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W-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11340



例文

The alloy for liquid-phase diffusion bonding contains, by atom%, 10% or more and 60% or less Ni, 10% or more and 22% or less B, 0.01% or more and 10% or less in total of one or both of W and Mo, and the balance consisting of Fe and inevitable impurities.例文帳に追加

原子%で、Ni:10%以上60%以下、B:10%以上22%以下、W、Moの片方又は両方の合計:0.01%以上10%以下を含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなることを特徴とする液相拡散接合用合金である。 - 特許庁

A substrate treatment system is equipped with a heating plate 32 which heats a wafer W coated with resist in a hermetically closed treatment chamber R, a vacuum pump 26 which depressurizes the treatment chamber R, and a control means which controls a heating temperature and the internal pressure of the treatment chamber R so as to remove impurities deposited on the resist.例文帳に追加

密閉された処理室R内でレジストが塗布されたウエハWを加熱する熱板32と、処理室R内を減圧する真空ポンプ26と、レジストに付着した不純物を除去するように加熱温度と処理室R内の圧力とを制御する制御手段とを有する。 - 特許庁

In this heat treatment device for heat treatment by heating the web W comprising glass fiber cloth applied with starch, a carrying chamber 28 with heat insulating structure is provided separately from a heat insulating chamber 12 of the heat treatment device 10 and the carrying roll 30 is provided inside the carrying chamber.例文帳に追加

ガラス繊維の織物に糊を付着したウエブWを加熱して熱処理を行う熱処理装置において、熱処理装置10の断熱室12とは独立して搬出室28を設け、この搬出室28を断熱構造になして、かつ、その内部に搬出ロール30を設けるものである。 - 特許庁

Essential constitution concerned in a bus interface is provided with a data number applying part 60 inside a bus I/F part 50, provided with a data number extracting part 20 inside a decoding part 10, and provided with resistor unit R/W control parts 80 for the individual respective resistors R1-Rn.例文帳に追加

バスインターフェースに係わる要部構成は、バスI/F部50の内部にデータ番号付与部60を備え、デコード部10の内部にデータ番号抽出部20を備え、各レジスタスタR1〜Rnの個々に対して、レジスタ単位R/W制御部80を備える構成としている。 - 特許庁

例文

The operation part 8 detects the change of the static capacitance for every movement distance (t) which is the relative movement distance relatively moving either one or both of the measurement electrode 3 or/and the measurement work 1, and the movement ditance (t) is set narrower than the width (W) in the movement direction.例文帳に追加

演算部8は、測定電極3と測定ワーク1のいずれか又は両方が相対的に所定の移動距離(t)移動される毎に静電容量の変化を検出すると共に、移動距離(t)を測定電極3の移動方向の幅(W)よりも狭く設定している。 - 特許庁


例文

The liquid-phase epitaxial growth device 1 is provided with an assembled body 1k to which a plurality of solution reservoirs 31, 32, 33 for respectively reserving reaction solutions S1, S2, S3 different in their components are fixed around a reaction vessel 2 which contains a substrate W and a reaction solution S.例文帳に追加

本発明の液相エピタキシャル成長装置1は、基板Wと反応溶液Sとを収容する反応容器2の周囲に、成分のそれぞれ異なる反応溶液S1,S2,S3を個別に収容した複数の溶液溜容器31,32,33を取り付けた組立体1kを備える。 - 特許庁

The wafer W, which is carried from the chamber 1 and is one subsequent to the end of the heat treatment, is received within the chamber 2 and with trace nitrogen gas introduced in the chamber 2, the nitrogen gas is sprayed on the outer peripheries of the walls of the chamber 2 by a nitrogen gas spray means 13 to forcedly cool the interior of the chamber 2.例文帳に追加

冷却チャンバ2内では、石英チャンバ1から搬送されてきた熱処理終了後のウェハWを受入れ、微量な窒素ガス導入するとともに、窒素ガス噴きつけ手段13によりチャンバウォールの外周に窒素を吹き付けて冷却チャンバ2内を強制冷却する。 - 特許庁

A pair of protruding stripes 5 and 6 protruding inward in the radial direction of the core 2 are formed at positions close to the end faces of the inner circumference of the core 2, and a recess 7 having a width of W narrow enough for ensuring a non-attached region of metallikon metal is provided between the protruding stripes 5 and 6.例文帳に追加

巻芯2の内周部の各端面近傍の位置に、径方向内方に突出する一対の突出条5、6が形成することにより、一対の突出条5、6間に、メタリコン金属の非付着領域を確保し得る幅Wの凹部7を形成する。 - 特許庁

In the method for producing high specific gravity composite metallic material and a high specific gravity composite metallic material, melted low melting point metal (20) is press-impregnated into the chip crushed particles (1) of a sintered alloy essentially composed of W to obtain the high specific gravity composite metallic material (30, 30A).例文帳に追加

本発明による高比重複合金属材料の製造方法及び高比重複合金属材料は、Wを主成分とする焼結合金の切粉破砕粒(1)に溶融した低融点金属(20)を加圧含浸して高比重複合金属材料(30,30A)を得る方法と構成である。 - 特許庁

例文

The cement clinker is manufactured by mixing several kinds of waste having different qualities, characters and states (sludge DA, sludge DB and liquid waste W) by the prescribed ratios, sending the mixture to the cement kiln 10 by using a slurry pump 3 and a transportation pipeline 4 and throwing the sent mixture in the kiln 10 as at least a part of base fuel of cement.例文帳に追加

品質や性状の異なる複数種の廃棄物(汚泥DA、DB、液体廃棄物W)を所定の比率で混合し、それをスラリーポンプ3及び輸送配管4を用いて輸送し、セメントの原燃料の少なくとも一部として、セメントキルン10に投入しセメントクリンカを製造する。 - 特許庁

例文

In a wireless communication execution condition determining unit 9, the communication term T2, the number R of times of retry, and the transmit power W corresponding to a current battery voltage V are read from the wireless communication execution condition table TB2 and defined as an actual wireless communication execution condition to be used for a CPU 4 for transmission.例文帳に追加

無線通信実行条件決定部9において、現在の電池電圧Vに応じた通信周期T2,リトライ回数R,送信電力Wを無線通信実行条件テーブルTB2より読み出し、送信用CPU4で使用する実際の無線通信実行条件とする。 - 特許庁

In the setting of a designated magnification image photographing mode, the electronic camera calculates a print resolution for printout of a photographing range W at an object position by a set print magnification depending on a distance of the object L, a focal distance, the number N of pixels of a CCD 214, and a pixel pitch P.例文帳に追加

指定倍率撮影モードに設定されると、被写体距離L、焦点距離、CCD214の画素数Nおよび画素ピッチPに基づいて、被写体位置における撮影範囲Wが設定された印刷倍率で印刷されるための印刷解像度が算出される。 - 特許庁

In this method, a tip 11 of a resin tube 10 is slid, as being pressed against an end face Wa on the glass plate W to friction the glass plate end face for rubbing the particles off the end face, and then the rubbed particles are suctioned, and the number of which is counted through a particle counter 20.例文帳に追加

ガラス板Wの端面Waに樹脂チューブ10の先端11を押し当てながらスライドさせることにより、当該ガラス板の端面に摩擦を加えて該端面のパーティクルを擦り取り、その擦り取ったパーティクルを吸引して、パーティクルカウンタ20でその数を計数する。 - 特許庁

An upper part powder splashing preventing cap 7, which is provided with a supporting member 6 provided with slits at a prescribed interval in the peripheral direction and composed of the rubber like elastic body and is composed of the transparent resin made material, is provided on the upper part of the opening part of the green tire W.例文帳に追加

タイヤ載置台1上に載置したグリーンタイヤWの開口部上方には、周方向に所定の間隔でスリット5を設けたゴム状弾性体から成る支持部材6を備えた透明樹脂製の材料から成る上部粉体飛散防止蓋7が設けてある。 - 特許庁

When a guide shaft part 102 of the mounting tool 100 is inserted into an inner hole of a guide rod 3, the tip of a clamp member 103 energized to the upper surface of the guide shaft part 102 in the closing direction (an abutting direction) by a spring is abutted on the picked C-clip W.例文帳に追加

装着治具100のガイド軸部102がガイドロッド3の内孔に差し込まれると、このガイド軸部102の上面にスプリングなどによって閉じ方向(当接方向)に付勢されているクランプ部材103の先端が切り出されたC形クリップWに当たる。 - 特許庁

The method for compression molding the plate material comprises placing the plate material to be worked in a thickness gage 30 having a compression molding thickness between hot platens 21 when the plate material W is placed between the platens 21 of the hot press 10 and compression molded, stacking a plurality of stages the plate materials via intermediate plates 35, and molding the plate materials.例文帳に追加

熱プレス装置10の熱盤21間に板材Wを載置して圧縮成形するに際して、前記熱盤21の間に圧縮成形厚みを有する厚みゲージ30内に被加工板材を載置するとともに、これを間板35を介して複数段積み重ねて成形する。 - 特許庁

A piezoelectric thin-film device has a structure such that at least a bottom electrode 2, a piezoelectric thin film 3, and a top electrode 4 are stacked in order on a substrate 1, and the surface of the substrate has a continuous step structure 5, with an average terrace width w being larger than 0.5 nm and smaller than 10 nm.例文帳に追加

基板1上に少なくとも下部電極2、圧電薄膜3、上部電極4が順次積層された圧電薄膜素子において、基板表面に連続的なステップ構造5を有し、そのステップ構造5のテラス幅wの平均が0.5nm以上、且つ10nm以下である構造とする。 - 特許庁

The apparatus body 1 is suspendedly supported by using a suspension bolt B fixed to a ceiling surface and suspended from the ceiling surface, a support nut N threaded with the suspension bolt B, and a support washer W in which the suspension bolt B is inserted and which is supported by the support nut N.例文帳に追加

器具本体1は、天井面に対して固定され天井面より垂下された吊下げボルトBと、吊下げボルトBに螺合する支持ナットNと、吊下げボルトBが挿通されるとともに支持ナットNによって支持された支持ワッシャWとを用いて吊下げ支持される。 - 特許庁

A winding shaft 3 is installed on a support table 2a via a sliding mechanism, a guide rail 5 is laid on the support table 2a along a direction orthogonal to a winding direction of the rubber sheet material W, in the sliding mechanism, and a sliding base 6 installed with the winding shaft 3 is mounted slidably thereon.例文帳に追加

巻出し軸3は、支持台2a上にスライド機構を介して設置され、スライド機構は、支持台2a上にゴムシート材料Wの巻出し方向と直交する向きにガイドレール5が敷設され、巻出し軸3を設置したスライドベース6が摺動可能に載置される。 - 特許庁

Since generation of waste wire can be avoided by binding a portion We in a vicinity of a tip of a wire W to a terminal T1, any trouble that the waste wire is entwined around a finger 31, a bobbin B or the like can be avoided, and the disposal of the waste wire is unnecessary.例文帳に追加

線材Wの先端近傍Weを端子T1に縛り込んでしまうことにより捨て線が生じることを回避できるため、捨て線がフィンガー31やボビンB等に絡まったりする不具合を回避でき、また捨て線の廃棄処理を不要とすることができる。 - 特許庁

The substrate-treating apparatus comprises a substrate-treating unit 2, having a removing liquid discharging nozzle 21 for discharging a removing liquid toward a substrate W, a temperature regulating mechanism 4 for heating, so that the liquid in a temperature regulating tank 3 turns into a prescribed temperature, and a removing liquid recovering mechanism 5.例文帳に追加

基板処理装置は、基板Wに向けて除去液を吐出する除去液吐出ノズル21を有する基板処理部2と、温度調整槽3内の除去液を所定の温度となるように加熱する温度調整機構4と、除去液回収機構5とを備える。 - 特許庁

The drum-type drying device 1 includes: a cylindrical drum 20 which is rotatably supported and rotates by being wound with a base material W; an engagement part 45 arranged in a lumen S1 of the drum 20; and the heating part 50 having an engaged part 51a which is detachably engaged with the engagement part 45.例文帳に追加

ドラム式乾燥装置1は、回転可能に支持され、基材Wを巻き掛けることで回転する円筒状のドラム部20と、ドラム部20の内腔S1に配置された係合部45と、係合部45に着脱可能に係合する被係合部51aを有する加熱部50と、を備える。 - 特許庁

Extension piping 2 is connected to an exhaust port 1 for exhausting an atmosphere inside the heater unit 30 and vacuum-chucking the wafer W to the susceptor 20 and is extended to the inside of the heater unit 30, in order to prevent the atmosphere near the heater heated by the heater 32 from being transmitted to the rotation mechanism 70.例文帳に追加

ヒータユニット30内の雰囲気を排気してウェハWをサセプタ20に真空吸着するための排気ポート1に、ヒータ32により加熱されたヒータ近傍の雰囲気が、回転機構70に伝わるのを防止するに、延長配管2を接続してヒータユニット30内まで延在させている。 - 特許庁

In a second process for laser spot welding, the welding points W of the welding materials (12, 14) are irradiated by converging a pulse laser beam LBb for laser beam welding from the reverse side (above) of the stainless steel plate 14, and the stainless steel plate 14 and the steel plate 12 are welded by the energy of the pulse laser beam LBb.例文帳に追加

第2工程のレーザスポット溶接工程では、被溶接材(12,14)の溶接ポイントWに対して、ステンレス板14の背後(上方)よりレーザ溶接用のパルスレーザ光LBbを集光照射し、ステンレス板14とスチール板12とをパルスレーザ光LBbのエネルギーによって溶接する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the refractory metal material, the refractory metal material is obtained by subjecting an ingot composed of at least either of Mo and W or composed of an alloy containing at least either of them to plastic working at 700-1,700°C so that its cross section becomes noncircular.例文帳に追加

高融点金属材料の製造方法は、Mo,Wのうちの少なくとも一方であるか又は少なくとも一方を含む合金からなるインゴットを、断面が非円形状となるように、700℃〜1700℃の温度範囲内で塑性加工した高融点金属材料を得る。 - 特許庁

A target parking position P2 for vehicle is set, and an enlarged pass region W formed so that a vehicle pass region containing the target park position P2 is enlarged in the direction of the width of the target park region with a given width is set, and a park preparation position can be widened.例文帳に追加

車両Cの目標駐車位置P2を設定し、目標駐車位置P2を含む車両通過領域を、目標駐車領域の幅方向に所定の幅をもって拡大してなる拡大通過領域Wを設定し、駐車準備位置を広くできるようにする。 - 特許庁

When, using silane gas and ammonia gas as raw material gas, a silicon nitride film is formed by an inductively coupled plasma CVD process, film formation is performed in such a manner that effective power calculated by prescribed calculation formula is controlled to 3 to 30 W/sccm to the feed flow rate of the ammonia gas.例文帳に追加

原料ガスとして、シランガスおよびアンモニアガスを用い、誘導結合プラズマCVD法によって窒化珪素膜を成膜するに際し、アンモニアガスの供給流量に対し、所定の計算式で算出される有効パワーを3〜30W/sccmとして成膜を行う。 - 特許庁

Additionally, data W on needle position points along the outline L is created to form stitches along the outline L, and stitches are formed along a straight line M or the like halving the angle of the corner part including the featured point Q1 or the like to form stitches at the corner part including the featured point Q1 or the like in the outline data.例文帳に追加

更に、アウトラインLに沿って針落点のデータWを作成してアウトラインLに沿ってステッチを形成し、また、特徴点Q1等を含む角部の角度を等分する直線M等に沿ってステッチを形成してアウトラインデータ中で特徴点Q1等を含む角部にステッチを形成する。 - 特許庁

By using the regions not excluded as non-usable regions, the CPU calculates an image quality adjustment average brightness Y' ave, i.e. the average brightness of the entire image, with a weighting W in accordance with the locations of the regions reflected thereto, and executes a lightness correction by using the calculated image quality adjustment average brightness Y' ave.例文帳に追加

CPUは、非利用領域を除く領域を用いて、領域の位置に応じた重み付けWを反映して画像全体の輝度平均値である画質調整輝度平均値Y'aveを算出し、算出した画質調整輝度平均値Y'aveを用いて明度補正を実行する。 - 特許庁

The coater 1 is for coating an outside wall W of a building and includes a spray gun 3 having a coating discharge outlet 3a spraying a coating P and at least two laser pointers 7 mounted on the spray gun 3 and radiating laser beams B in the spraying direction D for the coating P.例文帳に追加

建築外壁Wを塗装するために使用する塗装機1であって、塗料Pを噴射する塗料吐出口3aを有するスプレーガン3と、スプレーガン3に搭載され、且つ塗料Pの噴射方向Dに向けてレーザービームBを照射する少なくとも二つのレーザーポインター7と、を備える。 - 特許庁

In the laser beam machining process, the laser beam machining is performed while ions generated with an ion generating device 47 provided on a laser machining device 100 (printed wiring board manufacturing device) are supplied together with an auxiliary wind to the work substrate W and the swarf generated from the substrate during the machining is deelectrified.例文帳に追加

該レーザ加工工程においては、レーザ加工装置100(プリント配線基板製造装置)の備えるイオン発生装置47にて発生させたイオンを補助風とともに、ワーク基板Wに向けて供給し、加工の最中に生じた基板加工屑を徐電しつつレーザ加工を行う。 - 特許庁

A position of a machining means 70 machining the workpiece W is controlled by control data such as a reciprocating amount in an X-axis direction perpendicular to the C-axis, a turning angle around a B-axis perpendicular to the C-axis, and a turning angle around an A-axis perpendicular to the C-axis and the B-axis.例文帳に追加

工作物Wを加工する加工手段70は、C軸と直交するX軸方向の進退移動量、C軸と直交するB軸回りの旋回角度、C軸及びB軸に直交するA軸回りの旋回角度等の制御データによって其の位置が制御される。 - 特許庁

(1) A barrier layer 19 containing the nitride, oxide, carbide or oxynitride of an element α (α is at least one element selected from Sn, In, Zr, Si, Cr, Al, Ta, V, Nb, Mo, W, Ti, Mg and Ge) is disposed between the fourth dielectric layer and the reflecting layer.例文帳に追加

(1)誘電体層と反射層間に元素α(αはSn、In、Zr、Si、Cr、Al、Ta、V、Nb、Mo、W、Ti、Mg、Geのうち少なくとも1元素)の窒化物、あるいは酸化物、あるいは炭化物、あるいは窒酸化物を含むバリア層19を設ける。 - 特許庁

The both tapered transmissive members 3a and 3b are rotated integrally, until a taper slope inclining direction W makes a right angle with a vector V indicating the direction of incline of the gate, and the both tapered transmissive members 3a and 3b are displaced rotationally in their mutually opposite directions so that the gate can be corrected.例文帳に追加

両テーパ状透光部材3a,3bをそのテーパ斜面傾斜方向Wがアオリの傾き方向を示すベクトルVに対して直角をなすまで一体的に回転し、次いで、両テーパ状透光部材3a,3bを互いに逆方向に回転変位させることによりアオリを補正する。 - 特許庁

Thus, when the alignment measurement ends in failure, the alignment measurement is repeatedly performed, so the success rate of the alignment measurement is held excellent, and a frequency of feeding of a semiconductor wafer, not having been subjected to trimming processing, to a next process decreases to improve the yield of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

このように、アライメント計測が失敗した場合に、繰り返しアライメント計測を実行するので、アライメント計測の成功率を良好に保て、トリミング処理が未実施の半導体ウエハWが次工程に移行される頻度が低くなり、半導体ウエハWの歩留まりが向上する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the printing plate, a first process of reforming a printing pattern formation surface of a printing original plate layer by means of the laser engraving (β) of an output less than 100 W and a second process of forming a printing pattern on the printing original plate layer by means of the laser engraving (α) are performed.例文帳に追加

出力が100W未満のレーザー彫刻(β)により、印刷原版層の印刷パターン形成面を改質する第1工程と、レーザー彫刻(α)により前記印刷原版層に印刷パターンを形成する第2工程とを行う印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

The dry distilled gas in the gasifying storage chamber 20 is burned near the primary air hole 60 while being mixed with the primary air by the sucking action of the dust collecting chimney, and the primary air oxygen of which is consumed by the burning of the dry distilled gas is used for the incineration of the waste W.例文帳に追加

ガス化貯留室20内の乾留ガスは、集塵煙突の吸引作用により1次空気孔60の近傍で1次空気と混合して燃焼され、該乾留ガスの燃焼により酸素が消費された1次空気が廃棄物Wの燃焼に供される。 - 特許庁

In the formula, U, V, W, X, Y and Z represent the same or a different ligand which does not always interconnected, and Cl^-, (CH_3)_2SO or H_2O is suitable as a free radical group for one of them and a fluorescent group is suitable for a detectable marker group.例文帳に追加

式中のU、V、W、X、Y、Zは同一あるいは異なった必ずしも互に結合している必要のないリガンドを表わし、その中の一つはCl^-、(CH_3)_2SOまたはH_2Oが遊離基として適切であり、一方検出可能なマーカー基としては蛍光基が適する。 - 特許庁

By this, even when an anomaly occurs in a tension meter 34 measuring the tension of the web W, by switching to the system of calculating by the preset load sharing rate, the sharing of the load between the bridle rollers A and B does not deviate from an actual sharing of the load between the bridle rollers A and B.例文帳に追加

これにより、ウェブWの張力を測定する張力計34に異常が発生しても、予め設定された負荷分担率で算出する方式に切替えることで、ブライドルローラA、Bの負荷分担が、実際のブライドルローラA、Bの負荷分担と大きくズレることがなくなる。 - 特許庁

To provide a universal and low-cost hanger that can position and hang a workpiece W as a vehicle body component member around a front door opening without a clamp member and is adaptable to a change in the type of the workpiece without a positional adjustment to a hook member for hanging the workpiece.例文帳に追加

フロントドア開口部周りの車体構成部材から成るワークWをクランプ部材を用いずに位置決めして吊持し得るようにすると共に、ワークを吊持するフック部材の位置を調整せずにワークの機種変更に対処し得るようにした汎用性の有る低コストのハンガーを提供する。 - 特許庁

In this case, the first grooves 61, 61, and the like can pile up the abrasive and has width d1 for discharging cutting rubbish, without scratching the surface to be polished on a substrate W, and the second grooves 62, 62, and the like have width d2 for giving appropriate flexibility to the polishing pad 53.例文帳に追加

ここで、第1溝61,61,…は研磨剤を滞留でき、且つ基板Wの被研磨面を傷つけずに削り屑を排出できるだけの幅d1を有するようにし、第2溝62,62,…は研磨パッド53に適当な可撓性を与えることができるだけの幅d2を有するようにする。 - 特許庁

Then, the fine silica 16 dispersed into the circulating water W floats up stain such as scale in piping, so as to remove the same, further, the inside face of the piping made into a clean state is coated with the borax 15, and the new sticking of stain such as scale can be prevented.例文帳に追加

そして、循環水Wに分散された微細なシリカ16が配管のスケールなどの汚れを浮き上がらせて除去するとともに、清浄な状態になった配管内面にホウ砂15がコーティングされて、新たなスケールなどの汚れの付着を防止することができる。 - 特許庁

A separation distance between the gas distribution plate 13 and the annular holder 16 is set such that a film forming gas 21 which flows downward from the gas supply port 12 through the gas distribution plate 13 is in a laminar flow state on a surface of the semiconductor wafer W or a surface of the annular holder 16.例文帳に追加

ガス整流板13と環状ホルダー16の離間距離は、ガス供給口12からガス整流板13を通り流下する成膜用ガス21が半導体ウェーハW面上あるいは環状ホルダー16面上で整流状態になるように設定されている。 - 特許庁

A compound layer comprising at least one among nitrides, carbonitrides and carbides of at least one element selected from metal elements of IVa, Va and VIa groups in the periodic table and a metal layer containing at least one selected from Al, Zn, W, Fe and Mo are alternately laminated.例文帳に追加

周期律表IVa、Va、VIa族金属元素から選択される1種以上の元素の窒化物、炭窒化物、および炭化物のうち少なくとも1種からなる化合物層と、Al、Zn、W、Fe、Moから選択される1種以上を含む金属層を交互に積層する。 - 特許庁

The STTD functional test system measures first and second transmission data 9a, 9b integrated in first and second W-CDMA signals 14a, 14b outputted from first and second antennas 2a, 2b of the base station 1a and respectively displays the measured data on a display apparatus 43 as first and second code data.例文帳に追加

基地局1aの第1、第2アンテナ2a、2bから出力される第1、第2のW−CDMA信号14a、14bに組込まれた第1、第2送信データ9a、9bを、測定してそれぞれ第1コードデータ、第2コードデータとして表示器43に表示する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 10 is further equipped with a pressure supervisory unit 50, providing: a tube passage 51 for pressure measurement whose one end is opened in a clearance at a position facing to a center section Wa of the substrate W; and a pressure sensor 53 coupled to the other end of the tube passage 51 for pressure measurement.例文帳に追加

基板処理装置10は、基板の中央部Waに対面する位置において隙間にその一端が開放された圧力測定用管路51と、圧力測定用管路の他端に連結された圧力センサ53と、を有する圧力監視装置50を、さらに備える。 - 特許庁

In the active driving type pixel structure equipped with the control TFT (Tr1), driving TFT (Tr2), and charge holding capacitor C1, one end of a dummy load W for inspection is connected to the drain of the driving TFT and the other end of the dummy load is connected to a line 3 for inspection.例文帳に追加

制御用TFT(Tr1)、駆動用TFT(Tr2)と、電荷保持用コンデンサC1 とを備えたアクティブ駆動型画素構造において、駆動用TFTのドレインに検査用ダミー負荷Wの一端が接続されると共に、当該ダミー負荷の他端は検査用ライン3に接続されている。 - 特許庁

A sheet-shaped ceiling material with emissivity of 0.3 to 0.6 measured in conformity with JIS A 1432 (simplified measuring method for the emissivity by infrared radiation thermometer) is characteristically applied at least to the whole surface of a plate-shaped member with the heat transfer coefficient of less than 0.2 W/mK (at 25°C).例文帳に追加

JIS A 1432(赤外線放射温度計による放射率の簡易測定方法)により測定した放射率が0.3〜0.6であるシート状材料が、熱伝導率0.2W/mK(at25℃)以下の板状物の少なくとも一面に設けられていることを特徴とする天井材。 - 特許庁

A camera 61 obtains information (X, Y and θ) on an X-axis position X and a Y-axis position Y in a work inspection region R and a rotation angle θ around an axis vertical to an X-Y plane for a tool and a workpiece W on the working inspection region by imaging them.例文帳に追加

カメラ61が、加工検査領域RにおけるX軸位置X及びY軸位置Y並びにX−Y面に垂直の軸の回りの回転角θに関する情報(X,Y,θ)を工具と加工検査領域上のワークWについてこれらを撮影して求める。 - 特許庁

例文

In addition to washing means 40 and 50 for washing the surface of the semiconductor substrate W, a washing means 70 for washing the inner wall 21 of the washing cup 20 with the cleaning liquid, and a washing means 80 for washing the inner wall 31 of the washing tub 30 with the cleaning liquid, are also provided.例文帳に追加

半導体基板Wの表面を洗浄する洗浄手段40,50の他に、洗浄カップ20の内壁21を洗浄液で洗浄する洗浄手段70と洗浄槽30の内壁31を洗浄液で洗浄する洗浄手段80とを設ける。 - 特許庁




  
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