「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(317ページ目) - Weblio英語例文検索

At its projecting distal end, the distal end 203 which forms a spark discharge gap between a center electrode 20 within the cavity 60 and itself is located inwardly, in a diametral direction P orthogonal to an axis O, from a position which is located 0.5 mm radially outward from the opening end 14 of the cavity 60.例文帳に追加

その突出先端にて、キャビティ６０内の中心電極２０との間で火花放電間隙を形成する先端２０３は、軸線Ｏと直交する径Ｐ方向において、キャビティ６０の開口端１４の径方向外側０．５ｍｍの位置から、内側に位置している。 - 特許庁

In a washing process step after a polishing process step of the aluminum substrates subjected to Ni-P plating, the aluminum substrates are treated for a required time by function water of plus or minus oxidation reduction potential, by which the surfaces of the substrates are reformed and the corrosion resistance is improved.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐメッキを施したアルミニウム基板の研摩工程を経た後の洗浄工程において、酸化還元電位がプラス又はマイナスの機能水により所要時間処理することにより、前記基板の表面を改質し、耐食性能を向上させるようにした。 - 特許庁

A transparent conductive film 42 made of ITO is formed on the entire upper surface of a second interlayer insulation film 37 having via holes 39, and a metallic film 45 reacting with a hydrochloric acid L for generating hydrogen gas P is formed in an etching region E of the conductive film 42 by applying zinc paste.例文帳に追加

ビアホール３９を有した第２層間絶縁膜３７上側全面にＩＴＯからなる透明導電膜４２形成し、同透明導電膜４２のエッチング領域Ｅに、塩酸Ｌと反応して水素ガスＰを生成する金属膜４５を、亜鉛ペーストを塗布することによって形成した。 - 特許庁

A groove 4, extending so as to enclose a pixel in the forming direction of the bank at approximately the central part between the adjacent pixels, is formed at the top end of the bank 2 installed upright on a substrate P formed with the color filter so as to form the pixels constituting the color filter.例文帳に追加

カラーフィルタが形成される基板Ｐ上において、カラーフィルタを構成する画素を形成するように基板Ｐ上に立設されているバンク２の上端部において、隣接する画素間の略中央部にバンクの形成方向に画素を囲むように延びる溝４が形成されている。 - 特許庁

In the second radio altimeter AL', the synchronizing pulse signal SP generated by the synchronizing signal generator 11 of the first radio altimeter AL is inverted by an invertor 13', and on the basis of the inverted synchronizing pulse signal a reference pulse generating circuit 1' generates a reference pulse P'.例文帳に追加

第２の電波高度計ＡＬ´では、第１の電波高度計ＡＬの同期信号発生器１１の発生する同期パルス信号ＳＰをインバータ１３´によって反転させ、この反転された同期パルス信号に基づいて基準パルス発生回路１´が基準パルスＰ´を発生する。 - 特許庁

In the RFID label 1 which comprises an RFID inlet having an IC chip 5 and an antenna 6, and the label, a part of the RFID label 1 is made rise from an adherend P like a chevron, and a part of the antenna 6 is positioned on a slope of the chevron.例文帳に追加

ＩＣチップ５とアンテナ６とを有したＲＦＩＤインレットと、ラベルと、を備えたＲＦＩＤラベル１において、 このＲＦＩＤラベル１の一部を被着体Ｐに対し、山形状に起立させ、前記山形状の傾斜面に前記アンテナ６の一部が位置していることを特徴とする。 - 特許庁

When the brake is turned off after the shift lever is shifted to the P range (S110), torque equivalent to adjustment driving force F* in a direction where force operated on a vehicle cross direction of vehicle weight M is canceled is outputted from a motor 22 (S120 to S180) based on road surface gradient θ.例文帳に追加

シフトレバーがＰレンジにシフト操作された後にブレーキがオフされると（Ｓ１１０）、路面勾配θに基づいて車重Ｍの車両前後方向に作用する力を打ち消す方向の調整駆動力Ｆ＊に相当するトルクをモータ２２から出力する（Ｓ１２０〜Ｓ１８０）。 - 特許庁

A semiconductor detector detecting a radiation from an electronic positive hole couple, which is generated when the radiation is made incident on a depletion layer generated in the semiconductor substrate by the application of inverse direction voltage between the P+ layers 102 and 103 and the N+ layer 104 when it is applied, is provided.例文帳に追加

Ｐ^+層１０２，１０３とＮ^+層１０４との間に逆方向電圧を印加したとき、これにより半導体基板内に生じる空乏層中に放射線が入射した際に発生する電子正孔対から放射線を検出する半導体検出器を提供する。 - 特許庁

Pairs of P-type elements 22 and N-type elements 24 are connected in series via a copper pattern 28 formed on a ceramic substrate 30 through metallization, an outer circuit 34 is formed along an outer edge of the substrate 30, and an inner circuit 36 is formed inside the outer circuit 34.例文帳に追加

セラミック基板（３０）上にメタライジングによって形成した銅パターン（２８）を介して、Ｐ型素子（２２）とＮ型素子（２４）からなる素子対を直列接続し、セラミック基板（３０）の外縁に沿って外側回路（３４）を形成し、該外側回路（３４）の内側に内側回路（３６）を形成する。 - 特許庁

A phase comparator 353 calculates as basic information the number of stages p of a unit cell in a delay cell 348, which is necessary for delaying a reference clock signal REF_CLK 1 by one cycle without a selector 351 and a delay part q of a selector 351 converted into the number of stages of the unit cell.例文帳に追加

位相比較器３５３で、セレクタ３５１なしに基準クロック信号ＲＥＦ＿ＣＬＫ１を１周期遅延させるのに必要な遅延セル３４８内のユニットセルの段数ｐと、ユニットセルの段数に換算したセレクタ３５１の遅延分ｑとを、基本情報として算出する。 - 特許庁

In the electrostatic atomizer, a cooling part is electrically connected to the atomizing electrodes 13, 14 and is constituted of an N-type thermoelectric element 15 and a P-type thermoelectric element 16 energized by a current supply part 20 as a power supply part so that the atomizing electrode 13, 14 sides become endothermic sides.例文帳に追加

冷却部が霧化電極１３，１４と電気的に接続されるとともにこの霧化電極１３，１４側が吸熱側となるように電力供給部としての電流供給部２０にて通電されるＮ型熱電素子１５及びＰ型熱電素子１６で構成される。 - 特許庁

The p-side electrode 114 of a multiple structure formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer group on the side of an upper ridge 130 makes contact with the side surface of the ridge 130 and with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group in the vicinity of the ridge 130.例文帳に追加

上記第２導電型の半導体層群の上側のリッジ部１３０側の表面に形成された多層構造のｐ側電極１１４が、リッジ部１３０の側面およびリッジ部１３０近傍の第２導電型の半導体層群の表面に接している。 - 特許庁

A mounting member 3 is fitted to the composition 1 to make the foamed member P for a hollow member, and the member 3 is attached in the inner space of a pillar 2, and the composition 1 is foamed and cured by heating to form the filling foam 6.例文帳に追加

そして、その発泡用組成物１に取付部材３を装着して中空部材用発泡部材Ｐを作製し、その取付部材３をピラー２の内部空間に取り付けて、その後、発泡用組成物１を加熱し、発泡および硬化させることにより充填用発泡体６を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process for depositing n-type and p-type zinc oxide-based transparent conducting oxides (TCOs), which are excellent in optical and electrical properties, on glass or temperature-sensitive materials such as plastics and a polymers at a low temperature.例文帳に追加

ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。 - 特許庁

The p-channel MOS transistor groups 11 are arranged to be mutually adjacent and the n-channel MOS transistor groups 12 are arranged to be mutually adjacent in each interface of a first circuit block 1A, a second circuit block 1B, a third circuit block 1C, and a fourth circuit block 1D.例文帳に追加

また、第１の回路ブロック１Ａ、第２の回路ブロック１Ｂ、第３の回路ブロック１Ｃ、第４の回路ブロック１Ｄは、各境界で、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１１同士が互いに隣接し、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１２同士が互いに隣接するように配置される。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by a compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on one surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０の一面に設けた対をなす裏面電極層１２０に亘ってカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

Air heated by a heater 126 is flowed into the tank 120A of the hot air agitating type drier 120 through a hot air feed pipe 124 by the arrangement, and resin pellets P in the hot air agitating type drier 120 are air agitated by the hot air, heated and dried therein.例文帳に追加

これにより、加熱空気攪拌式乾燥機１２０の槽１２０Ａ内には加熱空気供給管１２４を経てヒータ１２６により加熱された空気が流入し、この加熱された空気により加熱空気攪拌式乾燥機１２０内の樹脂ペレットＰが空気攪拌され、加熱、乾燥される。 - 特許庁

While the image pickup part 4 is rotated in a direction shown by an arrow P until a VTR mark is aligned with the mark M after the CAMERA mark on the image pickup part 4 is aligned with the mark M on the main body 1, the lens 5 of the image pickup part 4 is covered with the lens cover 3.例文帳に追加

一方、本体１のマークＭに撮像部４のＣＡＭＥＲＡマークが位置しているときから、ＶＴＲマークがマークＭに位置するまで矢印Ｐ方向に撮像部４が回転操作されている間は、撮像部４のレンズ５が、レンズカバー３によって被われるようになされている。 - 特許庁

The beam parts 46 are tilted in the carrying direction of the recording paper P to move the carrying belt 20 and the position of the nozzles 26 facing the beam parts 46 is changed to eject ink, thereby enabling liquid droplets to be ejected from all nozzles 26 without staining the beam parts 46.例文帳に追加

また、梁部４６を記録紙Ｐの搬送方向に対して傾斜させることで、搬送ベルト２０を移動させ、梁部４６が対面するノズル２６の位置を変えてインクを吐出させるようにすることで、梁部４６を汚すことなく、全ノズル２６から液滴を吐出させることができる。 - 特許庁

Then, a space between the photoreceptor drum 12 and the ejection tray, and also, a space between the paper P carrying path and a waste toner container 24 are used as a gap for letting the intermediate transfer belt 14 through, then, the length of the intermediate transfer belt 14 is secured without making the whole apparatus large in size.例文帳に追加

これによって感光体ドラム１２と排出トレイの間、および用紙Ｐの搬送路と廃トナー容器２４の間を、中間転写ベルト１４を通すための空隙として利用でき、装置全体を大型化せずに中間転写ベルト１４の長さを確保できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, electrooptic device, electronic equipment, method for manufacturing semiconductor devices, and a method for manufacturing electrooptic devices, capable of reducing the occurrence of erroneous operations by improving the on-current balance between an N- channel type TFT and a P-channel type TFT used in a complementary circuit.例文帳に追加

相補回路に用いるＮチャネル型のＴＦＴとＰチャネル型のＴＦＴのオン電流バランスを改善することにより誤動作が発生しにくい半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the split retainer body c1, an elastically deformable fastening plate P having one end fixed to a recessed part surface b1 parallel to a direction perpendicular to the division line y and recessed by a predetermined dimension and the other end projected from the division surface E is provided on an end at the division surface E side.例文帳に追加

分割保持器本体ｃ１には、分割面Ｅ側端部に、前記分割線ｙと直交する方向と平行に、かつ、所定の寸法凹んでいる凹部面ｂ１に一端が固定され、他端が分割面Ｅから突出し、弾性変形可能な締結プレートＰが設けられている。 - 特許庁

This original information reader is provided with a platen 100A, a scanner 200 that is movable in the directions of the arrows X1 and X2 at an upper part of the platen 100A, an information processing part 400 processing information read by the scanner 200 and an original carrying roller 800 carrying an original P.例文帳に追加

本原稿情報読取装置は、プラテン１００Ａと、同プラテン１００Ａの上部で矢印Ｘ１、Ｘ２方向に移動可能なスキャナ２００と、同スキャナ２００が読み取った情報を処理する情報処理部４００と、原稿Ｐを搬送する原稿送りローラ８００を備えている。 - 特許庁

Moreover, p-type well regions, which are respectively formed selectively within the main surfaces of a gate oxide film 7 and an N-type drift layer 3, which are the base film and the base layer of the electrodes 8a and 8b, are also respectively formed in an annular shape so as to encircle the region 10c.例文帳に追加

また、ゲート電極８ａ，８ｂの下地であるゲート酸化膜７、及びｎ型ドリフト層３の主面内に選択的に形成されているｐ型ウェル領域４ａ，４ｂも、ｐ^+型不純物領域１０ｃを取り囲むようにそれぞれ円環状に形成されている。 - 特許庁

In this game program, final power state data F indicating a final power state at the final passing position H3 of a ball pitched from a pitcher character P are calculated on the basis of the initial power state data S of the ball and the power change amount data A-D and M of the ball.例文帳に追加

本ゲームプログラムでは、投手キャラクタＰから投球されたボールの最終通過位置Ｈ３における最終威力状態を示す最終威力状態データＦが、ボールの初期威力状態データＳとボールの威力変化量データＡ〜Ｄ，Ｍとに基づいて算出される。 - 特許庁

Both end parts (light shielding parts) 72, 72 of a recessed wall 71 surrounding the package 33 in the vicinity of the package 33 opposed to the projection lens 14 among the storage walls 70 are formed near the optical axis P of the cross dichroic prism 36 rather than the edge parts 37, 37 of the cross dichroic prism 36.例文帳に追加

収納壁７０のうち、投映レンズ１４に対向するパッケージ３３の近傍でパッケージ３３を囲む凹状壁７１の両端部（遮光部）７２、７２を、クロスダイクロイックプリズム３６の縁部３７、３７よりもクロスダイクロイックプリズム３６の光軸Ｐ寄りに形成する。 - 特許庁

This surface contracted layer 2 is made of a porous plate made of copper alloy (94.9 wt.% Cu-5.5 wt.% Sn-0.1 wt.% P), its thickness is 45 μm, and a through hole of an averaged diameter 5 μm is formed in distribution density (porosity 4%) of 1,600 pieces/mm2.例文帳に追加

この表面絞り層２は、銅合金製（９４．９ｗｔ％Ｃｕ−５．５ｗｔ％Ｓｎ−０．１ｗｔ％Ｐ）の多孔板からなり、その厚さは４５μｍであり、平均直径５μｍの貫通孔が、１，６００個／ｍｍ^２の分布密度（気孔率４％）で形成されている。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁

By appropriately adjusting Al composition and In composition of the n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14, a band gap is provided, which is larger than the energy corresponding to the emission wavelength of the active layer 13, and the effect of polarization field is relaxed at the interface with an adjoining layer.例文帳に追加

ｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４のＡｌ組成とＩｎ組成とを適切に調整することにより、活性層１３の発光波長に相当するエネルギーより大きいバンドギャップとなると共に、隣接する層との界面における分極場の影響が緩和される。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

To provide a technique for discriminating combinations of electrodes having improved electron and hole injection efficiencies in an organic semiconductor of an organic TET, achieve two kinds of FETs, i.e., n- and p-type FETs, and to provide a complementary MOS (CMOS).例文帳に追加

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、ｎ型チャネルＦＥＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＦＥＴを実現し、さらに、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing high aluminate clinker which exhibits flowability without increasing the content of gypsum even if the content of Al in the cement clinker is increased, and has satisfactory strength developability without increasing a hydraulic modulus even if the content of P therein is increased, and to provide the high aluminate cement clinker.例文帳に追加

セメントクリンカ中のＡｌ含有量が増えても石膏量を増やさず流動性を発現し、かつ、クリンカ中のＰ含有量が増加しても水硬率を増やさず強度発現性が良好な高アルミネートクリンカの製造方法および高アルミネートセメントクリンカを提供する。 - 特許庁

When determining an article to be recommended, the CPU obtains an attribute vector or a characteristic vector Ui of the target user, which shows state of the target user, and calculates a similarity S_i to an event probability vector V(P)i of a corresponding factor in the article analysis result TB 511.例文帳に追加

またＣＰＵは、推薦する商品を決定する際、対象ユーザの状況を示す対象ユーザの属性ベクトルまたは特性ベクトルＵｉを求め、商品分析結果ＴＢ５１１の対応する要因の事象確率ベクトルＶ（Ｐ）ｉとの類似度Ｓ_ｉを算出する。 - 特許庁

The image forming apparatus 10 forms the image by exposing the surface of an electrophotographic photoreceptor 24 with light in accordance with image information so as to form an electrostatic latent image, developing the electrostatic latent image so as to form a visible image, and transferring the visible image to a recording paper P.例文帳に追加

画像形成装置１０では、電子写真感光体２４の表面を画像情報に応じた光で露光して静電潜像を形成し、その静電潜像を現像して可視画像を形成し、さらに可視画像を記録紙Ｐに転写することによって画像を形成する。 - 特許庁

Gettering sites 31 absorbing crystal defects 30 generated in a drift region 20 are arranged at part positions except the drift region 20 as an operation region on the main surface side of the N-type semiconductor layer 1 between the P-type well region 4 and an N+ type drain region 2.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４とｎ^^^+形ドレイン領域２との間におけるｎ形半導体層１の主表面側の動作領域たるドリフト領域２０以外の部位に、ドリフト領域２０に発生した結晶欠陥３０を吸収するゲッタリングサイト３１が設けられている。 - 特許庁

Also, a novel means of eliminating the need for fresh wiring of a fixed voltage power source to the integrated circuit by connecting an n-channel MOS transistor and a p-channel MOS transistor in compliance with logic, thereby performing the logic operation for selection of the specific pixel is provided as well.例文帳に追加

また、ｎ−チャンネルＭＯＳトランジスタとｐ−チャンネルＭＯＳトランジスタを論理に合わせて接続することでその特定画素選択のための論理演算を行い、それによりその集積回路への新たな固定電圧電源の配線を不要とする新規手段も提供する。 - 特許庁

If crepe unevenness is generated on the sheet P in the application by the first spreading roller 122, the downstream side second spreading roller 124 performs recoating of the treatment liquid 48 with a smaller amount than the first spreading roller 122 to effectively reduce the crepe unevenness.例文帳に追加

このため、第１の塗布ローラ１２２の塗布において、仮に用紙Ｐ上にチリメンむらを生じても、下流側の第２の塗布ローラ１２４が、第１の塗布ローラ１２２よりも少ない量で処理液４８の重ね塗りを行うため、チリメンむらを効果的に軽減することができる。 - 特許庁

If the delivering device E discriminates that the recording medium P is not stored in the delivering device E when the identification information of the receipt slip R is read by the bar code reader 44, the delivering device E outputs information to specify the receiving device A related to the identification information.例文帳に追加

この引渡装置Ｅは、受付証Ｒの識別情報をバーコードリーダ４４で読み取った際に、その引渡装置Ｅに記録媒体Ｐが収容されていないことを判別すると、識別情報に関連付けられた受付装置Ａを特定する情報の出力を行う。 - 特許庁

In hot tool steel and cold tool steel, the compositional contents of C, Si, Mn, P, S, Cr, Cu+Ni+Co, 2Mo+W and V as components are limited, and the balance substantially Fe with inevitable impurities, and Nb, Sn, Pb, B, Ta and Bi are not incorporated.例文帳に追加

熱間工具鋼及び冷間工具鋼の成分Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｃｒ、Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ｃｏ、２Ｍｏ＋Ｗ及びＶの含有量を組成限定し、残部が実質的にＦｅ及び不可避的不純物よりなり、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ、Ｔａ及びＢｉを含有させない。 - 特許庁

When any one of a P range, R range, N range, and D range is selected, a light-emitting lamp 53 corresponding to range indication indicating a selected range of a range kind indicating portion 51 is turned on, and a gear stage kind indicating portion 52 is made to be in a non-lighting state.例文帳に追加

Ｐレンジ、Ｒレンジ、Ｎレンジ及びＤレンジのうちのいずれかのレンジが選択された場合には、レンジ種表示部５１の選択されたレンジを示すレンジ表示に対応する発光ランプ５３を点灯させると共に、ギア段種表示部５２を非点灯状態にする。 - 特許庁

A display control section 26 makes a display device 16 display a music information image 60 in which an indicator P whose vertical axis position is selected according to the pitch of the designated note, and whose horizontal axis position is selected according to the sounding point of time of the designated note is arranged for each designated note.例文帳に追加

表示制御部２６は、指定音の音高に応じて縦軸の位置が選定されるとともに指定音の発音の時点に応じて横軸の位置が選定された指示子Ｐを指定音毎に配置した音楽情報画像６０を表示装置１６に表示させる。 - 特許庁

The pressure sensor 11 for changing over an output signal, corresponding to such a state that the pressure of the pipeline system 5 changing corresponding to the liquid surface level L in the tank T becomes set pressure or less, is connected on the way of the pipeline system 5, which connects the tank T storing a liquid and the suction port of the pump P, through a throttle.例文帳に追加

液体を貯溜するタンクＴと、ポンプＰの吸入口とを結ぶ管路系５の途中に、タンクＴ内の液面レベルＬに応じて変化する管路系５の圧力が設定圧以下となるのに応じて出力信号を切換える圧力センサ１１が、絞りを介して接続される。 - 特許庁

Out of a pair of main surfaces of the light guide plate 5, one surface serves as a light-emitting surface 5b, and a light path control pattern P, reflecting the light incident on the light incident surface 5a in the direction normal to the light-emitting surface 5b, is formed on a main surface 5c at the opposite side.例文帳に追加

導光板５の一対の主面の内の一方を光出射面５ｂとし、その反対側の主面５ｃには、光入射面５ａから入射した光を光出射面５ｂの法線方向に反射させる光路制御パターンＰが形成されている。 - 特許庁

A front stage compression element 30 where rollers 33 and 43 are eccentrically rotationally driven in cylinders 31 and 41, and the vanes 36 and 46 make contact with the rollers 33 and 43 to partition the intake chamber V and the compression chamber P from each other and a rear stage compression element 40 are interconnected through a connection pipe.例文帳に追加

シリンダ３１，４１内をローラ３３，４３が偏芯回転運動し、当該ローラ３３，４３にベーン３６，４６が当接して吸気室Ｖ及び圧縮室Ｐが区画されてなる前段圧縮要素３０と後段圧縮要素４０とを接続管で接続する。 - 特許庁