「下地」に関連した英語例文の一覧と使い方(174ページ目) - Weblio英語例文検索

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。例文帳に追加

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film. - 特許庁

床面や壁面に導電性材料を用いたシールド層を形成する内装工事の電磁シールド工法であって、内装材施工に使用する接着剤として導電性を有する導電性接着剤を使用して導電性接着剤２によるシールド層を形成することを特徴とし、内装下地３の上に内装仕上げ材１を貼り付ける接着剤として導電性接着剤２を使用する。例文帳に追加

A shielding layer of conductive material is formed on a floor surface or a wall surface through an electromagnetic shield technique of an interior work, where a conductive adhesive agent 2 is used as an adhesive agent for an interior material work to form a shielding layer, and the conductive adhesive agent 2 is used as a adhesive agent to paste an interior finishing material 1 on an interior base 3. - 特許庁

この方法では、地盤面４より１００〜１５０ｃｍ上方のタイル取付用パネル１，・・・を設置する側の下地壁３の面に、地盤面４に対して略平行する基準目線３１を設け、その基準目線３１にタイル取付用パネル１の基準線部１１を合わせて設置する。例文帳に追加

In this method, a reference line mark 31 almost in parallel to a ground surface 4 is indicated on a tile mounting wall 3 on which the tile mounting panels 1, etc. are to be installed almost up to 100 to 150 cm above the ground surface 4; and then the tile mounting panels 1 are installed in alignment with a reference line 11 of the tile mounting panel located on the reference line mark 31. - 特許庁

窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。例文帳に追加

A nitride semiconductor-stacked substrate is obtained by stacking an intermediate layer 3 for the exfoliation of a substrate 1 of a different kind of material and a second nitride semiconductor layer 4 on a nitride semiconductor ground substrate in which a first nitride semiconductor layer 2 having a dislocation density of ≥1.0×10^10/cm^2 is formed on the substrate 1 of the different kind of material different from nitride. - 特許庁

第１のレース１０１および第２のレース１０２の軌道輪１０１ａ，１０２ａと、円筒ころ１０３の周面（転動面）に、下地層および中間層を介したＤＬＣ層か、拡散浸透処理によるバナジウムカーバイト（ＶＣ）、チタンカーバイト（ＴｉＣ）、ジルコニウムカーバイト（ＺｒＣ）、ニオブカーバイト（ＮｂＣ）、またはタンタルカーバイト（ＴａＣ）からなる金属炭化物層を形成する。例文帳に追加

A DLC layer via a substrate layer and an intermediate layer or a metal carbide layer composed of vanadium carbide (VC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobium carbide (NbC) or tantalum carbide (TaC) by pack cementation is formed on the bearing rings 101a, 102a of a first race 101 and a second race 102, and the circumferential face (rolling face) of a cylindrical roller 103. - 特許庁

遮水シート３と下地Ｇとの間の水を回収し、その水の量から遮水シート３の漏水を検知できるよう構成した遮水構造において、通水層４内に法面１と底面２を仕切る隔壁５を配置することによって、法面１と底面２の漏水の検知がそれぞれ独立して行えるようにしている。例文帳に追加

Water between a water barrier sheet 3 and the backing G is recovered, water leak from the water barrier sheet is made detectable from the amount of water leakage in the water barrier construction by placing a partition wall 5 for separating the face of slope 1 from the bottom surface 2 inside the pervious layer 4, thereby permitting to perform water leak detection for face of slope 1 and bottom surface 2 independently from the other. - 特許庁

強誘電体層を成長する際に下地Ｓｉの酸化による絶縁性のシリコン酸化膜を形成せず、微細加工する際に成膜時に強誘電体層に導入した歪を緩和させず、しかも書き込み／読み出しの繰り返しによる疲労劣化を生じないような下部電極を形成することができ、強誘電体キャパシタの信頼性向上をはかる。例文帳に追加

To restrain an insulating silicon oxide film from being formed by the oxidation of a Si base, when a ferroelectric layer is grown, to prevent distortion introduced into the ferroelectric layer when it is formed from being relaxed when a fine processing is carried out, to form a lower electrode which is kept free of fatigue deterioration caused by repetitive operations of write/ read, so as to improve ferroelectric capacitor in reliability. - 特許庁

ガラス４１上に絶縁性下地層４２ａと酸化亜鉛層４２ｂが順次積層された透明電極層に対し、Ｎｄ−ＹＶＯ4（ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー）レーザーから出力される第二高調波（波長５３２ｎｍ）であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝４３を形成する。例文帳に追加

An isolation groove 43 is formed in a transparent electrode layer in which an insulating ground layer 42a and a zinc oxide layer 42b are sequentially laminated on a glass 41 by a laser beam which is a second harmonic (with a wavelength of 532 nm) outputted from a Nd-YVO4 (neodymium-YVO4) laser, and whose cross sectional output intensity distribution is equalized and whose fore-end is flat. - 特許庁

（Ａ）シリコーンエラストマーと、エステル油、炭化水素油、高級アルコール、植物油、動物油からなる群から選ばれる常温で液体の油剤成分の１種、または２種以上とを混練または粉砕して得られるペースト状物と、（Ｂ）平均粒子径１〜５０μｍの板状粉体と、（Ｃ）油性成分とを含有する唇用下地料。例文帳に追加

The foundation for the lips contains (A) a paste obtained by mixing or grinding a silicone elastomer and one or more oil components which are liquid at ordinary temperature and, selected from the group consisting of an ester oil, hydrocarbon oil, higher alcohol, vegetable oil and animal oil, (B) the sheet-shaped powder of average particle size of 1 to 50 μm and (C) an oil component. - 特許庁

液晶表示装置２００の背面側基体２１０には、その基板２１１上に、ＩＴＯ等の導電性金属酸化物で構成された下地導電層２１２Ａ、銀単体若しくは銀合金で構成された反射性導電層２１２Ｂ、ＩＴＯ等の透明導電体で構成される透明導電層２１２Ｃを順次積層してなる反射電極２１２が形成されている。例文帳に追加

A reflection electrode 212 constructed by successively laminating a base conductive layer 212A composed of a conductive metal oxide such as ITO, a reflective conductive layer 212B composed of the silver simple body or the silver alloy, and a transparent conductive layer 212C composed of a transparent conductive body such as ITO on a substrate 211 is formed on the rear surface side base substance 210 of a liquid crystal display device 200. - 特許庁

１次転写において有色トナー像を画像担持体上に形成し、２次転写において形成された有色トナー像を一括して紙上へ転写する方式を用いる画像形成装置において、１次転写時の有色トナー像の下地又は上地に透明トナー層を形成して縁無し印刷時に発生する紙裏汚れを防止する。例文帳に追加

To prevent the generation of stains on the rear surface of a sheet which may be generated at the time of frameless printing by forming a transparent toner layer on an underlayer or an upper layer of a colored toner image formed by primary transfer in an image forming apparatus adopting a system for forming a color toner image on an image carrier by primary transfer and collectively transferring a colored toner image formed by secondary transfer to the sheet. - 特許庁

プラグ電極形成時のエッチング条件に対し、エッチングレートが下地１の絶縁層間膜２より大きく、且つプラグ材３よりエッチングレートの小さい中間膜４を、プラグ材３と絶縁層間膜２の間に設ける工程と、プラグ材３のオーバーエッチング中に中間膜４をエッチングする工程とを含む。例文帳に追加

The conditions of etching when forming he plug electrode include a process where an intermediate layer 4, whose etching rate is larger than that of a dielectric film 2 interposed on a foundation 1 and is smaller than that of a plug component 3, is formed between the plug component 3 and the dielectric layer 2, and a process where the intermediate layer 4 is etched in over-etching the plug component 3. - 特許庁

底部１１の幅方向両側より立上り側部１２，１２が形成され，該立上り側部１２，１２の上端より外方下向きに傾斜状の嵌合片１３，１３が形成された取付ピース1と、前記嵌合片１３，１３に嵌合する被嵌合片２３，２３が形成された下地部材２とからなること。例文帳に追加

This newly constructed substrate member is composed of a mounting piece 1 forming side parts 12, 12 rising from both sides in the direction of width of a bottom part 11 and forming fitting pieces 13, 13 inclined outward and downward from upper ends of the rising side parts 12, 12 and a substrate member 2 forming pieces 23, 23 to be fitted into the fitting pieces 13, 13. - 特許庁

ガラス基板１上に少なくとも下地層２と、磁性層３と、保護層４とを備える磁気ディスクであって前記磁性層がＣｏＣｒを含む合金で、且つ第１、第２の磁性層３ｃ、３ｄを含む２層以上からなる磁気ディスクの製造方法であり、第１の磁性層３ｃの成膜中に直流バイアスを印加する。例文帳に追加

In a manufacturing method of the magnetic disk which is provided with at least an underlayer 2, a magnetic layer 3 and a protective layer 4 on a glass substrate 1 and wherein the magnetic layer comprises an alloy including CoCr and has two or more layers including first and second magnetic layers 3c and 3d, a DC bias is applied during film-deposition of the first magnetic layer 3c. - 特許庁

本発明の外装材用保持部材１Ａは、横葺き外装材２Ａの水上側成形部２３の上端を保持する上部保持部１２と、水上側成形部２３の裏面に当接又は近接する下部保持部１３と、それらの水上側に位置して下地３に固定される固定部１１とを備えてなる。例文帳に追加

This retaining member 1A for the sheath material comprises an upper retaining part 12 retaining the upper end of the water side forming part 23 of the lateral roofing sheath material 2A, a lower retaining part 13 in contact with or in proximity to the rear surface of the water side forming part 23, and a fixed part 11 positioned on the water side thereof and fixed to a substrate 3. - 特許庁

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。例文帳に追加

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14. - 特許庁

外壁材６を互いにその側端部を突き合せて下地材に装着すると共に，上記側端部の突き合せ部分６０の表面側には弾性目地処理材５を被覆してなり，該弾性目地処理材５の内部には，多数の穴を有し該弾性目地処理材５が貫通可能な多穴シート１を配置してなる。例文帳に追加

The side ends are mutually butted on the outer wall material 6 to be mounted on a substrate material, an elastic joint processed material 5 is covered on the surface side of the butt part 60 of the side end, a number of holes exist in the inside of the elastic joint processed material 5, and a sheet with the many holes 1 through which the elastic joint processed material 5 penetrates is arranged. - 特許庁

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。例文帳に追加

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask. - 特許庁

磁気吸引力を有する義歯アタッチメントを吸着させるためのキーパ１において，キーパ１は，軟磁性材料からなる本体部１１と，少なくともその側面にＮｉ下地皮膜を設けることなく形成された金皮膜２とを有してなり，金皮膜２は，ＰＶＤ処理により形成されていると共に厚みが４μｍ以下であり，かつ，その組成比中に有害な成分を含有していない。例文帳に追加

The keeper 1 for attracting the denture attachment having magnetic attraction force has a main body part 11 comprising a soft magnetic material and the gold coating film 2 formed to at least the side surface of the main body part 11 without providing an Ni substrate coating film and the gold coating 2 is formed by PVD treatment and has a thickness of 4 μm or less and contains no harmful component in its composition ratio. - 特許庁

所望の粘度に増粘でき、放置安定性に優れており、しかも優れた強度、耐水性、耐アルカリ性を有するセメントモルタル、あるいはコンクリートなどのセメント成形体を付与するセメント混和剤を提供すること、およびコンクリートなどの基材とセメントモルタル上塗り剤との優れた接着強度（常態接着強度、湿潤接着強度）を付与するセメントモルタルの下地塗り剤を提供すること。例文帳に追加

To obtain a cement admixture thickenable to a desired viscosity, high in stability even after left to stand, and capable of affording cement mortar or cement molded forms such as concrete with high mechanical strength, water resistance and alkali resistance, and also usable as a cement mortar undercoating agent capable of affording high bond strength (under normal or wet conditions) between a base such as concrete and a cement mortar topcoating agent. - 特許庁

Ｌａのような希土類元素を溶加材に添加して溶接割れを防止するようにした溶接方法において、多層溶接を行う場合下地となる材料と溶加材とが混合して各層毎にＬａ量が変化して、添加量の適正範囲から外れてしまい、延性低下割れや凝固割れなどの溶接割れを引き起し、これを防ぐことが望まれている。例文帳に追加

To prevent weld cracks such as ductility degradation cracks and weld metal solidification cracks caused by the deviation of an amount of addition from an adequate range by the change of the La amount for each layer by the mixture of a material forming a substrate with a filler metal when performing a multi-layer welding method for preventing any weld crack by adding a rare earth element such as La to the filler metal. - 特許庁

多結晶薄膜Ｓｉ堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Ｓｉ薄膜表面に非晶質Ｓｉ層を堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ層を部分的に除去し、多結晶Ｓｉを部分的に露出させる工程と 該多結晶Ｓｉが露出した部分を核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする例文帳に追加

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core. - 特許庁

過酷な負荷条件下での摺動に対しても剥離が起こらず、コーティング下地処理中に使用するショット材がコーティング層付近のアルミ合金等の母材に残留することがなくて残留ショット材がコーティング層等を傷付けるおそれのない、密着性が優れた良質なフッ素系樹脂コーティング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a satisfactory fluororesin coating method by which peeling does not occur even to sliding under severe load conditions, a shot material used during coating substrate treatment does not remain in a base material of an aluminum alloy or the like in the vicinity of a coating layer, there is no risk of the damage of the coating layer or the like by the remaining shot material, and adhesion is excellent. - 特許庁

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5. - 特許庁

旧塗装面の劣化塗膜の除却、クラック等の補修の後、植物性抗菌剤を塗布し、しばらく放置した後、高圧水による洗浄により、植物性抗菌剤及び汚れを除去し、水性反応硬化形樹脂系下地調整剤、低汚染形樹脂塗料による中塗り、上塗りの順にローラにて塗布する。例文帳に追加

The painting method includes removing a degraded film on an old painted surface; repairing cracks and the like; applying a vegetable antibacterial agent; leaving it for a while; washing the vegetable antibacterial agent and dirt off with high-pressure water; and applying using a roller an aqueous reaction hardening type resin surface preparation agent and a low- contamination resin paint respectively for second coating and top coating in that order. - 特許庁

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。例文帳に追加

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13. - 特許庁

乾式壁の下地調整材として、合成樹脂エマルションをバインダーとし主たる成分として粒径０．５ｍｍ以下の無機質充填材と線径５〜５０μｍ、長さ０．５〜３０ｍｍの炭素繊維を含有し、無機質充填材１００重量部に対して炭素繊維を０．０５〜５重量部の割合で配合したものを使用する。例文帳に追加

This bed conditioning material for a dry wall contains a synthetic resin emulsion as a binder and an inorganic filler with grain diameters of 0.5 mm or less and carbon fibers with fiber diameters of 5 to 50 μm and lengths of 0.3 to 30 mm as main components; 100 pts.wt. of the inorganic filler are blended with 0.05 to 5 pts.wt. of the carbon fibers. - 特許庁

その際、成膜室に基板２０ｘを搬入するたびに、窒素ガスの供給を停止した状態でスパッタリングして窒素を含有しないタンタル膜からなる下地金属膜１３１を形成する成膜前処理を行った後、窒素ガスの供給を開始して反応性スパッタ成膜処理を行う。例文帳に追加

At this time, a film performing process is carried out to form a lower base metallic film 131 as a tantalum film not containing nitrogen by sputtering each substrate 20x fed in the film growth chamber, in such a condition that the supply of the nitrogen gas is stopped, and then a reactive sputter film forming process is carried out by starting the supply of the nitrogen gas. - 特許庁

色検出部から出力されたカラーコードデータと予め設定した特定原稿の下地色又は特定マークに対応するカラーコードデータと一致するか否か識別し、出力された前記カラーコードデータが、予め設定したカラーコードデータと一致する場合には、原稿が不正複写を禁止する特定原稿であると判断する。例文帳に追加

It is determined whether a color code outputted from a color detection part is matched with preset color code data corresponding to a background color or a specific mark of a specific document, and if the outputted color code data are matched with the preset color code data, the document is judged as a specific document to prohibit unapproved copying. - 特許庁

シールド層は、蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜を下地として画素間の非開口領域内に形成されると共に、複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するコンタクトホールを介してにより蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなる。例文帳に追加

The shield layers are formed of a 1st conductive light shielding film formed in non-opening areas between pixels while grounded on a plurality of inter-layer insulating films arranged on the storage capacitors and also electrically connected to fixed-potential side electrodes of the storage capacitors through contact holes penetrating the plurality of inter-layer insulating films in one. - 特許庁

転位密度が小さく、格子不整合が少なく、結晶性が優れており、その膜上に発光効率が優れたＩＩＩ族窒化物膜を形成することができ、そしてＩＩＩ族窒化物膜用下地基板、発光素子並びに表面弾性波デバイスに用いられる単結晶窒化アルミニウム膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a single crystal aluminum nitride membrane for use in an underlying substrate for the group III nitiride membrane, a luminescence element as well as a surface elastic wave devise, of which the transition density is small, the lattice inconsistencies are small and the crystallinity is excellent and that is capable of forming the group III nitride membrane with excellent luminous efficacy on the membrane. - 特許庁

強度の弱い石膏ボードを補強することができて強度を高めることができ、しかもクロス等の表面材だけではなく腰壁等の固着具によって取付けられる表面材をも簡単且つ強固に取付けることができ、さらには優れた耐火性を有し尚且つ軽量で厚みが薄くコストの低い内装下地材を提供する。例文帳に追加

To provide an interior backing material capable of enhancing strength by reinforcing a gypsum board having weak strength, capable of easily and firmly installing not only a surface material such as cloth but also a surface material installed by a fixture such as a spandrel wall, having superior fire resistance, having the thin thickness in a lightweight type, and reducing cost. - 特許庁

床下空間の湿気の調湿又は／及び床下空間の悪臭を消臭することができ、加えて、床下地面から蒸発した水蒸気を完全に遮ることなく通気させることにより、下部の非吸水性の熱可塑性シートに結露とカビの発生を減少し、若しくは抑制すると共に、嫌気性微生物の繁殖を抑制して土壌の腐敗を防止することができる床下用マットの提供。例文帳に追加

To provide an underfloor mat capable of performing humidity conditioning for an underfloor space or/and deodorizing the underfloor space, decreasing the occurrence of dew condensation and fungi on a non-water absorptive thermo-plasticity sheet at a lower portion by ventilating water vapor evaporated from underfloor ground surface without fully shielding and suppressing the propagation of anaerobic microorganism to prevent corrosion of soil. - 特許庁

加熱を必要とせず、発煙、悪臭を出さず、また剥離シートの発生を伴うこともなく、極めて短時間でアスファルトルーフィングを下地に密着固定することができ、ほとんど天候状態に左右されないアスファルトルーフィングの施工方法、それに使用される改質アスファルトエマルジョン及び変性アスファルトルーフィングの提供。例文帳に追加

To provide a method for applying asphalt roofing, with which heating is not required, neither smoke nor offensive smell is emitted, no release sheet occurs, asphalt roofing is stuck fast and fixed to a substrate in an extremely short time and hardly affected by a weather condition and to obtain a modified asphalt emulsion and modified asphalt roofing used therefor. - 特許庁

【解決手段】 Ｃｏまたは酸化物を含有するＣｏの第１の磁性層５ａと、Ｐｔ，Ｐｄ、または酸化物を含有するＰｔ，Ｐｄの第２の磁性層５ｂとを多数積層して垂直磁性層５を構成し、この垂直磁性層を酸素を含有するＲｕ下地層４を介して非磁性基板１上に設けることとした。例文帳に追加

A vertical magnetic layer 5 is formed by laminating a number of first magnetic layers 5a of Co containing Co or an oxide and a number of second magnetic layers 5b of Pt and Pd containing Pt and Pd or an oxide and the vertical magnetic layer is provided on a non-magnetic substrate 1 via a Ru base layer 4 containing oxygen. - 特許庁

耐火物の表面の一部または全体に、該耐火物よりも引張強度の高い繊維からなる一方向の束、撚り紐あるいは織物が接着された繊維接着層が配置され、その表面に、酸化防止下地層が配置され、さらにその表面に酸化防止層が配置されたことを特徴とする繊維強化耐火物。例文帳に追加

In the fiber reinforced refractory, a fiber bonded layer formed by bonding a unidirectional bundle, a twisted string or a woven fabric having higher tensile strength than that of the refractory is arranged on a part or the whole surface of the refractory, an oxidation preventing base layer is arranged on the surface of the fiber bonded layer and an oxidation preventing layer is arranged thereon. - 特許庁

機器が携帯可能となることに伴って生じる使用状況の広範化に対応し、機器自体の撮像機能によって表示画像が投影される下地面の状況を検出し、この状況に合わせた表示画像の画像補整を行って色再現性の良い画像表示を行うことができる携帯撮像表示装置を提供すること例文帳に追加

To provide a portable imaging display device which displays an image with improved color reproducibility by detecting the situation of a foundation surface to which a display image is projected by the imaging function of equipment itself corresponding to the widening of a usage situation generated following the portability of the equipment, and by adjusting the display image to the situation. - 特許庁

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。例文帳に追加

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region. - 特許庁

低温定着性、保存性及び耐オフセット性に優れ、臭気の発生も低減できるトナーを用い、定着性に優れ、長期間の使用にわたり色調の変化が無く、濃度低下、地肌汚れ等の異常画像の見られない極めて高品質な画像を形成できる画像形成装置、画像形成方法、及びプロセスカートリッジの提供。例文帳に追加

To form an image of extremely high quality having excellent fixing property, no change in the tone for long-term use, and free from abnormal images such as decrease in density and contamination on the base by using a toner that is excellent in low temperature fixing property, storage property and offset resistance and reduces generation of odor. - 特許庁

本発明の白色被膜を有する装飾品は、金属またはセラミックスからなる装飾品用基材と、該基材表面に形成された下地層と、この表面に乾式メッキ法により形成された炭化チタン層と、この表面に乾式メッキ法で形成されたプラチナまたはプラチナ合金からなる装飾被膜層とで構成される。例文帳に追加

The accessory having the white coating film comprises: a base material for the accessory made from a metal or a ceramic; an underlayer formed on the surface of the base material; a titanium carbide layer formed on the surface by a dry plating method; and a decorative coating layer of platinum or a platinum alloy formed on the surface by a dry plating method. - 特許庁

パネル材からなる内・外装材を、従来のような下地ボード等を使用することなく、直接建築物の躯体等の内・外壁面に対して、所要の取付用金具を使用することにより、乾式工法によって簡便にかつ確実に取付けることができる内・外装パネル材の取付用金具およびその取付け方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal fixture for fitting an interior and exterior finish panel which can simply and reliable fit interior and exterior finish members formed of panels by a dry method by using required metal fixtures for fitting directly on internal and external wall surfaces of a skeleton, etc., of a building without using any conventional substrate board, and a fitting method thereof. - 特許庁

本発明の樹脂封止型半導体素子１は、集積回路の形成された半導体基板２上に酸化シリコンからなる下地絶縁膜３が形成され、その上に集積回路に接続するアルミニウムからなる配線層４が形成され、さらに配線層４上に窒化シリコンからなるカバー絶縁膜５が形成されている。例文帳に追加

In the resin encapsulated semiconductor element 1, a ground insulating film 3 which consists of silicon oxide is formed on a semiconductor substrate 2 in which an integrated circuit is formed, thereon a wiring layer 4 is formed which is constituted of aluminum and connected with the integrated circuit, and a cover insulating film 5, constituted of silicon nitride, is formed on the wiring layer 4. - 特許庁

弁金属シート体１の所定の位置にスルホール電極７を設けた固体電解コンデンサの弁金属シート体１またはスルホール電極７の上の接続端子１１を下地層９とバリア層１０の２層以上の構成とし、この接続端子１１の上に接続バンプ１２を設ける構成とする。例文帳に追加

The valve metal seat 1 wherein a through-hole electrode 7 is provided at its specified position or the connection terminal 11 formed on the through-hole electrode 7 is formed of more than two layers of a base layer 9 and a barrier layer 10, and a connection bump 12 is formed on the connection terminal 11. - 特許庁

サファイア基板１上にＡＩＮ高温緩衝層２，アンドープＧＡＮ下地層３とを積層した上にたとえばＧｅドープＧＡＮ層４のようなＧｅドープ化合物半導体を形成する際に、ゲルマニウム添加源としてテトラメチルゲルマニウムおよびテトラエチルゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む有機ゲルマニウム化合物を不純物源として用いる。例文帳に追加

When the Ge-doped compound semiconductor such as a Ge-doped GAN layer 4 is formed on an AIN high-temperature buffer layer 2 and an undoped GAN base layer 3 which are stacked on a sapphire substrate 1, an organic germanium compound is used as an impurity source which contains at least one selected from a group composed of tetramethylgermanium and tetraethylgermanium as the additional source of germanium. - 特許庁

本発明の電気光学装置（液晶ライトバルブ）は、第１の熱膨張係数を持つ石英基板（基板本体１０Ａ）と、石英基板上に形成された絶縁体層（下地絶縁膜１２）と、絶縁体層上に形成された第２の熱膨張係数を持つ単結晶シリコン層（半導体層１ａ）とを有する複合基板を一方の基板としたものである。例文帳に追加

The electro-optical device (liquid crystal light bulb) uses, as one substrate, a composite substrate including a quartz substrate having a first thermal expansion coefficient (substrate body 10A), an insulator layer formed on the quartz substrate (underlayer insulation film 12) and a single crystal silicon layer having a second thermal expansion coefficient formed on the insulator layer (semiconductor layer 1a). - 特許庁