「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(218ページ目) - Weblio英語例文検索

When a valve V1 is opened after apertures 11 and 12 are shut with a shutter 13, hot water supplied from a liquid supply source WP is continuously sprayed to a component W (herein, an object to be washed) fixed in a chuck 20 through fine holes 31e and 31f as well as fine holes 31g and 31h.例文帳に追加

シャッター１３により開口１１，１２を遮蔽した後、バルブＶ１を開放すると、チャック２０に固定された部品Ｗ（ここでは洗浄物）に対して、細孔３１ｅ、３１ｆと細孔３１ｇ、３１ｈを介して、液体供給源ＷＰから供給された温水が連続的に噴射される。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

A moving target position W at which reading light of the pickup 4 is located is set at an area that is further an inner circumferential side from a second recording area 3F adjacent to an inner circumferential side of a first recording area 3G in playing a DVD-RW1, and the first recording area 3G is crossed with traverse seek S.例文帳に追加

ＤＶＤ−ＲＷ１を再生するにあたり、第１の記録領域3Gの内周側に隣接する第２の記録領域3Fよりさらに内周側の領域にピックアップ４の読取光が位置付けされる移動目標位置Ｗを設定し、第１の記録領域3GをトラバースシークＳで横切るようにする。 - 特許庁

By making a width dimension (w) of the tip of a discharge electrode (13) relatively shorter than a spacing dimension (L) between the tip of the discharge electrode (13) and a counter electrode (14), frequency of the sound at the streamer discharge is made a high frequency, and hard to be caught by human acoustic sense, and noises in the streamer discharge are reduced.例文帳に追加

放電電極(13)の先端の幅寸法(ｗ)を、上記放電電極(13)の先端と対向電極(14)との間の間隔寸法(Ｌ)よりも相対的に短くすることで、ストリーマ放電時の音の周波数を高周波化させ、人間の聴覚に捕らえにくくし、ストリーマ放電時の騒音を低減するようする。 - 特許庁

The loading plate 55 is provided with: a pair of guide bodies 55 swingingly supported around an axial core X at a posture parallel to the loading plate 55 and nipping a printing medium P from a width direction; and a guide width adjusting mechanism W moving a pair of guide bodies 66 in a separating or approaching direction from/to each other along the width direction.例文帳に追加

載置板５５は、載置板５５に平行姿勢の軸芯Ｘ周りで揺動自在に支持され、プリント媒体Ｐを幅方向から挟み込む一対のガイド体５５と、一対のガイド体６６を幅方向に沿って互いに離間または近接方向に移動させるガイド幅調節機構Ｗとを備えている。 - 特許庁

The brush 34 is constituted by weaving a plurality of pile yarns 37 in a regularly arranged standing condition so as to form a W shape on a base cloth 36 constituted by weaving a plurality of warp yarns and a plurality of weft yarns and bending the base cloth 36 such that free ends of each of pile yarns 37 may turn outside.例文帳に追加

ブラシ３４は、複数のタテ糸と複数のヨコ糸とを織ってなる基布３６上に複数のパイル糸３７がＷ字状をなすように規則的に配列された状態で立つように織り込まれてなり、各パイル糸３７の自由端が外側となるように基布３６を湾曲させてなる。 - 特許庁

This ventilating wall structure is formed to allow a working width W of a vertically laid external wall material A to correspond to the pitch P of skeletons 3 in a wall structure formed with a ventilating passage γ between the external wall material A and wall backing α by mounting the external wall material A provided with a recess A1 on the back face side, to the wall backing α.例文帳に追加

裏面側にくぼみＡ１を設けた縦張り外壁材Ａを壁下地αに取り付けることにより、外壁材Ａと壁下地α間に通気路γを形成した壁構造において、外壁材Ａの働き幅Ｗを躯体３のピッチＰに対応して形成した通気壁構造である。 - 特許庁

In order to prepare an excellent transparent gel composition having good balance between moisture retainability, feeling of use, and preference, while securing stability, each refractive index of a water phase and an oil phase of the W/O type gel-like cosmetic and a difference therebetween, a weight composition ratio therebetween, and each blending amount of a surfactant and a silicone-based elastomer are optimized.例文帳に追加

安定性を確保しつつ、保湿能・使用感・嗜好性のバランスが取れた優れた透明ジェル組成物を調製するために、油中水型ジェル状化粧料の水相と油相の屈折率とその差、及びその重量組成比、さらに界面活性剤とシリコーン系エラストマーの配合量を最適化する。 - 特許庁

Since the dispersion of detection characteristics of the U-phase current detector 4a to the W-phase current detector 4c inclusive are compensated and the current in each phase is determined by the non-interferential filtering part 21, the influence of the current of a phase other than the detecting object is reduced without using a magnetic core, and detection accuracy is improved.例文帳に追加

Ｕ相電流検出器４ａ〜Ｗ相電流検出器４ｃの検出特性のばらつきを補償し、また非干渉化フィルタリング部２１により各相の電流を求めるので、磁気鉄心を用いなくても検出対象外の相の電流の影響が軽減され、検出の精度が向上する。 - 特許庁

When setting an earthquake mode as an operation mode for controlling a transfer operation of a load transfer device having arms 21a and 21b, an opening width B2 of the arms 21a and 21b, when starting an extruding operation is adjusted to coincide with a frontage size A with respect to the one load W stored in a storing part 14 (Fig.6(a)).例文帳に追加

アーム２１ａ，２１ｂを有する荷移載装置の移載動作を制御する動作モードとして地震モードが設定された場合、押出し動作の開始時におけるアーム２１ａ，２１ｂの開き幅Ｂ２を、収納部１４に収納される１つの荷Ｗに対する間口寸法Ａと一致するように調整する（図６（ａ））。 - 特許庁

The counter electrode substrate is made of Al, Cu, Ag, Au or stainless steel, the corrosion resistant conductive layer is made of Ti, Cr, Ni, Nb, Mo, Ru, Rh, Ta, W, In, Pt or hastelloy, and the conductive catalyst layer is made of carbon, Tu, Rh, Pd, Os, Ir, Pt or a conductive polymer.例文帳に追加

対向電極基板はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳの何れか、耐腐食性導電層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｎ、Ｐｔ、ハステロイの何れか、導電性触媒層は、カーボン、Ｔｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、導電性高分子の何れかによってそれぞれ形成される。 - 特許庁

A battery cooling device 10 for a vehicle includes: a battery case 1 housing a battery 2; a cooler 6 arranged inside the battery case 1 and cooling air inside the battery case 1 or the battery 2; and a humidifier 7 fining or vaporizing condensed water W produced in the cooler 6 to discharge inside the battery case 1.例文帳に追加

車両用バッテリ冷却装置１０は、バッテリ２を収容するバッテリケース１と、バッテリケース１内に配置されてバッテリケース１内の空気又はバッテリ２を冷却する冷却器６と、冷却器６で生成された凝縮水Ｗを微細化又は気化してバッテリケース１内に放出する加湿器７と、備える。 - 特許庁

In this application, after nickel hydroxide coated with a cobalt compound is chemically oxidized by an oxidizer, a positive electrode containing an active material containing, as a main constituent, the nickel hydroxide which is reduced by a reducer and formed by adding at least one or more kinds of compound selected from among Co, Zn, Y, Nb and W, is used.例文帳に追加

本発明においては、コバルト化合物で被覆した水酸化ニッケルを酸化剤により化学的に酸化した後に、還元剤により還元した水酸化ニッケルを主体とした活物質を含むとともにＣｏ，Ｚｎ，Ｙ，Ｎｂ，Ｗから選ばれる少なくとも一種以上の化合物を添加した正極を用いるようにしている。 - 特許庁

In the method for producing a press formed article where a work W as a planar metallic material is worked into a cylindrical shape with an inverse shape by hot working or warm working, the inverse shape is worked by blow forming using a laser beam L as a heating means.例文帳に追加

板状の金属材料である被加工部材Ｗを、熱間加工または温間加工によりインバース形状を有する筒状形状に加工するプレス成形品の製造方法であって、前記インバース形状を、レーザビームＬを加熱手段とて使用してブロー成形により加工することを特徴とする。 - 特許庁

A sprayable oil-in-water type emulsion, especially an O/W microemulsion comprises an emulsifying agent having its lipophilic property depending upon pH or temperature and one or more kinds of UV filter substances selected from the group of compounds containing at least two sulfonic acid or sulfonate groups on their molecular main chains.例文帳に追加

その親油性がｐＨ又は温度に依存する乳化剤及び、それらの分子主鎖上に少なくとも２個のスルホン酸又はスルホン酸塩の基を担持する化合物の群からの１種類以上のＵＶフィルター物質を含んでなる、噴霧可能な水中油エマルション、なかでもＯ／Ｗミクロエマルション。 - 特許庁

In the apparatus for retaining the circumference section of a wafer W by a plurality of retention means 80, and supplying the processing liquid to the wafer for processing, supply means 110, 111, and 112 for supplying the processing fluid to the plurality of retention means 80 are provided inside the plurality of retention means 80.例文帳に追加

複数の保持手段８０によって基板Ｗの周縁部を保持し，基板に対して処理液を供給して処理する装置において，前記複数の保持手段８０に対して処理流体を供給する供給手段１１０，１１１，１１２を，前記複数の保持手段８０の内側に備えた。 - 特許庁

The insertion amount of the attenuation filter 101 into the optical path M is adjusted, the wavelength region K of the ultraviolet rays is cut off which enter the predetermined number of the lenses of a plurality of the lens for the integrator 94, and wavelength intensity distribution is adjusted to be proper in the ultraviolet rays finally irradiated to the wafer W.例文帳に追加

そして，減衰フィルタ１０１の光路Ｍに対する挿入量を調整し，インテグレータ９４の複数のレンズのうちの所定数のレンズに入射する紫外線の波長領域Ｋを遮断して，ウェハＷに最終的に照射される紫外線の波長強度分布を適正なものに調整する。 - 特許庁

When the bag W positioned in contact with the stopper 18 is sucked by the suction disk 52 and raised to a transfer position to a subsequent device, an air cylinder 48 is activated simultaneously to swing the ratchet elevating arm 40 upward, thereby raising the guide member 21 and the ratchet wheel 38 together with the suction disk 52.例文帳に追加

ストッパー１８に当接し位置決めされた袋Ｗを吸盤５２で吸着して次装置への受渡し位置に上昇させる際、同時にエアシリンダ４８を作動させて爪車昇降アーム４０を上向きに揺動させ、これによりガイド部材２１と爪車３８を吸盤５２とともに上昇させる。 - 特許庁

Accordingly, chemicals for forming the low permittivity (Low-k) interlayer insulating film coated on a processing substrate W can be heat treated, and temperature fluctuation of the substrate after/before heat treatment can be suppressed within the releasable temperature range of the chemicals to the open air, resulting in moderate treatment without causing excessive reaction.例文帳に追加

これにより、処理基板Ｗに塗布された低誘電率（Low-k）層間絶縁膜を形成するための薬液を加熱処理することが可能となり、また、加熱処理前後における基板温度を薬液の大気開放可能温度域以内に抑えることが可能で、過剰反応になることなく適正な処理が行える。 - 特許庁

This measuring device is constituted of an accelerometer 10 to measure the acceleration α of vertical vibration at one measurement point in a wire W to be measured, a distortion meter 20 to measure the bent distortion ε of a wire surface at the measurement point, and a computing device 30 to compute wave-motion transmitting velocity c.例文帳に追加

測定装置は、測定対象である架線Ｗ上の或る１つの測定点における上下振動の加速度αを計測する加速度計１０、前記測定点における架線表面の曲げ歪みεを計測する歪み計２０、及び波動伝播速度ｃを算出する演算装置３０とから構成されている。 - 特許庁

The heat-conductive sheet 1 comprising plate-like boron nitride particles 2 has a coefficient of thermoconductivity of ≥4 W/m K in the plane direction SD of the heat-conductive sheet 1, and a surface reflectance R to light of wavelength 500 nm of ≥70% on the condition that the surface reflectance of barium sulfate is 100%.例文帳に追加

板状の窒化ホウ素粒子２を含有する熱伝導性シート１であって、熱伝導性シート１の面方向ＳＤの熱伝導率が、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、５００ｎｍの光に対する表面反射率Ｒが、硫酸バリウムの表面反射率を１００％としたときの、７０％以上である。 - 特許庁

This ceramic component for a semiconductor manufacturing equipment is a component to be exposed to a gaseous halogen or its plasma, the constituent ceramic material of which consists of a ceramic sintered body containing rare-earth oxide and has a ≤40 W/m.K thermal conductivity and a ≤80% total emissivity at a temperature in the range of room temperature to 500°C.例文帳に追加

ハロゲンガス或いはそのプラズマに曝される半導体製造装置用セラミックス部品であって、前記部品を構成するセラミックスが希土類酸化物を含むセラミックス焼結体からなり、熱伝導率が40W/m・K以下かつ室温から500℃での全放射率が80%以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックス部品。 - 特許庁

An avoidance device 3 mounted on an electric wheelchair 1 causes both the speed W, designated by the user and inputted from a control part 2 and the situations of nearby obstacles inputted from an object sensor 4 to be stored in the storage part 13 of a learning part 12, and corrects a speed U according to the output to a drive 6.例文帳に追加

電動車椅子１に搭載された回避装置３は、操作部２から入力されるユーザの指示速度Ｗと対物センサ４から入力される周囲の障害物の状況とを、学習部１２の格納部１３に格納し、これに応じて速度Ｕを修正して駆動装置６に出力する。 - 特許庁

In the method, illumination intensity on the surface of a steel material W is set to 4,000 μW/cm^2 or above to make not only a signal level of flaw brightness 4-16 times the dark current of a camera optical part 11 but also a signal level of surface brightness 1.2-1.8 times the dark current.例文帳に追加

本発明の蛍光磁粉探傷方法は、鋼材Ｗ表面における照明強度を４０００μＷ／ｃｍ^２以上として疵輝度の信号レベルをカメラ光学部１１の暗時電流の４倍ないし１６倍とし、地肌輝度の信号レベルを暗時電流の１．２倍ないし１．８倍とするものである。 - 特許庁

An adjusting device 34 for adjusting the fill quantity of hydraulic oil filled in the oil chamber is connected to the hydraulic cylinder 31, for allowing the support member 28 equipped with the upper straightening roll 12 following the variation of the diameter dimension of the straightening material W to be straightened to move towards the elevating member 26.例文帳に追加

油圧シリンダ３１には、矯正時における被矯正材料Ｗの径寸法の変化に追従して上矯正ロール１２を備える支持部材２８が昇降部材２８に対して移動するのを許容するよう油室に充填される作動油の充填量を調整する調整装置３４が接続される。 - 特許庁

This substrate developing device feeds a raw developer and a pure water (treating agent for hydrophilicity impartation) of which flow rates are respectively adjusted by flow rate adjusting valves 9 and 11, to a single nozzle 3, and the developer with a prescribed concentration is supplied onto a substrate W through the nozzle 3, and then the substrate is developed in such a state.例文帳に追加

本発明に係る基板現像装置は、流量調節弁９，１１によって各々流量調整された原現像液と純水（親水化処理液）とを単一のノズル３に送り、ノズル３から所定濃度の現像液を基板Ｗ上に供給して現像液を液盛りし、その状態で現像処理を行う。 - 特許庁

A Co silicide layer 17 is formed as a cap layer in a specified region of a silicon substrate 1 provided with a polymetal gate electrode 9 including tungsten by using a TiN film 16, and the TiN film 16 is wet-etched using an H_2SO_4 solution, for example, so that a TiN/W selection ratio becomes 5 or larger.例文帳に追加

タングステンを含むポリメタルゲート電極９が設けられたシリコン基板１の所定の領域に、キャップ膜としてＴｉＮ膜１６を用いてＣｏシリサイド層１７を形成した後、ＴｉＮ／Ｗ選択比が５以上となるように、ＴｉＮ膜１６に対して例えばＨ_2ＳＯ_4溶液を用いてウェットエッチングを行なう。 - 特許庁

The chamber 30 has a gas introduction port 34a for introducing the processing gas into the chamber so that the processing gas flows approximately in a horizontal direction and a gas ehxaut port 34b for exhausting the processing gas outward, and a stage 33 with proximity pins 44 for supporting the wafer W provided on its surface and an upright wall 33a formed on its rim.例文帳に追加

チャンバ３０は、処理ガスが略水平方向に流れるように処理ガスを内部に導入するガス導入口３４ａおよび処理ガスを外部へ排気するガス排出口３４ｂと、ウエハＷを支持するプロキシミティピン４４が表面に設けられ、周縁に立起壁３３ａが形成されたステージ３３を有する。 - 特許庁

(1) The optical information recording medium has at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, an intermediate layer and a reflective layer in this sequence on a transparent substrate and the intermediate layer comprises materials containing at least one metal selected from Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W, and carbon and oxygen.例文帳に追加

（１）透明な基板上に、少なくとも第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、中間層、反射層をこの順に有し、中間層がＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの金属と炭素及び酸素を含有する材料からなる光情報記録媒体。 - 特許庁

There are provided the reaction force canceling device wherein both a software (hereafter also referred to as 'S/W') vibration control system and a mechanical reaction canceling system are used to further completely damp vibration generated in an acceleration system; the mass body setting method therefor; the reaction force canceling method using therewith; and the dispenser provided therewith.例文帳に追加

ソフトウェア（以下、‘Ｓ／Ｗ’ともいう）振動制御方式と機構的反力相殺方式とを共に使用し、加速システムで発生される振動を、より完全に減衰させることができる反力相殺装置、それの質量体設定方法、それを用いた反力相殺方法及びそれを備えたディスペンサーを提供 - 特許庁

The rotational axis 68 on a normal of a first virtual one plane 46 including the rotational axis 49 of the respective outer peripheral part support rollers 35 and a first virtual one plane passing through the center of the spherical driving wheel 33, is inclined in the directions different with respective driving wheel assemblies W to a normal of a traveling surface 89.例文帳に追加

各外周部支持ローラ３５の回転軸線４９を含む第１の仮想一平面４６、および球状駆動輪３３の中心を通る第１の仮想一平面の法線上の回転軸線６８を走行面８９の法線に対して各駆動輪組立体Ｗ毎に異なる向きに傾斜させる。 - 特許庁

In the tire marking system 1, the main data processing device 20 and at least not less than one tire marking devices 10A, 10B which read the identification mark of an identification plate Z attached to the warehouse rack 2, and engrave the identification sign to the tire W based on the information of the identification mark to be read are connected on line.例文帳に追加

タイヤマーキングシステム１は、庫入れラック２に付設された識別プレートＺの識別記号を読取り、この読取った識別記号の情報に基づき、タイヤＷに識別標識を刻設する少なくとも一台以上のタイヤマーキング装置１０Ａ及び１０Ｂと、メインデータ処理装置２０とがオンラインで接続されている。 - 特許庁

Since resistors 7 having resistance values of about 10 MΩ are provided in the courses of the conductors 16 of the pins 8 and 17, respectively, the flow of excessively large currents and, accordingly, the occurrence of sparks can be prevented when the wafer W and the wafer cassette 6 come into contact with the pins 8 and 17, respectively.例文帳に追加

ウエハ支持ピン８及びピン１７の接地導線１６の途中に、１０ＭΩ程度の抵抗値を有する抵抗器７を設けることで、ウエハＷとウエハ支持ピン８、バッファ用ウエハカセット６とカセット取出用ピン１７がそれぞれ接触した際に過大な電流が流れるのを防止し、スパークの発生を防ぐ。 - 特許庁

The body 3 of this jig is furnished with three clamp devices 4, 5, 6 each having a clamp arm whereto a tip 11 having a hemispherical forefront is attached, and a displacing means 8 is installed to displace at least one of the clamp devices 6 in the direction to the front and rear of a work W.例文帳に追加

治具本体３に３つのクランプ装置４、５、６を設け、それら３つのクランプ装置４、５、６のクランプアームに先端が半球面に形成されているチップ１１を取付けると共に、３つのクランプ装置４、５、６のうち少なくとも１つのクランプ装置６をワークＷ前後方向に変位させる変位手段８を設ける。 - 特許庁

Especially, the metallized layer (11) is constituted of a metallic phase containing Mo or W and a metal oxide phase composed of an oxide of Si and one or more kinds of the metal oxides selected from Mg, Al, Ti, and Mn and the ratio of the metal oxide phase occupying in the metallized layer (11) is 20 to 50vol.%.例文帳に追加

特に、メタライズ層（１１）は、Ｍｏ又はＷを含む金属相と、Ｓｉの酸化物及びＭｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎから選ばれる１種以上の金属酸化物からなる金属酸化物相とから構成されており、しかも、メタライズ層（１１）中に占める金属酸化物相の割合が、２０〜５０体積％である。 - 特許庁

The lower fork 4 is mounted on the rectangular parallelepiped product W carrying in and out by the carrying conveyor 1 so as to be advanced and retreated between the engaged position and the retreated position.例文帳に追加

上下フォーク３，４を支持するフォーク支持体５と、このフォーク支持体を前記上下フォークと一体に回動自在に支持する反転部支持体６とで構成し、下側のフォーク４を、移送コンベア１で搬入搬出される直方体製品Ｗに対して係合位置と退避位置とに前記フォーク支持体５に進退移動可能に取付けた。 - 特許庁

Since the temperature of the buffer space B is raised by radiant heat of a plate 10 having the temperature raised by a heating part 40, the processing gas is heated by receiving the radiant heat from the plate 10 while flowing in the buffer space B, and the processing gas having had the temperature by heating is discharged toward the substrate W from a discharge port 811.例文帳に追加

バッファ空間Ｂは、加熱部４０により昇温されたプレート１０の輻射熱によって昇温しているので、バッファ空間Ｂ内を流れる間に処理ガスはプレート１０からの輻射熱を受けて加熱され、加熱により昇温した処理ガスが吐出口８１１から基板Ｗに向けて吐出されることになる。 - 特許庁

A sheet like structure has: multiple linear structures 12 of carbon elements; a filling layer 16 filling gaps between the linear structures and holding the multiple linear structures 12; and coats 14 formed in at least one end parts of the multiple linear structures 12 and having heat conductivity of 0.1 W/m K or higher.例文帳に追加

複数の炭素元素の線状構造体１２と、線状構造体１２間の間隙に充填され、複数の線状構造体１２を保持する充填層１６と、複数の線状構造体１２の少なくとも一方の端部に形成され、０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する１４とを有する。 - 特許庁

Each DLC layer D is composed of a metal layer M consisting of two or more elements selected among Cr, W, Ti, Si, Ni, and Fe, a composite layer F consisting of the named metals and carbon, and a carbon layer C consisting of carbon, in such an arrangement as C, F, and M from the obverse surface.例文帳に追加

ＤＬＣ層Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，及びＦｅのうちの２種以上の金属からなる金属層Ｍと、前記金属及び炭素からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層は表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。 - 特許庁

A melt R of the binder, which is based on a mixture obtained by mixing a phenolic resin precondensate with the thermoplastic resin containing an acrylonitrile/styrene/butadiene resin, is mixed with woody materials W while discharged in a yarn like state from the nozzle orifice 4 of a die 3 and the resulting mixture is molded into a predetermined shape by press molding.例文帳に追加

アクリロニトリル−スチレン−ブタジエン樹脂を含む熱可塑性樹脂にフェノール系樹脂初期縮合物を混合した混合物を主体とする結着剤の溶融物Ｒをダイ３のノズル孔４から糸状に吐出させつゝ木質材料Ｗに混合し、プレス成形により所定形状に成形する。 - 特許庁

In the heat treat furnace 2 for heating and treating a treated object W, each of a ceiling section 5c, a floor section 5d, and sidewalls 5a and 5b of the furnace body 5 comprises a metallic furnace shell layer 31, an insulating layer 32 disposed inside the furnace shell layer 31, and a ceramic fiber layer 33 disposed inside the insulating layer 32.例文帳に追加

被処理体Ｗを加熱して処理する熱処理炉２において，炉体５の天井部５ｃ，床部５ｄ，及び，側壁５ａ，５ｂを，金属製の炉殻層３１と，前記炉殻層３１の内側に設けた断熱層３２と，前記断熱層３２の内側に設けたセラミックファイバー層３３とによって構成した。 - 特許庁

In the control method, the operation of the carrying robot is controlled so as not to cause carrying parts 36, 38, etc. of the carrying robot and metal molds 19 of press machines to interfere with each other when carrying the workpiece w between adjacent press machines out of a plurality of linearly arranged press machines 10-1A, 10-1B, ... by the carrying robot 30.例文帳に追加

ライン状に配置された複数のプレス機械１０−１Ａ、１０−１Ｂ・・のうち隣接するプレス機械間でワークｗを搬送ロボット３０で搬送するに際し、搬送ロボットの搬送部３６、３８等とプレス機械の金型１９とが干渉しないように搬送ロボットの作動を制御する制御方法に関する。 - 特許庁

The cool-down step is a process wherein Ar gas of the flow rate of 400-800 sccm is introduced into the plasma etching device for 80 seconds or more, and the pressure in the etching device is made at 200-300 mTorr, and high-frequency voltage of 150 W or less is applied to an upper electrode and a lower electrode, respectively.例文帳に追加

クールダウンステップは、プラズマエッチング装置内に４００sccm以上８００sccm以下の流量のＡｒガスを８０秒間以上導入し、エッチング装置内の圧力を２００ｍTorr以上３００ｍTorr以下にし、上部電極及び下部電極それぞれに１５０Ｗ以下の高周波電圧を印加する工程である。 - 特許庁

The coating method of the viscous fluid S consists of coating, in the shape of line, the viscous fluid S discharged from a coating nozzle 21 onto the surface of a work W horizontally maintained, wherein a supply of the viscous fluid S to the coating nozzle 21 is stopped short of a termination location as a finalizing point of coating operation.例文帳に追加

塗布ノズル２１から吐出させた粘性流体Ｓを、水平に保持されたワークＷの表面に線状に塗布する粘性流体Ｓの塗布方法であって、塗布動作の終了点となる終端位置の手前で、塗布ノズル２１への粘性流体Ｓの供給を停止させるようにしたものである。 - 特許庁

Especially, the polycrystalline silicon layer (150) is in direct contact with the TFT array substrate (10), so the heat energy can be efficiently discharged from the TFT array substrate (10) as compared with a case wherein the reverse surface of the TFT array substrate (10) is exposed to air (with a heat conductivity of 0.0241 W/mK at 0°C).例文帳に追加

特に、多結晶シリコン層（１５０）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）に直に接しているため、ＴＦＴアレイ基板（１０）の下面が空気（０℃における熱伝導率が０．０２４１Ｗ／ｍＫ）に曝されている場合に比べて、ＴＦＴアレイ基板（１０）から熱エネルギーを効率良く逃がすことが可能である。 - 特許庁