「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(314ページ目) - Weblio英語例文検索

Since closed spaces partitioned by the spattering prevention sheets 20 are formed above the asbestos slates 11, chips P generated from the asbestos slates 11 when newly installed metal roof plates 12 are secured to the asbestos slates 11 and sheathing roof boards 10 is entrapped in the closed spaces and not dispersed to the outside.例文帳に追加

飛散防止シート20で区画された密閉空間が石綿スレート11の上方に形成されるので、新設金属屋根板12を石綿スレート11，野地板10に固着する際に石綿スレート11から発生する切り粉Ｐは密閉空間に閉じ込められ外部に飛散しない。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor laser of high reliability and high output by forming a window region without deteriorating contact resistance, in a laser process where a nitrogen material gas containing a hydrazine derivative is used for crystal growth of p-type layer of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体のｐ型層の結晶成長にヒドラジン誘導体を含む窒素原料ガスを用いたレーザプロセスに於いてコンタクト抵抗を劣化させること無く窓領域を形成して、信頼性の高い高出力の窒化物半導体系レーザを得る。 - 特許庁

In the method wherein the P (phosphorus)-doped silicon single crystal is manufactured by the Czochralski method, the single crystal is grown so that the Al (aluminum) concentration becomes 2×10^12 atoms/cc or higher.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりＰ（リン）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、Ａｌ（アルミニウム）濃度が２×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上になるようにして単結晶の成長を行うことを特徴とするＰドープシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

Dioxins in a human biological sample are detected and assayed by an enzyme immunoassay method by a monoclonal antibody which is specific to one or more dioxins and has the maximum affinity for 2,3,7,8- tetrachlorodibenzo-p-dioxin among dioxins.例文帳に追加

ダイオキシン類の１又はそれ以上に特異的であるモノクローナル抗体であって、ダイオキシン類の内、２，３，７，８−テトラクロロジベンゾ−ｐ−ダイオキシンに親和性が最大であるモノクローナル抗体により、ヒトの生体試料中のダイオキシン類を酵素イムノアッセイ法により検出、測定する。 - 特許庁

An amino functional compound in a sample including the amino functional compound is analyzed simply with high sensitivity by heightening selectivity by labeling the amino functional compound with a specific carbamate compound such as p-trimethylammonium anilyl-N-hydroxysuccinimidyl carbamate iodide.例文帳に追加

上記アミノ官能性化合物を含む試料中のアミノ官能性化合物を、ｐ−トリメチルアンモニウムアニリル−Ｎ−ヒドロキシスクシンイミジルカルバメートアイオダイド等の特定カルバメート化合物でアミノ官能性化合物を標識して選択性を高め、簡便かつ高感度に分析する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a stamper for optical disk, a protection tape P is stuck to a signal recording face of a stamper 10A for optical disk to be ground, and the rear face of this stamper 10A is ground to obtain the stamper for optical disk.例文帳に追加

本発明の第１の光ディスク用スタンパーの製作方法は、被研磨光ディスク用スタンパー１０Ａの信号記録面に保護テープＰを貼り、その被研磨光ディスク用スタンパー１０Ａの裏面を研磨することによって光ディスク用スタンパーを得る方法を採っている。 - 特許庁

A pair of first squeeze rollers 51 constituting a squeeze part 50 have a driving roller 52 having elasticity on an outer peripheral surface and groove parts G and G1 having the depths D and D1 larger than a deformation quantity in the outer peripheral surface when the tip of photographic printing paper P collides.例文帳に追加

スクイズ部５０を構成する第１スクイズローラ対５１が、外周面に弾性を有する駆動ローラ５２と、印画紙Ｐの先端が衝突した際に外周面における変形量よりも大きな深さＤ、Ｄ１を有する溝部Ｇ、Ｇ１とを備えている。 - 特許庁

The signboard 4 may be positioned to the signboard supporting side Q of the game device body 2 in the stable state of horizontally putting down the signboard and the turning of the signboard 4 to the signboard fixing side P of the game device body 2 is made possible while the signboard is positioned by the supporting projection 31.例文帳に追加

看板４を横に倒した安定な状態でゲーム装置本体２の看板支持側Ｑに位置決めできるとともに、この看板４をゲーム装置本体２の看板固定側Ｐに回動させるのも、支持突起３１で位置決めしつつできる。 - 特許庁

A p-type and an n-type thermoelectric conversion element 2 (2P, 2N) are respectively fitted to separate through-holes formed in an insulating intermediate supporting board 3 and fixed to the board 3 with respectively protruding on both sides of the board 3.例文帳に追加

Ｐ型とＮ型の各熱電変換素子２（２Ｐ，２Ｎ）を、それぞれ、絶縁性の中間支持基板３に形成された別々の貫通孔に嵌合し中間支持基板３の表裏両面側にそれぞれ突出した形態でもって中間支持基板３に固定する。 - 特許庁

In a wiring board, as a conductive pattern P formed on a first base 1 by printing is mutually and conductively connected to a conductor 10a stitched together with a second base 9, the resistance of wirings by the conductor 10a can be reduced.例文帳に追加

本発明の配線基板は、第１の基材１上に印刷にて形成された導電パターンＰと、第２の基材９に縫い合わされた導線１０ａとが互いに導通接続されたため、導線１０ａによる配線の導通抵抗を小さくできる。 - 特許庁

A menu panel 134 displaying the menu items is arranged so that its normal line may point toward a virtual camera C with a display position P, which is set along the moving loci Lf as the local origin, and higher transparency is set in accordance with a longer distance from the virtual camera C.例文帳に追加

メニュー項目を表示するメニューパネル１３４は、該移動軌跡Ｌｆに沿って設定された表示位置Ｐをローカル原点として、仮想カメラＣに法線が向くように配列されるとともに、仮想カメラＣからの距離に応じて透明度を高く設定される。 - 特許庁

In this method of cutting an ingot, a light condensing point P is focused on an ingot 1 and then a laser light L is cast with a direction along an expected cut plane 5 as a laser light incident direction to form reformed regions 7 inside the ingot 1 along the expected cut plane 5.例文帳に追加

このインゴット切断方法では、インゴット１に集光点Ｐを合わせ、切断予定面５に沿う方向をレーザ光入射方向としてレーザ光Ｌを照射することで、インゴット１内部に改質領域７を切断予定面５に沿って形成する。 - 特許庁

In recording paper PP, bending force acts on a part where a separating auxiliary roller 711 abuts on a recording face of the recording paper PP with the angle θ formed between a face 72a of a hopper 72 for stacking the recording paper P and a recording paper conveying path 53a.例文帳に追加

記録紙ＰＰは、ホッパー７２の記録紙Ｐが積重される面７２ａと、記録紙搬送経路５３ａとの間に形成されている角度θによって、分離補助ローラ７１１が記録紙ＰＰの記録面に当接している部分に曲げ力が作用する。 - 特許庁

Because the toner picture is not transferred in the region of 2.5 mm of the front end part of the recording material P, the recording material after fixing the toner picture is smoothly separated from the surface of a fixing roller owing to the curvature separation of the fixing roller and does not attain the fixation separating nail.例文帳に追加

記録材Ｐの先端部の２．５ｍｍの領域内には、トナー像が転写されないので、トナー像定着後の記録材は、定着ローラの曲率分離によって定着ローラ表面から円滑に分離され、定着分離爪には到達しない。 - 特許庁

Guard wires 78 are arranged so as to be expanded along a carrying direction relative to the center of the minimum size recording paper P, and are positioned on both right and left end parts of the recording paper to be arranged in parallel with the left side wire 78 as a standard.例文帳に追加

ガードワイヤー７８は最小サイズの記録紙の中心に対して搬送方向に沿って広がるように配置されており、記録紙の左右両端部に位置し、左側のガードワイヤー７８を基準として複数のガードワイヤー７８が平行に配設されている。 - 特許庁

A (p) well 401 is formed by additionally implanting boron at a dose of 1×1012-2×1013 cm-2 with implantation energy of 20-40 KeV only into a region 030 for fabricating transistors in order to regulate the threshold voltage for minimizing off-leak.例文帳に追加

トランジスタ形成領域０３０に対してのみ、打ち込みエネルギ２０〜４０ＫｅＶ，打ち込み量１×１０^12〜２×１０^13ｃｍ^-2のボロンを、オフリークを極小化するためのしきい値電圧調整用として追加注入し、ｐウェル４０１を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride system light-emitting device which not only indicates superior current/voltage characteristics, in such a way that the ohmic contact properties with a p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high translucency characterized by a transparent electrode.例文帳に追加

ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い透光性によって素子の発光効率を高めうる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the first plug connector which is smaller than the second plug connector P is connected, the plug shell of the first plug connector is held by a projected support part 30 installed in the receptacle shell 3, thereby, workability at the time of connecting the first plug connector is not deteriorated.例文帳に追加

第２のプラグコネクタＰと比較して小型である第１のプラグコネクタが接続される場合、レセプタクルシェル３に設けられている突保持部３０によって第１のプラグコネクタのプラグシェルが保持されるので、第１のプラグコネクタを接続する際の作業性が低下しない。 - 特許庁

As the Li source, the Fe source, and the P source, the raw material is used in which remaining elements is C when elements which become gas or steam under a temperature of the reaction process are further taken out from residual elements when Li, Fe and PO_4 are taken out from constituting elements of the raw material.例文帳に追加

Ｌｉ源、Ｆｅ源及びＰ源としては、構成元素からＬｉ、Ｆｅ、及びＰＯ_4を差し引いた残りの元素から、反応工程の温度下においてガス又は蒸気となる元素をさらに差し引いた残りの元素がＣとなるような原料を用いる。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

A packaging box 1 which keeps an abutting plane M between opposing flap portions 4, 5 and a side surface 3 sealed by a tape 6 is constituted in such a way that cutting lines P are set at an end part of the side surface 3 of at least one flap part 4 or 5 within a range hidden by the tape 6.例文帳に追加

対向するフラップ部４，５の合せ目Ｍと側面３とをテープ６で封する梱包箱１において、少なくとも一方のフラップ部４または５の側面３側端部に、テープ６により隠される範囲に破断線Ｐを入れて構成する。 - 特許庁

The buttocks washing nozzle opening 31 for a buttocks washing nozzle P, a buttocks drying air opening 32 and a suction opening 33 for a bad smell R are provided in order on the top face 30c of the recessed groove 30 extending from the central part of the toilet bowl body toward the left-hand rear.例文帳に追加

臀部洗浄ノズルＰ用の臀部洗浄ノズル用開口部３１、臀部乾燥空気用開口部３２、臭気Ｒの吸気用開口部３３が便器本体２２の中央部から順に後方左側にかけて凹状溝３０の天面３０ｃに設けられる。 - 特許庁

The rib 11 extends circumferentially in a radially inner position with respect to the root portions 12a, and does not axially protrude appreciably beyond a radial plane P tangent to the spherical surfaces S on a second side of the cage opposite to the first side.例文帳に追加

前記リブ（１１）は、前記基部（１２ａ）に対しラジアル方向内面において円周方向にのび、前記第１の側面と対向する第２の側面において球面部（Ｓ）に対し正接するラジアル面（Ｐ）を越えて軸方向に突き出ていないものになっている。 - 特許庁

Such uniform filling may improve the operating efficiency at high current density by reducing the carrier density in the quantum wells closest to the bulk p-type region, thereby reducing the number of carriers lost to nonradiative recombination.例文帳に追加

このような均一な充填は、バルクｐ型領域に最も近接した量子井戸の中のキャリア密度を減少させ、それにより非放射性再結合へと喪失されるキャリアの数を低減することによって、高電流密度での動作効率を改善することができる。 - 特許庁

Optical carriers generated inside an N-type impurity diffusion layer 8, formed on the surface of an N-type epitaxial layer 6 on a P-type semiconductor substrate 1 move into a depletion layer by a built-in field made by the concentration slope of impurity diffusion, and a photocurrent is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上のＮ型エピタキシャル層６表面に形成されたＮ型不純物拡散層８内で発生した光キャリアは、不純物拡散の濃度傾斜による内蔵電界により空乏層中まで移動し、光電流が生じる。 - 特許庁

In a thermoelastic resin sheet which is embossed as grooves are almost regularly and linearly arraged on its both planes, at least one of the distance (pitch) p between the closest two grooves, the width w, or the depth d of any groove is different from the other two.例文帳に追加

熱可塑性樹脂シートの両面に凹溝が略規則的に配置された刻線状エンボスが形成され、一方の面と他方の面に設けられた凹溝において、該凹溝の配置間隔（ピッチ）ｐ、幅ｗ又は深さｄの少なくともいずれか１種が異なる。 - 特許庁

The substrate transfer mechanism 20 used for an exposing device 1 for exposing a pattern P of a mask M on a substrate W by directing an exposing light EL via the mask M to the substrate W lifts up and supports the substrate W and conveys the same in the X direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、基板Wに対してマスクMを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板ＷをＸ方向に搬送する。 - 特許庁

A p-type GaN-based contact layer 4 is formed to contact with the portion of the ZnO layer 6 for Schottky and the ZnO layer 5 for contact; and thereon, an MQW active layer 3, an n-type GaN-based contact layer 2, and an n-electrode 1 are laminated in succession.例文帳に追加

ショットキー用ＺｎＯ層６の一部とコンタクト用ＺｎＯ層５に接触するようにｐ型ＧａＮ系コンタクト層４が形成されており、その上には、ＭＱＷ活性層３、ｎ型ＧａＮ系コンタクト層２、ｎ電極１が順に積層されている。 - 特許庁

While the cover lid 40 and the support frame 30 are respectively erected to hold cups C at the time of storing the cups C, the cover lid 40 is stored in a lower direction at the time of storing an umbrella P, and only the support frame 30 is erected to be used as the umbrella stand.例文帳に追加

そして、カップ類Ｃの収容には、カバーリッド４０及びサポートフレーム３０をそれぞれ起立させてカップ類Ｃを保持するとともに、傘Ｐの収納時には、カバーリッド４０を下方向に格納し、サポートフレーム３０のみ起立させ、傘立てとして使用する。 - 特許庁

In a transportation path P, a first guide mechanism 20 for guiding transportation of both insulating films 14a and 14b is provided on the upper stream side from an ultrasonic welding cutter 40 for ultrasonic welding/fusing of both insulating films 14a and 14b.例文帳に追加

搬送経路Ｐにおいて、両絶縁フィルム１４ａ，１４ｂの超音波溶着及び超音波溶断を行う超音波溶着切断機４０の上流側に、両絶縁フィルム１４ａ，１４ｂの搬送ガイドを行う第１ガイド機構２０が設けられている。 - 特許庁

In the same way, when the binarization area ratio P is at a prescribed value β[%] or more and the brightness threshold value ITH is not at the maximum brightness value Max_-TH (S41 is YES), the brightness threshold value ITH is increased by adding the prescribed proportion X to the brightness threshold value ITH (S43).例文帳に追加

同様に、２値化面積率Ｐが規定値β［％］以上で、かつ輝度閾値ＩＴＨが最大輝度閾値Ｍａｘ＿ＴＨでない場合（Ｓ４１のＹＥＳ）、輝度閾値ＩＴＨに規定の割合Ｘを足し込み、輝度閾値ＩＴＨの増加を行う（Ｓ４３）。 - 特許庁

An optical sensor S1100 is provided in the vicinity of a recording head H1001 and located at a position shifted from the recording head H1001 to the side of a nip roller exhibiting a strong restriction force to a recording sheet P recorded with a recording position adjusting pattern.例文帳に追加

記録ヘッドＨ１００１の近傍に光学センサＳ１１００を備え、記録ヘッドＨ１００１に対して、記録位置調整用パターンが記録された記録シートＰに対する拘束力が強いピンチローラ側に寄せた位置に光学センサＳ１１００を備える。 - 特許庁

The hook bodies 13, 14 are nearly folded to the direction in which a hook 25 is peeled off from the device main body 12 and when a tension P is exerted to the hook 25, this action line is matched with the surface direction of the back surface 12b on the device main body 12.例文帳に追加

フック体１３，１４は、フック部２５が装置本体１２から剥がされる向きへやや折曲されており、フック部２５に引張力Ｐが作用したときに、この作用線が装置本体１２における裏面１２ｂの面方向に一致するものとしている。 - 特許庁

The distribution of permittivity is found based on the measured data of the capacitance of the respective pair of the electrodes 12, and thereby the information on a space distribution (concentration distribution) of a particle P in the cross section of the tube passage of the draft tube 4 installed with the sensor 10 can be acquired.例文帳に追加

各電極対間の静電容量の計測データに基づいて誘電率分布を求めることにより、センサー１０が設置されたドラフトチューブ４の管路断面における粉粒体粒子Ｐの空間分布（濃度分布）の情報を得ることができる。 - 特許庁

A p-base layer 3, an n-source layer 4, a gate electrode 11 and an emitter electrode 14a which serves as an IGBT are formed in a first region R1 on a first principal plane of an n-type semiconductor substrate 1, and a collector electrode 15 is formed on a second principal plane.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の第１主表面の第１領域Ｒ１には、ＩＧＢＴとなる、ｐベース層３、ｎソース層４、ゲート電極１１、エミッタ電極１４ａが形成され、第２主表面には、コレクタ電極１５が形成されている。 - 特許庁

When receiving an LSP fault information packet from the LSR-F 3 detecting the LSP fault (a4), an LSR-P 1 specifies a label switching path to be switched from information included in the message and switches the label switching path concerned (a5).例文帳に追加

ＬＳＲ−Ｐ１ではＬＳＰ障害を検出したＬＳＲ−Ｆ３からのＬＳＰ障害通知パケットを受信すると（ａ４）、そのメッセージに含まれる情報から切替対象のラベルスイッチングパスを特定し、該当するラベルスイッチングパスの切替えを実施する（ａ５）。 - 特許庁

A controller 63 stores the motion compensation data MCD of the macro block pair p into an address of the memory 62 storing the motion compensation data MCD of a macro block pair of which selection order precedes the selection orders of the macro block pairs b, c and d, and which is adjacent thereto in the row direction.例文帳に追加

制御回路６３は、マクロブロックペアｂ，ｃ，ｄより選択順が前で、これらに行方向で隣接するマクロブロックペアの動き補償データＭＣＤが記憶されているメモリ６２のアドレスに、マクロブロックペアｐの動き補償データＭＣＤを書き込む。 - 特許庁

A plurality of gate bus lines Lgm and TFTmn are consolidated into one set of four pieces each in numerical order, and at least the TFTmn each are consolidated within the range X which extends over approximately the center of a group of pixels P consolidated into one group at four lines each.例文帳に追加

複数のゲートバスラインＬｇｍとＴＦＴｍｎは行番号順に４つ１組に集約され、少なくともＴＦＴｍｎは、４行毎に組となった画素Ｐ群のほぼ中央を横切る範囲Ｘ内にそれぞれ集約されて配置されている。 - 特許庁

A bank formation process which forms a bank B on a substrate P, a material arrangement process which arranges a functional liquid L at a region A partitioned by the bank B, and a heat treatment process which deposits a predetermined substance contained in the functional liquid L by heat treatment are included.例文帳に追加

基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程と、バンクＢによって区画された領域Ａに機能液Ｌを配置する材料配置工程と、機能液Ｌに含まれる所定物質を熱処理により析出させる熱処理工程とを有する。 - 特許庁

In this semiconductor laser, a stripe-type active layer waveguide is formed into a mesa-like shape on an n-type InP substrate 10 by successively laminating an n-type InP clad layer 20, optical confinement layer 22, MQW active layer 24, optical confinement layer 26, and p-type InP clad layer 28 upon the substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２０、光閉じ込め層２２、ＭＱＷ活性層２４、光閉じ込め層２６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層２８とが順次積層して、ストライプ状の活性層導波路がメサ型に形成されている。 - 特許庁

Of charge-transfer devices formed on a P-type substrate, input voltage VIN-side MOS transistors are comprised of NMOSs 10_1 to 10_18 and output voltage VOUT-side MOS transistors are comprised of PMOSs 20_1, 20_2 formed in an N-well.例文帳に追加

Ｐ型の基板上に形成される電荷転送素子の内で、入力電圧ＶＩＮ側のＭＯＳトランジスタをＮＭＯＳ１０_１〜１０_１８で構成し、出力電圧ＶＯＵＴ側のＭＯＳトランジスタをＮ型のウエル内に形成されたＰＭＯＳ２０_１，２０_２で構成する。 - 特許庁

A chip Pt of a pipette P is inserted from an opening 6a of a main lid 6 of a container 1 having an opened sub-lid 7, and placed on a mass measuring device, and progressed, while piercing a hydrophobic film 5 and a hydrophilic film 4, to thereby titrate the liquid in the pipette into the container.例文帳に追加

ピペットＰのチップＰｔを、質量計測装置に載置されかつ子蓋７を開放した容器１の親蓋６の開口６ａから挿入し、疎水性フィルム５及び親水性フィルム４を突き破って進入させ、ピペット内の液体を容器内に滴定する。 - 特許庁

The hit prediction is performed by rotating and rocking left and right special patterns 10 and 12 with the intersection point P of diagonal lines in a display part 124 as a center when a ready-for-winning direction is performed and also a hit expectation value is reported by the magnitude of the rotary rocking.例文帳に追加

リーチ演出時に左右の特別図柄１０、１２を表示部１２４の対角線の交点Ｐを中心として回転揺動させることで、当たり予告を行うと共に、この回転揺動の大きさによって当たりの期待値を報知するようした。 - 特許庁

The cash register includes a printer 31, a sheet storage unit 33 in which a sheet P to be sent to this printer is contained, the printer cover 11 openably covering the printer and the sheet storage unit, a platen 35 opposed to the printer, and the winding pulley 36 for winding a journal sheet printed by the printer.例文帳に追加

プリンタ３１、このプリンタに送る用紙Ｐが収納される用紙収納部３３、プリンタ及び用紙収納部を覆う開閉可能なプリンタカバー１１、プリンタと対向するプラテン３５、プリンタで印刷されたジャーナル紙を巻き取る巻き取りプーリ３６を備える。 - 特許庁

This liquid fuel combustor has a scattering ring 40 at a lower part of the vaporizing tube 39 mounted inside of a combustion disc 16 forming a polygonal combustion chamber 11, and an air supply guide ring 50 is mounted in a state of forming the air supply gap P with the scattering ring 40.例文帳に追加

平面視で多角形の燃焼室１１を形成する燃焼盤１６の内側に配置された気化筒３９の下部に飛散リング４０が設けられ、この飛散リング４０との間に送気間隙Ｐを形成する送気案内リング５０が配置されている。 - 特許庁