「w-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(218ページ目) - Weblio英語例文検索

The project, which is named 'Kafun no Sukunai Morizukuri' (lit. The Creation of Low-Pollen Forests) and has conservationist and author C. W. NICOL serving as representative promoter, aims to fell Japanese cedar forests in the Tama area and transplant them with low-pollen Japanese cedar cultivars and broadleaf trees over a 50 year period as well as reduce pollen levels by 20% over the next 10 years. 例文帳に追加

この計画は「花粉の少ない森づくり」というプロジェクト名で、自然保護活動家として知られる作家のC.W.ニコル氏らが代表発起人となり、多摩地域のスギ林の伐採および花粉の少ない品種のスギや広葉樹への植え替えなどを50年計画で行い、今後10年間で花粉の量を2割削減するという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A mass-adding resist film 19 for adding a mass is formed on a counter region E1 of a piezoelectric thin film resonator 1 contained in a wafer W, so that the resonance frequency F_R of the piezoelectric thin film resonator 1, being initially surpassing a target frequency F_T, comes to be the target frequency F_T or lower.例文帳に追加

ウエハＷに含まれる圧電薄膜共振子１の対向領域Ｅ１の上に、質量を付加する質量付加膜となるレジスト膜１９を形成し、当初は目標周波数Ｆ_Tを上回っていた圧電薄膜共振子１の共振周波数Ｆ_Rを、目標周波数Ｆ_T以下に低下させる。 - 特許庁

Substrate treatment equipment is provided with a reaction tube 30 which forms a substrate treatment region for treating a wafer W, the furnace throat flange 4 which supports the reaction tube 30, a gas supply line 7 which is arranged in the furnace throat flange 4 and supplies gas inside the reaction tube 30, and an electrode 32a and a ground electrode 32b which generate plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管３０内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成する電極３２ａとアース電極３２ｂとを備える。 - 特許庁

This cathode includes a polycrystalline 1 or a porous substance, having a high-melting point consisting of, for instance, W and an emissive material 2, in which at least one material selected from among a group of hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, ceric oxide and titanium oxide is dispersed into the polycrystalline substance, with the content being 0.1 to 3 weight %.例文帳に追加

たとえばＷからなる高融点金属材料の多結晶体１または多結晶多孔質体と、その多結晶体１中に、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化チタンの群れから選ばれる少なくとも１種が０.１〜３０重量％分散されたエミッタ材２とからなっている。 - 特許庁

To provide double glazing applicable to a standard sash frame used in a general home and having 100 mm thickness, having sound insulation class T-3 according to JIS A4706:2000 and having ≤2.08 W/m^2×K heat transmission coefficient required to the area III based on Ministry of Land, Infrastructure and Transport notification No. 378.例文帳に追加

一般住宅で使用される厚さ１００ｍｍの標準サッシ用枠に適用できる、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に規定されるＴ−３等級の遮音性能を有し、国土交通省告示第３７８号のIII地域に対して要求される熱貫流率が、２．０８Ｗ／ｍ^２・Ｋ以下の複層ガラスを提供する。 - 特許庁

The inter-node relation may be represented w ith the advance notification relation (which TN is executed is associated with which other node existing at the downstream of the node is executed, without fail) and/or a task-dependent branch relation (the association of the BN and the TN for outputting a variable value to be referred to in executing the BN).例文帳に追加

ノード間関係としては、先行通知関係（どのＴＮが実行される場合にそのノードの下流に存在するどの別のノードが必ず実行されることになるか）、及び／又は、タスク依存分岐関係（ＢＮと、そのＢＮの実行において参照される変数値を出力するＴＮとの対応付け）がある。 - 特許庁

In this powder containing silica and sodium, the sodium content rate is ≥0.005 and ≤3 mass%, the BET specific surface area is ≥10 and ≤400 m^2/g, the compression degree is ≤31%, and the thermal conductivity at 30°C is ≤0.05 W/m-K.例文帳に追加

シリカとナトリウムとを含む粉体であって、ナトリウムの含有率が０．００５質量％以上３質量％以下であり、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上４００ｍ^２／ｇ以下であり、圧縮度が３１％以下であり、かつ、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、粉体。 - 特許庁

In this radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support body, at least one layer of the photostimulable phosphor layer is formed to have 50 mμ to 20 mm of film thickness by a vapor deposition method, and the support body has 0.1 to 20 W/mK of thermal conductivity.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の少なくとも１層が気相法により５０μｍ〜２０ｍｍの膜厚を有するように形成され、該支持体の熱伝導率が０．１〜２０Ｗ／ｍＫであることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

An inlet of a suction tube 11 of the system 1 is opposed to the tank 8 to circulate the water to allow the storage water W to the storage 2 to flow toward the tank 8 to avoid bubbles 7 generated in the storage 2 to the tank 8 accompanied with the flowing water.例文帳に追加

また、人工滝形成水循環系１の吸込管１１の入口を泡退避用水槽８に臨ませて水を循環させることにより、貯水部２の貯水Ｗを泡退避用水槽８に向けて流動させ、貯水部２で発生した泡７を流動水に同伴して泡退避用水槽８に退避させる。 - 特許庁

A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。 - 特許庁

This pneumatic tire is provided with a pair of circumferential main grooves 2 on a tread surface part, divides the tread surface part into three areas of the central area and both side areas, and has a plurality of overall approximately W-shaped transverse grooves 3 arranged to extend in the tire circumferential direction from one end to the other end on the tread surface part.例文帳に追加

トレッドの踏面部に一対の周方向主溝２を備え、該踏面部を中央区域と両側区域の３区域に区画してなり、該踏面部の一方の端から他方端までタイヤ周方向に傾斜して延び、全体として略Ｗ字型をなす横断溝３を複数本配列してなる空気入りタイヤである。 - 特許庁

To provide a variable discharge capacity liquid dispensation device and a variable discharge capacity automatic liquid separation system capable of making an addition amount of sample a desired value in various forms such as per well W, per row or per line and having high degree of precision and high degree of accuracy, general-purpose property, and high easiness for use.例文帳に追加

各ウェルＷ毎、各列毎あるいは各行毎等種々の態様で試料の添加量を所望の値とすることができ、これにより高い精密度及び正確度を有し、汎用性があり、利便性の高い吐出容量可変液体分注装置および吐出容量可変自動分液システムを提供する。 - 特許庁

A three-dimensional integrated circuit laminate comprises: a semiconductor substrate laminate formed by stacking at least two or more layers of semiconductor substrates in which a semiconductor device layer is formed thereon; and a first interlaminar filler layer containing a resin (A) and an inorganic filler (B) and having heat conductivity of 0.8 W/mK or higher between the semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び無機フィラー（Ｂ）を含有し、熱伝導率が０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 - 特許庁

The geometric diameter (W) of a core part is made larger than twice as large as the mean interval (Λ) between columnar holes by forming a clad part wherein a plurality of columnar holes which have the same internal diameter and extend in the extending direction of a fiber are arranged periodically and discretely at fixed intervals (Λ) around the core.例文帳に追加

コア部の周囲に、内径が同一でファイバの伸長方向に延在する複数の円柱状空孔を相互に一定間隔（Λ）で離間して周期的に配置したクラッド部を備えることにより、コア部の幾何学的な径（Ｗ）を、円柱状空孔間の平均間隔（Λ）の２倍よりも大きくした。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

To transmit a signal without distortion even if the number of times of multiplexing is increased and to reduce the consumption current by reducing the current of an amplifier circuit when the number of multiplexing is small in a semiconductor integrated circuit for communication that constructs a radio communication system of a code multiplex system such as a W-CDMA (wideband code division multiple access).例文帳に追加

Ｗ−ＣＤＭＡのような符号多重化方式の無線通信システムを構成する通信用半導体集積回路において、多重数を多くしても歪みなく信号を送信できるとともに多重数が少ない時は増幅回路の電流を少なくして消費電流を減らすことができるようにする。 - 特許庁

The circulating pump 31 is installed in the rear of a filter case 20 which holds a lint filter 25 through the front of the external box, the circulating pump 31 is attached sloping back downward from the filter case 20 at the angle θ at which a pump vane 37 sinks even at the time of the lowest water level W while the circulating pump 31 circulates the water.例文帳に追加

循環ポンプ３１を、リントフィルタ２５を外箱の前方より収容するフィルタケース２０の後部に設け、そのフィルタケース２０から循環ポンプ３１を、該循環ポンプ３１が水を循環させるときの中で、最低水位Ｗとなるときにもポンプ羽根３７が水没する角度θ、後下がりに傾斜させて設けた。 - 特許庁

In the case of positioning by bringing the inclined side WA of an inclined work W into contact with plural positioning members 35, for example, by retreating or advancing a nut member 23R on the other side to a nut member 23L on one side, a link member 29 is rotated and a stretch 33 is inclined.例文帳に追加

傾斜したワークＷの傾斜辺ＷＡを複数の位置決め部材３５に当接せしめて位置決めする場合には、一方のナツト部材２３Ｌに対して他方のナツト部材２３Ｒを例えば後退または前進せしめることにより、リンク部材２９が回転してストレッチ３３が傾斜される。 - 特許庁

When the nuclear reactor is decommissioned, laser beam for cutting is oscillated by the laser oscillator 1 outside the unclear reactor, introduced into the nuclear reactor by the optical fiber 3, and condensed by the cutting head 4, and the leaser beam irradiates the machine to be cut in the nuclear reactor equipment W to cut with the cutting gas blasted.例文帳に追加

原子炉を解体するにあたり、原子炉の外部においてレーザ発振器１を用いて切断加工のためのレーザ光を発振し、レーザ光を光ファイバ３で原子炉の内部に導き、加工ヘッド４でレーザ光を集光し、切断対象の原子炉機器Ｗに対して照射し、かつ切断ガスを吹き付けて切断する。 - 特許庁

The register mark detecting device 10 comprises a register mark T detecting sensor 11 having a light emitting part 11a for irradiating light against a continuously conveyed transparent web W given in advance with a register mark and a light receiving part 11b for receiving the light emitted from the light emitting part 11a.例文帳に追加

見当マーク検出装置１０は、連続的に搬送され予め見当マークＴが付された透明ウェブＷに対して光を照射する発光部１１ａおよびこの発光部１１ａから発せられた光を受けるための受光部１１ｂを有する見当マーク検出センサ１１を備えている。 - 特許庁

This heat treatment method includes a step of heating a quartz tube 2 which is kept in a vacuum or inert gas atmosphere with a work M sealed therein, a step of transferring the work M heated to the predetermined temperature into water (cooling medium) W and hardening it therein.例文帳に追加

内部が真空または不活性ガス雰囲気とされ且つ被処理材Ｍを密封した状態の石英管２を加熱する工程と、この石英管２を垂直方向に沿って傾動することにより、所定温度に加熱された被処理材Ｍを、水(冷却媒体)Ｗ中へ移送して急冷する工程と、を含む、熱処理方法。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to maintain optical path periphery of the exposure beam in a vacuum environment, without having to provide a vacuum chamber for accommodating the wafer W, the wafer holder WH, and a wafer stage WST so that the body of the aligner as a whole can be miniaturized and also access to the vicinity of the wafer stage WST is facilitated.例文帳に追加

従って、ウエハＷやウエハホルダＷＨ、並びにウエハステージＷＳＴを収容する真空チャンバを設けずに、露光ビームの光路周辺を真空環境に維持することが可能となり、露光装置全体の小型化を図ることができるとともに、ウエハステージＷＳＴ近傍へのアクセスが容易となる。 - 特許庁

The article pickup device 20 of the vending machine is equipped with the article receiving box 21 for receiving an article W carried out of the machine opposite an article pickup opening 14 formed in the front; and the article receiving box 21 is equipped with a discharge hole (27) for discharging the foreign matter to the outside.例文帳に追加

前面に開口する商品取出口１４を臨む態様で、機内から搬出された商品Ｗを受け止めるための商品受け箱２１を備えた自動販売機の商品取出装置２０において、商品受け箱２１は、異物を外部に排出するための排出孔（２７）を備えたものである。 - 特許庁

In the coil device 1, where the terminal portion of an electric wire W covered with a protecting member 12 is connected to a coil 11 configured by winding a winding wire into a ring shape, while including a terminal portion of the protecting member 12 at a side connected to the coil 11, the entire coil 11 is wrapped with a rubber-made exterior body 13 and integrated.例文帳に追加

巻き線をリング状に巻いてなるコイル１１に、保護部材１２で覆われた電線Ｗの端末部が接続されたコイル装置１であって、前記保護部材１２のうち前記コイル１１に接続される側の端部を含んで、前記コイル１１の全体が、ゴム製の外装体１３に包まれて一体化している。 - 特許庁

Based on the offsets Du, Dv received from the offset estimating section 18 and the difference between respective phase currents Iu, In, Iw and the target levels thereof Iru, Irv, Irw received from subtracting sections 12U, 12V, 12W, a control section 16 controls the currents being fed to phases U, V, W of the three-phase motor M.例文帳に追加

制御部１６は、オフセット推定部１８から与えられるオフセットＤu，Ｄvと、減算部１２Ｕ，１２Ｖ，１２Ｗから与えられる各相目標電流Ｉru，Ｉrv，Ｉrwと各相検出電流Ｉu，Ｉv，Ｉwとの偏差とに基づいて、三相交流モータＭのＵ相、Ｖ相、Ｗ相に供給すべき電流を制御する。 - 特許庁

Here, water flows down to the downside of the access opening 24 while creeping along the outer periphery of the protruding part 60B of the opening edging member 60 (refer to an arrow W) even when the water comes in between the access opening lid 32 and the bathtub apron 18 due to the attaching failure of the access opening lid 32 to the bathtub apron 18 or others.例文帳に追加

ここで、例えば点検口蓋３２の浴槽エプロン１８への取付け不良などにより、点検口蓋３２と浴槽エプロン１８との間に水が浸入した場合でも、当該水は開口縁取り部材６０の突出部６０Ｂの外周を伝って点検口２４の下側へ流下する（矢印Ｗ参照）。 - 特許庁

The film deposition is carried out by introducing a gas containing HF or a material generating HF gas by a reaction into a treating vessel 11 to purge the inside of the treating vessel with the gas containing HF (ST3), arranging a substrate W to be treated in the treating vessel 11 (ST4) and supplying a film deposition gas into the treating vessel (ST7).例文帳に追加

処理容器１１内にＨＦを含むガスまたは反応によりＨＦガスを生成する物質を導入して、処理容器１１内をＨＦを含むガスでパージし（ＳＴ３）、処理容器１１内に被処理基板Ｗを配置し（ＳＴ４）、処理容器１１内に成膜ガスを供給して成膜処理を行う（ＳＴ６，ＳＴ７）。 - 特許庁

Further this ventilating device is provided with a rectangular parallelepiped duct 17 having a main suction opening 16 communicated with the suction opening, and formed on a position facing the electromagnetic cooker 11, a spindle portion 18 derrickably supporting the duct 17, and a recessed portion 19 formed on the vertical wall surface W for storing the whole duct 17 in a standing state.例文帳に追加

また、吸気口と連通し、電磁調理器１１に臨む位置に開設された主吸込口１６を有する直方体状のダクト１７と、ダクト１７を起伏可能に支える支軸部１８と、起立状態にしたダクト１７全体を収納するため垂直壁面Ｗに設けられた凹部１９と、を設けている。 - 特許庁

Even if sludge such as machine chips in machining fluid 2 is deposited on the lower arm 13, deterioration of sealing of the flexible cylindrical body 40 and the change of slide resistance of the machining tank 1 are few since the sludge does not rub against the flexible cylinder 40, and therefore, the machining tank 1 is smoothly moved, and machining precision of a workpiece W is improved.例文帳に追加

加工液２中の加工屑等のスラッジが仮に下アーム１３に堆積しても、スラッジが可撓性筒体４０と擦れ合わないので、可撓性筒体４０のシール劣化や加工槽１の摺動抵抗の変化が少なく、加工槽１の移動がスムースであり、工作物Ｗに対する加工精度が向上する。 - 特許庁

As shown in Fig.4, when the attitude of the workpiece W adjacent to the sidewall D1 of the carriage D is tilted, even when tilting the first arm part 211 and second arm part 212 with respect to the sidewall D1 of the carriage D, the first arm part 211 and second arm part 212 do not interfere with the sidewall D1 of the carriage D.例文帳に追加

図４に示すように、台車Ｄの側壁Ｄ１に隣接するワークＷの姿勢が傾いている場合、第１アーム部２１１および第２アーム部２１２を台車Ｄの側壁Ｄ１に対して傾斜させても、第１アーム部２１１および第２アーム部２１２は台車Ｄの側壁Ｄ１と干渉しない。 - 特許庁

In the remote plasma CVD device 1, a plasma generating region P is separated from a treatment substrate S so that the treatment substrate S is not exposed to plasma and also a mesh-type shield member 5 composed of a substance selected among Mo, Ti, W and WC is provided between the plasma generating region P and a substrate stage 3.例文帳に追加

リモートプラズマＣＶＤ装置１において、処理基板Ｓがプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域Ｐと処理基板Ｓとを離間すると共に、プラズマ発生領域Ｐと基板ステージ３との間に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ及びＷＣから選ばれた物質で構成されているメッシュ状の遮蔽部材５を設ける。 - 特許庁

A W/R and ECC (error correcting code) controller 20 selectively designates a storage region for detecting and correcting errors of a plurality of optional data amounts and a storage region not for detecting and correcting the errors in a memory device 50 on the basis of an instruction of a central control unit 10 and writes input data (write data).例文帳に追加

中央制御装置１０の指示に基づいて、Ｗ／Ｒ・ＥＣＣ制御装置２０が、メモリ装置５０に対し、複数の任意データ量の誤り検出訂正を行う記憶領域と誤り検出訂正を行わない記憶領域を選択的に指定して入力データ（書込データ）を書き込む。 - 特許庁

The propylene resin type foamed sheet comprises a foamed layer containing a propylene type resin and non foamed layer containing a propylene type resin which shows an endothermic curve having the highest melting peak of 15°C or higher half-value width ▵w in a differential calory scanning measurement, and the container is obtained by a vacuum molding of the foamed sheet.例文帳に追加

プロピレン系樹脂からなる発泡層と、示差走査熱量測定において、最も高いピークであって半値幅△ｗが１５℃以上である融解ピークを有する吸熱曲線を示すプロピレン系樹脂からなる非発泡層とを有するプロピレン系樹脂発泡シートならびに該発泡シートを真空成形して得られる容器。 - 特許庁

The solar cell in which at least an electrode 10 having a double-layered structure is formed on a substrate W and a finger electrode 2 of the second layer of the electrode 10 is a copper wire and especially the copper wire is plated on the surface with a soldering material, and the method for fabricating such solar cell are provided.例文帳に追加

少なくとも、基板Ｗ上に複層構造の電極１０が形成された太陽電池であって、電極１０の第２層目２が銅の細線であり、特に銅の細線は、その表面にはんだ性材料がメッキされたものである太陽電池及びそのような太陽電池を製造する方法。 - 特許庁

The swaging hammer 7 is struck by a swaging roller 13 revolving around a periphery of the swaging hammer 7 to move the dies 5 towards a centripetal direction, so that a work W is reduced in diameter.例文帳に追加

中央で集合してワーク挿入孔を形成する複数のダイス５を放射方向へ移動自在に配置し、各ダイスの外側にスウェージングハンマー７を配し、該スウェージングハンマー７の外周を公転するスウェージングローラ１３にてスウェージングハンマー７を打撃することでダイス５を求心方向へ移動させてワークＷを縮径する。 - 特許庁

At the time of the general laser operation such as a semiconductor exposing treatment, the spectral line width W, spectral purity E95 or contrast loss LC corresponding to the spectral line width in the line width threshold Thresu of the spectral waveform f(λ) measured by the etalon spectrometer 32 is determined by use of this spectral line width and the predetermined correlation.例文帳に追加

そして、半導体露光処理等のような通常のレーザ運転時に、エタロン分光器３２で計測されるスペクトル波形ｆ（λ）の線幅閾値Thresuにおけるスペクトル線幅Ｗと、予め求めた相関とを用いて、スペクトル線幅Ｗに対応するスペクトル線幅Ｗやスペクトル純度Ｅ９５やコントラストロスＣＬが求められる。 - 特許庁

This substrate treatment device comprises a spin chuck 58 for rotatably holding a substrate W in a plane including its main surface, a motor 57 for rotatably driving the spin chuck, a circulating pump 64 for circulating a remover liquid and supplying the remover liquid to a first nozzle 41, and a heater 69 for heating the circulating remover liquid.例文帳に追加

基板処理装置は、基板Ｗをその主面を含む平面内において回転可能に保持するスピンチャック５８と、スピンチャックを回転駆動するモータ５７と、除去液の循環と第１ノズル４１への除去液の送液とを行う循環ポンプ６４と、循環する除去液を加熱するためのヒータ６９とを備える。 - 特許庁

When a sirocco fan 15 and a chuck table 12 are coaxially rotated together for spin-drying, a negative pressure directed outward is generated on the chuck table 12 in the radial direction by the rotation of the fan 15, and droplets flying from a silicon wafer W are forcibly exhausted through vanes 18.例文帳に追加

スピン乾燥時に、シロッコファン１５をチャックテーブル１２と同軸的に回転させると、このファン１５の回転により、チャックテーブル１２上に半径方向外側へ向かう負圧力が発生し、この負圧力により、シリコンウェーハＷから飛散した水滴を羽根板１８間から外へ強制的に排出させる。 - 特許庁

In this coater for supplying a liquid mixture of resist and thinner onto a wafer W from a nozzle 86, the nozzle 86 is connected to a liquid mixture feed pipe 88, and the liquid resist and thinner are respectively passed through a junction pipe 75 from the resist feed pipe 97 and thinner feed pipe 98 and supplied.例文帳に追加

レジスト液とシンナとの混合液をウエハＷ上にノズル８６から供給する塗布装置において、ノズル８６は混合液供給管８８に接続され、混合液供給管８８には、レジスト液供給管９７、シンナ供給管９８からそれぞれレジスト液及びシンナが合流管７５を通過して供給されている。 - 特許庁

The system, first, detects pulse width (W) of 8 to 16 modulation (EFM+) signals, when the pulse width of the EFM+ signal is in default window width or the puls width of the EFM+ signal is illegal pulse width, an erasure control signal is generated, the corresponding code is set to erasure, an erasure address is formed.例文帳に追加

この製品はまず８から１６変調（ＥＦＭ＋）シグナルのパルス幅（Ｗ）を検知し、該ＥＦＭ＋シグナルのパルス幅がデフォルトウィンドウ幅にある時、或いは該ＥＦＭ＋シグナルのパルス幅が非合法なパルス幅である時、消去制御信号が発生し、対応するコードをが消去( ｅｒａｓｕｒｅ) に設定し、消去アドレスを形成する。 - 特許庁

The optical waveguide type module includes the chip 20 formed with a waveguide, an aluminum heater 24 for heating the chip, and a highly thermally-conductive material 26, such as a Cu-W alloy, interposed between the chip and the heater in such a manner that the heat of the heater is evenly distributed and conducted to the chip.例文帳に追加

導波路を形成したチップ（２０）と、このチップを加熱するアルミナ製ヒータ（２４）と、該ヒータの熱を均一に分布させて前記チップに伝えるべく、チップとヒータとの間に介在させたＣｕ−Ｗ合金のような高熱伝導性材料（２６）と、を含むことを特徴とする光導波路型モジュール用パッケージ。 - 特許庁

The Fe-based wear-resistant sliding material has a martensitic base phase wherein 0.15-0.5 wt.% carbon is dissolved and 10-50 vol.% in total of special carbides of at least one chosen from Cr, Mo, W and V is dispersed.例文帳に追加

本発明に係るＦｅ系耐摩耗摺動材料は、０．１５〜０．５重量％の濃度の炭素が固溶されたマルテンサイト母相を有し、前記マルテンサイト母相中にＣｒ、Ｍｏ、ＷおよびＶそれぞれの特殊炭化物のうち一種以上が合計で１０〜５０体積％分散されていることを特徴とする。 - 特許庁

In a first process for removing a coating film, respective pealing zones H_10 determined at the portions corresponding to welding points W of a steel plate 12 are irradiated by converging a pulse laser beam LBa for removing the coating film, and galvanized coating films 10 within the pealing zones H_10 are sublimated and removed by the energy of the pulse laser beam LBa.例文帳に追加

第１工程の皮膜除去工程では、スチール板１２の溶接ポイントＷと対応する部位に設定された各剥離領域Ｈ_10に皮膜除去用のパルスレーザ光ＬＢａを集光照射し、剥離領域Ｈ_10内の亜鉛メッキ皮膜１０をパルスレーザ光ＬＢａのエネルギーにより昇華させて除去する。 - 特許庁

The edge susceptors 723 arranged in an annular region facing the edge of the wafer W, and the outer periphery susceptors 724 on the outside thereof are made of an material which is opaque from ultraviolet ray to infrared ray and has a thermal conductivity larger than that of quartz, e.g. silicon (Si), sintered ceramics (sintered SiC), or a metal (e.g. AlN).例文帳に追加

ウエハＷの端縁部に対向する円環状の領域に配置されるサセプタ端縁723と、その外側のサセプタ外周724とは、石英よりも熱伝導率が大きく、紫外線から赤外線にかけて不透明な素材であるシリコン（Ｓｉ）、焼結セラミックス（焼結ＳｉＣ）、金属（例えばＡｌＮ）などから作られる。 - 特許庁

The heat conductivity of the radiating substrate 20 is more than 1 W/m×K, and its thickness is thinner than 0.5 mm, and the substrate contains (1) a polymer which has a melting point higher than 150°C and contains fluorine of 30 to 60 vol% and (2) a heat conductive filler, of 40 to 70 vol%, dispersed in the polymer containing fluorine.例文帳に追加

放熱基板２０の熱伝導率は１Ｗ/ｍ・Ｋより大きく、厚さは０．５ｍｍよりも薄く、（１）１５０℃よりも高い融点を持つ、３０〜６０容量％のフッ素含有ポリマーと、（２）そのフッ素含有ポリマー中に分散させた４０〜７０容量％の熱伝導性充填材とを含む。 - 特許庁