「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(215ページ目) - Weblio英語例文検索

The production method for synthesizing metal nanoparticles using a solution composed of a metal salt by a liquid phase process is characterized in that a precursor is previously prepared, and is continuously transported to a reaction field, and is irradiated with supersonic waves in which irradiation energy at a supersonic irradiation cell in the reaction field is 10 to 1,000 W/ml, thus metal nanoparticles are synthesized.例文帳に追加

液相法により金属塩からなる溶液を用いて金属ナノ粒子を合成する製造方法において、あらかじめプレカーサーを調製し、該プレカーサーを連続的に反応場に輸送して、反応場の超音波照射セルでの照射エネルギーが１０〜１０００Ｗ／ｍｌの超音波を照射することにより、金属ナノ粒子を合成することを特徴とする金属ナノ粒子の製造方法である。 - 特許庁

In a method for drying lumber by dielectric heating wherein drying treatment is applied to lumber W charged in a drying furnace 2 by applying high frequency, environment for satisfying conditions suppressing discoloration of a surface and a surface crack of the lumber is generated in a drying furnace 2 as a drying environment-generating means for generating environment for drying the lumber, and drying treatment is applied under this environment.例文帳に追加

乾燥炉２に装填された木材Ｗに高周波を印加することによる誘電加熱で乾燥処理を施す木材の乾燥方法において、木材乾燥環境を生成させる乾燥環境生成手段に、木材の表面の変色および表面割れを抑制する条件を満たす環境を乾燥炉２内に生成させ、この環境下で乾燥処理を施すようにしている。 - 特許庁

A fluid penetration process for holding the porous member W having the organic substance in a bonded and infiltrated state in a supercritical or subcritical fluid for a definite time in a washing container 5 and a pressure reducing process for discharging a fluid from the washing container 5 to rapidly lower the internal pressure of the washing container 5 to a pressure not more than supercritical or subcritical pressure are respectively performed at least once.例文帳に追加

有機性物質を付着、含浸した多孔質部材Ｗを、洗浄容器５内において一定時間超臨界または亜臨界流体中に保持する流体浸透工程と、洗浄容器５から流体を排出して当該洗浄容器５内を超臨界または亜臨界以下の圧力まで急速降下させる減圧工程とを、少なくとも１回行うことを特徴とする。 - 特許庁

In this discharge lamp of 140 W or less provided with a pair of tungsten electrodes oppositely arranged in a discharge vessel composed of a nonconductive material, and a blocking-up body arranged for airtightly sealing the discharge vessel, and sealing a light emitting substance in the airtightly sealed discharge space, the content unit volume of the discharge space is set to 15 mm3 to 60 mm3.例文帳に追加

非電導性材料からなる放電容器内に対向配置された一対のタングステン電極と、前記放電容器を気密封止するために配設された閉塞体とを具備し、前記気密封止される放電スペース内に、発光物質を封入した１４０Ｗ以下の放電ランプであって、前記放電スペースの内容積を１５ｍｍ^3〜６０ｍｍ^3としたことを特徴とした放電ランプとする。 - 特許庁

In the method of analyzing heat in a sample 30 to be inspected stored in the sample vessel 60 by heating or cooling the sample vessel 60 by raising or lowering temperature of the sample 30, the gap in the sample vessel for storing the sample is filled with a non-oxide filler 70 made of non-oxide ceramics having heat conductivity (W/m K) lower than that of the oxide ceramics.例文帳に追加

本発明によって提供される熱分析方法は、試料容器６０を加熱または冷却することによって該容器の内部に収容した被検試料３０を昇温または降温させて該試料の熱分析を行う方法であって、上記被検試料を収容した上記試料容器内の空隙を熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）が酸化物セラミックスよりも高い非酸化物セラミックスから成る非酸化物フィラー７０によって充填することを特徴とする。 - 特許庁

A cleaning liquid is supplied between the upper surface Wa of a wafer W rotated around the rotary axis R of the wafer and the substrate opposite surface WF opposed thereto from a nozzle N having a tip part NS in the substrate opposite surface WF and a vibration disk VF provided in the substrate opposite surface WF imparts ultrasonic vibration to the cleaning liquid.例文帳に追加

ウエハの回転軸Ｒを中心として回転させられているウエハＷの上面Ｗａとこれに対向する基板対向面ＷＦとの間に、基板対向面ＷＦ内に先端部ＮＳを有するノズルＮが洗浄液を供給するとともに、この洗浄液に対して、基板対向面ＷＦ内に設けられた振動面ＶＦが超音波振動を付与する。 - 特許庁

Works W of two sheets are held by a work receiving jig 130 and a clamper 132 constituting a clamper mechanism 128, an inert gas is supplied from a gas supply tube 142 through a gas passage 140 formed in the clamper 132 to a P point of a welding part, in this state, by irradiating the work with a laser beam L, efficient and good welding working are made possible.例文帳に追加

２枚のワークＷをクランパ機構１２８を構成するワーク受け治具１３０およびクランパ１３２により挟持し、ガス供給チューブ１４２からクランパ１３２に形成されたガス通路１４０を介して不活性ガスを溶接部位であるＰ点に供給し、その状態においてレーザビームＬを照射することにより、効率的且つ良好な溶接作業を行うことができる。 - 特許庁

In the optical recording medium having a reflection layer, a recording layer containing a dye and a transparent resin layer in this order on a substrate, a barrier layer is provided between the recording layer and the resin layer, a material used for the barrier layer has ≥70 W/(m K) heat conductivity M at 300 K as bulk and the barrier layer has <5 nm film thickness t.例文帳に追加

基板上に、反射層、色素を含む記録層、透明樹脂層を、この順で有する光記録媒体であって、前記記録層と前記樹脂層との間にバリア層を設けるとともに、前記バリア層に用いる材料のバルクとしての３００Ｋでの熱伝導率Ｍが７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、前記バリア層の膜厚ｔが５ｎｍより小さいようにする。 - 特許庁

In the transferring device 1 transferring the fine transfer pattern formed in the mold M to the molding object W, a portion Ma of the mold M formed with the fine transfer pattern is gradually deformed into a convex form compared to an original form of the portion Ma toward the center of the portion Ma, for avoiding transfer defect at the central part of the portion Ma.例文帳に追加

型Ｍに形成されている微細な転写パターンを、被成型品Ｗに転写する転写装置１において、微細な転写パターンが形成されている型Ｍの部位Ｍａを、この部位Ｍａの中央部側での転写不良を回避するために、部位Ｍａの中央に向かうにしたがって、部位Ｍａの本来の形態に比べて徐々に凸になるように変形させる構成である。 - 特許庁

In the manufacturing method of connector terminals, 2N pieces (provided N=1, 2, 3, ...) of rod-shape terminals (21-26) having different total lengths in the order are formed by press punching from a sheet of belt-shape sheet metal W.例文帳に追加

全長が順番に異なる２Ｎ（但し、Ｎ＝１、２、３、・・・）本の棒状の端子（２１〜２６）を、１枚の帯状の板金Ｗからプレス打ち抜きにより成形する際に、板金上にその両側縁に沿って第１キャリア１１と第２キャリア１２を配置し、それらの間を架橋する複数の棒体Ａ１〜Ａ３を、その長さ方向が板金の長手方向Ｘに直交するように配列する。 - 特許庁

The continuous furnace further includes: a discharge duct 7 discharging gas in the cooling zone 21; air supply ducts 5 communicated with the discharge duct 7 and supplying discharge gas discharged by the discharge duct 7 to the heating zones; and air exhaust ducts 6 discharging gas used for heating the workpieces W in the heating zones and partially exposed to inside of the discharge duct 7.例文帳に追加

さらに、冷却ゾーン２１のガスを排出する排出ダクト７と、この排出ダクト７と連通し当該排出ダクト７によって排出された排出ガスを加熱ゾーンへ給気する給気ダクト５と、加熱ゾーンでワークＷを加熱するために用いられたガスを排気すると共に前記排出ダクト７中に一部が露出している排気ダクト６とを備えている。 - 特許庁

A first separation position by the first separation piece 104 of a document stuck to a document separated by the separation roller 102, is arranged on one end side in the direction of a separation roller width W on the outer peripheral surface of the separation roller 102 more than a third separation position on the upstream side in the carrying direction of the document as compared with the third separation position of this document by the third separation piece 108.例文帳に追加

分離ローラ１０２によって分離された原稿に付着した原稿の、第１分離片１０４による第１分離位置は、第３分離片１０８によるこの原稿の第３分離位置と比較して、原稿の搬送方向の上流側で、かつ第３分離位置より、分離ローラ１０２の外周面における分離ローラ幅Ｗの方向の一端側に配置される。 - 特許庁

In the manufacturing of the low alcohol drink containing the highly sweet sweetener or the acesulfame potassium, the high taste low alcohol drink is manufactured in which the stability and acidity of the acesulfame potassium are compatibly attained by adjusting citric acid and malic acid such that the total amount of the acids becomes 0.3 w/v% or less based on the total drink while maintaining pH of the alcohol drink 3.0 or more.例文帳に追加

高甘味度甘味料アセスルファムカリウムを含有する低アルコール飲料の製造において、アルコール飲料のｐＨを３．０以上に維持しつつ、クエン酸及びリンゴ酸を、該酸の合計量が飲料全量に対して、０．３ｗ／ｖ％以下の割合になるよう調整することによりアセスルファムカリウムの安定性と酸味の付与を両立させた高呈味低アルコール飲料を製造する。 - 特許庁

With the optical fiber complex overhead ground wire provided with a spacer 17 with grooves formed along the length direction and optical fibers 16 contained in the grooves 18 of the spacer 17, each groove 18 of the spacer 17 is formed to have an interval between its inner face and the optical fiber 16 in a depth d and a width w within the range of 0.167 to 0.2 mm.例文帳に追加

長手方向に沿って溝が形成されたスペーサ１７と、このスペーサ１７の溝１８の中に収納された光ファイバ１６とを有する光ファイバ複合架空地線において、上記スペーサ１７の溝１８を、この溝１８の内面と上記光ファイバ１６との間に０．１６７ｍｍから０．２ｍｍの範囲内の間隔を隔てるような深さｄ及び幅ｗで形成する。 - 特許庁

The projected isolated part 12a projected from the bottom part of a cavity 13 is provided in a female mold 12 in order to form the window part W of a decorative laminated product to be obtained and the suction of a decorative sheet S by a vacuum suction means is preferentially performed from the vacuum suction groove provided to the root part of the outer peripheral corner part of the projected isolated part.例文帳に追加

雌型１２には、得るべき加飾積層製品の窓部Ｗを形成するための、キャビティ１３底部から突出する凸状孤立部１２ａが設けられており、真空吸引手段による前記絵付シートＳの吸引を、前記凸状孤立部における外周角部の根元部分に設けられた真空吸引用の溝４０から優先的に行うようにされてなる。 - 特許庁

An apparatus washing nozzle 7 makes a reciprocating movement in egg processing direction by a motor 8 and a feed screw 9 while spraying cleaning water W to a pollutant scatter inhibiting cover 12 and the rotating blushes 2 by the commands 11 requiring cleaning, and keeps the hygienic state in good condition by washing down the pollutants adhered on the inner face and rotating blushes 2.例文帳に追加

清浄化要求信号11によって装置洗浄ノズル７は、汚物飛散防止カバー12と回転ブラシ２に向けて洗浄水Ｗを吹き付けつつ、モータ８と送りねじ９によって卵処理方向で往復運動して、鶏卵洗浄装置の内面と回転ブラシ２に付着した汚染物質を洗い流し、鶏卵洗浄装置内の衛生状態を良好に保つ。 - 特許庁

In this measuring device of the mass flow rate equipped with the measuring tube 1, and the magnet coil 7 having a bobbin 9 and winding 10 mounted thereon, for exciting vibration in the measuring tube 1 and detecting the vibration of the measuring tube 1 generated thereby, the bobbin 9 of the magnet coil 7 has a thermal conductivity of at least 1 W/(Km).例文帳に追加

本願発明は、測定チューブ（１）及びボビン（９）及びそれに装着される巻線（１０）を有するマグネットコイル（７）を具備し、測定チューブ（１）に振動を励起し、それによる測定チューブ（１）の振動を検出する質量流量の測定装置において、前記マグネットコイル（７）のボビン（９）が、少なくとも１Ｗ／（Ｋｍ）の熱伝導率を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

A rotor rotating mechanism 27 and an attitude converting mechanism 28 are raised by a Z-axis linear driving mechanism 29, so that a connection point P may move to a position P2, in such a state that a wafer W is held in a rotor 34.例文帳に追加

ウエハＷがロータ３４に収納された状態で、Ｚ軸リニア駆動機構２９により、ロータ回転機構２７および姿勢変換機構２８を連結点Ｐが位置Ｐ２に移動するように上昇させ、位置Ｐ２においては、姿勢変換機構２８を動作させて、ウエハＷが水平保持から垂直保持の状態になるようにロータ回転機構２７全体を９０°回転させ、横姿勢の状態とする。 - 特許庁

In making judgement of the irradiation state of each flash lamp by the intensity ratio between the light intensity illuminated from a plurality of flash lamps in flash heating a semiconductor wafer W and the standard illuminating intensity, as the variations of the intensity raio can be suppressed, the irraiation state of the flash lamp can be precisely obtained.例文帳に追加

そのため、標準発光強度と半導体ウェハーＷへのフラッシュ加熱を行うときの複数のフラッシュランプのそれぞれから出射される光の強度と標準発光強度との強度比によって各フラッシュランプの照射状態を判断する場合、強度比のバラツキを抑制することができるため、フラッシュランプの照射状態を正確に把握することができる。 - 特許庁

In this sample introduction device 3, switching from introduction of the sample solution S to introduction of cleaning liquid W is performed at the point of time retroactive as long as a time required for the sample solution S to reach a mass analyzer 2 from a sample container 4 on the basis of the analysis finish point of time operated based on an analysis condition in the ICP mass analyzer 2.例文帳に追加

試料導入装置３によれば、試料溶液Ｓの導入から洗浄液Ｗの導入への切り替えは、ＩＣＰ質量分析装置２における分析条件に基づいて演算された分析終了時点を基準として、試料溶液Ｓが試料容器４から質量分析装置２に達するのに要する時間を遡った時点において行われる。 - 特許庁

When a traveling object 2 crosses a pedestrian crossing marking 20, a traveling tab 10 executes communication in a non-contact system through any one of a plurality of antenna elements 23 integrally formed with the pedestrian crossing marking 20, and executes data communication with an R/W unit to which the antenna element 23 is connected, and which is stored in a signal control board 30.例文帳に追加

移動体２が横断歩道標示２０を横断する際、移動タグ１０は、横断歩道標示２０に一体となって形成される複数のアンテナ素子２３のうち少なくともいずれか１つを介して非接触方式による通信を行い、そのアンテナ素子２３が接続され信号機制御盤３０に収容されるＲ／Ｗユニットとの間でデータ通信を行う。 - 特許庁

This W/O emulsion type flame-retardant hydraulic fluid is the one prepared by dispersing water in a base oil by using a surfactant, and contains a thiadiazole derivative whose both carbons in the this diazole skeleton are substituted with a 1-4S sulfide group of polysulfide group having a 5-30C hydrocarbon group.例文帳に追加

基油に界面活性剤を用いて水を分散させてなるＷ／Ｏエマルション型難燃性油圧作動油において、チアジアゾール骨格中において両炭素で炭素数５〜３０の炭化水素基を有する１〜４個の硫黄からなるスルフィド基又はポリスルフィド基により置換されたチアジアゾール誘導体を含有することをからなるＷ／Ｏエマルション型難燃性油圧作動油。 - 特許庁

This manufacturing method of this conical structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition includes processes of: arranging a silicon substrate in a plasma generation region; introducing a mixture gas of methane gas and hydrogen gas in the plasma generation region; generating plasma by microwave power lower than 400 W; and applying a bias voltage of -120 to -50 V to the silicon substrate.例文帳に追加

プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に—１２０Ｖを超え—５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。 - 特許庁

In the oxidation method for oxidating the surface of a treating body W set to a specific temperature in a process envelop 8, an oxidizing gas composed of oxygen and/or ozone and a reduction gas composed of hydrogen and/or heavy hydrogen are supplied under the vacuum atmosphere (excluding a combination of oxygen and hydrogen), and the oxidation is made by a hydroxyl group active species and an oxygen active species generated.例文帳に追加

処理容器８内にて所定の温度になされた被処理体Ｗの表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスと水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスとを供給し（酸素と水素のみの組み合わせを除く）、発生した水酸基活性種と酸素活性種とにより前記酸化を行なう。 - 特許庁

The oligonucleotides have at least one cationic internucleoside linkage having structure I, wherein W, X, Y, Z, R^1, R^2, and R^3 are as defined in the present specification, P* represents an asymmetric phosphorus atom capable of existing in two distinct stereoisomeric configurations, and further wherein the linkage is stereouniform.例文帳に追加

以下の構造（Ｉ）：を有する少なくとも１つのカチオン性ヌクレオシド間結合を有するオリゴヌクレオチドであって、ここで、Ｗ、ＸおよびＹ、Ｚ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、本明細書中に規定されるとおりであり、Ｐ^＊は２つの異なる立体異性体的配置で存在し得る不斉的なリン原子を表し、そして、さらに結合は立体的に均一である、オリゴヌクレオチド。 - 特許庁

A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.例文帳に追加

本発明のＭＯＳＦＥＴダイ１００は、ＰＳＧ等からなる層間絶縁膜３に設けれられたコンタクトホール４内に形成されたＷからなる埋め込み電極部１０２と、その上に形成されたＡｌからなる下層電極層５と、その上に形成されたＴｉ層，Ｎｉ層，Ａｇ層の積層体からなる上層電極層６とを備えたソース電極１０１を有している。 - 特許庁

The label attaching device 4 comprises a supply part 7 for a strip-like sheet Q wound in a roll, a feeding mechanism 8 for continuously supplying the sheet Q and an attaching part 9 for separating a label R in a predetermined size attached to one side face of the mount Qa of the sheet Q and for attaching the adhesive face Rx of the same to the end Wa of the member W.例文帳に追加

ラベル貼付け装置４は、ロール状に巻取られた帯状シートＱの供給部７と、帯状シートＱを連続的に供給する送り機構８と、帯状シートＱの台紙Ｑａの一側面に貼付けられた所定の大きさのラベルＲを剥離させて、その接着面Ｒｘを前記紐状部材Ｗの端末部Ｗａに貼付ける貼付け部９とで構成されている。 - 特許庁

Consequently, the applied liquid supplied to the surface of a plate-like object W to be treated does not collide directly with the inner peripheral wall of the inner cup 3 when the liquid is discharged through the holes formed in an eave-like wall 9, flow passages in the drain introducing pipes 10, and the tips 11 of the pipes 10 with a centrifugal force by integrally rotating the inner cup 3 and tray 7.例文帳に追加

このためインナーカップ３とトレイ７を一体的に回転することで、板状被処理物Ｗの表面に供給された塗布液は遠心力で、庇状壁部９に形成した穴、ドレイン誘導管１０内の流路およびドレイン誘導管１０の先部１１を通って排出される際に、インナーカップ３の内周壁に直接衝突することがない。 - 特許庁

In a first oil pump P1 connected to a wheel W and driven during travelling of a vehicle, the amount of oil to be discharged increases according to the increase in vehicle speed, namely heating value of the lubricating/cooling section of the electric motor M or the like, so that a required and sufficient amount of oil is automatically supplied to the lubricating and cooling section to secure the cooling performance.例文帳に追加

車輪Ｗに接続されて車両の走行時に駆動される第１オイルポンプＰ１は、車速の増加し応じて、即ち電動モータＭ等の潤滑・冷却部の発熱量の増加に応じてオイルの吐出量が増加するので、自動的に必要かつ充分な量のオイルを潤滑・冷却部に供給して冷却性能を確保することができる。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display element having a liquid crystal layer interposed between a pair of substrates having electrodes is characterized in that a reflection film 13 is electrically isolated by slits 13B to be electric insulation parts having gap t and a plurality of stripe-shaped reflection films 13A having width W are provided in the direction parallel to the scanning electrode direction COM-D.例文帳に追加

一対の電極付き基板間に液晶層が挟持された反射型液晶表示素子であって、反射膜１３が間隙ｔを有する電気的絶縁部であるスリット１３Ｂで電気的に分離され、幅Ｗを有するストライプ状反射膜１３Ａが走査電極方向ＣＯＭ−Ｄに平行な方向に、複数設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

In the membrane mask manufacturing method whereby an absorber 14 is formed on a membrane 12, a stress of a lower absorber 14a is adjusted and the thickness of the lower absorber 14a is determined according to a typical pattern size W to reduce the stress distribution in the thickness direction of the absorber 14, thereby obtaining a membrane mask having an absorber pattern formed at a high position accuracy.例文帳に追加

メンブレン１２上に吸収体１４を成膜するメンブレンマスクの製造方法において、下部吸収体１４ａの応力を調整し、下部吸収体１４ａの厚さは代表的パターンサイズＷに対応して決定することによって、吸収体１４の厚さ方向の応力分布を小さくし、吸収体パターンが高位置精度のメンブレンマスクを得る。 - 特許庁

The transparent conductive electrode 29 is a thin film-shaped transparent conductive electrode 29 formed on a surface of a transparent substrate and it is characterized in that a plurality of fine oblong holes 38 each having a length L longer than the longest wavelength of visible light and a width W shorter than the longest wavelength of visible light are formed in the width direction of the fine oblong holes 38 at the same interval.例文帳に追加

本発明の透明導電性電極２９は、透明な基板の表面に形成された薄膜状の透明導電性電極２９であって、長さＬが可視光の最長波長よりも長く、幅Ｗが可視光の最長波長の波長よりも短い微細長孔３８が前記微細長孔３８の幅方向に等間隔で複数個形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Since the rotary holding section 10 is rotated through a motor 20 although the back rinse nozzle 30 is secured to a rear surface scrubber SSR, a bearing 35 is provided in the gap of both members and a magnetic fluid seal 50 is provided closer to the substrate side than the bearing 35 in the gap thus preventing particles generated from the bearing 35 from flowing to the periphery of the substrate W.例文帳に追加

バックリンスノズル３０は裏面スクラバーＳＳＲに固設されたものであるのに対して、回転保持部１０はモータ２０によって回転されるものであるため、両部材の隙間にベアリング３５を設けるとともに、その隙間のベアリング３５よりも基板側に磁性流体シール５０を設け、ベアリング３５から発生したパーティクルが基板Ｗの周辺に流入するのを防止している。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 100 includes a plasma generating means for generating plasma in a chamber 1, a measuring portion 60 for measuring an integrated value of the number of particles of active species in the plasma moving toward a workpiece (wafer W), and a control portion 50 which so controls as to terminate plasma treatment when the measured integrated value of the number of particles has reached a set value.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、チャンバー１内でプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、被処理体（ウエハＷ）へ向けて移動するプラズマ中の活性種の粒子数の積算値を計測する計測部６０と、計測された粒子数の積算値が設定値に達した場合に、プラズマ処理を終了させるように制御する制御部５０と、を備えている。 - 特許庁

Then, by detachably inserting the erected part S213 of the support member S21 to the vertical insertion part 21 and engaging it with the horizontal groove 22, a part is deformed in the direction of narrowing the recessed opening X by a merchandise load W received by the support member S21 or a part is deformed in the direction of spreading the recessed opening X by lifting force F.例文帳に追加

そして、支持部材Ｓ２１の起立部Ｓ２１３をこの縦挿入部２１に着脱可能に挿入するとともに横溝２２に係り合わせることによって、支持部材Ｓ２１が受けた商品荷重Ｗで凹状の開口Ｘを狭める方向に一部を変形させ、或いは持ち上げ力Ｆで凹状の開口Ｘを拡げる方向に一部を変形させるように構成した。 - 特許庁

There is fundamentally provided the alcohol fermentation method comprising adding the ground product of Japanese pepper to an alcohol fermentation raw material and fermenting the alcohol fermentation raw material in a temperature region of 33 to 40°C, characterized by using the pericarp of the Japanese pepper as the Japanese pepper and adding the ground product in an amount of 0.0004 to 0.4% (w/v) dry weight to the alcohol fermentation raw material.例文帳に追加

アルコール発酵原料に、サンショウの粉砕物を添加して３３℃〜４０℃の温度領域で発酵させるアルコール発酵方法であって、サンショウとして、サンショウの果皮を使用するとともに、その粉砕物のアルコール発酵原料に対する添加量を乾物重量として、０．０００４％（ｗ／ｖ）〜０．４％（ｗ／ｖ）添加するアルコール発酵方法を基本として提供する。 - 特許庁

When the second block 2 and the first block 1 are brought in the proximity to each other, the abutting part 60 is pressed by the plug wall W of the plug part 24 to move upward, and the straight inner surface 43 is reduced in diameter and brought into close contact with the outer peripheral surface of the plug part 24 to diametrically position the second block 2 to the first block 1.例文帳に追加

前記第２ブロック２と第１ブロック１とが近接されるときに、前記接当部６０が前記プラグ部２４の前記プラグ壁Ｗによって押動されて上方に移動し、これにより、前記ストレート内面４３が縮径して前記プラグ部２４の外周面に密着して、前記第１ブロック１に対して前記第２ブロック２を前記の直径方向に位置決めする。 - 特許庁

The thickness d2 of a thick portion is made 1.25 times larger than that d1 of other plate portion of the cover 14, and the plane shape of the thick portion 20b is rectangular with a uniform width W in the parallel direction of a semiconductor wafer 1 between parts 18 and 18 to be engaged in the nearly total width of the cover body 20.例文帳に追加

肉厚部の厚さｄ２が、蓋体１４の他の平板部分の厚さｄ１よりも、１．２５倍、厚くなるように、構成されると共に、この肉厚部２０ｂの平面形状が、半導体ウエハ１…の並列方向で、この蓋体本体２０の略全幅で、しかも、被係合部１８，１８間に渡り、一定の幅Ｗを有する長方形面状を呈して、構成されている。 - 特許庁

Furthermore, a semiconductor wafer W is disposed in a vertical hermetic process tube 1 and is heated by a first heater 2, provided outside an outer periphery of the process tube 1; and the sublimation gas is then introduced from an introduction port 1a which is provided in a part to be heated by the first heater 2 of the process tube 1 at heating and is connected hermetically to the heating tube 3.例文帳に追加

さらに、縦型の密閉可能なプロセスチューブ１内に半導体ウェハＷを配置して、そのプロセスチューブ１の外周外方に設けた第１のヒータ２で加熱するとともに、その加熱時に、プロセスチューブ１の第１のヒータ２によって加熱される部分に設けられ、上記加熱チューブ３を気密に連結された導入口１ａから上記昇華ガスを導入する。 - 特許庁

A stator core manufacturing device 10 is equipped with a core material 1 composed of a central fixing part 11 and a mobile part 12 around it, and clearance C for a work to be wound around next is made by relatively shifting the mobile part 12 in the axial direction of the core material 1 to the fixing part 11 in such a posture that a work W is wound around the mobile part 12.例文帳に追加

ステータコアの製造装置１０は、中央の固定部１１と、その外周の可動部１２とから構成される芯材１を備えており、ワークＷが可動部１２まわりに巻き回された姿勢で、固定部１１に対して可動部１２を芯材１の軸心方向に相対的に移動させることにより、次に巻き回されるワーク用のクリアランスＣが形成されるように構成されている。 - 特許庁

In the method for vertically supporting the roof tiles at intervals of a specified gap on a roof tile mounting part of the roof tile firing carriage utilizing one end face thereof, the roof tiles W are mounted so as to be inclinable to one direction and approximately vertically supported so that weight of the tiles at a time of inclined states is always born in an inclined direction of the tiles.例文帳に追加

瓦焼成台車の瓦載置部に対し瓦をその一方端面を利用して所定の間隔をおいて起立状態で支持する方法であって、瓦Ｗを一方向への傾倒可能に載置するとともに、該瓦Ｗの傾倒方向で常にその瓦Ｗの傾倒時の自重が付与されるように受承しながら該瓦Ｗをほぼ垂直状態で支持するものである。 - 特許庁

In the preliminary weighing mode, the device obtains increase quantities of weighed values W from feed stop as a first fall value wa and a second fall value wb in a time when the device stops from large feed operation of a large feed speed of the powder and granular material with the screw feeder 13 and another time when the device stops from a small feed operation of a small feed speed, respectively.例文帳に追加

予備計量モードでは、スクリューフィーダ１３による粉粒体の供給速度が大きい大供給運転から供給停止したときと、この供給速度が小さい小供給運転から供給停止したときのそれぞれにおける、供給停止からの計量値Ｗの増加量を、第１落差値ｗａおよび第２落差値ｗｂとして求める。 - 特許庁

A dq-three phase individual converters 85 perform a conversion process individually for every phase, and converts a d-axis voltage command value Vd and a q-axis voltage command value Vq in dq coordinates into a U-phase ac voltage command value Vu, a V-phase ac voltage command value Vv and a W-phase ac voltage command value Vw in the three-phase ac coordinates of static coordinates.例文帳に追加

ｄｑ−３相個別変換部８５は各相毎に個別に変換処理を行い、ｄｑ座標上でのｄ軸電圧指令値Ｖｄ及びｑ軸電圧指令値Ｖｑを、静止座標である３相交流座標上でのＵ相交流電圧指令値Ｖｕ及びＶ相交流電圧指令値Ｖｖ及びＷ相交流電圧指令値Ｖｗに変換する。 - 特許庁

In the thin film deposition by the sputtering method using the ceramic target, the temperature T of cooling water for circulating near the target to suppress temperature rise due to the heat generation of the target is set to 300 K≤T≤360 K and ≥4 W/cm^2 sputtering power is applied in this condition.例文帳に追加

セラミックターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、上記ターゲットの発熱による温度上昇を抑えるために上記ターゲットの近傍に循環させる冷却水の温度Ｔを３００Ｋ≦Ｔ≦３６０Ｋに設定し、この状態で上記ターゲットの面積当り４Ｗ／cm^2 以上のスパッタリング電力を印加することを特徴とする薄膜の成膜方法。 - 特許庁

In the exposure/development treatment method, by which the surface of a semiconductor wafer W with laminated protective films on the surface of a resist layer is exposed, in a state where a light-transparent liquid layer has been formed, and then the surface of the exposed semiconductor wafer is developed; the surface of the semiconductor wafer is cleaned using cleaning liquid which consists of solvent of protective films.例文帳に追加

レジスト層の表面に保護膜が積層された半導体ウエハＷの表面に、光を透過する液層を形成した状態で半導体ウエハの表面を露光した後、露光された半導体ウエハの表面を現像する露光・現像処理方法において、露光後の現像前に、半導体ウエハの表面を、保護膜の溶媒からなる洗浄液により洗浄する。 - 特許庁