 31c.例文帳に追加

枚葉式熱処理装置１の処理室２に配置された単一の半導体ウエハＷを上方から加熱する上加熱体３を、複数の第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃに領域分割し、第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃには個別に温度制御される第１〜第３の上ヒータ５ａ〜５ｃを配置する。 - 特許庁

To provide an inexpensive W-based high specific gravity composite material solved in the defects of the conventional integrated type material as the use for damping, having a high damping capacity which has not been exhibited heretofore, high in workability, easy to be formed into various shapes and having a high radiation shielding capacity which has not been exhibited heretofore as the use for radiation shielding.例文帳に追加

本発明は、制振用途として従来の一体型材料の欠点を解消し、従来にない高い制振性能を有し、加工性が高く、各種形状に形成容易で、放射線遮蔽用途としても従来にない高い放射線遮蔽性能を有し、安価なＷベースの高比重複合材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method comprises an inspection step for inspecting a wiring pattern comprising a plurality of wires formed on a wafer W, for a spot of an unplanned short circuit between wires; and a blowout step for severing by laser application the defective spot in case a short-circuiting spot is found in the wiring pattern during the inspection step.例文帳に追加

ウエーハＷ上に形成された複数本の配線からなる配線パターンに配線同士を意図せず短絡させるようなショート欠陥部位があるか否かを検査する検査工程と、この検査工程で配線パターンにショート欠陥部位が発見された場合に、このショート欠陥部位にレーザを照射して当該部位を溶断する溶断工程と、を含むものである。 - 特許庁

On condition of a chuck device for gripping or releasing a work W by horizontally opening/closing a pair of chuck hands 11a, 11b arranged in a chuck main body 16, a guide rod 6 is fixed to an installing stand 1 installed on a robot hand M, so that both chuck hands 11a, 11b are guided in the horizontal direction by the guide rod 6.例文帳に追加

チャック本体１６に設けられた一対のチャックハンド１１ａ，１１ｂが水平方向に開閉することによってワークＷを把持又は解放するチャック装置を前提とし、ロボットハンドＭに取付けられた取付台１にガイドロッド６を固定し、そのガイドロッド６に両チャックハンド１１ａ，１１ｂが水平方向にガイドされるようにした。 - 特許庁

To satisfy the requirement for decrease in the size of the fitting part 5 and prevent the hole position from being shifted even when bending is applied, right and left spread parts 5A formed by compressing the fitting part 5 are cut in cut positions P capable of remaining annular pipe parts 12 of the pipe raw material W surrounding the solid member 10 at the tip portion of the fitting part 5.例文帳に追加

取付部５の小型化の要求を満足すると共に、曲げ加工しても、孔位置がズレないようにするために、取付部５の先端部分に、中実部材１０を囲む管素材Ｗの環状の管部１２を残すことができる切断位置Ｐで、取付部５を圧縮することでできた左右の広がり部５Ａを切除する。 - 特許庁

A rail 2 serving as a movement guide means extending in a direction parallel with a passage 10 formed by the protector 1 installed in the existing tunnel a, is mounted to the upper part of one side of the protector 1 through a bracket 3, and a hoist 4 travelable along the rail 2 is disposed to lift the heavy load W such as concrete debris by the hoist 4 for conveyance.例文帳に追加

既設トンネルａ内に設置されるプロテクタ１の一側上部に、該プロテクタ１による通路１０と平行な方向へ延びる移動案内手段としてのレール２を、ブラケット３を介して取り付け、このレール２に沿って走行可能なホイスト４を配置し、コンクリートガラなどの重量物Ｗを、ホイスト４で揚重して搬送するものである。 - 特許庁

In an substantially rectangular remodeled window with a foamed cured body filled in almost the entire space between an existing window frame and a newly mounted window frame, when an interlayer deformation is horizontally applied to the upper side of the remodeled window, the allowable horizontal deformation quantity Δ is larger than C_1+C_2+H/W×(C_3+C_4).例文帳に追加

本発明は、既設窓枠と新設窓枠との間の空間部分の略全体に発泡硬化体が充填された、略長方形の改装窓において、改装窓の上辺に対して水平方向に層間変形を加えた時に、改装窓の許容水平変形量ΔがＣ_１＋Ｃ_２＋Ｈ／Ｗ×（Ｃ_３＋Ｃ_４）より大きくなる改装窓に関する。 - 特許庁

The aromatic hydrocarbon, having at least one hydrogen directly bound to a benzene ring, and a methylenation agent such as formalin are made to react in a specified range of temperature, thus obtaining a reaction mixture in the presence of the heteropoly acid, which is produced through condensation between at least one oxide selected from among Mo, W, Nb and V and an oxygen acid of P, Si, As or Ge.例文帳に追加

ベンゼン環に直接結合した水素を少なくとも１個有する芳香族炭化水素とホルマリン等のメチレン化剤を、Ｍｏ、Ｗ、ＮｂおよびＶから選ばれた少なくとも１種の酸化物と、Ｐ、Ｓｉ、ＡｓまたはＧｅの酸素酸の縮合した酸であるヘテロポリ酸の存在下に特定の温度範囲で反応させ、反応混合物を得る。 - 特許庁

The route guide system 1000 is provided with the portable terminal 1, embedded information terminals 100-Z, 100-A,..., 2000-F,...100-I buried in a footpath, an embedded information terminal 300-J buried in a pedestrian crossing w, a service plan server computer 1001 searching a guide route, and an ITS network 1010.例文帳に追加

経路案内システム１０００は、携帯端末１と、歩道に等間隔で埋設された埋め込み型情報端末１００−Ｚ，１００−Ａ，…，２００−Ｆ，…１００−Ｉと、横断歩道ｗ内に埋設された埋め込み型情報端末３００−Ｊと、案内経路を探索するサービス立案用サーバコンピュータ１００１と、ＩＴＳ用ネットワーク１０１０とを具備する。 - 特許庁

The W/O type emulsion explosive containing an oxidizing agent, oils, an emulsifier, hollow microspheres of glass and water is characterized in that the hollow microspheres of glass ranging from 3.0 to 7.0% in the ratio d/r (%) of an average film thickness (d) and a grain size (r) at which cumulative volume attains 50% are used.例文帳に追加

酸化剤、油類、乳化剤、ガラス微小中空球体及び水を含有する油中水滴型エマルション爆薬に於いて、平均膜厚（ｄ）と累積体積が５０％になる粒径（ｒ）との比率ｄ／ｒ（％）が３．０から７．０％の範囲であるガラス微小中空球体を使用したことを特徴とする油中水滴型エマルション爆薬。 - 特許庁

Further, the main controller 7 sends a proper command signal to a lens driving device 25 and makes a condenser lens (described in detail later) held on a fine moving stage device 23 turn in X-Y plane by properly operating the fine moving stage device 23 and makes the incident position of a spot laser beam rotate at high speed on a work W.例文帳に追加

また、主制御装置７は、レンズ駆動装置２５に適当な指令信号を送信して微動ステージ装置２３を適宜動作させることにより、微動ステージ装置２３に保持された集光レンズ（後に詳述）をＸＹ面内で回転運動させることができ、スポット状のレーザ光の入射位置をワークＷ上で高速回転させることができる。 - 特許庁

This polishing device 1 is configured to set a gain value and a dress time of a polishing pad 13 in a dress position control of a dresser 30 according to a dress rate by a polishing control section 60 in an adjust process before start of a series of polishing processes for polishing a plurality of semiconductor wafers W successively by a polishing tool 10.例文帳に追加

本発明に係る研磨装置１は、研磨工具１０により複数の半導体ウェハＷを連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前のアジャスト工程において、研磨制御部６０により、ドレッサ３０のドレスポジション制御におけるゲイン値および研磨パッド１３のドレス時間をドレスレートに応じて設定するようになっている。 - 特許庁

Shape data regarding the room layout of a building to be evaluated and the opening parts W of the respective rooms are stored in a shape data storage means 10 and the illumination distribution in a desired room of the building to be evaluated is computed by an arithmetic means 12 according to the shape data on the opening part.例文帳に追加

評価対象の建物の間取り及び各部屋の開口部Ｗに関する形状データを形状データ記憶手段１０に記憶させ、上記評価対象の建物における所望の部屋内の照度分布を上記開口部の形状データに基づいて演算手段１２により演算するようにした光環境評価方法。 - 特許庁

When the user is identified, original data for authentication is generated from the tally data α read from a memory in the IC card 2 by an IC card R/W 3 and the tally data β stored in the authentication information management server 5 and is compared with biological information of the user to be identified, which is read by the biological authentication apparatus 4, to identify the user.例文帳に追加

個人認証時は、ＩＣカードＲ／Ｗ３によりＩＣカード２内のメモリから読み込んだ割符データαと、認証情報管理サーバ５に保存されている割符データβとから元の認証用データを生成し、生体認証装置４により読み込んだ認証対象のユーザの生体情報と比較して個人認証を行う。 - 特許庁

The method for washing a substrate using functional water as washing water consists of a process for dipping a wafer W in the washing water that is accommodated in treatment baths 1A and 1B, a process for supplying the washing water into the treatment baths 1A and 1B for overflowing, and a process for immediately draining the overflowed washing water without using any circulation.例文帳に追加

機能水を洗浄水として用いて基板を洗浄する洗浄方法であって、処理槽１Ａ，１Ｂ内に収容された洗浄水中にウエハＷを浸漬させる工程と、洗浄水を処理槽１Ａ，１Ｂ内に供給してオーバーフローさせる工程と、オーバーフローさせた洗浄水を循環使用せず直ちに排水する工程とからなる。 - 特許庁

Routes (piping 61, supply duct 62 and ventilation guide 62a) wherein the dry air DF generated by the dry air generator 60 is supplied to the substrate W elevated from the internal tank 40 of a treatment tank 4 are formed of materials that are lower in gas discharging speed than that of a vinyl chloride and lower in water absorption than that of the vinyl chloride.例文帳に追加

ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが処理槽４の内槽４０から引き上げられる基板Ｗに供給されるまでに通過する経路（配管６１、供給ダクト６２および通気ガイド６２ａ）には、塩化ビニルよりもガス放出速度が低くかつ塩化ビニルよりも吸水率が低い材料が用いられる。 - 特許庁

In the optical information recording medium in which recording and reproducing are possible by irradiation of energy beams, the recording layer has ≤0.6 J/g specific heat, ≤0.9 W/cm.K thermal conductivity and 40 to 75% reflectance when the recording film is formed, and the modulation is ≥60% after signals are recorded.例文帳に追加

エネルギービームの照射により記録・再生が出来る光情報記録媒体において、記録層の比熱が０．６Ｊ／ｇ以下であり、かつ熱伝導率が０．９Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であり、作成時の該記録膜の反射率が４０％〜７５％であり、信号記録後のモジュレーションが６０％以上であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 特許庁

The managing device 21 determines a storage position of the cargo W in each set zone A to H, sets the location information indicating the set zones A to H and the storage position automatically, and allots the location information to respective ID tags T automatically based on arrangement positions of the ID tags T and the storage position in the zones A to H.例文帳に追加

管理装置２１は、設定された各ゾーンＡ〜Ｈ内における荷物Ｗの格納位置を決定するとともに、設定されたゾーンＡ〜Ｈと格納位置とを示すロケーション情報を自動的に設定し、ＩＤタグＴの配置位置とゾーンＡ〜Ｈと格納位置とに基いて、ロケーション情報をそれぞれのＩＤタグＴに自動的に割り付ける。 - 特許庁

In a digital watermarking apparatus, a location detecting section 12 generates a plurality of candidates of an embedding location P of first watermark data X in a first watermarking block 110, and a first watermarking section 14 embeds these candidates of the watermarking location P of host data V and selectively outputs first watermarked host data W with high watermark robustness.例文帳に追加

第１透かし埋め込みブロック１１０において、位置検出部１２は、第１透かしデータＸの複数の埋め込み位置Ｐの候補を生成し、第１透かし埋め込み部１４は、ホストデータＶのそれらの埋め込み位置Ｐの候補に第１透かしデータＸを埋め込み、透かしの耐性が強い第１埋め込みホストデータＷを選択して出力する。 - 特許庁

In this way, both edges of the cathode side electrodes 7, 8 are supported essentially from both the sides in the axial direction, thus, the occurrence of fatigue damage at the cathode feeders 5, 6 by energizing force applied to the cathode feeders 5, 6 through the object W to be plated, and the cathode side electrodes 7, 8 by the rotation of the barrel 2 can be satisfactorily prevented.例文帳に追加

このようにすれば、陰極側電極７、８は本質的に軸方向両側から両端支持されるため、バレル２の回転により被めっき物Ｗ、陰極側電極７、８を通じて陰極給電線５、６に掛かる付勢力により陰極給電線５、６に疲労損傷が生じるのを良好に防止することができる。 - 特許庁

Then a sticking roller 54 is pressed and rolled from a wafer center side rather than the sticking place to the other end to stick the release tape Ts on a surface of the protection tape PT, and as the sticking roller 54 and wafer W move relatively in a horizontal direction, the protection tape PT and release tape Ts are peeled in one body from the wafer surface and recovered.例文帳に追加

その後、当該貼付け箇所よりもウエハ中心側から他端まで貼付けローラ５４を押圧転動させて剥離テープＴｓを保護テープＰＴの表面に貼付けるとともに、当該貼付けローラ５４とウエハＷの相対的な水平移動に伴って、保護テープＰＴを剥離テープＴｓと一体にしてウエハ表面から剥離して回収する。 - 特許庁

In the beginning when the substrate W has been carried in a processing chamber 12 of a washing process part 10, the rinsing liquid is supplied from an entrance nozzle 20 and an upper spray nozzle 22 to the substrate, and after that, the rinsing liquid is supplied from the upper spray nozzle 22 and a lower spray nozzle 24 to the substrate until the substrate is carried out of the processing chamber 10.例文帳に追加

基板Ｗが水洗処理部１０の処理チャンバ１２内へ搬入されてきた当初においては入口ノズル２０と上部スプレイノズル２２とからリンス液を基板へ供給し、それ以後、基板が処理チャンバ１０内から搬出されるまでは上部スプレイノズル２２と下部スプレイノズル２４とからリンス液を基板へ供給する。 - 特許庁

In measuring the tone of a printed surface by a color measurement means disposed adjacent to the printed matter W, the printed surface is illuminated by dome-type illumination having plural ring illuminators 16A to 16C sequentially disposed in the order of decreasing diameter from the printed surface side taking the measurement direction (one dot chain line) of the color measurement means as the center.例文帳に追加

印刷物Ｗに近接配置された測色手段により印刷面の色調を測定する際、前記測色手段による測定方向（一点鎖線）を中心にして、印刷面側から順次径が小さくなるように配設された複数段のリング照明１６Ａ〜１６Ｃを有するドーム型照明により前記印刷面を照射する。 - 特許庁

In the fabric with the cool sense, the constant rate drying rate is preferably ≥5.0 g/min m^2 when the fabric is wetted so as to provide 60% pickup rate and irradiated with light by a reflector bulb for photo studio use at 2,000 W total wattage from 30 cm distance in a thermohygrostatic chamber regulated to 20°C×65%RH.例文帳に追加

この涼感性布帛においては、ピックアップ率が６０％となるように湿潤させ、２０℃×６５％ＲＨに調整された恒温恒湿室内にて、３０ｃｍの距離から総ワット数２０００Wの写真用レフランプにより光を照射した際の恒率乾燥速度が５．０ｇ／分・ｍ^２以上であることが好ましい。 - 特許庁

The R/W 100 performs the mutual authentication in a succeeding manufacturing process through the use of the maintenance card authentication key for the user in a maintenance card 300 for the user and the re-written maintenance card authentication key for the user, reads setting information of the application processing from the maintenance card 300 for the user when the authentication is successfully performed, and then, stores the information inside.例文帳に追加

次の製造工程において、Ｒ／Ｗ１００は、ユーザ用メンテナンスカード３００内のユーザ用メンテナンスカード認証鍵と、書き換えられたユーザ用メンテナンスカード認証鍵とを用いて相互認証を行い、認証が成功した場合にユーザ用メンテナンスカード３００からアプリケーション処理の設定情報を読み出して内部に記憶する。 - 特許庁

The ultrasonic waves are generated and transmitted from an ultrasonic transducer 2 and an ultrasonic transducer 3 arranged on the upstream side and the downstream side of a measuring fluid, flowning in an ultrasonic flow-velocity measuring tube 1, the transmitted ultrasonic waves are received mutually, and a flow velocity is measured, on the basis of the difference in the propagation times between the ultrasonic waves found by comparing respective received waves W.例文帳に追加

超音波流速測定管１を流れる計測流体の上流側と下流側に配置した超音波振動子２、３から相互に超音波を発生送信するとともに、送信された超音波を相互に受信し、各受信波Ｗの比較から求めた超音波の伝搬時間の差に基づいて流速を測定するものである。 - 特許庁

Even when a weighing signal W(t) output from a load cell as a weighing apparatus includes a first oscillating wave which diminishes with the passage of time in accordance with the transient response characteristics of the load cell, the first oscillating wave can be diminished in time equivalent to the half period (=π) of the first oscillating wave.例文帳に追加

この発明によれば、計量器としてのロードセルから出力される計量信号Ｗ（ｔ）に、当該ロードセルの過渡応答特性に従って時間の経過と共に減衰する第１振動波が含まれているとしても、この第１振動波の１／２周期（＝π）に相当する時間で、当該第１振動波を減衰させることができる。 - 特許庁

The method for producing the hollow particles having two or more macropores of pore diameter of 60 nm to 30 μm in a part of a shell of silica or alkaline earth metal silicate includes the action of a precipitant aqueous solution on a W/O emulsion obtained by dispersing first aqueous phase particles containing water-soluble silicate and a macropore-forming water-soluble compound in an oil phase.例文帳に追加

水溶性珪酸塩とマクロ孔形成用水溶性化合物を含む第１水相粒子を油相中に分散してなるＷ／Ｏエマルジョンに沈殿剤水溶液を作用させることを特徴とする、シリカまたはアルカリ土類金属珪酸塩の殻の部分に孔径６０ｎｍ〜３０μｍの複数のマクロ孔を有する中空粒子の製造方法。 - 特許庁

In conducting a film-forming process on a wafer W by introducing a film-forming gas containing SiH4 gas, O2 gas and Ar gas into a process chamber 2 while plasma is generated in the process chamber 2, SiH4 gas is fed only from a top nozzle 20, and O2 gas and Ar gas are fed from the top nozzle 20 and from a side nozzle 24.例文帳に追加

処理チャンバ２内にプラズマを発生させた状態で、ＳｉＨ_4ガスとＯ_2ガスとＡｒガスとを含む成膜ガスを処理チャンバ２内に導入し、ウェハＷの成膜処理を行う場合、まず、ＳｉＨ_4ガスをトップノズル２０のみから供給すると共に、Ｏ_2ガス及びＡｒガスをトップノズル２０及びサイドノズル２４から供給する。 - 特許庁

As a result, secondary electrons e^-, emitted from an electrode plate 62 by γ discharge are accelerated, in a direction which is opposite to that of the ions in the electric field of an upper ion sheath SH_U and passes through the plasma PR, and further traverses a lower ion sheath SH_L, and is injected into a resist pattern 100 on the surface of a semiconductor wafer W on a susceptor 12.例文帳に追加

そうすると、γ放電によって電極板６２より放出された２次電子ｅ^-は、上部イオンシースＳＨ_Uの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマＰＲを通り抜け、さらに下部イオンシースＳＨ_Lを横断して、サセプタ１２上の半導体ウエハＷ表面のレジストパターン１００に所定の高エネルギーで打ち込まれる。 - 特許庁

In the treatment vessel 30, a cylindrical rectifying object 37 which is formed in a sag shape at a part outside the semiconductor wafer W and the inlet 32i at the ceiling 32h of the treatment vessel 30, and an upper exhaust port 38a which is arranged on the upper sidewall 32g of the treatment vessel 30 opposite to the rectifying object 37 are formed.例文帳に追加

処理容器３０に、この処理容器３０の天井部３２ｈにおける半導体ウエハＷ及び導入口３２ｉより外方位置に垂下状に形成される円筒状の整流体３７と、この整流体３７と対向する処理容器３０の上部側壁３２ｇに設けられる上部排気口３８ａとを形成する。 - 特許庁

This macromolecular-flocculant dissolving method comprises a step to mix the powdery or granular hardly-soluble macromolecular flocculant 1 with water-absorptive powdery silica gel 2 at the prescribed ratio and a step to throw the mixed flocculant 1 and silica gel 2 in flowing water so that the flocculant 1 is dissolved in the water W.例文帳に追加

本発明の高分子凝集剤の溶解方法は、粉末状または顆粒状の難溶性の高分子凝集剤１と、吸水性を有する粉末状のシリカゲル２とを所定の割合で混合し、混合された高分子凝集剤１およびシリカゲル２を流水中に投入することによって、高分子凝集剤１を水Ｗに溶解させる。 - 特許庁

The nickel-hydrogen secondary battery comprises an electrode group 5 having a positive electrode 2 mainly containing nickel hydroxide, a negative electrode 4 mainly containing a hydrogen storage alloy and a separator 3 mounted therebetween, sealed in a battery can 1 together with an alkaline electrolyte, wherein W element and Na element coexist in the battery.例文帳に追加

そのニッケル・水素二次電池は、水酸化ニッケルを主成分とする正極２と水素吸蔵合金を主成分とする負極４の間にセパレータ３が介装されている電極群５をアルカリ電解液と一緒に電池缶１内に封入したニッケル・水素二次電池において、電池内にはＷ元素とＮａ元素が同時に存在している。 - 特許庁

In the screw type grindstone 11 formed in a barrel shape with the diameter becoming gradually smaller as it goes from the axial intermediate portion toward both axial ends to be meshed with a workpiece W angled by an axial angle Σ during machining the workpiece, the helix angle of the grindstone is set corresponding to the length from the axial intermediate portion.例文帳に追加

ワーク加工時に、該ワークＷに対して軸角Σが与えられた状態で噛み合わされるために、その軸方向中間部から軸方向両端部に向かうに従って、その径が漸次小さくなるような樽形に形成されるねじ状砥石１１において、砥石ねじれ角をその軸方向中間部からの長さに応じて設定する。 - 特許庁

The O/W emulsion obtainable by phase inversion comprises microspheres with an average diameter of 100-1,000 nm wherein the microspheres composes the oil phase in the emulsion, a nanopigments of metal oxides, at least one organic UV screening agent and at least a 4,4'-diarylbutadiene based organic UV-A screening agent in the emulsion.例文帳に追加

エマルションの油相を構成する小球体の平均径が１００ｎｍ〜１０００ｎｍであり、金属酸化物ベースの無機ナノ顔料と少なくとも一の有機ＵＶ遮蔽剤を含有し、転相技術により得ることができる水中油型エマルションに、４,４-ジアリールブタジエン型の少なくとも一の有機ＵＶ-Ａ遮蔽剤を含有せしめる。 - 特許庁

To reduce equipment cost by reducing the unit cost of a pallet, in a transfer type working system for carrying a workpiece W with a bolt passing hole Wa for bolting to an assembled object along a working line while fixedly placing the workpiece on the pallet 2, in which a handling robot is used to load or pick up the workpiece onto or from the pallet.例文帳に追加

被組付物にボルト止めするためのボルト挿通孔Ｗａを有するワークＷをパレット２に載置固定した状態で加工ラインに沿って搬送するトランスファー式加工システムであって、パレットに対するワークの投入作業や払出し作業をハンドリングロボットで行うものにおいて、パレットの単価を下げて設備費を削減する。 - 特許庁

In the thermal transfer image receiving sheet provided with the ink receiving layer on the substrate sheet, a heat radiating layer, consisting primarily of a filler and a binding agent, is provided between the ink receiving layer and the substrate sheet while the heat radiating layer contains the filler having a heat conductivity of 0.25 W/m.K or more in the heat radiating layer.例文帳に追加

基材シート上にインク受理層を設けた熱転写受像シートにおいて、インク受理層と基材シートとの間に主として填料と結着剤とからなる放熱層を有し、この放熱層中の填料が、放熱層中における熱伝導率が０．２５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の填料を含有することを特徴とする熱転写受像シートである。 - 特許庁

When rice cooking starts, air in the inner pot 30 is poured into the air pool means 70 via the gas leading means 50, an air pool part T is formed above the air pool means once, and then water vapor V generated in the inner pot 30 is poured into the air pool part T, cooled down by water W, and condensed (returned to water).例文帳に追加

炊飯が始まると、内釜３０内の空気はガス誘導手段５０を経由して空気溜まり手段７０に注入され、その上方に空気溜まり部Ｔが一旦形成され、その後、内釜３０において発生した水蒸気Ｖは空気溜まり部Ｔに注入され、水Ｗによって冷却され凝縮（復水）する。 - 特許庁

The thin film inductor 100 is formed by individualizing a plurality of unit structures on a wafer by dicing, and includes a coil 22 formed to be embedded in an insulation layer 20 and wound around the protrusion 11 on an annular groove 12 of a magnetic substrate W having the protrusion 11 projected on an in-plane center part.例文帳に追加

薄膜インダクタ１００は、ウェハ上に複数形成された単位構造がダイシングによって個片化されたものであり、面内中央部に突起部１１が突設された磁性基板Ｗの環状の溝部１２上に、絶縁層２０内に埋め込まれるように、かつ、突起部１１の周囲を巻回するように設けられたコイル２２が形成されたものである。 - 特許庁

The processor for performing prescribed processing in a body W to be processed inside a vaccumable processing container 4 includes film attachment prevention layers 54A-54H composed of a SAM (Self assembled monolayer), on the surface of the inner wall of the processing container and/or the surface of the inner structure of the processing container in the processor.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗに対して所定の処理を施す処理装置において、前記処理容器の内壁の表面及び／又は前記処理容器の内部構造物の表面にＳＡＭ（Ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）膜よりなる膜付着防止層５４Ａ〜５４Ｈを形成する。 - 特許庁

The W-CDMA wireless system 1 is determined that synchronization can be established when phase difference in a common channel between a zero system and 1 system is within a fixed range and receiving quality of the common channel (or individual channel) reaches a fixed level even when it is determined that synchronization can not be established in normal synchronization establishment determination.例文帳に追加

Ｗ−ＣＤＭＡ無線システム１は、通常の同期確立判定において同期確立可能でないと判定される場合であっても、０系と１系の共通チャネルにおける位相差が一定の範囲内であり、共通チャネル（あるいは個別チャネル）の受信品質が一定レベルに達しているときには、同期確立可能であると判定される。 - 特許庁