「A fabrication」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fixing belt which has the breakage strength equivalent to that of a seamless fixing belt, can be used inexpensively and stably without needing the fabrication of a molding mold even in the case of manufacturing a large diameter fixing belt, and uses a bonded base body of polyamide sheets, and to provide a fixing device with the fixing belt and an image forming apparatus on which the fixing device is mounted.例文帳に追加

シームレスベルトの場合と同等の定着ベルトの破壊強度が得られ、かつ、大口径の定着ベルトでも、成形用金型の製作が不要で、安価で安定した状態で使用できるポリイミドシートの接合基体を用いた定着ベルト、それを備えた定着装置及びこの定着装置を搭載している画像形成装置を提供することにある。 - 特許庁

A sensor STJ device 1 and a superconducting coil 8 used for applying an external magnetic field necessary for restraining Josephson current to the sensor STJ device 1 or a spiral shape superconducting inductance wire or a superconducting ground plate and a STJ device circuit that processes the measurement output of the sensor STJ device are integrated and formed on the same chip through a micro-fabrication technique.例文帳に追加

センサ用STJ素子と、センサ用STJ素子にジョセフソン電流抑制に必要な外部磁場を印加するための超伝導コイル若しくはスパイラル形状の超伝導インダクタンス線若しくは超伝導グランドプレート及びセンサ用STJ素子の計測出力を処理するSTJ素子回路をマイクロファブリケーション技術を用いて同一チップ上に集積、作製する。 - 特許庁

To provide a key lock switch having a switch mechanism part interlocked with a rotor in which types of keys are increased by having features in the arrangement positions of a pin arranged in a hole provided in the rotor and having features in arrangement position of vertical grooves and projection pieces provided in the key cylinder corresponding to the pin, thereby making fabrication of a replacement key difficult to improve security.例文帳に追加

ロータに連動するスイッチ機構部を配備したキースイッチにおいて、前記ロータに設けた孔に配設するピンの配設位置に特徴を持たせ、該ピンに対応したキー円筒部に設ける縦溝や突片の配設位置に特徴を持たせることにより、キーの種類を増やし、キーの代替品を作製しにくくすることで、セキュリティ性を向上させるキーロックスイッチを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition which is used for fabrication processes of semiconductors such as ICs, for manufacturing circuit boards of liquid crystals, thermal heads or the like and other photofabrication processes, the composition being excellent in the dependency on a pattern density, line edge roughness and a pattern profile and improved in the sensitivity in exposure to EUV light and a dissolution contrast; and to provide a pattern forming method using the photosensitive composition.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、疎密依存性、ラインエッジラフネス、パターンプロファイルに優れ、且つＥＵＶ光露光に於ける感度、溶解コントラストが改良された感光性組成物、当該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material such as a chemically amplified resist material for providing an excellent pattern profile even at a substrate interface, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F_2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a pattern forming method utilizing the resist material.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ_２レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性と共に、基板界面においても良好なパターン形状を与える化学増幅レジスト材料等のレジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of creating a three-dimensional solid freeform fabrication object includes spreading a non-reactive powder on a substrate, selectively dispensing a reactive resin onto the non-reactive powder, forming a mixture of reactive resin and non-reactive powder wherein the selective dispensing of the reactive resin defines the three-dimensional object and cures the reactive resin, thereby encapsulating the non-reactive powder.例文帳に追加

三次元の立体自由形状成形物体を作り出す方法は、基板上に非反応性粉末を分散し、その非反応性粉末の上に反応性粉末を選択的に分配して、反応性樹脂と非反応性粉末の混合物を作り、その選択的な反応性樹脂の分配で三次元物体が形成され、反応性樹脂が硬化して非反応性粉末をカプセル封止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a charge storage layer and a control gate, and its fabricating method, in which integration is enhanced by suppressing back bias effect and the ratio of capacity between a floating gate and a control gate is increased furthermore without increasing the occupation area while suppressing variation of cell characteristics caused by the fabrication process.例文帳に追加

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a stabilization of battery characteristics, by distributing mixed fluid with fuel gas and water equally for each unit cell in a fuel cell stack of latent heat cooling system which has a structure of multiple laminations of unit cells, and to provide a low price solid polymer fuel cell stack by reducing a cost of fabrication and laminating operation.例文帳に追加

単位電池を複数積層してなる潜熱冷却方式の燃料電池スタックにおいて各単位電池に燃料ガスと水の混合流体を均等に配流して電池特性の安定化を図ると共に製作コストおよび積層作業のコストを抑えて安価な固体高分子型燃料電池スタックを提供する。 - 特許庁

To provide an antenna array capable of using a discrete active element suitable for mass production in which the space for the discrete active element can be secured when integrally assembling a dielectric substrate to mount thereon a circuit including the active element to a waveguide and micro fabrication, that is a semiconductor integrated circuit manufacturing technique, is not required for the circuit to be provided on the dielectric substrate.例文帳に追加

ディスクリートの能動素子を含む回路を搭載する誘電体基板を導波管に一体に組み付ける際に前記能動素子のスペースを確保でき、誘電体基板に設けられる回路には半導体集積回路作製技術である微細加工が必要でなく、量産に適したディスクリートの能動素子の使用ができるアンテナアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor employing a dielectric porcelain composed of BT crystal grains and BCT crystal grains as a dielectric layer in which deterioration incident to time variation in high temperature load test can be suppressed, and a high insulation multilayer ceramic capacitor can be obtained without providing a step for reoxidation processing in the fabrication process.例文帳に追加

ＢＴ結晶粒子とＢＣＴ結晶粒子とから構成される誘電体磁器を誘電体層とする積層セラミックコンデンサについて、高温負荷試験における時間変化に伴う低下を抑制できる積層セラミックコンデンサ、ならびに、製造工程において再酸化処理の工程を設けなくても高絶縁性の積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element in which a semiconductor substrate in the boundary of a cell region and a peripheral circuit region can be protected from an etching step for forming first and second trenches and a leak current generated due to damage on the semiconductor substrate can be prevented from increasing, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

セル領域と周辺回路領域との境界部の半導体基板を第１トレンチおよび第２トレンチの形成のためのエッチング工程から保護することができ、半導体基板の損傷で発生する漏れ電流の増加を防止することができる、フラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an arrangement for suppressing occurrence of malfunction in the machining process as much as possible when a transistor provided with a memory cell area and a peripheral circuit area, such as a NAND flash, and having an LDD structure in the peripheral circuit area is fabricated; and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュ等のメモリセル領域および周辺回路領域を備え、周辺回路領域にＬＤＤ構造を有するトランジスタを形成する場合に、加工工程で不具合が発生するのを極力抑制することができる構成を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for molding a large quantity of separators with a uniform plate thickness which can be thin-walled and requires no fabrication using a resin material containing 80 wt% of a carbon filler which conventionally cannot be injection-molded or compression-molded, with the help of an injection-molding machine with high production efficiency.例文帳に追加

従来、射出成形や圧縮成形が不可能であった、カーボンフィラーを８０重量パーセント含んだ樹脂材料を用いて、均一な板厚を有し薄肉化可能で後加工を要しないセパレータを、生産効率の高い射出成形機によって大量に成形する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The hydrogen storage material is manufactured, for example, by crushing/mixing metal aluminum and lithium amide such that a ratio of aluminum relative to lithium is preferably made to 40 mol% or less and it is made to a nano-structure and fabrication under an inert gas atmosphere, then heating/treating it under a vacuum atmosphere and then retaining it under a pressurization gas atmosphere containing a hydrogen gas.例文帳に追加

水素貯蔵材料は、例えば、金属アルミニウムとリチウムアミドとを、リチウムに対するアルミニウムの比率を好ましくは４０モル％以下とし、不活性ガス雰囲気下においてナノ構造化・組織化・複合化されるように粉砕混合し、次いで真空雰囲気にて加熱処理し、次いで水素ガスを含む加圧ガス雰囲気下に保持することにより製造される。 - 特許庁

To provide a method of removing a matching oil which can treat the matching oil sticking to the surfaces of preform ingots and preforms for optical fibers in measuring their refractive index distributions with a preform analyzer by an environmentally friendly method without requiring intricate devices in a manner as not to hinder transportation to ensuring process steps and subsequent fabrication treatment and a device for the same.例文帳に追加

光ファイバ用母材インゴットやプリフォームをプリフォームアナライザーで屈折率分布を測定した際に、表面に付着するマッチングオイルを、後工程への運搬及びその後の加工処理において支障をきたさないように、複雑な装置を必要とせず、環境にやさしい方法で処理することのできる、マッチングオイルの除去方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

In a mold for photo fabrication having a coating layer on the molding surface of the main body of the mold which is produced by a repeated process in which a photo-curable resin material is laminated and photo-cured, a material forming the coating layer penetrates to the depth of at least 500 μm from the molding surface of the main body.例文帳に追加

光硬化性樹脂材料を積層し光硬化させる工程を繰り返して製造してなる光造形型本体の成形表面に皮膜層を有する光造形型であって、前記皮膜層を形成している材料が光造形型本体の成形表面から５００μｍ以上の深さまで含浸している光造形型。 - 特許庁

To provide a separator for a fuel cell having excellent corrosion resistance and conductivity even in a battery environment under an electrochemically severe condition, allowing the reduction of weight of the separator itself, and having excellent workability; to provide its fabrication method; and to provide a conductive corrosion-resistant metallic material usable for the separator for a fuel cell.例文帳に追加

電気化学的に過酷な条件下である電池環境においても優れた耐食性および導電性を有し、かつセパレータの軽量化が可能であり、さらには良好な加工性を備えた燃料電池用セパレータとその製造方法、および当該燃料電池用セパレータ等に使用できる導電性耐食金属材を提供する。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

Saddle stitching binding printed matter to which the square back process is performed can be created using a saddle stitching binding means capable of performing the saddle stitching binding process to a printed sheet for a job to be processed and a fabrication means capable of performing the square back process to form a flat surface on the back portion of the sheet to which the saddle stitching binding process is performed.例文帳に追加

処理すべきジョブのために、印刷処理が行われたシートの中綴じ製本処理が実行可能な中綴じ製本手段と、中綴じ製本処理が行われたシートの背の部分に平坦面を形成するスクエアバック処理を実行可能な加工手段とを用いて、スクエアバック処理が行われた中綴じ製本印刷物を作成可能にする。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device, and its fabricating method, in which a fabrication cost, component cost and size are reduced as compared with those of a conventional device while sustaining the product quality thereof and the image center of a solid-state image sensor can be aligned with the optical center of a lens relatively easily.例文帳に追加

従来の製品品質を保ちつつ、製造コスト及び部品コストを従来よりも低減させ、また、固体撮像装置を従来よりも小型化し、更に固体撮像素子のイメージセンターと、レンズの光学中心との位置合わせを比較的容易に行うことのできる固体撮像装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the area of a capacity electrode can be divided substantially into two by splitting a capacitive element into a first capacitive element 64 and a second capacitive element 65, charges being stored in the capacity electrodes 24 and 25 during fabrication of a semiconductor device can be halved and plug electrodes being formed in subsequent process can be protected against breakdown due to charge-up in the capacity electrode.例文帳に追加

容量素子を第１容量素子６４と第２容量素子６５とに２分割する構成とすることにより、容量電極の面積を概ね半分に分割できるので、半導体装置の製造中に容量電極２４、２５に蓄積されるチャージの量を半減でき、容量電極中のチャージアップによる後工程において形成されるプラグ電極等の破壊を防ぐことが可能である。 - 特許庁

To provide a fabrication method of a joined wafer, which improves production yields of semiconductor chips sealed with a glass substrate into which the wafer is divided after exposed by a stepper, and reduces the occurrence of a failure in semiconductor devices comprising the semiconductor chips, thus improving their reliability.例文帳に追加

ステッパーによりウエハを露光した場合においても、当該ウエハを個片化して得られた、ガラス基板で封止された半導体チップの製造歩留まりを向上させ、また、当該半導体チップを含む半導体装置の障害発生を減少させてその信頼性を向上させることができる接合ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To materialize high watertihghtness, airtightness and high shape- rigidity and a low manufacturing cost which have been unexpectable hitherto for a sealed-up type flanged container for packing foods or the like by a method wherein new devices are applied to a planar shape and arrangement of scores to a blank before fabrication.例文帳に追加

食品用包材分野などにおける密閉型のフランジ付容器ａにおいて、組立て前のブランクａの平面形状と罫線配置に新たな工夫を加えることにより、これまで期待すべくもなかった高い水、気密性と高い形状剛性とともに低いコストのフランジ付容器ａの実現をその目的としている。 - 特許庁

The integrated scintillator/collimator (144) is manufactured using a manufacturing process (120) or technique which an array (96) consisting of a scintillator material is located on a fabrication base (94), a collimator mold housing (102) including the collimator mold is positioned on a scintillator material block (96).例文帳に追加

一体型のシンチレータ／コリメータ（１４４）は、シンチレータ材料からなるアレイ（９６）を加工用土台（９４）上に位置決めし、さらにコリメータ型枠をその内部に有するコリメータ型枠ハウジング（１０２）をシンチレータ材料のブロック（９６）上に位置決めしているような製造処理法（１２０）または技法によって製作している。 - 特許庁

The method for producing the photo-fabrication product includes a process for producing the photo-fabricated cured body 2 by irradiating a photo-curable resin and a process in which an absorption body 4 having a property to absorb liquid by a capillary phenomenon is contacted with the photo-fabricated cured body 2 to make an uncured resin liquid 3 be absorbed by the absorption body 4.例文帳に追加

光硬化性樹脂に光を照射することにより、光造形硬化体２を生成する工程と、前記光造形硬化体２に対し、毛細管現象により液体を吸収する性質を有する吸収体４を接触させ、当該吸収体に未硬化樹脂液３を吸収させる工程とを有する光造形物の製造方法。 - 特許庁

In the dye-sensitized solar cell fabrication kit consisting of an optical electrode member including a conductive board and a dye-sensitized semiconductor minute particle layer, an electrolyte layer, and an opposed electrode member including the conductive board, a solvent of the electrolyte layer is a solvent made of at least ethanol and polyethylene glycol.例文帳に追加

導電性基板および色素増感された半導体微粒子層を含む光電極部材、電解液層、導電性基板を含む対向電極部材からなる色素増感型太陽電池作製キットにおいて、該電解液層の溶媒が、少なくともエタノールおよびポリエチレングリコールからなる溶媒であるなることを特徴とする色素増感型太陽電池作製キット。 - 特許庁

To provide a packing bag, e.g. an envelope, which is composed of e.g. a synthetic resin-made sheet, allows an addressee to recognize presence of an unsealing means clearly and enables easy fabrication in spite of formation of such an unsealing means on the front surface of the envelope and a method of manufacturing a packaging bag, e.g. an envelope.例文帳に追加

合成樹脂製シート等からなる包装用袋であって、開封手段の存在を受信者に明確に認識させることができ、しかも、そのように封筒の表面側に開封手段を形成するにもかかわらず、製作を容易に行うことのできる封筒等の包装用袋と、封筒等の包装用袋の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the fabrication process of a rewiring structure, electric connection of an element electrode 11bi for use in burn-in screening and a common interconnect line for use in burn-in screening is interrupted selectively only for a semiconductor chip 10b judged rejective in electrical characteristics inspection by using a negative photosensitive material.例文帳に追加

再配線構造の製造工程において、ネガ型の感光性材料を使用することにより、電気特性検査にて不良と判定された半導体チップ１０ｂについてのみ、バーンインスクリーニングで使用するための素子電極１１ｂｉとバーンインスクリーニングで使用する共通配線との電気的接続を選択的に遮断する。 - 特許庁

Fabrication process of the silicon carbide semiconductor device 1 comprises a step for forming a trench 11 in the major surface 2b of the epitaxial growth layer 2, a step for forming the silicon carbide semiconductor region 3 selectively in the trench 11 by epitaxial growth, and a step performing heat treatment for activating impurities in the silicon carbide semiconductor region 3.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置１の製造方法は、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂに溝１１を形成する工程と、溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域３中の不純物を活性化させるための熱処理を施す工程とを備えている。 - 特許庁

In the fabrication process of a nonvolatile memory, a metal oxide under not-yet-crystallized state or incompletely crystallized state is provided between opposing electrodes, and high field energy is applied between the electrodes, to form a memory cell (memory area) of a metal oxide crystallized by Joule's energy heat being generated.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリの製造方法は、対向する電極間に未結晶状態又は不完全な結晶化状態の金属酸化物を設け、前記電極間に高電界エネルギーを印加することにより、発生するジュール熱のエネルギーによって結晶化した金属酸化物からなるメモリ・セル（メモリ領域）を形成する。 - 特許庁

Further, the manufacturing method is characterized by leveling in which, in a fabrication process of rolling, after forming the caulking part at an initial stage of rolling, parts for the caulking part or an imperfect screw part are rolled again by a dice part having a shape with no interference of the trough diameter compared with an angle shape for usually forming a screw thread.例文帳に追加

更に、この製造方法は、転造時の成形工程においてかしめ部を転造の初期段階にて成形した後に再度かしめ部や不完全ねじ部にあたる部分を通常ねじ山を成形させる山形状よりも谷径が干渉することがない形状となるダイス部で再度転造して矯正加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a piezoelectric actuator being driven with a high field strength to produce a larger displacement while ensuring high conduction reliability of an electrode and which can be fabricated through a smaller number of fabrication steps without restricting the ink to be used by the characteristics or components when the actuator is used an ink jet head, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

高い電界強度で駆動出来、より大きな変位を得ることが可能であって、電極の導通信頼性が高く、例えばインクジェットヘッドとして用いた場合に、特性・成分等により利用するインクを制約することなく、より少ない製造工程数で作製可能な、圧電式のアクチュエータ、及び、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a lens actuator including a coil and a spring with higher reliability in electrical connection therebetween by forming the electrical connection structure to be resistant against shock and moisture, and allowing easy fabrication of the lens actuator by simplifying the connection structure between the coil and the spring, and provide a camera module including the lens actuator.例文帳に追加

コイルとスプリングの電気的接続構造を衝撃及び湿度に強い構造で形成することにより、電気的接続の信頼性を向上させることができ、コイルとスプリングとの接続構造を簡単にしてレンズアクチュエータの製造を容易にすることができるレンズアクチュエータ及びこれを備えたカメラモジュールを提供する。 - 特許庁

To provide positive resist composition and a pattern forming method using it capable of preferably using super-micro lithographic processes or the other photo-fabrication process, such as manufacturing a VLSI or a micro chip of large capacity etc., with a wide latitude for exposure, and excellent in uniformity of line width.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて、好適に使用することができ、露光ラチチュードが広く、線幅の面内均一性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In fabrication of a front plate constituting the plasma display panel, after a magnesium-made protection layer is installed, without making the protection layer contact moisture and carbon dioxide, by making fluorine contact the protection layer, magnesium oxide of at least a surface part of the protection layer is changed into magnesium fluoride, and this magnesium fluoride layer is made a second protection layer.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルを構成する前面板の作製において、酸化マグネシウム製の保護層を設けたのち、その保護層を水分および二酸化炭素に接触させることなく、上記保護層にフッ素を接触させることにより、上記保護層の少なくとも表面部分の酸化マグネシウムをフッ化マグネシウムに変化させ、このフッ化マグネシウム層を第２の保護層とする。 - 特許庁

After a voltage stress or a current stress is applied to an MIS transistor formed in the scribe region of a semiconductor wafer for forming a product, the S factor, threshold voltage or transconductance characteristics of the transistor is measured, and the results are compared with specified management values, thus managing the fabrication process.例文帳に追加

製品が形成される半導体ウエハのスクライブ領域にＭＩＳトランジスタを形成し、電圧ストレス又は電流ストレスを付加した後に、トランジスタのＳ因子、闘値電圧又は相互コンダクタンス特性を測定し、その測定結果と所定の管理値を比較・判定することで製造工程の管理を行う。 - 特許庁

The device executes signal transfer between drive and sense circuits through the drive and sense electrodes by a capacitive means, and permits a high-voltage device, such as IGBT, to be driven without the use of a high-voltage transistor, thereby eliminating the need of using an expensive fabrication process such as SOI when manufacturing a high-voltage gate drive circuit and an IC.例文帳に追加

装置は、駆動回路と感知回路との間の信号の転送を、駆動電極および感知電極を介して容量性手段によって行い、かつＩＧＢＴなどの高電圧装置を高電圧トランジスタを使用せずに駆動することが可能にされ、これにより高電圧ゲート駆動回路及びＩＣを製造する場合、ＳＯＩなどの高価な製造工程を使用する必要がなくなる。 - 特許庁

To reduce the size of an element chip 45 and to reduce the fabrication cost of a thin film transistor type display in which a thin film transistor 44 is formed on a first substrate, interconnect lines are formed on a second substrate, and the element chip 45 including one or more thin film transistors 44 is stripped from the first substrate and transferred onto the second substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、第１基板上に薄膜トランジスタ４４を形成し、第２基板上に配線を形成し、第１基板上から薄膜トランジスタ４４をひとつ以上含む素子チップ４５を剥離し、第２基板上へ転写する、薄膜トランジスタ型表示装置において、素子チップ４５のサイズを削減し、製造コストを低減することである。 - 特許庁

To provide an optical functional sheet which permits surface fabrication and lamination to another functional sheets, has a flat surface shape, can exhibit a beam-condensing function by the internal form, can simultaneously condense the light spreading in the vertical direction of a screen and the light in the lateral direction thereof with one sheet and has high front luminance and a wide angle of view.例文帳に追加

表面加工することや他機能シートと張合せることが可能であって、平らな表面形状をもち、内部の形態によって集光機能を発揮することができ、一枚のシートで画面の上下方向に広がる光も左右方向に広がる光も同時に集光できるとともに、高い正面輝度及び広い視野角を有する光学機能性シートを提供する。 - 特許庁

To provide a material for forming an adhesion reinforcing layer which can reinforce adhesion of a low dielectric constant film and other material, especially adhesion of a low dielectric constant film formed of an inorganic material and other material, and to provide the adhesion reinforcing layer formed by using the material for forming the adhesion reinforcing layer and excellent in adhesion, a highly reliable high speed semiconductor device, and to provide its efficient fabrication process.例文帳に追加

低誘電率膜及び他の部材、特に無機材料で形成された低誘電率膜及び他の部材どうしの密着性を強化することができる密着強化層形成用材料、該密着強化層形成用材料を用いて形成され密着性に優れた密着強化層、高速で信頼性の高い半導体装置及びその効率的な製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a circular display shelf which enables the massive display of goods of many kinds over the entire circumference and enables the transportation being folded flat when it is carried into the affiliated stores, individual shops and the like by accomplishing the fabrication and installation in a shorter time at a signle action in the center of the floor surface or the like of a booth.例文帳に追加

売店の床面中央などにワンタッチで短時間で組み立てて設置し、陳列棚の全周にわたって多種多様の商品を大量陳列することができる上、加盟店や個別の商店などに搬入する場合には、偏平に折り畳んで搬送することができる全周式陳列棚を提供する。 - 特許庁

In this fabrication method of a thin-film transistor, where a gate electrode is formed on an insulation surface, a gate insulation film is formed, a non-single crystalline semiconductor film is formed and the non-single crystalline semiconductor film is crystallized by being subjected to irradiation with laser beam of linear irradiation cross section, the gate electrode 17 is provided above the crystallized part via the gate insulating film 16.例文帳に追加

絶縁表面上にゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、非単結晶半導体膜を形成し、照射断面が線状のレーザー光を照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記ゲート電極１７は、前記ゲート絶縁膜１６を介して前記結晶化された部分の上方に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

When display devices and the semiconductor devices having fine elements are manufactured on the same substrate, a resist is exposed by using a first exposure means for exposing the patterns of the display devices and a second exposure means for exposing the patterns of the semiconductor devices to a workpiece which requires micro-fabrication, by which the semiconductor devices varying in line width rules may be manufactured with the good productivity.例文帳に追加

同一基板上に表示装置と、微細素子を有する半導体装置とを作製する際に、微細加工が必要な被加工物に対して、表示装置のパターンを露光する第１の露光手段と、半導体装置のパターンを露光する第２の露光手段とを用いてレジストを露光することにより、線幅ルールの異なる半導体装置を生産性良く作製することができる。 - 特許庁

In the fabrication process, a silicon nitride film 9 is left only on a region for forming the gate electrode 8A (word line WL) of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM, and not left on the gate electrode 8B of an MISFET constituting a logic LSI and on the gate electrodes 8C and 8D constituting the memory cell of an SRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極８Ａ（ワード線ＷＬ）を形成する領域の上部のみに窒化シリコン膜９を残し、ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極８Ｂの上部およびＳＲＡＭのメモリセルを構成するゲート電極８Ｃ、８Ｄの上部には窒化シリコン膜９を残さないようにする。 - 特許庁