「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

A C-shaped frame 37 is movable with respect to a work W where an outer panel Wo and an inner panel Wi are assembled into each other in the direction approaching to/separating from the work W.例文帳に追加

Ｃ形フレーム３７は、アウタパネルＷoとインナパネルＷiとが相互に組み付けられたワークＷに対し、接近離反する方向に移動可能である。 - 特許庁

A carrying distance of a continuously carried belt-shaped web W is detected, and the detected carrying distance of the web W is written in an IC tag 24.例文帳に追加

連続的に搬送される帯状のウェブＷの搬送距離を検出し、この検出されたウェブＷの搬送距離をＩＣタグ２４に書き込む。 - 特許庁

A third arm 28 is advanced/retreated to perform transfer of the substrate W, in a state of the substrate W being held by the liquid-contact type upper hand 30.例文帳に追加

基板Ｗが接液型上ハンド３０に保持された状態で、第３アーム２８が進退されることで、基板Ｗの搬送が行われる。 - 特許庁

Further, a plurality of the wafers W are continuously tested, whereby the external appearance test of the wafer W is performed in a standby time of the probing test of a next process.例文帳に追加

また、複数枚のウエハＷを連続的に検査することで、ウエハＷの外観検査を次工程であるプロービングテストの待機時間に行う。 - 特許庁

With her victory at Ljubno, Takanashi has earned 1,137 points overall in the World Cup standings and secured this season's overall World Cup title with two competitions still to go. 例文帳に追加

リュブノでの優勝により，高梨選手はW杯の順位表で合計1137点を獲得し，まだ２戦残っている時点で今季のW杯総合タイトルを手にした。 - 浜島書店 Catch a Wave

In the cleaning area 20, the workpiece W is cleaned in a state that the workpiece is held by the robot 50 and in the sticking area 30, the sheet S is stuck in a state that the workpiece W is held by the robot 50.例文帳に追加

また、クリーニングエリア２０では、ワークＷがロボット５０に保持された状態でクリーニングが行なわれ、貼付エリア３０では、ワークＷがロボット５０に保持された状態でシートＳの貼付が行なわれる。 - 特許庁

The substrate W is cleaned by immersing a substrate W-held holder 50 in a cleaning liquid L in an immersion tank 2 while making the cleaning liquid L flow horizontally in a laminar flow state in the immersion tank 2.例文帳に追加

浸漬槽２内に洗浄液Ｌを層流の状態で水平方向に流しながら、この浸漬槽２内の洗浄液Ｌに基板Ｗを保持したホルダ５０を浸漬させることによって、基板Ｗの洗浄を行う。 - 特許庁

To enhance working efficiency in visual inspection of a block belt for a belt-type continuously variable transmission which is constituted with blocks w, w,... to be inspected at both sides in the cross direction of belts in the order or lamination in a cartridge.例文帳に追加

ベルト式無段変速機のブロックベルトを構成するためのブロックｗ，ｗ，…のベルト幅方向両側部をカートリッジ内の積層順序に従って目視検査するに当り、その作業効率を高められるようにする。 - 特許庁

In cabling the wire harness W, the sub-protector 4 is attached at a predetermined position of the wire harness W via a corrugated tube C, and then the sub-protector 4 is fixed on the main protector 2, and the wire harness W is led out upward.例文帳に追加

ワイヤーハーネスＷの配索時には、ワイヤーハーネスＷの所定位置にコルゲートチューブＣを介してサブプロテクタ４を取り付けた後、メインプロテクタ２にサブプロテクタ４を固定してワイヤーハーネスＷを上向きに引き出す。 - 特許庁

A fluid driving device (D) is so constituted that it drives a rotational shaft (W), the rotational shaft (W) is located at a turning axis (A) of a turnable part (V), and the rotational shaft (W) is connected to the turnable part (V) in a state incapable of being pivoted.例文帳に追加

流体駆動装置（Ｄ）が回転軸（Ｗ）を駆動するようになっており、該回転軸が旋回可能な部分（Ｖ）の旋回軸線（Ａ）に位置していて、旋回可能な部分（Ｖ）に回動不能に結合されている。 - 特許庁

As a result, a stress onto the board W due to expansion/shrinkage of the board W can be reduced, and an adverse affect to the formed circuit in the board W can be also reduced, preventing the reduction of the yield.例文帳に追加

したがって、基板Ｗの膨張収縮に起因する基板Ｗへのストレスを低減することができ、基板Ｗに形成された回路等への悪影響を低減できて歩留まりの低下を防止できる。 - 特許庁

Also, the honeycomb structure has a relation specified by a table in which, T: usable temperature of honeycomb, h: Height of honeycomb, W: width of honeycomb, d: depth of honeycomb, w×d: projected area of gas passing cross section of honeycomb, w×d×h: volume of honeycomb.例文帳に追加

但し、表４において、Ｔ：ハニカムの使用温度、ｈ：ハニカムの高さ、Ｗ：ハニカムの幅、ｄ：ハニカムの奥行き、ｗ×ｄ：ハニカムのガス通過断面の投影面積、ｗ×ｄ×ｈ：ハニカムの体積を示す。 - 特許庁

Six switching elements U+, V+, W+, U-, V- and W- are alternately switched on/off in accordance with a rotor phase of the brushless DC motor M, and the rotor is rotated by alternately passing a current to a plurality of coils 37(U), 37(V) and 37(W) corresponding to the elements.例文帳に追加

ブラシレス直流モータＭのロータの位相に応じて６個のスイッチング素子Ｕ＋，Ｖ＋，Ｗ＋，Ｕ−，Ｖ−，Ｗ−を交互にオン・オフし、対応する複数のコイル３７（Ｕ），３７（Ｖ），３７（Ｗ）に交互に通電することによりロータを回転させる。 - 特許庁

While a substrate W is being rotated, a treating liquid is ejected toward the substrate W from a treating liquid ejection hole 13 in the bottom surface of a cleaning tool 5, and the substrate W is vacuum-sucked from a vacuum suction hole 8.例文帳に追加

基板Ｗを回転させながら、洗浄具５の底面にある処理液噴出孔１３から基板Ｗへ向けて処理液を噴出するとともに、真空吸引孔８から基板Ｗを真空吸引する。 - 特許庁

After forming fracture in the work W along the outline of the punch 1 or the die 2, the work W is punched by the punch 1 and the die 2 to promote the punching with the fractured portion of the work W as a starting point.例文帳に追加

素材Ｗにパンチ１またはダイス２の輪郭に沿った破断を形成した後、パンチ１とダイス２とで素材Ｗを抜くことで、素材Ｗの破断部分をきっかけとして抜き加工を促進させる。 - 特許庁

That is, the quantity of heat transfer from the work W to the die 11 can be reduced while holding the work W in the die 11 by pushing out the work W with the knock-out pin 12 so as to be divided into the plurality of steps.例文帳に追加

つまり、ノックアウトピン１２がワークＷを複数段階に分けて突き出すことで、ワークＷをダイス１１内に保持しながらワークＷからダイス１１への熱移動量を低減することができる。 - 特許庁

In order to remove the powder, high voltage is generated by a high voltage device 6 to negatively charge the workpiece W while bringing a discharge electrode 5 into contact with the workpiece W, and also negative charge is applied from the workpiece W to the powder p.例文帳に追加

ワークＷに放電極５を接触させた状態で、高電圧装置６で高電圧を発生させてワークＷを負極に帯電させるとともに、ワークＷから粉体ｐに負の電荷を与える。 - 特許庁

Accordingly, when the substrate W is warped in the lower side as the projected shape due to the heat treatment, the lower surface of the substrate W is never separated too much from the supporting member 146 and thereby the substrate W is supported stably.例文帳に追加

かかる加熱処理装置によれば，加熱により基板Ｗが下に凸状に反ったとき，基板Ｗの下面が支持部材１４６から離れすぎず，基板Ｗを安定させて支持することができる。 - 特許庁

A wafer W comprising a wiring groove 1b and a via hole 1a on its surface is submerged in a plating liquid, and a voltage is applied between the wafer W and an anode 11 to form a plating film 4 on the wafer W.例文帳に追加

まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。 - 特許庁

This lathe is provided with a main spindle 1 capable of supporting a deformed workpiece W and a workpiece phase decision means 18 coming into contact with the deformed workpiece W supported to the spindle 1 to perform phase decision in the direction of rotation of the workpiece W.例文帳に追加

異形ワークＷを支持可能な主軸１と、主軸１に支持された異形ワークＷに接してこの異形ワークＷの回転方向の位相決めを行うワーク位相決め手段１８とを備える。 - 特許庁

The lower heating pressurizing part 17 presses the work-piece W received from the support pins 24 against the clamp surface 16a with the work-piece W placed on the clamp surface 17a and clamps the work-piece W in a state where the support pins 24 are withdrawn from the clamp surface 17a.例文帳に追加

支持ピン２４がクランプ面１７ａから退避した状態で、下加熱加圧部１７は、支持ピン２４から受け取ったワークＷをクランプ面１７ａで載置したままクランプ面１６ａに押し当ててクランプする。 - 特許庁

A weighting function setting part 82 sets a weighting function w(A')(w≤1) according to a weighting function, corresponding to a signal level (pixel level) in each pixel of a processed image signal A', and operates a weighting coefficient w.例文帳に追加

重み付け関数設定部８２は、処理済画像信号Ａ’の画素ごとの信号レベル（画素レベル）に応じて重み付け関数に従って重み付け関数ｗ（Ａ’）（ｗ≦１）を設定し、重み付け係数ｗを演算する。 - 特許庁

To sufficiently restrain a flaw (damage) of a carrier roller 37 and the breakage of a substrate W by relieving an impact by contact between the substrate W and the carrier roller 37 while improving carrying efficiency in the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗの搬送効率の向上を図りつつ、基板Ｗと搬送ローラ３７との接触による衝撃を緩和して、搬送ローラ３７の受傷（損傷）及び基板Ｗの破損等を十分に抑えること。 - 特許庁

To highly accurately grind even a work (w) having a small diameter by smoothly rotating while restraining vertical vibration of the work (w) without causing a scratch by a hard material in the peripheral surface part of the work (w).例文帳に追加

ワークｗの周面部に硬質材による擦れ傷を発生させないでワークｗの上下振動を抑制し円滑に回転させることにより、小径のワークｗでもこれを高精度に研削する。 - 特許庁

In the second opposite space part 12, a second elevating/lowering means is disposed to unload the cargo stacking carriage W on a second floor surface 4 by lowering the cargo stacking carriage W after receiving the cargo stacking carriage W from the mounting part 17a of the expanding and contracting means 17 of the second expanding state.例文帳に追加

第２対向空間部12には、荷積み台車Ｗを第２伸び状態の伸縮手段17の載置部17aから受け取った後、下降させて第２床面４に降ろす第２昇降手段を配設する。 - 特許庁

A chipping preventive groove 1 is formed in advance on the surface of a semiconductor wafer W so as to correspond to a dicing line on the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W is cut along the groove 1 so as to be reduced into individual chips.例文帳に追加

半導体ウェーハＷのダイシングラインに対応してチッピング防止溝１を半導体ウェーハＷの表面に予め形成し、チッピング防止溝１に沿って半導体ウェーハＷを切削してチップに個片化する。 - 特許庁

The cutter 37 is disposed at a cutting-in position by moving to advance/retreat it against the outer periphery of the work W through the copy roller 29 corresponding to the outer periphery shape of the work W when removing the burr at the outer periphery of the work W.例文帳に追加

ワークＷの外周のバリ取り時に、ワークＷの外周形状に応じて、この倣いローラ２９を介して、カッタ３７をワークＷの外周に対し出入り移動移動させて切り込み位置に配置する。 - 特許庁

A ball W, and leaf springs 12, 13 for holding the ball W therebetween are disposed in the magnetic tape cartridge, and the ball W is released from the holding between the leaf springs 12, 13 when shocks higher than a fixed level are applied.例文帳に追加

球Ｗと、この球Ｗを挟持する板バネ１２，１３とを磁気テープカートリッジに設け、一定以上の衝撃が加わった時に、球Ｗが板バネ１２，１３の挟持から外れるように構成する。 - 特許庁

As a result, this quickly eliminates the vacuum and close contact condition between the substrate W and the mask 3 and surely separates the substrate W from the mask 3, in a state where the substrate W is sucked and held at the predetermined position of the work stage 1.例文帳に追加

その結果、基板Ｗとマスク３との間の真空密着状態が速やかに解消され、基板Ｗはワークステージ１の所定位置に吸着保持された状態で確実にマスク３から分離される。 - 特許庁

The proximity scanning exposure apparatus 1 irradiates a substrate W transferred in an X direction while approaching a plurality of masks M, with exposure light EL through the plurality of masks M to impart patterns P of the plurality of masks M onto the substrate by exposure.例文帳に追加

近接スキャン露光装置１は、複数のマスクMに近接しながらX方向に搬送される基板Wに対して複数のマスクMを介して露光用光ELを照射し、基板Wに複数のマスクMのパターンPを露光する。 - 特許庁

In the second treatment, since the substrate W is pulled out of the treatment liquid and is exposed in a chamber 27, the substrate W may be affected adversely in terms of the process because of rapid pressure decrease.例文帳に追加

一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。 - 特許庁

In the drying device 12 to dry liquid coated on a continuously traveling web W, a pass roll in contact with the web W in a drying zone is a heating roll 32 to adjust the web temperature.例文帳に追加

連続走行するウエブＷに塗布された塗布液を乾燥させる乾燥装置１２で、乾燥ゾーン内でウエブＷと接触するパスロールを、ウエブ温度を調整する加熱ロール３２にする。 - 特許庁

The demolition of the tower-like structure W is started in a state in which an annular plate 6 for enclosing the tower-like structure W is installed in a position above the connecting location of the duct 51 of the suction dust collector 5.例文帳に追加

吸引集塵機５のダクト５１の接続箇所より上方位置に塔状構造物Ｗを囲う環状板６を設置した状態で塔状構造物Ｗの解体を開始する。 - 特許庁

A plurality of locking pieces 1012 are formed respectively protruded toward the outside in width direction W with a spacing in length direction L at the bottom face 1008 on both sides in width direction W.例文帳に追加

幅方向Ｗ両側の底面１００８箇所には複数の係止片１０１２が長さ方向Ｌに間隔をおいて幅方向Ｗ外側に向かってそれぞれ突出形成されている。 - 特許庁

In the finishing processing, since the small quantity of IPA can draw out the deionized water present in the depths of the fine patterns on the substrates W, the deionized water is prevented from remaining in the fine patterns on the substrates W.例文帳に追加

仕上げ処理では、基板Ｗの微細パターンの奥に入り込んだ純水を少量のＩＰＡで引き出すことができるので、基板Ｗの微細パターン中に純水が残留するのを防止できる。 - 特許庁

The sheet W is mounted nearly in a horizontal state on a mount table 1, and predetermined inspection regions A-D in the mounted sheet W are shaked by hammers 2a-2d in a shaking unit 2 by time-sharing.例文帳に追加

薄板Ｗを載置台１にて略水平な状態で載置し、前記載置された薄板Ｗの予め定められた検査領域Ａ〜Ｄを加振ユニット２のハンマー２ａ〜２ｄが時分割的に加振する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can avoid a deterioration in characteristics of a capacity insulating film even when a W plug is processed in a high concentration hydrogen atmosphere in forming the W plug, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｗプラグ形成時において、高濃度水素雰囲気中で処理を行なっても容量絶縁膜の特性劣化を回避できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A ratio V/W of an occupation volume V (cm^3) of the reinforcing cord 4 in the bobbin cheese 2 arranged in the spiral device 1 to a wind weight W (g) of the same is established in the range from 1.24 to 1.34 (cm^3/g).例文帳に追加

スパイラル装置１に配置された糸巻きチーズ２における補強コード４の占有体積Ｖ（ｃｍ^3 ）と巻き重量Ｗ（ｇ）との比Ｖ／Ｗを１．２４〜１．３４（ｃｍ^3 ／ｇ）に設定した。 - 特許庁

In a drying device which dries a wafer W wetted with liquid L, a moisture-absorptive capillary structure 3 is disposed opposite the wafer W in contact with or in proximity to the wafer surface.例文帳に追加

液体Ｌで濡れたウェーハＷを乾燥させる乾燥装置において、ウェーハＷに対向する位置に吸湿性の毛細管構造体３をウェーハＷ表面に接触・近接できるように配設する。 - 特許庁

The transfer mechanism 22 makes substrates W subjected to suction by the frame 37 in the horizontal state, makes the frame 37 turn, and makes substrates W in the carrier 23 stored in an upright state.例文帳に追加

そして移載機構２２は、水平状態のフレーム３７にて基板Ｗを吸着させ、フレーム３７を回動させて垂直に立った状態のキャリヤ２３に基板Ｗを収容するようにした。 - 特許庁

The manufacturing method of the present invention includes: holding a wafer (w) in a reaction chamber 11; supplying a first process gas containing a source gas and a second process gas composed of a hydrogen gas or inert gas onto the wafer (w) alternately in a rectified state; and rotating and heating the wafer (w) to deposit a film on the wafer (w).例文帳に追加

本発明の半導体製造方法は、反応室１１内にウェーハｗを保持し、ウェーハｗ上に、ソースガスを含む第1のプロセスガスと、水素ガスまたは不活性ガスからなる第２のプロセスガスを、交互に整流状態で供給し、ウェーハｗを回転させ、ウェーハｗを加熱してウェーハｗ上に成膜するものである。 - 特許庁

A packaging paper feed means 2 feeds the packaging paper W to a push-up path 5 of a product C in a crossing manner, a glue gun 3 deposits a glue G to an undersurface of the packaging paper W in the middle of the feeding operation, and an elevating/lowering means 4 projects up the packaging paper W to fold the packaging paper W around the product C.例文帳に追加

包装紙供給手段２は、製品Ｃの押上げ経路５に横断状態に包装紙Ｗを供給し、その供給途上で糊ガン３が糊Ｇを包装紙Ｗの下面に付着させ、更に、昇降手段４が包装紙Ｗを突き上げて、製品Ｃの周りに包装紙Ｗを折り付ける。 - 特許庁

A heat treatment apparatus 10 comprises a reactive chamber 1 in which a wafer W is placed and thermally treated in a hydrogen atmosphere, and a transportation means 3 which carries the wafer W out of the reactive changer 1 using a wafer holder 33 which holds the wafer W by contacting to a part of the main surface of the wafer W after thermal treatment.例文帳に追加

熱処理装置１０は、ウェーハＷが内部に配されて、該ウェーハＷに水素雰囲気下で熱処理を施す反応室１と、熱処理後のウェーハＷの主面の一部に接触してウェーハＷを保持するウェーハ保持具３３を用いて、反応室１からウェーハＷを搬出する搬送手段３とを備える。 - 特許庁

After supply of treatment liquid to the wafer W is stopped, the wafer W is arranged in a position upper than an upper end 2a of the cup 2 by making the spin chuck 1 raise to a drying treatment height DH, and the spin chuck 1 holding the wafer W is rotated at a fast speed in the state and the wafer W is dried.例文帳に追加

基板Ｗへの処理液の供給を停止した後、スピンチャック１を乾燥処理高さＤＨに上昇させてカップ２の上端２ａよりも上方の位置に基板Ｗを配置させ、その状態で基板Ｗを保持したスピンチャック１を高速回転させて基板Ｗを乾燥する。 - 特許庁

In such conditions, application of input motion (revolution) to the external tooth gear W makes the external tooth gear W to perform rotative motion by meshing with the inner tooth gear 120, and such motion of the external tooth gear W becomes generating motion by which a gear face of the external tooth gear W is polished by the polishing head 311 in a tooth profile direction.例文帳に追加

その状態で、外歯歯車に入力運動（公転）を与えることで、外歯歯車Ｗと内歯歯車１２０の噛み合いにより外歯歯車を自転運動させ、そのときの外歯歯車Ｗの運動を創成運動として、研磨ヘッド３１１により外歯歯車Ｗの歯面を歯形方向に研磨する。 - 特許庁