W-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11340件
Thus, the inside of the sealed crystal inner chamber 67 becomes a simple structure wherein complicated wiring or the like does not exist, a contamination source such as particles or stagnant gases are eliminated, and the periphery of the semiconductor wafer W that becomes the target of heating treatment, can be maintained in the clean atmosphere at all the time.例文帳に追加
従って、密閉された石英製の内側チャンバー67の内部は煩雑な配線等が存在しない単純な構造となり、パーティクル等の汚染源やガス滞留部等が無くなり、加熱処理の対象となる半導体ウェハーWの周辺を常に清浄な雰囲気に維持することができる。 - 特許庁
The inspection data based on the inspection device is output to a first information storage processing means 52, and the data subjected to predetermined processing in the first information storage processing means 52 is input into a second information storage processing means 53 attached on a case 60 for housing the semiconductor wafer W.例文帳に追加
検査手段による検出データは第1の情報記憶処理手段52に出力されるとともに、当該第1の情報記憶処理手段52で所定処理されたデータは、半導体ウエハWを収容するケース60に取り付けられた第2の情報記憶処理手段53に入力される。 - 特許庁
Carbon nano fibers are produced through the catalytic CVD process by using a carbon-containing gas as a raw material in the presence of a catalyst comprising one kind or plural kinds of materials selected from at least Cr, Mn, Fe, Co, Ni or their oxides and one kind or plural kinds of materials selected from Cu, Al, Si, Ti, V, Nb, Mo, Hf, Ta, W or their oxides.例文帳に追加
少なくともCr,Mn,Fe,Co,Ni又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた1つ又は複数の材料と、Cu,Al,Si,Ti,V,Nb,Mo,Hf,Ta,W又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた1つ又は複数の材料からなる触媒を使用して、炭素含有ガスを原料とした触媒CVD法によりカーボンナノ繊維を製造する。 - 特許庁
A bracket 3 is projected, being attached detachably to the front plate 1a of a supporting frame 1 attached on the wall face w in the tunnel, and the bracket 3 bears a cable c, and both sides of a spiral rod 7, the middle of which is locked to the under edge of the bracket 3, are wound around the cable c, while its inner rim is under pressure contact.例文帳に追加
隧道の壁面wに取付けた支持基枠1の前面板1aに支持受3を着脱自在に取付けて突設し、該支持受3にケーブルcを受支させて成り、中間部を前記支持受3の下縁に係止した螺旋杆4の両側を、その内周縁を圧接させて前記ケーブルcに巻き付ける。 - 特許庁
This device for forming the linear body is provided by arranging multiple number of the forming lines consisting of forming machines 21, false- twisting machines 22 and straightening machines 23, and also withdrawing capstans 42 and dancers 32 in front for forming the multiple number of steel wires W at the same time so as to supply them into a rubber-coating machine of a tire production process without winding up.例文帳に追加
くせ付け機21と仮捻機22と矯正器23とからなるくせ付けラインを複数ライン配設し、前方に、引取りキャプスタン42とダンサー32を配設して、複数本のスチールワイヤWを同時にくせ付け加工し、巻き取らずにタイヤ製造工程のゴムコート機へ供給できるうようにする。 - 特許庁
The W/O type emulsion ink for stencil printing comprises 0.05 to 10 wt% based on the ink weight of a silicone resin fine particle having a trifunctional structure represented by formula as a filler in an oil phase, wherein the oil phase constitutes 10 to 90 wt% and a water phase constitutes 10 to 90 wt% of the ink.例文帳に追加
該油相中にフィラーとして3官能型の下記構造を持つシリコーン樹脂微粒子をインキ重量に対して0.05wt%〜10wt%含有し、かつ油相10〜90重量%で水相10〜90重量%であることを特徴とする孔版印刷用W/O型エマルションインキ。 - 特許庁
Accordingly, it is possible to maintain optical path periphery of the exposure beam in a vacuum environment, without having to provide a vacuum chamber for accommodating the wafer W, the wafer holder WH, and a wafer stage WST so that the body of the aligner as a whole can be miniaturized and also access to the vicinity of the wafer stage WST is facilitated.例文帳に追加
従って、ウエハWやウエハホルダWH、並びにウエハステージWSTを収容する真空チャンバを設けずに、露光ビームの光路周辺を真空環境に維持することが可能となり、露光装置全体の小型化を図ることができるとともに、ウエハステージWST近傍へのアクセスが容易となる。 - 特許庁
The article pickup device 20 of the vending machine is equipped with the article receiving box 21 for receiving an article W carried out of the machine opposite an article pickup opening 14 formed in the front; and the article receiving box 21 is equipped with a discharge hole (27) for discharging the foreign matter to the outside.例文帳に追加
前面に開口する商品取出口14を臨む態様で、機内から搬出された商品Wを受け止めるための商品受け箱21を備えた自動販売機の商品取出装置20において、商品受け箱21は、異物を外部に排出するための排出孔(27)を備えたものである。 - 特許庁
In the coil device 1, where the terminal portion of an electric wire W covered with a protecting member 12 is connected to a coil 11 configured by winding a winding wire into a ring shape, while including a terminal portion of the protecting member 12 at a side connected to the coil 11, the entire coil 11 is wrapped with a rubber-made exterior body 13 and integrated.例文帳に追加
巻き線をリング状に巻いてなるコイル11に、保護部材12で覆われた電線Wの端末部が接続されたコイル装置1であって、前記保護部材12のうち前記コイル11に接続される側の端部を含んで、前記コイル11の全体が、ゴム製の外装体13に包まれて一体化している。 - 特許庁
Based on the offsets Du, Dv received from the offset estimating section 18 and the difference between respective phase currents Iu, In, Iw and the target levels thereof Iru, Irv, Irw received from subtracting sections 12U, 12V, 12W, a control section 16 controls the currents being fed to phases U, V, W of the three-phase motor M.例文帳に追加
制御部16は、オフセット推定部18から与えられるオフセットDu,Dvと、減算部12U,12V,12Wから与えられる各相目標電流Iru,Irv,Irwと各相検出電流Iu,Iv,Iwとの偏差とに基づいて、三相交流モータMのU相、V相、W相に供給すべき電流を制御する。 - 特許庁
Additionally, the receiving and delivering time of the workpiece W to the second spindle 2 from the first spindle 1 can be shortened, and the moving speed of the second spindle 2 in the Z axial direction can be improved, as two steps of the Z axial feeding mechanisms (a second Z axial feeding mechanism Z2 and third Z axial feeding mechanism Z3) are provided to the second spindle 2.例文帳に追加
また、第2スピンドル2に対しては2段のZ軸送り機構(第2Z軸送り機構Z2および第3Z軸送り機構Z3)を設けてあるため、第1スピンドル1から第2スピンドル2へのワークWの受け渡し時間の短縮や、第2スピンドル2のZ軸方向への移動速度の向上を図ることができる。 - 特許庁
When the control system is one, it is determined that the load applied on the motor 60 is not so large, the differential pressure generated by a differential pressure control valve of the side included in a piping system of the wheel to be controlled of first and second differential control valves 16, 36 is set to be a constant value irrespective of the size of the target W/C pressure.例文帳に追加
そして、制御系統が1つのみの場合にはモータ60に掛かる負荷があまり大きくないと判定して、目標W/C圧の大小に関わらず第1、第2差圧制御弁16、36のうち制御対象輪の配管系統に含まれる側の差圧制御弁で発生させる差圧を一定値に設定する。 - 特許庁
A U-phase slit 21U, a V-phase slit 21V, and a W-phase slit 21W are formed in the magnetic pole detection slit plate 21 at track positions on different radii from the center of rotation O of the magnetic pole detection slit plate 21, and transparent sections and non-transparent sections corresponding to the number of poles of the motor are alternately formed circumferentially.例文帳に追加
磁極検出スリット板21には磁極検出スリット板21の回転中心Oから互いに異なる半径上のトラック位置にU相スリット21U、V相スリット21V、W相スリット21Wが形成され、円周方向にモータの極数に対応した透過部、非透過部が交互に形成されている。 - 特許庁
The clamp ring 90 is mounted on a chamber 6 such that ends of an elliptical shape in a short diametric direction thereof form optical window end edges, on the side where the optical window faces the peripheral edge of the semiconductor wafer W along which a temperature is relatively low when the flat plane configuration of the optical window is made circular and flash light irradiation is performed from the flash lamp 69.例文帳に追加
光学窓の平面形状を円形にしてフラッシュランプ69から閃光照射を行ったときに相対的に温度が低くなる半導体ウェハーWの周縁部を臨む側の光学窓端縁部が楕円形の短径方向端部となるようにクランプリング90をチャンバー6に取り付ける。 - 特許庁
Of the cap for the fluorescent lamp structured with a shell 1, a cap pin 2 and an insulating material 3, a thickness T of the insulating material 3 contacting the shell 1 is to be thicker than that t of the insulating material 3 in the vicinity of the cap pin 2, and a width W of the insulating material 3 is to be 11.3 mm or more.例文帳に追加
シェル1、口金ピン2及び絶縁材3で構成されている蛍光ランプ用口金において、口金ピン2近傍の絶縁材3の厚さtより、シェル1に接する絶縁材3の厚さTの方が厚くなっていること、および絶縁材3の幅Wを11.3mm以上とすることを特徴とする。 - 特許庁
Forming a housing H out of a cylindrical case 1 and an end bracket 2 fitted engagingly into the opening portion of the case 1, a step portion 1a having a smaller diameter than the outer diameter of the case 1 is provided in the end portion of a side opposite to the end bracket 2 for holding a cylindrical DC motor by an eccentric weight W squeezed into its centrally protruded output shaft S.例文帳に追加
ハウジングHは円筒状のケース1とこのケース1の開口部に嵌着されたエンドブラケット2で構成され、このケースの反エンドブラケット側端部には、外径より小径にした段差部1aが設けられ、中央より突き出された出力軸3に偏心ウエイトWが圧入されることによって保持されている。 - 特許庁
In this combined plate terminal 1, an assembling part 5 of one combined plate terminal 2 is equipped with respective base parts 7, 8 provided perpendicular to the axial line of an electric wire W sandwiching a through-hole 6 and respective engagement locking parts 9, 10 provided parallel to the axial line of the electric wire sandwiching the through-hole 6.例文帳に追加
本発明の組合せ板端子1は、一方の組合せ板端子2の組付け部5が、貫通穴6を挟んで電線Wの軸線に直交する方向に各基板部7,8と、貫通穴6を挟んで電線Wの軸線に平行する方向に各嵌合係止部9,10を具備している。 - 特許庁
The optical element, used for an aligner 11 for transferring the pattern formed in a mask R to a photosensitive substrate W, comprises a base material for comprising a transmitting optical element, and a surface smoothing film 29, at least on a part of the surface of the effective region of the base material comprising the transmitting optical element.例文帳に追加
マスクRに形成されたパターンを感光性基板Wに転写する露光装置11に使用される光学素子であって、透過光学素子を構成する基材と、前記透過光学素子を構成する基材の有効領域外の表面の少なくとも一部に表面平滑化膜29とを備える。 - 特許庁
A transfer device 1 is equipped with a clamp mechanism B2 that can hold a workpiece W, a feed mechanism B1 that can transport this clamp mechanism B2 in the transport direction p, and a clamp driving means C2 and a feed driving means C1 that directly link the clamp mechanism B2 and the feed mechanism B1 with the press ram 3 of the press, respectively.例文帳に追加
本装置1は、ワークWを把持可能なクランプ機構B2と、このクランプ機構B2を搬送方向pに沿って搬送可能なフィード機構B1と、クランプ機構B2及びフィード機構B1をプレス機のプレスラム3に直結連動するクランプ駆動手段C2及びフィード駆動手段C1とを備えて構成される。 - 特許庁
In the EB vapor deposition device, a shielding plate 12 made of a metal having a high melting point such as hafnium(Hf), ruthenium(Ru), iridium(Ir), niobium(Nb), molybdenum(Mo), tantalum (Ta), rhenium(Re) and tungsten(W) is disposed along the inner wall of a magnesia(MgO) crucible 4 so as to prevent direct contact between the cobalt(Co) 13 and the crucible 4.例文帳に追加
このEB蒸着装置においては、マグネシア(MgO)製ルツボ4の内壁に沿ってハフニウム(Hf),ルテニウム(Ru),イリジウム(Ir),ニオブ(Nb),モリブデン(Mo),タンタル(Ta),レニウム(Re),タングステン(W)等の高融点金属からなる遮蔽板12を配置し、コバルト(Co)13と、ルツボ4とが直接接触しないようにしている。 - 特許庁
A proportion of a surface area of an electrodeposition part 3 is more than 80% of an area of base metal 2 in its region on an inner peripheral part 5 which is the region where width (a) from an inner peripheral edge L of the wheel along a mounting hole 4 is less than 15% against width W to an outer peripheral edge M from the inner peripheral edge L of the wheel.例文帳に追加
取付穴4に沿うホイールの内周縁Lからの幅aが、ホイールの内周縁Lから外周縁Mまでの幅Wに対して15%以下の領域である内周部5においては、電着部3の表面面積の割合をその領域における台金2の面積の80%以上としている。 - 特許庁
The tide pattern F by interference of a main flow C and injection water W is formed on the water surface by injecting water in a direction opposed to a flow of the water surface from a plurality of nozzles 4, and movement of the floating article D on the water surface is controlled by the tide pattern F formed on the water surface and it is guided/accumulated to the specific place.例文帳に追加
複数ノズル4から水面の流れに対向する方向に水を噴射することにより本流Cと噴射水Wの干渉による潮目Fを水面に形成させ、水面に形成させた潮目Fにより水面の浮遊物Dの移動を制御し特定場所に誘導集積させる。 - 特許庁
In a perpendicular magnetic recording medium, at least a first non-magnetic interlayer, a second non-magnetic interlayer, and a magnetic recording layer are stacked sequentially on a non-magnetic substrate, the first non-magnetic interlayer being formed from a Co-Cr-Ru-W alloy and the second non-magnetic interlayer being formed from an Ru-based alloy.例文帳に追加
垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第1非磁性中間層、第2非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第1非磁性中間層をCoCrRuW合金から形成し、かつ前記第2非磁性中間層をRu基合金から形成する。 - 特許庁
A grinding member 11 having a circular plane grinding face A is rotated, and a linear part W1 is brought into contact with the grinding face A after being deviated from an axial center C, and a wafer W is moved back and forth in the direction of the linear part W1 to the both sides of the radial R of the grinding face A vertical to the linear part W1.例文帳に追加
円形平面の研磨面Aを有する研磨部材11を回転させ、軸心Cから偏移させて直線部W1 を研磨面Aに接触させ、直線部W1 に垂直な研磨面Aの半径Rの両側にまでウェハWを直線部W1 の方向に往復移動させる。 - 特許庁
The transfer device 3 includes a gripping mechanism 30 for gripping a spherical agricultural product w, a lifting/lowering machine 31 for lifting/lowering the gripping mechanism 30 in a constant position, and a sidewise moving mechanism 32 for reciprocally moving the gripping mechanism 30 between the conveyor 2 and the injecting opening 7 by moving the sidewise moving mechanism 32.例文帳に追加
移載装置3に、球状農作物wを掴み取る把持機構30と、把持機構30を一定姿勢のままで昇降させる昇降機31と、この昇降機構31を横移動させて把持機構30をコンベア2と投入口7との間で往復移動させる横移動機構32とを備えてある。 - 特許庁
The light distribution variable type lighting fixture 1 which can change light distribution is provided with a light source 2 fitted on a wall face W, variable reflection parts 3a, 3b, 3c, 3d arranged in a plurality of different directions viewed from the light source 2, and a case 4 which stores the light source 2 and the variable reflection parts 3a to 3d.例文帳に追加
配光を可変とする配光可変式照明器具1は、壁面Wに取り付けられた光源2と、光源2から見て複数の異なる方向に配置される可変反射部3a、3b、3c、3dと、光源2と可変反射部3a乃至3dとを格納する筺体4とを備える。 - 特許庁
The exposure apparatus for irradiating a substrate W with an exposure beam EL comprises: an optical element LS6 which is irradiated with the exposure beam and is filled with a liquid in an optical path space on the exposure beam emission surface side thereof; and a liquid-repellent film 28 which is provided on at least part of a surface outside an effective region of the optical element.例文帳に追加
露光ビームELを基板Wに照射する露光装置であって、前記露光ビームが照射され、露光ビームの射出面側の光路空間が液体で満たされる光学素子LS6と、前記光学素子の有効領域外の表面の少なくとも一部に設けられた撥液機能膜28とを備える。 - 特許庁
Prescribed electric power (200 W in one example) is alternatively applied to rotary magnet cathodes 17A and 17B from power sources 23A and 23B, further, the cathodes are alternatively rotated, and a target (Mo) 19 and a target (Si) 21 are sputtered, so that Mo layers and Si layers are alternatively deposited on a substrate 27 to deposit a multilayer film of a pair of 50 layers.例文帳に追加
回転マグネットカソード17A、17Bに電源23A、23Bから所定の電力(一例で200W)を交互に投入するとともに同カソードを交互に回転させ、ターゲット(Mo)19及びターゲット(Si)21をスパッタリングし、Mo層とSi層を基板27上に交互に成膜して50層対の多層膜を成膜する。 - 特許庁
This polishing method polishes a substrate W having an insulation film 903 having grooves 905, a barrier film 906 formed on the insulation film 903, and a metal film 907 formed on the barrier film 906, wherein partial parts of the metal film 907 are formed in the grooves 905 as metal wiring 910.例文帳に追加
本発明に係る研磨方法は、溝905を有する絶縁膜903と、絶縁膜903上に形成されたバリア膜906と、バリア膜906上に形成された金属膜907とを有し、金属膜907の一部が金属配線910として溝905内に形成されている基板Wを研磨する。 - 特許庁
The cart 50 led into the carbonization oven 63 is lifted, then the inside of the carbonization oven 63 is tightly closed and the combustion gas is blown into the carbonization oven 63 and confined and forcedly circulated, thereby, the bar-shaped solid W placed in the carbonization trays 40 is fired to effect carbonization.例文帳に追加
炭化炉63内に導入された移動台車50を上昇動作させて、炭化炉63内を密閉状態に閉塞し、閉塞後の炭化炉63内に燃焼ガスを送風し、強制循環させて、炭化炉トレー40に収容された棒状固形体Wを高温燃焼させて炭化処理する。 - 特許庁
When the objective film consisting of one of metal oxide film, metal film and metal nitride film formed on the surface of the objective body W is to subjected to modification, the film is irradiated with modification rays 54 including UV rays UV and IR rays IR in the presence of a modification gas.例文帳に追加
被処理体Wの表面に形成された金属酸化膜、金属膜或いは金属窒化膜の内のいずれか1つの被処理膜を改質処理するに際して、改質ガスの存在下において前記被処理膜に紫外線UVと赤外線IRとを含む改質用光線54を照射するようにする。 - 特許庁
By using the mask M in a proximity scan exposure device 1, deviation amounts between the mask side alignment mark 41 and a work-piece side alignment mark Wa, which is detected by imaging means, are corrected by at least one among a work carrying mechanism 10, a mask drive part 12, and an irradiation part 14, while carrying the work-piece W.例文帳に追加
また、このマスクMを使用して、近接スキャン露光装置1では、撮像手段によって検出されたマスク側アライメントマーク41とワーク側アライメントマークWaとのズレ量が、ワークWの搬送中、ワーク搬送機構10、マスク駆動部12、照射部14の少なくとも一つによって補正される。 - 特許庁
Though a lid attachment/detachment unit 15 detaches a lid 7 from an FOUP 1 and a counting unit 17 counts, since an intermediate sensor 35 is provided in addition to a jump-out detecting unit 29, even when the substrate W shifts up to an intermediate position between a normal position and a shift position, the intermediate positional shift can be detected.例文帳に追加
蓋着脱部15によりFOUP1から蓋7を取り外すとともに計数部17で計数を行うが、飛び出し検出部29に加え、中間センサ35を備えているので、正規位置とずれ位置との間にあたる中間位置にまで基板Wがずれてきたとしても検出することができる。 - 特許庁
In the manufacturing apparatus 10 of the embossed sheet, the rotational speed of the embossing roller 13 is detected by a rotary encoder 21 and a motor 20 of the embossing roller 13 is controlled on the basis of the detected number of rotations of the embossing roller 13 by a controller 23 by a motor driver 22 to control the travelling speed of a sheet W.例文帳に追加
本発明のエンボスシートの製造装置10では、エンボスローラ13の回転速度をロータリエンコーダ21によって検出し、検出されたエンボスローラ13の回転数に基づき、エンボスローラ13のモータ20を、モータドライバ22を介してコントローラ23により制御することにより、シートWの走行速度を制御する。 - 特許庁
The connector is provided on the other end side 2 with a shaft body 8 fitted into a recessed part 103 formed at an end part 101, opposite to the side provided with a wiper blade 106, of the wiper arm 100 to rotatably support the wiper arm 100 so as to move following the glass surface of the windshield in association with the driving of a wiper W.例文帳に追加
他端側2に、ワイパーアーム100におけるワイパーブレード106が設けられる側と反対の端部101に形成された凹部103にはめ込まれてワイパーWの駆動に伴ないウインドウガラスのガラス面に倣ってワイパーアーム100が移動されるように回動可能に支持する軸体8を備えている。 - 特許庁
A mass-adding resist film 19 for adding a mass is formed on a counter region E1 of a piezoelectric thin film resonator 1 contained in a wafer W, so that the resonance frequency F_R of the piezoelectric thin film resonator 1, being initially surpassing a target frequency F_T, comes to be the target frequency F_T or lower.例文帳に追加
ウエハWに含まれる圧電薄膜共振子1の対向領域E1の上に、質量を付加する質量付加膜となるレジスト膜19を形成し、当初は目標周波数F_Tを上回っていた圧電薄膜共振子1の共振周波数F_Rを、目標周波数F_T以下に低下させる。 - 特許庁
Substrate treatment equipment is provided with a reaction tube 30 which forms a substrate treatment region for treating a wafer W, the furnace throat flange 4 which supports the reaction tube 30, a gas supply line 7 which is arranged in the furnace throat flange 4 and supplies gas inside the reaction tube 30, and an electrode 32a and a ground electrode 32b which generate plasma.例文帳に追加
基板処理装置は、ウェーハWを処理する基板処理領域を形成する反応管30と、反応管30を支持する炉口フランジ4と、炉口フランジ4に設けられて反応管30内にガスを供給するガス供給管7と、プラズマを生成する電極32aとアース電極32bとを備える。 - 特許庁
This cathode includes a polycrystalline 1 or a porous substance, having a high-melting point consisting of, for instance, W and an emissive material 2, in which at least one material selected from among a group of hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, ceric oxide and titanium oxide is dispersed into the polycrystalline substance, with the content being 0.1 to 3 weight %.例文帳に追加
たとえばWからなる高融点金属材料の多結晶体1または多結晶多孔質体と、その多結晶体1中に、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化チタンの群れから選ばれる少なくとも1種が0.1〜30重量%分散されたエミッタ材2とからなっている。 - 特許庁
To provide double glazing applicable to a standard sash frame used in a general home and having 100 mm thickness, having sound insulation class T-3 according to JIS A4706:2000 and having ≤2.08 W/m^2×K heat transmission coefficient required to the area III based on Ministry of Land, Infrastructure and Transport notification No. 378.例文帳に追加
一般住宅で使用される厚さ100mmの標準サッシ用枠に適用できる、JIS A4706:2000に規定されるT−3等級の遮音性能を有し、国土交通省告示第378号のIII地域に対して要求される熱貫流率が、2.08W/m^2・K以下の複層ガラスを提供する。 - 特許庁
The inter-node relation may be represented w ith the advance notification relation (which TN is executed is associated with which other node existing at the downstream of the node is executed, without fail) and/or a task-dependent branch relation (the association of the BN and the TN for outputting a variable value to be referred to in executing the BN).例文帳に追加
ノード間関係としては、先行通知関係(どのTNが実行される場合にそのノードの下流に存在するどの別のノードが必ず実行されることになるか)、及び/又は、タスク依存分岐関係(BNと、そのBNの実行において参照される変数値を出力するTNとの対応付け)がある。 - 特許庁
In this powder containing silica and sodium, the sodium content rate is ≥0.005 and ≤3 mass%, the BET specific surface area is ≥10 and ≤400 m^2/g, the compression degree is ≤31%, and the thermal conductivity at 30°C is ≤0.05 W/m-K.例文帳に追加
シリカとナトリウムとを含む粉体であって、ナトリウムの含有率が0.005質量%以上3質量%以下であり、BET比表面積が10m^2/g以上400m^2/g以下であり、圧縮度が31%以下であり、かつ、30℃における熱伝導率が0.05W/m・K以下である、粉体。 - 特許庁
In this radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support body, at least one layer of the photostimulable phosphor layer is formed to have 50 mμ to 20 mm of film thickness by a vapor deposition method, and the support body has 0.1 to 20 W/mK of thermal conductivity.例文帳に追加
支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の少なくとも1層が気相法により50μm〜20mmの膜厚を有するように形成され、該支持体の熱伝導率が0.1〜20W/mKであることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
An inlet of a suction tube 11 of the system 1 is opposed to the tank 8 to circulate the water to allow the storage water W to the storage 2 to flow toward the tank 8 to avoid bubbles 7 generated in the storage 2 to the tank 8 accompanied with the flowing water.例文帳に追加
また、人工滝形成水循環系1の吸込管11の入口を泡退避用水槽8に臨ませて水を循環させることにより、貯水部2の貯水Wを泡退避用水槽8に向けて流動させ、貯水部2で発生した泡7を流動水に同伴して泡退避用水槽8に退避させる。 - 特許庁
A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide.例文帳に追加
Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、Au、Ag、Ti、Zr、Al、V、Mo、W、Cr、Co、Ni、Zn、In及びLaからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。 - 特許庁
This pneumatic tire is provided with a pair of circumferential main grooves 2 on a tread surface part, divides the tread surface part into three areas of the central area and both side areas, and has a plurality of overall approximately W-shaped transverse grooves 3 arranged to extend in the tire circumferential direction from one end to the other end on the tread surface part.例文帳に追加
トレッドの踏面部に一対の周方向主溝2を備え、該踏面部を中央区域と両側区域の3区域に区画してなり、該踏面部の一方の端から他方端までタイヤ周方向に傾斜して延び、全体として略W字型をなす横断溝3を複数本配列してなる空気入りタイヤである。 - 特許庁
To provide a variable discharge capacity liquid dispensation device and a variable discharge capacity automatic liquid separation system capable of making an addition amount of sample a desired value in various forms such as per well W, per row or per line and having high degree of precision and high degree of accuracy, general-purpose property, and high easiness for use.例文帳に追加
各ウェルW毎、各列毎あるいは各行毎等種々の態様で試料の添加量を所望の値とすることができ、これにより高い精密度及び正確度を有し、汎用性があり、利便性の高い吐出容量可変液体分注装置および吐出容量可変自動分液システムを提供する。 - 特許庁
A three-dimensional integrated circuit laminate comprises: a semiconductor substrate laminate formed by stacking at least two or more layers of semiconductor substrates in which a semiconductor device layer is formed thereon; and a first interlaminar filler layer containing a resin (A) and an inorganic filler (B) and having heat conductivity of 0.8 W/mK or higher between the semiconductor substrates.例文帳に追加
半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも2層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂(A)及び無機フィラー(B)を含有し、熱伝導率が0.8W/(m・K)以上の第1の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 - 特許庁
The geometric diameter (W) of a core part is made larger than twice as large as the mean interval (Λ) between columnar holes by forming a clad part wherein a plurality of columnar holes which have the same internal diameter and extend in the extending direction of a fiber are arranged periodically and discretely at fixed intervals (Λ) around the core.例文帳に追加
コア部の周囲に、内径が同一でファイバの伸長方向に延在する複数の円柱状空孔を相互に一定間隔(Λ)で離間して周期的に配置したクラッド部を備えることにより、コア部の幾何学的な径(W)を、円柱状空孔間の平均間隔(Λ)の2倍よりも大きくした。 - 特許庁
When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加
被処理体である半導体ウエハWの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でHSGポリシリコン膜(ラグドポリシリコン膜)16を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器28内で連続的に行なう。 - 特許庁
This heat treatment method includes a step of heating a quartz tube 2 which is kept in a vacuum or inert gas atmosphere with a work M sealed therein, a step of transferring the work M heated to the predetermined temperature into water (cooling medium) W and hardening it therein.例文帳に追加
内部が真空または不活性ガス雰囲気とされ且つ被処理材Mを密封した状態の石英管2を加熱する工程と、この石英管2を垂直方向に沿って傾動することにより、所定温度に加熱された被処理材Mを、水(冷却媒体)W中へ移送して急冷する工程と、を含む、熱処理方法。 - 特許庁
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