「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the wafer holding part 2 which has large heat capacity in a region near by the center part of the wafer W heats the wafer W to form a liquid film of temperature control liquid A in the peripheral edge region of the wafer W, which is thereby heated.例文帳に追加

このようにすると、ウエハＷの中央部近傍領域では熱容量の大きいウエハ保持部２にてウエハＷが加熱され、ウエハＷの周縁領域には温調液Ａの液膜が形成され、これによりウエハＷが加熱される。 - 特許庁

The grinding is performed by rotating a workpiece W so as to send the workpiece W in the same direction B as the rotational direction A of a grinding wheel T in a contact part S of the grinding wheel T and the workpiece W to the rotating grinding wheel T.例文帳に追加

回転する砥石Ｔに対して、砥石Ｔと工作物Ｗとの接触部分Ｓにおいて砥石Ｔの回転方向Ａと同方向Ｂに工作物Ｗが送られるように工作物Ｗを回転させて研削を行う。 - 特許庁

The sputtering apparatus for depositing a material of targets 33c, 35c arranged opposite to the workpiece W in sputtering chambers 33, 35 on the workpiece W by the sputtering in a film shape has a susceptor S affixed to the workpiece W via a gel G.例文帳に追加

スパッタ室３３，３５内にワークＷに対向して配置されたターゲット３３ｃ，３５ｃの材料を、スパッタリングによってワークＷに膜状に堆積させるスパッタリング装置であって、ゲルＧを介してワークＷに貼付されたサセプタＳを有する。 - 特許庁

When closable clamping members 231, 232 opposed to each other are in the opened condition, a rod material W at the top position of the plurality of rod materials W, W is clamped by a clamping means 23 in which a tapered space is formed therebetween.例文帳に追加

開閉自在な相対向する挟持部材２３１，２３２が開状態のときに、これらの間に先細りの空間が形成される挟持手段２３によって、複数の棒材Ｗ・・Ｗのうち、頂点部の棒材Ｗを挟持する。 - 特許庁

When the artesian water W ascends in a pile body by making a pile end reach a stratum in which the artesian water W is stored, a float 15 can automatically close a vent hole 11 by a rubber ball 13 by floating up by the buoyancy of the artesian water W.例文帳に追加

被圧水Ｗを蓄えた地層に杭先端が到達して杭体内部を被圧水Ｗが上昇すると、被圧水Ｗの浮力によってフロート１５が浮き上がってゴム球１３によって通気孔１１を自動的に閉鎖することができる。 - 特許庁

The resist liquid jetted to the wafer W is applied to the surface of the wafer W while drawing the spiral track and the amount of the resist liquid applied to a unit surface area is even in the peripheral part B and in the center part C of the wafer W.例文帳に追加

ウェハＷに吐出されたレジスト液は螺旋状の軌跡を描きながらウェハＷの表面に塗布され，かつウェハＷの周辺部Ｂと中央部Ｃとに対する単位面積あたりのレジスト液の塗布量を等量にすることができる。 - 特許庁

In the gas dissolving means 5, preferably the gas W comes into contact with the pure water W with counter current flow and the sweeping gas supplied from the sweeping gas supply means 6 flows in the flow passage of the gas G so as to form a concurrent flow with the pure water W.例文帳に追加

気体溶解手段５において、気体Ｇと、純水Ｗとが向流で接触し、掃引気体供給手段６から供給された掃引気体が、純水Ｗと並流となるように気体Ｇの流路を流れることが好ましい。 - 特許庁

An upper heating panel 71 for treating a wafer (W) by heat at 90°C, a lower heating panel 72 for treating the wafer (W) by heat at 270°C an elevator pin 80 capable of moving up and down the wafer (W) in a supported state, are provided in a main body 70.例文帳に追加

本体７０内にウェハＷを９０℃に加熱処理する上側加熱板７１と，ウェハＷを２７０℃で加熱処理する下側加熱板７２と，ウェハＷを支持した状態で昇降自在な昇降ピン８０とを備える。 - 特許庁

In a polishing head 13 polishing the wafer W pressed against a polishing pad 16 thereof, the reinforcement member 22A of circular shape in a plan view whose inner diameter is substantially equal to the diameter of the wafer W is applied to the top surface of the wafer W with the adhesive 21.例文帳に追加

ウェーハＷを研磨パッド１６に押し付けて研磨する研磨ヘッド１３において、ウェーハＷの上面には、ウェーハ径と略同等の内径を有する平面視円形の補強部材２２Ａが貼着材２１を介して貼り付けられている。 - 特許庁

The suction nozzle 15 is controlled by a controller and sucks the work W in the hole 3 when it is at an upper limit 15a and inserts the work W in the cavity 13 by jetting out the work W by air when it comes down to a lower limit.例文帳に追加

吸着ノズル１５は制御部により制御され、上限位置１５ａにあるときワーク収納孔３内のワークＷを吸着し、下限位置まで降下してワークＷをエアにより噴出してキャビティ１３内にワークＷを挿入する。 - 特許庁

A material W used in thermal cutting machining is pulled out in an elevator 7 together with a material pallet W(P) stored on a shelf 5, and the elevator 7 is positioned at a second step 33 from below the shelf 5 to store the material pallet W(P) at the second step 33.例文帳に追加

熱切断加工に用いる素材Ｗを、棚５に収納されている素材パレットＷＰごとエレベータ７に引き出し、棚５の下から２段目３３にエレベータ７を位置決めして素材パレットＷＰを２段目３３に収納する。 - 特許庁

Since the guide rollers 42 and 43 are provided between the permanent magnets 11 and 12 to support the wire rope W in a short span, the vibration of the wire rope W is suppressed, so that a change in the magnetic flux of the wire rope W is stably detected by a detection coil 21.例文帳に追加

永久磁石１１と１２との間にガイドローラ４２，４３を設けてワイヤロープＷを短いスパンで支持するのでワイヤロープの振動を抑制でき、検出コイル２１によりワイヤロープＷの磁束の変化を安定して検出できる。 - 特許庁

In a thermal treatment unit PHP, a substrate W is transported between a receiving/delivering section 201 and a heating section 202 in a state where the substrate W is held by a local transport hand RHR and the substrate W is heat-treated by means of the heating section 202.例文帳に追加

本発明に係る熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ローカル搬送ハンドＲＨＲにより基板Ｗが保持されて受け渡し部２０１と加熱部２０２との間で搬送され、加熱部２０２により基板Ｗに加熱処理が行われる。 - 特許庁

On the surface of the sintered body for heatsink, a particle size-increased layer, in which the size of W (or Mo) grains is made larger than that of W (or Mo) grains existing in the sintered body, is formed by melting Ni into W (or Mo) 12 existing on the surface of the body.例文帳に追加

本発明のヒートシンク用焼結体は、表面に存在するＷ（あるいはＭｏ）１２にＮｉが固溶されて、その粒径が内部に存在するＷ（あるいはＭｏ）の粒径よりも大きく成長した増大粒層が形成されている。 - 特許庁

In the weighing apparatus body mechanism 2, when a load W is placed on a weighing tray 5, the load W is measured by the force sensor 6, and the load W wherein the gravitational acceleration is corrected by the correction coefficient stored in the computing unit 7 is acquired.例文帳に追加

はかり本体機構２において、計量皿５上に荷重Ｗが載置されると、力センサ６によりこの荷重Ｗは測定され、演算器７に記憶している補正係数によって重力加速度が補正された荷重Ｗが得られる。 - 特許庁

The insertion member 3 has an annular vent 32 surrounding the insertion port 31, and the vent 32 forms an air curtain A on the outer periphery of the bar steel W in the diameter direction of the bar steel W by sending air F in the axial direction of the bar steel W.例文帳に追加

挿通部材３は、挿通口３１を囲繞する環状の送風口３２を有しており、送風口３２は、棒鋼Ｗの径方向外方の周囲を棒鋼Ｗの軸方向にエアーＦを送風してエアーカーテンＡを形成する。 - 特許庁

In CVD growth of W, after a first W film 104 is grown by chemical vapor deposition method where SiH_4 and WF_6 are alternately supplied, a second W film 106 is formed on top of the first W film by hydrogen reduction of WF_6 to fill up the opening.例文帳に追加

次に、ＷのＣＶＤ成長において、ＳｉＨ_４とＷＦ_６を交互に供給する化学気相成長法で第１のＷ膜１０４を成長後、第１にＷ膜上にＷＦ_６の水素還元にて第２のＷ膜１０６を成膜し、開口部を埋め込む。 - 特許庁

When the bending force is applied to the work W, the slidable movement of a contact portion with an inside bending surface Wb of the work W in the gyro die is suppressed, a contact portion with an outside bending surface Wa of the work W is displaced forward to give the tensile force T to the work W.例文帳に追加

これにより、ワークＷに曲げ力を付与したときに、ジャイロ金型におけるワークＷの曲げ内側面Ｗｂとの接触部位の摺動が抑制され、ワークＷの曲げ外側面Ｗａとの接触部位が前方へ変位してワークＷに引張力Ｔを付与することになる。 - 特許庁

In the polarizing film manufacturing method having processes of dyeing and stretching a raw film, and then drying it while conveying it using rolls, the ratio (R/W) of the distance between the rolls (R) at the time of the drying process to an initial raw film width (W) is made to fall within the range of 0.5 to 4.0.例文帳に追加

原反フィルムを染色する工程および、延伸する工程を経た後にロールを用いて搬送しながら乾燥する工程を有する偏光フィルムの製造方法において、乾燥時のロール間距離（R）と、初期原反フィルム幅（W）の比（R／W）を０．５以上４．０以下とする。 - 特許庁

This microcapsule is obtained by preparing an O/W emulsion from an inner oil phase and a water phase containing the hydrophilic polymeric gelatinizer, dispersion-emulsifying the above O/W emulsion into an outer oil phase 3 to prepare an O/W/O emulsion and solidifying the wear phase in the above O/W/O emulsion.例文帳に追加

本発明のマイクロカプセルは、内油相と、親水性高分子ゲル化剤を含有する水相とからＯ／Ｗエマルジョンを調製し、前記Ｏ／Ｗエマルジョンを外油相３中に分散乳化してＯ／Ｗ／Ｏエマルジョンを調製し、前記Ｏ／Ｗ／Ｏエマルジョンの水相を固化させて得られる。 - 特許庁

Then, the lumber W to be compressed is fitted into the lumber-fixing part A in a hydrated state, the compression rollers B1 and B2 are rolled on the lumber W to compact only an outer layer part of the lumber W by compression, and a shape- stabilizing treatment is carried out by impregnating the lumber W with stabilization-treating solution F.例文帳に追加

そして、圧縮すべき木材Ｗを、含水状態で木材固定部Ａに嵌め込み、木材Ｗ上に圧縮ローラーＢ１及びＢ２を転動させ、木材Ｗの表層部分のみを圧縮して圧密化し、安定処理液Ｆを含浸させて形状安定処理する。 - 特許庁

The sliding direction of the buff roller 72 relative to work burrs projected toward the front surface Wa of the workpiece W and the sliding direction of the buff roller 46 relative to machining burrs projected toward the back surface Wb of the workpiece W are varied to efficiently remove the working burrs projected in the workpiece W from the workpiece W.例文帳に追加

ワークＷの表面ａ側に突出する加工バリに対してバフローラ７２の摺接方向が変化し、裏面Ｗｂ側に突出する加工バリに対してバフローラ４６の摺接方向が変化し、ワークＷに突出する加工バリがワークＷから効率的に除去される。 - 特許庁

Before a wafer W is carried out of a washing chamber 1 while being held by a wafer support unit 31, an approximate plate 33 is approached to a device surface of the wafer W to retain rinse liquid RL on the wafer W by capillary force, and the wafer W is carried to a supercritical drying chamber 2 in this state.例文帳に追加

ウェーハ支持部３１によりウェーハＷを把持して洗浄チャンバ１からウェーハＷを搬出する前に、近接板３３をウェーハＷのデバイス面に近接させ毛細管力でリンス液ＲＬをウェーハＷ上に保持したままで、超臨界乾燥チャンバ２へ搬送する。 - 特許庁

In the plasma treatment apparatus, a semiconductor substrate W is separated from a stage 5 and part of the oxygen plasma to be exposed on the surface Wb of the semiconductor substrate W is made to sneak into the rear surface Wa of the semiconductor substrate W so as to expose the sneaking plasma on the rear surface Wa of the semiconductor substrate W.例文帳に追加

半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。 - 特許庁

A semiconductor wafer W is arranged on a susceptor 6 in a plasma etching apparatus, an annular tool 5 is arranged on the outer periphery of the wafer W for preventing the outer periphery of the wafer W from being etched excessively, and the semiconductor wafer W is subjected to plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のサセプタ６上に半導体ウエーハＷを配置するとともに、ウエーハＷの外周部が過剰にエッチングされるのを防止するためにウエーハＷの外周部上にリング状の治具５を配置し、半導体ウエーハＷに対してプラズマエッチングを行う。 - 特許庁

A plurality of ring holding means 5 holding the metal rings W are rotated to rotate the metal rings W in the circumferential direction thereof and grinding brushes 2 are moved so as to cross the rotation orbit of the rotating metal ring W to grind the end edges of the metal rings W.例文帳に追加

金属リングＷを保持する複数のリング保持手段５を回転させて金属リングＷをその周方向に回転させ、研磨ブラシ２を回転している金属リングＷの回転軌道を横切るように移動させて金属リングＷの端縁を研削する。 - 特許庁

When there is a substrate W to be processed next by the heat processing section 35, the substrate processing apparatus 1 acquires heat processing conditions of the next substrate W and determines whether the processing conditions of the first substrate W and the processing conditions of the next substrate W are in a specified combination.例文帳に追加

そして、加熱処理部３５にて次に処理すべき基板Ｗがある場合には、次の基板Ｗの加熱処理条件を取得し、先の基板Ｗの処理条件と次の基板Ｗの処理条件とが特定の処理条件の組み合わせかどうかを判定する。 - 特許庁

In this ring material cutting method, the ring material W to be cut is moved forward toward the cutting edge 21 while being rotated, and after the ring material W is slit with the cutting edge 21 leaving only the preset dimension out of the thickness of the ring material W, the rotation of the ring material W is stopped.例文帳に追加

リング材切断方法は、切断されるリング材Ｗを回転させながら切断刃の方向に前進移動させて切断刃２１によりリング材Ｗの厚みのうちの予め設定した寸法だけ残して切り込みを入れた後にリング材Ｗの回転を停止する。 - 特許庁

In this W/O/W type emulsified cosmetic obtained by dispersing W/O type emulsion into an external water phase, the W/O type emulsion comprises an emulsifying agent having ≤7 HLB and an electrolyte and the external water phase comprises an alkyl-modified carboxyvinyl polymer.例文帳に追加

Ｗ／Ｏ型エマルジョンを外水相中に分散してなるＷ／Ｏ／Ｗ型乳化化粧料であって、上記Ｗ／Ｏ型エマルジョンがＨＬＢ７以下の乳化剤と電解質を含み、上記外水相がアルキル変性カルボキシビニルポリマーを含むＷ／Ｏ／Ｗ型乳化化粧料。 - 特許庁

A relay server device 10 acquires web data W, including moving image data (video contents) M to be provided by a WWW server device 20, embeds a control code C, constituted of scripts or byte codes in the web data W for preparing web data W' for linking, and distributes the web data W' to each client device 30.例文帳に追加

中継サーバ装置１０は、ＷＷＷサーバ装置２０が提供する動画データ（映像コンテンツ）Ｍを含んだウェブデータＷを取得して、スクリプトやバイトコードによりなるコントロールコードＣを埋め込むことにより、連動用のウェブデータＷ’を作成し、各クライアント装置３０へ配信する。 - 特許庁

In the method of plastic working for a workpiece W mounted on a main spindle 3 conducted by pushing a squeezing roller R rotating relative to the workpiece W against the surface of the workpiece W, the temperature of the surface of the workpiece W is measured, and the plastic working is carried out under the working conditions suitable for the temperature of the workpiece.例文帳に追加

主軸３に取り付けたワークＷに対して、相対的に回転する絞りローラＲをワークＷ表面に押圧することによって行う塑性加工方法において、ワークＷ表面の温度を計測し、ワーク温度に応じた加工条件で塑性加工を行う。 - 特許庁

At the time of caulking, by fitting the wire W to regulation parts 18A, 18B formed at the bottom wall 11, resisting against the force applied in the direction perpendicular to the axis line of the wire W from the caulking pieces 17A, 17B to the wire W, the lateral shift of the wire W is regulated.例文帳に追加

底壁１１に形成した規制部１８Ａ，１８Ｂに電線Ｗを係止させることで、カシメ付けの際にカシメ片１７Ａ，１７Ｂから電線Ｗに対してその軸線と直交する方向に作用する押圧力に抗して、電線Ｗの横ずれを規制する。 - 特許庁

A steering control part 60 operates deviation (steered angle deviation) between a target steered angle of steered wheels W and W in accordance with a voltage command value given to a drive circuit 52 of a steering motor 50 and a real steered angle of the steered wheels W and W determined based on a detection signal of a steered position sensor 15.例文帳に追加

舵取り制御部６０は、操舵モータ５０の駆動回路５２に与えている電圧指令値に応じた操向輪Ｗ，Ｗの目標転舵角と転舵位置センサ１５の検出信号から求められる操向輪Ｗ，Ｗの実転舵角との偏差（舵角偏差）を演算する。 - 特許庁

In the ion implantation apparatus 100 implanting ions into a wafer W, the ion implantation apparatus is provided with a slit (a current retaining part) 120a for retaining current fitted at a wafer holding part 130 holding the wafer W, and a current detection part 133 for detecting current of the slit 120a.例文帳に追加

ウエハWにイオンを注入するイオン注入装置１００において、ウエハWを保持するウエハ保持部１３０に設けられた電流を保持するスリット（電流保持部）１２０ａと、スリット１２０ａの電流を検出する電流検出部１３３とを設けたイオン注入装置による。 - 特許庁

A machining head 3 is held by an arm 6 so as to be movable in a radial direction of the wafer (W), and removes the electroconductive film (M) on the surface of the wafer (W) by constantly supplying equal electricity to the wafer (W), while moving toward the outer circumferential part from the center of the wafer (W).例文帳に追加

加工ヘッド３はアーム６によりウェハＷの半径方向に移動可能に保持し、加工ヘッド３をウェハＷの中心から外周部に向かって移動させながら、常に均等な電気を供給してウェハＷ表面の導電性膜Ｍを除去する。 - 特許庁

A cluster determination part 1b decides the quality of material of the workpiece W, and a speed control means 6b installed in an output part 6 adjusts at least either the feed speed of the workpiece W or the cutting speed of the workpiece W by the working machine X according to the hardness of the workpiece W.例文帳に追加

クラスタ判定部１ｂではワークＷの材質を判断し、出力部６に設けた速度制御手段６ｂではワークＷの硬さに応じてワークＷの送り速度と加工装置ＸによるワークＷの切断速度との少なくとも一方を調節する。 - 特許庁

The method for conveying the semiconductor wafer W includes placing of the semiconductor wafer W on an alignment stage 5, pressing of a first brush of a first cleaning mechanism 29 on a front surface of the semiconductor wafer W sucked and held on the alignment stage 5, rotating of the wafer vacuum stage in this state, and removing of a dust deposited on a front surface of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウエハＷをアライメントステージ５に載置して吸着保持した半導体ウエハの表面に、第１のクリーニング機構２９の第１のブラシを押し当て、その状態でウエハ吸着ステージを回転させ、半導体ウエハＷの表面に付着した塵埃を除去する。 - 特許庁

Therefore, the wafers W housed in the cassette 1 enclosed in the container 2 can be transported to the treating section 10 without exposing the wafers W to the outside air and, at the same time, the cassette 1 can be carried in the container 2 after the wafers W treated in the treating section 10 are housed in the cassette 1.例文帳に追加

これにより、コンテナ２内に封入されたカセット１に収納されたウエハＷを外気に晒すことなく処理部１０に搬送することができると共に、処理部１０にて処理が施されたウエハＷを処理部１０からカセット１内に収納した後、カセット１をコンテナ２内に搬送することができる。 - 特許庁

In the apparatus 1 for adjusting a width of a continuous paper, mounting shafts 11, 11' of which positions of axial centers do not move are provided in each side of both direction of the continuous paper W, which travels in the almost vertical direction, in parallel with the continuous paper W and in the direction orthogonal to the traveling direction of the continuous paper W.例文帳に追加

速続紙幅調整装置１には、略垂直方向に走行する連続紙Ｗの両方面それぞれの側に、連続紙Ｗに平行、かつ、連続紙Ｗの走行方向に直角な方向であって、その軸心の位置が移動しない取付け軸１１、１１´が設けられている。 - 特許庁

Before a step (a step S3) for forming a liquid film of sulfuric acid on a surface of a wafer W, while the wafer W is in high velocity revolution, the sulfuric acid is supplied to a center of the wafer W in high velocity revolution and all over the surface of the wafer W is in a wet state (a step S1 and a step S2).例文帳に追加

ウエハＷの表面に硫酸の液膜を形成する工程（ステップＳ３）に先立って、ウエハＷが高速回転されつつ、その高速回転しているウエハＷの表面の中央部に硫酸が供給されることにより、ウエハＷの表面の全域が硫酸によって湿潤した状態にされる（ステップＳ１，Ｓ２）。 - 特許庁

The electric heating blades 5 are extended from the body 30 in a traveling direction symmetrically in right and left with respect to the center of an extension line of the wire W and disposed so that the top edge parts may approximate to the wire W.例文帳に追加

電熱刃５は、本体３０から電線Ｗの延線中心に対して左右対称に進行方向へ延出し先端部が電線Ｗに接近するように配置する。 - 特許庁

In a boundary between the first layer W and the second layer B, a layer is formed which is sufficiently thinner than the first layer W and the second layer B and which causes rapid changes in an energy band.例文帳に追加

又、第１層Ｗと第２層Ｂとの境界に、第１層Ｗと第２層Ｂの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層を形成した。 - 特許庁

The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加

透明基板とTi，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Ru，In，Sn，Sb，Ta，W，Re，Os，IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁

When the polysilicon layer 9 is etched, conditions such as Cl2: 150 sccm, HBr: 450 sccm, CHF3: 100 sccm, pressure: 100 mTorr, RF power in an upper counter electrode 15: 500 W and RF power in a lower counter electrode 13: 300 W are adopted.例文帳に追加

ここで、ポリシリコン層9のエッチングにおいて、例えば、Cl_2:150sccm、HBr:450sccm、CHF_3:100sccm、圧力:100mTorr、上部対向電極15におけるRFパワー:500W、および下部対向電極13におけるRFパワー:300Wの条件を用いる。 - 特許庁

Regarding the laser welding method, in a post-welding step, a laser displacement gauge 302 is made to scan at the surface of a workpiece 42 in which a weld zone W is exposed, so as to cross the weld zone W.例文帳に追加

このレーザ溶接方法では、溶接後工程において、溶接部Ｗが露出したワーク４２の表面で、溶接部Ｗを横断するようにレーザ変位計３０２を走査させる。 - 特許庁