Slを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 993件
In the rich atmosphere control, the rich target equivalent ratio ΦR is set on the basis of the engine speed; the rich atmosphere control is started; and in that case, a determination estimate SL1 is set by a value of reducing the oxygen adsorption estimate SL by 10 %.例文帳に追加
リッチ雰囲気制御では、エンジン回転数に基づきリッチ目標当量比ΦRを設定してリッチ雰囲気制御を開始し、その際、酸素吸着推定量SLを10%減少させた値で判定推定量SL1を設定する。 - 特許庁
When the sulfur poisoning amount Ssum is larger than the judgment threshold SL at S6, a poisoning releasing time and a poisoning releasing temperature are determined at S7 and S8 based on the oil-originated sulfur ratio Ro and the sulfur poisoning releasing is performed based on them.例文帳に追加
次にS6にて硫黄被毒量Ssumが判定閾値SLより大きい場合は、S7、S8にてオイル由来硫黄割合Roに基づき被毒解除時間及び被毒解除温度を決定し、これらに基づきS9にて硫黄被毒解除を実行する。 - 特許庁
The cross section of a power supply line Vdd for supplying a current to an organic light emitting element (OLED) is made larger than cross sections of a data line DL through which luminance data are made to flow and of a scanning line SL through which a scanning signal is made to flow.例文帳に追加
表示装置100において、有機発光素子OLEDに電流を供給する電源供給線Vddの断面積を、輝度データを流すデータ線DLおよび走査信号を流す走査線SLの断面積よりも大きくする。 - 特許庁
Trenches 4a-4c are provided at the position of a scribe line SL of semiconductor substrates 1a to 1c, and after the substrates 1a to 1c are laminated, a conductive material 11 is filled inside the trenches 4a to 4c provided at cut-sections of the substrates 1a to 1c.例文帳に追加
半導体基板1a〜1cのスクライブラインSLの位置に溝4a〜4cを設け、半導体基板1a〜1cを積層した後、半導体基板1a〜1cの切断面に設けられた溝4a〜4c内に導電材料11を充填する。 - 特許庁
A warp prevention conductor 26 is arranged in an insulator layer 16 arranged on an upper face S1-side of the laminate 12 rather than an insulator layer 16 where the main line ML is arranged and an insulator layer 16 where the sub line SL is arranged.例文帳に追加
反り防止用導体26は、主線路MLが設けられている絶縁体層16及び副線路SLが設けられている絶縁体層16よりも、積層体12の上面S1側に設けられている絶縁体層16に設けられている。 - 特許庁
A memory cell in the memory cell array is provided with a floating gate type cell transistor CT for storing charges in a floating gate to store data, and a selection gate transistor having a drain connected to the source of the cell transistor and a source connected to a source line SL.例文帳に追加
上記メモリセルアレイ中のメモリセルは、フローティングゲートに電荷を蓄積してデータを記憶するフローティングゲート型のセルトランジスタCTと、ドレインが上記セルトランジスタのソースに接続され、ソースがソース線SLに接続された選択ゲートトランジスタとを有する。 - 特許庁
The image forming means U2 is configured to set the position of the additional image IM2 to be formed on the recording medium SL to a position downstream from the main image IM1 in the predetermined direction (Y), and not the cutting position (ST1).例文帳に追加
前記画像形成手段U2は、前記記録媒体SLに形成する前記付加画像IM2の位置を、前記所定の方向(Y)において前記本画像IM1よりも下流側の位置であって、前記切断位置(ST1)でない位置にする。 - 特許庁
The sampling transistor T1 and a switching transistor T6 execute on-off operation in a prescribed sequence in response to a first control pulse and a second control pulse, and sample video signals from a signal line SL and write on the control end of a drive transistor T2.例文帳に追加
サンプリング用トランジスタT1とスイッチングトランジスタT6は、第1制御パルス及び第2制御パルスに応じ所定のシーケンスでオンオフ動作し、信号線SLから映像信号をサンプリングして駆動用トランジスタT2の制御端に書込む。 - 特許庁
The connecting piece can prevent erroneous installation in the twisted state of the airbag between the cases when installed on the body side by extending the airbag in a bending state, and cannot arrange the installation part 30 in a proper position when a separate distance SL between the cases becomes short.例文帳に追加
連結片は、折り曲げ状態のエアバッグを伸ばしてボディ側に取り付ける際に、ケース間でのエアバッグの捩れた状態での誤組付を防止可能に、ケース間の離隔距離SLが短くなって、取付部30を適正位置に配置できない。 - 特許庁
A ply fastening section 6b of the carcass ply 6A includes the internal surface Si of the bead core 5, a bent section 10 passing through a lower surface SL and an external surface So, and a pinched section 11 which is fastened by being pinched by the core split pieces 20 and 21 on the inside and the outside.例文帳に追加
カーカスプライ6Aのプライ係止部6bは、ビードコア5の内側面Si、下面SL、外側面Soを通る折曲がり部分10、及び前記内外のコア分割片20、21間で挟まれて係止される挟持部分11を含む。 - 特許庁
Concretely, the source line SL is formed so as to contact with both sidewalls SWs formed on a sidewall of a memory gate electrode MG1 and on a sidewall of a memory gate electrode MG2, in the manner of self-alignment.例文帳に追加
具体的には、メモリゲート電極MG1の側壁に形成されているサイドウォールSWと、メモリゲート電極MG2の側壁に形成されているサイドウォールSWの両方に自己整合的に接触するようにソース配線SLを形成する。 - 特許庁
In a light-middle load zone lighter than prescribed load SL, combustion gravity center is maintained roughly constant to inhibit drop of thermal efficiency by expanding octane number width ΔRON while keeping average octane number aveRON high as engine load increases.例文帳に追加
所定負荷SL未満の低−中負荷域では、機関負荷の増加に応じて、平均オクタン価aveRONを高くしつつオクタン価幅ΔRONを拡大することで、燃焼重心時期をほぼ一定に維持し、熱効率の低下を抑制する。 - 特許庁
The latch signal output circuit 174 synchronizes start winning signals SN for latch inputted from an input terminal D with the rising edge of the delay clock signals S2 inputted from the clock terminal Clk and outputs latch signals SL.例文帳に追加
ラッチ信号出力回路174は、入力端子Dから入力されるラッチ用始動入賞信号SNを、クロック端子Clkから入力される遅延クロック信号S2の立ち上がりエッヂに同期させ、ラッチ信号SLを出力する。 - 特許庁
The O/W-type emulsified oil-and-fat composition for roll-in use contains a triacylglycerol expressed by SLOSL (SL is palmitic acid residue, stearic acid residue or arachic acid residue; and O is oleic acid residue) in the oil phase in an amount of ≥35 wt.%.例文帳に追加
油相中にS_L OS_L (S_L :パルミチン酸残基又はステアリン酸残基或いはアラキン酸残基、O:オレイン酸残基)で表わされるトリアシルグリセリンを35重量%以上含むことを特徴とする水中油型乳化ロールイン用油脂組成物。 - 特許庁
A slope SL is provided which descends toward a coating region Rp side to a distal end ED of a mask side part SD in the state that the distal end ED is directed to the coating region Rp, and the difference in level between the mask side part SD and the surface of the substrate W is restrained small.例文帳に追加
先端EDを塗布範囲Rpに向けた状態において、塗布範囲Rp側に向けてマスク辺部SDの先端EDにまで下るスロープSLを有しており、マスク辺部SDと基板W表面の段差が小さく抑えられている。 - 特許庁
One random number is stored in a memory as a random number to be used in a game after N game rounds based on the operation of an operation means SL in each game round, and a lottery in the current game round is executed by using the random number stored before the N game rounds.例文帳に追加
各ゲームにおける操作手段SLの操作に基づいて、1の乱数をNゲーム後の抽選に用いる乱数としてメモリに記憶させるとともに、Nゲーム前に記憶された1の乱数を用いて現在のゲームの抽選を行う。 - 特許庁
An NOx trap quantity predicted value SBNOx before the deterioration is compared with an NOx trap quantity predicted value SANOx after the deterioration, and when its difference (SBNOx-SANOx) is less than a predetermined value #SL, it is determined as the deterioration (S10 and S11).例文帳に追加
そして、劣化前のNOxトラップ量予測値SBNOxと、劣化後のNOxトラップ量予測値SANOxとを比較し、その差(SBNOx−SANOx)が所定値#SLを下回ったときに、劣化と判定する(S10、S11)。 - 特許庁
In a sustain driving circuit device 50-1 for supplying a pulse for sustain discharge in the PDP device, a power recovery circuit 100 has a coil (L0) 150, a switch (SL), and a diode (DL), and a Vs clamp circuit 200 has a switch (SC).例文帳に追加
本PDP装置では、維持放電用パルスを供給する維持駆動回路装置50−1において、電力回収回路100は、コイル(L0)150と、スイッチ(SL)及びダイオード(DL)とを有し、Vsクランプ回路200は、スイッチ(SC)を有する。 - 特許庁
This semiconductor memory device has 1st and 2nd additional FETs (N1, P1) added and disposed in parallel on one of the potential lines DL, SL to supply a first and second drive voltages VDD, VSS to each of memory cells 24 in the SRAM.例文帳に追加
半導体記憶装置は、第1及び第2の駆動電位VDD、VSSをSRAMの各メモリセル24に供給する電位線DL、SLの一方の上に並列に配設された第1及び第2の追加FET・N1、P1を有する。 - 特許庁
A slot machine SL receives the supply of tokens to start a game and, when reaching a predetermined stop state by an operation of a player, a main control part 50 executes a control operation to provide dividend according to the stop state.例文帳に追加
メダルの投入を受けてゲームを開始させると共に、遊技者の操作に起因して所定の停止状態が達成されると、停止状態に応じた配当が得られるよう主制御部50が制御動作を実行するスロットマシンSLである。 - 特許庁
A data read-out current Is flows in a current path passing through a selection memory cell formed through a data bus DB, a column selection gate CSG, a bit line BL and a reference voltage wiring SL installed between a data read- out circuit 52a and a read-out reference voltage Vss terminal.例文帳に追加
データ読出電流Isは、データ読出回路52aから読出基準電圧Vssの間に、データバスDB、コラム選択ゲートCSG、ビット線BL、基準電圧配線SLを介して形成される、選択メモリセルを通過する電流経路を流れる。 - 特許庁
After the test data have been stored, when the logic level of the select signal SL is varied, the selector 22 selects an internal clock CLK generated by an internal oscillating circuit 21, and a core logic part 23 generates output data through the action synchronized with the clock CLK.例文帳に追加
テスト用データが格納された後、セレクト信号SLの論理レベルを変化させると、セレクタ22は、内部発振回路21の発生する内部クロックCLKを選択し、コアロジック部23が該クロックCLKに同期した動作で出力データを生成する。 - 特許庁
When the standby mode is set by a mode signal MD coming from the CPU 50, FFs 12, 25 are reset to stop a high-speed clock source 13 while low-speed clocks LCK are selected by a selection signal SL and supplied to the CPU 50 as clock signals CLK.例文帳に追加
CPU50からのモード信号MDで待機モードが設定されると、FF12,25がリセットされ、高速クロック源13が停止されると共に、選択信号SLで低速クロックLCKが選択されてクロック信号CLKとしてCPU50に供給される。 - 特許庁
A latch signal generating circuit 133 synchronizes a random number value reading signal inputted from a random number value reading signal output circuit 139 with the leading edge of the delay clock signal S2, and outputs the synchronized signal to a random number value storing circuit 131 as a latch signal SL.例文帳に追加
ラッチ信号生成回路133は、乱数値読取信号出力回路139から入力される乱数値読取信号を、遅延クロック信号S2の立ち上がりエッヂに同期させてラッチ信号SLとして乱数値記憶回路131に出力する。 - 特許庁
When a slider SL on a screen 3a is dragged along a guide GD, using a touch pen 5 at a pen touch coordinate input part 4, a rotation monitoring part 8 stores rotation angle r which is varied with changes in the touch coordinates input during the drag operation.例文帳に追加
ペンタッチ式座標入力部4で画面3aのスライダSLをタッチペン5を用いてガイドGDに沿ってドラッグ操作すると、回転監視部8はドラッグ操作中に入力されるタッチ座標の変化に応じて可変した回転操作角rを記憶させる。 - 特許庁
The light receiving element 14a employs a light receiving element SH with 1st prescribed sensitivity and a light receiving element SL with 2nd prescribed sensitivity lower than the 1st prescribed sensitivity and an output adjustment section 14f adjusts a saturation level caused especially in the light receiving element SH to suppress uneven saturation or the like.例文帳に追加
受光素子14a は第1の所定の感度の受光素子S_Hと、第1の所定の感度よりも低い第2の所定の感度の受光素子S_Lを用い、出力調整部14f は、特に受光素子S_Hに生じる飽和レベルを調節して飽和ムラ等を抑制する。 - 特許庁
A voltage comparator 10B detects the presence or absence of reactive current by comparing an output current signal 18 indicating the percutaneuosly or permucosally flowing reactive current and a threshold level SL previously regulated to the voltage value corresponding to the lower limit value of the reactive current.例文帳に追加
電圧比較器10Bは、皮膚または粘膜を流れる無効電流を示す出力電流信号18と、無効電流の下限値に相当する電圧値に予め調整されたスレッショルドレベルSLとを比較することにより、無効電流有無の検出を行う。 - 特許庁
An interlocking shaft 33 is journaled to the rear end 31a of the front cover 31 in the lateral direction, and both right and left ends 33a, 33b of the interlocking shaft 33 are inserted in hollow parts sL, sR through the guide slots 19, to which pinion gears 35 are secured.例文帳に追加
前蓋31の後端部31aには、連動軸33が左右方向に沿って軸支され、連動軸33の左右両端部33a、33bは、ガイド溝穴19を貫通して中空部sL、sR内に挿入され、そこにピニオンギヤ35が固着される。 - 特許庁
In a plan view, the nozzles 24 and 25 are positioned at sides of the airframe 2 in ranges SL and SR on the downstream side of the rotating direction of a main rotor 4 over a supposed line L that passes the rotation center C of the main rotor 4 to extend right and left of the airframe.例文帳に追加
これらのノズル24,25を、平面視において、機体2の側方であって、メインロータ4の回転中心Cを通り機体の左右方向に延在する仮想線Lよりメインロータ4の回転方向下流側の領域SL,SRにそれぞれ位置付けた。 - 特許庁
When the pixel transistors GT(G) and GT(B) of pixels GS(G) and GS(B) are turned on and a pixel transistor GT(R) is turned off (namely, in a writing period of the pixels GS(G) and GS(B)), on the other hand, a source line SL(R) is precharged through a precharge transistor PT(R).例文帳に追加
反対に、画素GS(G),GS(B)の画素トランジスタGT(G),GT(B)がオンし、画素トランジスタGT(R)がオフしている時に(つまり、画素GS(G),GS(B)の書き込み期間)、プリチャージトランジスタPT(R)を通してソース線SL(R)のプリチャージを行う。 - 特許庁
The power supply circuit 64 is adapted to supply driving power Vcc to a plurality of photodetection amplifiers 65a-65d based on a power supply control signal inputted from the unit of a pre-stage and selecting signals SL (SLa-SLd) outputted by a shift register 63.例文帳に追加
電源供給回路64は、前段のユニットから入力される電源制御信号と、シフトレジスタ63により出力される選択信号SL(SLa〜SLd)に基づいて、駆動電源Vccを複数の受光アンプ65a〜65dに供給するようにした。 - 特許庁
In this display device, when a power supply line DS is in high potential Vcc and when a signal line SL is in Vofs, a sampling transistor T1 is turned on according to a control signal to perform extinction operation of changing over a light emitting element EL from a lighting state to an extinction state.例文帳に追加
給電線DSが高電位Vccであり且つ信号線SLがVofsのときに、サンプリング用トランジスタT1が制御信号に応じてオンすることで発光素子ELを点灯状態から消灯状態に切換える消灯動作を行う。 - 特許庁
Before and after a wiring selection switch SL is changed, both the pieces of wiring Lout for discharge related to current and next stages are connected to the non-inverted output terminal + of the operational amplifier OP to prevent any difference in the influence of the parasitic capacity.例文帳に追加
さらに、配線選択スイッチSLを切り替える前後において、寄生容量の影響度に差が生じないように、現段階と次段階とに関与する放電用配線Loutが両方ともオペアンプOPの非反転出力端子+に接続される。 - 特許庁
When a local frequency f_LO is input from an input terminal I-2' of a microstrip line MSL-2', on the other hand, it is transmitted to a slot line SL' at a point P' and equally distributed in inverse-phase mode at the point A to branch lines AB and AC of the microstrip line MSL-1 (2.A).例文帳に追加
一方、マイクロストリップ線路MSL−2’の入力端I−2’から周波数f_LOのローカルを入力すると、点P’でスロット線路SL’に伝送し、点Aでマイクロストリップ線路MSL−1の分岐線路ABとACに逆相で等分配される(2.A)。 - 特許庁
Moreover, the control unit uses ANC 16dL and ANC 16dR to invert the phase of the noise obtained by the microphones in the vicinity of the left and right ears, and superimposes resulting signals (-NL, -NR) on the signals SL, SR to reduce noise.例文帳に追加
更に、制御ユニットは、左耳近傍マイクロホン及び右耳近傍マイクロホンから得られた雑音の位相をANC16dL及びANC16dRにより反転させ、その信号(−NL、−NR)を信号SL,SRに重畳させて、雑音を低減する。 - 特許庁
When using the drive current of the drive current generation circuit 42 as a base current, the current amount control circuit 41 adds current to the drive current with the current control signals SS, SM, SL.例文帳に追加
従って、駆動電流生成回路42が流す駆動電流を基本とした場合、電流量制御回路41は、その駆動電流に対して電流量を付加する、言い換えれば駆動電流に対して電流制御信号SS,SM,SLによる重み付けを行っている。 - 特許庁
The level shift circuit 5 generates a level shift voltage SL for shifting the voltage level of an input signal SI only at a fixed voltage level, and the reference voltage generating circuit 6 generates a reference voltage SB, dividing the peak voltage and the bottom voltage of the input signal.例文帳に追加
レベルシフト回路5は、入力信号SIの電圧レベルを一定電圧レベルだけシフトしたレベルシフト電圧SLを生成し、基準電圧生成回路6は、入力信号のピーク電圧及びボトム電圧を分圧した基準電圧SBを生成する。 - 特許庁
When a langasite single crystal C is manufactured by bringing a seed crystal S into contact with a melt L in a crucible and pulling the crystal while rotating, a crystal having a length SL shorter than 50 mm and a diameter SR less than 30 mm is used as the seed crystal S.例文帳に追加
るつぼ内の融液Lに種結晶Sを接触させて回転させながら引き上げランガサイト単結晶Cを製造する際に、種結晶Sとして、長さSLが50mmより短く、かつ、径寸法SRが30mmより小さいものを適用する。 - 特許庁
The latch signal generation circuit 133 synchronizes random number value read signals inputted from a random number value read signal output circuit 139 with the rising edge of the inverted clock signals S2 and outputs them to a random number value storage circuit 131 as latch signals SL.例文帳に追加
ラッチ信号生成回路133は、乱数値読取信号出力回路139から入力される乱数値読取信号を、反転クロック信号S2の立ち上がりエッヂに同期させてラッチ信号SLとして乱数値記憶回路131に出力する。 - 特許庁
This method for producing the vitamin K2 in the first embodiment comprises culturing an Unnan SL-001 strain as one kind of Bacillus natto, and a step for obtaining the vitamin K derivative by Soxhlet extraction from the cultured biomass and/or culture liquid and precipitation by acidification.例文帳に追加
第1の態様に係るビタミンK2の生産方法は、納豆菌の一種である雲南SL−001菌を培養し、培養された菌体及び/又は培養液から、ソックスレー抽出、及び酸性化による沈殿によって、ビタミンK誘導体を得る工程を含む。 - 特許庁
To provide a dielectric ceramic composition that shows a relatively high specific dielectric constant (e.g. ≥600) and a small dielectric loss (e.g. ≤0.3% at 100 KHz) and is excellent in capacitance temperature characteristics (e.g. satisfies SL characteristics of JIS standard).例文帳に追加
比較的高い比誘電率(たとえば、600以上)を示すとともに、誘電損失が小さく(たとえば100KHzにおいて0.3%以下)、容量温度特性に優れた(たとえば、JIS規格のSL特性を満足)誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁
A signal driver 3 adjusts the second timing of the video signal to be supplied to the respective signal lines SL so as to compensate for the backward shift of the third timing due to transmission delay along a scanning line WS of the control signal output from a scanner 4 for control.例文帳に追加
信号ドライバ3は、制御用スキャナ4から出力された制御信号の走査線WSに沿った伝送遅延による第3タイミングの後方シフトを補償するように、各信号線SLに供給する映像信号の第2タイミングを調整する。 - 特許庁
To provide laminated plywood which (1) prevents the occurrence of a crack in various SL materials and (2) demonstrates good adhesion to plywood by mixing a resin emulsion containing a resin of 0°C or below with a curable substance, applying the mixture directly or indirectly on the surface of the plywood, and drying it.例文帳に追加
0℃以下の樹脂を含む樹脂エマルジョンを硬化性物質と組み合わせ、合板表面に直接、間接に塗布・乾燥することにより、各種SL材の(1)ワレの発生を防止し、(2)優れた合板との密着性を発揮する積層合板を提供すること。 - 特許庁
A Y-driving part 116A is arranged along an X-direction of an imaging element holder 111, a slider SL is arranged to be overlapped in a Z-direction on the imaging element holder 111 and to be extended along the X-direction, and an X-driving part 116B is arranged in an end part of the slider.例文帳に追加
Y駆動部116Aを撮像素子ホルダ111のX方向に配設するとともに、スライダSLを、撮像素子ホルダ111のZ方向に重なるように、かつX方向に延びるように設けてそのスライダの端部にX駆動部116Bを配設する。 - 特許庁
The dummy cell is constituted of a series of a first switching transistor (15) made conductive in response to a dummy word line (DWL) and a second switching transistor (17) for connecting an adjacent source line to a corresponding bit line in response to the potential of the source line (SL) of a corresponding row.例文帳に追加
ダミーセルは、ダミーワード線(DWL)に応答して導通する第1のスイッチングトランジスタ(15)と、対応の列のソース線(SL)の電位に応答して隣接ソース線を対応のビット線に結合する第2のスイッチングトランジスタ(17)の直列体で構成する。 - 特許庁
In an MRAMb (magnetic random access memory), when a write data signal DI is at an "H" level, a power supply voltage Vdd is applied to one end of a source line SL corresponding to a selected memory cell MC and also a grounding voltage GND is applied to both ends of a corresponding bit line BL.例文帳に追加
このMRAMでは、書込データ信号DIが「H」レベルの場合は、選択されたメモリセルMCに対応するソース線SLの一方端に電源電圧Vddを印加するとともに、対応のビット線BLの両端に接地電圧GNDを印加する。 - 特許庁
A pulse signal generator 41 of a laser drive section 31 synthesizes a signal so that the rising of an additional rectangular wave SAD whose voltage is lower than that of a rectangular wave SBL may be in agreement with the falling of the rectangular wave SBL, and supplies the signal to an amplifier 42 as a pulse signal SL.例文帳に追加
レーザ駆動部31のパルス信号発生器41は、矩形波SBLの立ち下がりに、矩形波SBLよりも電圧が小さい付加矩形波SADの立ち上がりが一致するよう合成して、パルス信号SLとして増幅器42に供給する。 - 特許庁
The apparatus 1 for measuring the bounce of the pantograph 67 is equipped with an ultraviolet ray transmitting lens 11 which collects arc beams SL generated between a trolley wire 65 and the pantograph 67, and a photoelectric transducer 13 which receives the collected arc beams and converts them into an electric signal.例文帳に追加
パンタグラフ67の離線測定装置1は、トロリ線65とパンタグラフ67の間に発生するアーク光SLを集光する紫外線透過レンズ11と、集光したアーク光を受光して電気信号に変換する光電変換素子13とを備える。 - 特許庁
Then, after the uppermost sheet Sa reaches the pair of conveying rollers 42, a loop is formed in the uppermost sheet Sa between the sucking/conveying belt 21 and the pair of conveying rollers 42, and then, air is blown from the separation nozzle 34 to the loop SL of the uppermost sheet Sa.例文帳に追加
そして、搬送ローラ対42に最上位シートSaが達した後、最上位シートSaに吸着搬送ベルト21と搬送ローラ対42との間でループを形成し、最上位シートSaのループ部分SLに分離ノズル34からのエアを吹き付ける。 - 特許庁
The apparatus comprises a reaction force actuator 9 for applying an operation reaction force to the steering wheel 1, stress sensors SL and SR for detecting stress applied to a tire of the vehicle, a turning angle sensor S3, and an axial force sensor S4 for detecting an axial force applied to a turning shaft 4.例文帳に追加
この装置は、ステアリングホイール1に操作反力を与える反力アクチュエータ9と、車両のタイヤに加わる応力を検出する応力センサSL,SRと、転舵角センサS3と、転舵軸4に加わる軸力を検出する軸力センサS4とを含む。 - 特許庁
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