「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(310ページ目) - Weblio英語例文検索

This pillow P includes: a pillow body 10, the top face of which is taken as a head receiving surface; a plate-like base body 20 removably mounted on the lower side of the pillow body 10; and a pillow cover 30 storing the pillow body 10 and the base body 20 in a stacking state.例文帳に追加

枕Ｐは、上面を頭部受面とした枕本体１０と、枕本体１０の下側に着脱可能に装着される板状のベース体２０と、枕本体１０およびベース体２０を積み重ね状態で収納可能な枕カバー３０とからなる。 - 特許庁

During a period of time in which an electric charge is transferred from a capacitor Cs1 to a capacitor Cf1, a substrate potential switching circuit 13 fixes the substrate potential of a P-channel MOS transistor Qp5 to a power supply voltage Vcc and fixes the substrate potential of an N-channel MOS transistor Qn5 to ground potential.例文帳に追加

基板電位切替回路１３は、キャパシタＣs1からキャパシタＣf1に電荷が転送される期間中には、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱp5の基板電位を電源電圧Ｖccに固定するとともにＮチャネルＭＯＳトランジスタＱn5の基板電位を接地電位に固定する。 - 特許庁

When touching a search character string "pereion" input to and displayed in a search character input area E by a touch pen P and dragging it downward, an other dictionary movement area D arranged with respective dictionary name icons "Random House English-Japanese", etc. of other dictionaries stored as dictionary data is displayed.例文帳に追加

検索文字入力エリアＥに入力表示させた検索文字列「pereion」をタッチペンＰによりタッチして下方向にドラッグすると、辞書データとして記憶されている他の辞書の各辞書名アイコン「ランタムハウス英和」…を配列した他辞書移動エリアＤが表示される。 - 特許庁

In a plane P perpendicular to the rack shaft 5 including a center 21 of the ball 17, a line 20 connecting a contact point 18 between the ball 17 and a peripheral face 5a of the rack shaft 5 and a contact point 19 between the ball 17 and the supporting yoke 8 passes through the center of the ball 17.例文帳に追加

玉１７の中心２１を含んでラック軸５に直交する平面Ｐにおいて、玉１７とラック軸５の周面５ａとの接触点１８と、玉１７とサポートヨーク８との接触点１９とを結ぶ直線２０が玉１７の中心を通る。 - 特許庁

Responding to the detection of the game ball P with an ordinary pattern start switch 177 in the ball intake path 168, the ordinary electric role device 136 is actuated, thereby remarkably raising the possibility of winning the ordinary electric role device 136 as the first class starter prize winning slot.例文帳に追加

遊技球Ｐは、球取込通路１６８で普通図柄始動スイッチ１７７に検出されることによって普通電動役物１３６が作動するので、第１種始動入賞口である普通電動役物１３６へ入賞する可能性が飛躍的に高まる。 - 特許庁

In the image forming apparatus, a high-voltage substrate 95 and a main substrate 96 are arranged on the outer side surface of a left frame 92, and a conveyance path 90 is provided to be inclined downward toward an image forming position from a feed position P near the uppermost part of the outer circumferential surface of a paper feed roller 9.例文帳に追加

高圧基板９５およびメイン基板９６を、左フレーム９２の外側面に配置し、搬送経路９０を、給紙ローラ９の外周面の最上部付近の供給位置Ｐから画像形成位置に向かって下方に傾斜するように設ける。 - 特許庁

This inclination angle measuring instrument is formed by the level vial 1 in which a liquid L is enclosed with bubbles P, and a body 2 for mounting the level vial, and the body 2 is provided with an angle setting part 5 capable of controlling and setting angle θ of inclination of the horizontal axis K of the level vial.例文帳に追加

気泡Ｐを存して液体Ｌを封入した構造の気泡管１と、気泡管を取付可能な器体２とからなり、器体に気泡管の水平軸線Ｋの傾斜角度θを調節設定可能な角度設定部５を備えてなる。 - 特許庁

In the course of mounting the male housing on the panel P, a detection part 54 of the detection member 50 is put inside the mounting hole H, and restricted from moving by the interference of the detection member 54 at the inner peripheral surface of the mounting hole H even when the detection member is forced to move toward the detection position.例文帳に追加

雄ハウジング２０をパネルＰに取り付ける途中では、検知部材５０の検知部５４が取付孔Ｈ内に配され、検知位置側へ移動させようとしても検知部５４が取付孔Ｈの内周面に干渉することで移動が規制される。 - 特許庁

A handle support 41 intersecting the handle 22 is formed in a desired radius r and right and left attachment parts (first attachment part 54 and a second attachment part) intersecting the handle 22 are supported by a handle turning mechanism 61 as a fulcrum P for the turning of the handle support 41.例文帳に追加

ハンドル２２に交差しているハンドル支持部４１を所望の半径ｒで形成し、ハンドル支持部４１を回動の支点Ｐとして、ハンドル２２の交差している左右の取付部（第１取付部５４及び第２取付部）をハンドル回動機構６１で支持している。 - 特許庁

When a paper feeding cassette 12 is mounted to the image forming device, a paper mounting plate 13 is moved upward by a resilient force of a coil spring 14, and the uppermost part of the paper P stacked in a paper feeding cassette 12 is contacted with the pick-up roll 24 and the auxiliary roller 26.例文帳に追加

給紙カセット１２を画像形成装置に装着すると、コイルばね１４の弾性力により用紙載置板１３が上方向に移動し、給紙カセット１２内に積層された用紙Ｐの最上部がピックアップローラ２４および補助ローラ２６に接触する。 - 特許庁

A V-shaped groove 20 is formed to press the parts P to be coated on the nozzle 12 of a coater, a bottom groove 21 is formed in the bottom of the groove 20, and a discharge port 22 is provided at the bottom of the bottom groove 21 to discharge a coating material.例文帳に追加

塗装装置のノズル１２に、塗装すべきパーツＰを押し当てるためのＶ字溝２０を形成し、さらにＶ字溝２０の底部に底部溝２１を形成し、この底部溝２１の底部に塗料Ｓを吐出するための吐出口２２を形成する構成とした。 - 特許庁

A projected edge 26 for a tool apart a clearance allowing the tip end part P of the tool to be inserted therein from the outer peripheral surface of the stud bolt 2 is extended from the tips of the pair of elastic locking pieces 24 in the state of the locking claws 25 engaged with the stud bolt 2.例文帳に追加

一対の弾性係止片２４の先端には、スタッドボルト２に係止爪２５が係合した状態において同スタッドボルト２の外周面との間に工具の先端部Ｐが差し込み可能な隙間を隔てる工具用突出縁２６が延出されている。 - 特許庁

A method is for installing the reinforcing steel plate S with the anchor A at the corner part of the inner side face of the concrete segment, and a holding member for holding the reinforcing steel plate S with the anchor A in a fixed state is provided at the inner surface corner part of a mold P for placing concrete.例文帳に追加

コンクリートセグメントの内側面の隅角部にアンカーＡ付き補強鋼板Ｓを設置する方法であって、コンクリートを打設する型枠Ｐの内面隅角部に、アンカーＡ付き補強鋼板Ｓを固定状態に保持するための保持部材を設けておく。 - 特許庁

The operation-start hole guide coil 81, when being energized by a main control board 30 to become an "on" state, generates a magnetic field having such an extent of attracting the Pachinko ball P and changing its falling direction, in the direction of penetrating the transparent game board 3 on the prescribed area 2C.例文帳に追加

始動口誘導コイル８１は、主制御基板３０によって通電されて“オン”状態になると、所定領域２Ｃ上において透明遊技盤３を貫く方向に、パチンコ球Ｐを吸い寄せて流下方向を変化させる程度の磁界を発生させる。 - 特許庁

The height of a side plate part 3a of an upper clamp 3 is set in a range that at least the lower end of the side plate part 3a does not come out of the lowermost surface P of a column jacket when a tilt bolt 13 moves to an uppermost part of an oval hole 3f for tilting formed on the side plate part 3a.例文帳に追加

アッパークランプ３の側板部３ａの高さを、チルトボルト１３がその側板部３ａに形成したチルト用長孔３ｆの最上部に移動した場合に、少なくとも側板部３ａの下端がコラムジャケットの最下面Ｐから出ない程度に設定する。 - 特許庁

Successively, a surface protecting film 7 is formed on the oxidized silicon film 3 including the inside of the opening 4, an opening 8 to the p-type diffusion layer 6 is then formed on the surface protecting film 7 and at the same time, the surface protecting film 7 in the outer periphery of a chip is removed.例文帳に追加

続いて開口部４の内部を含む酸化シリコン膜３上に表面保護膜７を形成した後、表面保護膜７にｐ型拡散層６に達する開口部８を形成し、同時にチップの外周部の表面保護膜７を除去する。 - 特許庁

Here, the impurity concentration of the P silicon substrate 3 is 1×10^16 cm^-3 or more (specific resistance is 1.5 Ω-cm or lower) when fixed to a ground electric potential while 1×10^15 cm^-3 or less (specific resistance is 15 Ω-cm or higher) in a floating state.例文帳に追加

ここで、Ｐシリコン基板３の不純物濃度は、グランド電位に固定されるときは１×１０^16ｃｍ^-3以上（比抵抗１．５Ω−ｃｍ以下）、フローティング状態にされるときは１×１０^15ｃｍ^-3以下（比抵抗１５Ω−ｃｍ以上）とする。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

A paper feeding mechanism 50 for feeding the paper sheets P from the manual paper feeding part 40 is provided near the manual paper feeding part 40, and while a horizontal conveying path 60 is provided to be extended in the horizontal direction from the paper feeding mechanism 50 to the vertical conveying path 31.例文帳に追加

そして、この手差し給紙部４０近傍に、手差し給紙部４０から用紙Ｐを送り出す給紙機構５０を設けるとともに、この給紙機構５０から垂直搬送路３１に向かって水平方向に延びる水平搬送路６０を設けた。 - 特許庁

A lot of cracks are thus generated on a convex part P of the second nitriding compound semiconductor layer 2, that is, in a high defective region of a nitriding compound semiconductor 3, and a crack occurrence of the nitriding compound semiconductor 3 on a recess part D1 which is a low defective region, is controlled thereby.例文帳に追加

よって、第２の窒化化合物半導体層２の凸部Ｐ上、すなわち窒化化合物半導体３の高欠陥領域にクラックが多数生じ、低欠陥領域である凹部Ｄ１上の窒化化合物半導体３のクラック発生を抑制できる。 - 特許庁

Since the refuse Q piled on a heat-storage layer comprising the porous inorganic particulate P is evenly heated by the heat-storage layer regardless of the number or layout of the electric heating elements 12, generation of carbide can be efficiently put in practice without uneven heating.例文帳に追加

電気発熱体１２の数や配置位置にかかわらず、多孔質無機粒状物Ｐからなる蓄熱層の上に堆積された塵芥Ｑが蓄熱層によって、まんべんなく加熱されるため、加熱ムラがなくなり、効率的に炭化物の生成を開始できる。 - 特許庁

The side airbag device 24 is equipped with an airbag 29 to deploy and inflate with the pressure of gas jetted out of an inflator 28, the deployment and inflation being made between the body side part of the vehicle and the part from the breast to waist of the occupant P seated on the front seat 21 in the cabin.例文帳に追加

サイドエアバッグ装置２４は、インフレータ２８から噴射されるガスの圧力により、車両のボディサイド部と車室内のフロントシート２１に着座した搭乗者Ｐの胸部から腰部にかけての部位との間にて展開膨張するエアバッグ２９を備えている。 - 特許庁

A first relation showing the relation between an S wave speed and crack density in the rock-bed, a second relation showing the relation between a P wave speed, the crack density, and the saturation degree, and a third relation showing the relation between specific resistance and the saturation degree are previously determined.例文帳に追加

岩盤におけるＳ波速度と亀裂密度との関係を表す第１の関係、Ｐ波速度と亀裂密度と飽和度との関係を表す第２の関係、比抵抗値と飽和度との関係を表す第３の関係をそれぞれ予め求めておく。 - 特許庁

The housing part, which is a substantially sealed space which can house a plurality of sheets of paper P, includes in the inner lid 12 closed condition: an inside wall surface 112 and a sidewall part 15 of a cover body 11; and an inside wall surface 121 and a sidewall part 122 of the inner lid 12.例文帳に追加

「収容部」は、複数の記録紙Ｐを収容可能な略密閉された空間であり、内蓋１２を閉じた状態において、カバー本体１１の内壁面１１２及び側壁部１５並びに内蓋１２の内壁面１２１及び側壁部１２２で構成される。 - 特許庁

A control circuit 40 detects opening of the case 11 based on comparison between a signal pattern P of a received optical signal output from the light-receiving sensor 28, in response to the radiation light Ld for detection from the light source 22 for detecting opening and a pattern Pd for detecting opening.例文帳に追加

そして、制御回路４０は、開封検知用光源２２からの検知用照射光Ｌｄに応じて受光センサ２８から出力される受光信号の信号パターンＰと開封検知用パターンＰｄとの比較に基づいて筐体１１の開封を検知する。 - 特許庁

A power supply lamp 21 is flashed when a power supply switch 22 is turned ON while a key 25d is pushed and the number of times of the flashing of the lamp is preliminarily related to the inherent numbers applied to a plurality of the printing formats registered in a printer P.例文帳に追加

キー２５ｄを押しながら電源スイッチ２２をＯＮにしたときに電源ランプ２１を点滅させ、この点滅回数を、あらかじめプリンタＰに登録されている複数の印字フォーマットに対してそれぞれ付した固有の番号に関連付けるようにしておく。 - 特許庁

On an X-shaped thinning 10 arranged at a tip of a drill main body 1, an outermost point P of an intersection ridge line 11 defined by a flank surface 9 and the X-shaped thinning 10 is formed at a position behind a second margin 8 in a rotating direction from a tip view.例文帳に追加

ドリル本体１の先端に付設されたＸ形のシンニング１０に関し、先端逃げ面９となす交差稜線１１の最外点Ｐを、先端視において、第２のマージン８より回転方向後方にある稜線上に表れるように形成する。 - 特許庁

In the process, a target output power PG to be output by the generator 7 is calculated from the motor-required power Pm, and a field current Ifg to the generator 7 is controlled such that an actual output power P of the generator 7 becomes equal to the target output power PG.例文帳に追加

このとき、モータ必要電力Ｐｍから発電機７が出力すべき目標出力電力ＰＧを算出し、発電機７の実出力電力Ｐが目標出力電力ＰＧに一致するように発電機７の界磁電流Ｉｆｇを制御する。 - 特許庁

When a local frequency f_LO is input from an input terminal I-2' of a microstrip line MSL-2', on the other hand, it is transmitted to a slot line SL' at a point P' and equally distributed in inverse-phase mode at the point A to branch lines AB and AC of the microstrip line MSL-1 (2.A).例文帳に追加

一方、マイクロストリップ線路ＭＳＬ−２’の入力端Ｉ−２’から周波数ｆ_LOのローカルを入力すると、点Ｐ’でスロット線路ＳＬ’に伝送し、点Ａでマイクロストリップ線路ＭＳＬ−１の分岐線路ＡＢとＡＣに逆相で等分配される（２．Ａ）。 - 特許庁

At a leak mode in which the word line 64 (66) is inactivated and the node 62 (60) is at an H level, the access transistor 52A (52B) discharges the leaked electric charges from a power supply node 72 to a bit line 68A (68B) via the p channel TFT 56A (56B) of an OFF state.例文帳に追加

アクセストランジスタ５２Ａ（５２Ｂ）は、ワード線６４（６６）が不活性化され、かつ、ノード６２（６０）がＨレベルであるリークモードのとき、電源ノード７２からＯＦＦ状態のｐチャネルＴＦＴ５６Ａ（５６Ｂ）を介してリークする電荷をビット線６８Ａ（６８Ｂ）へ放電する。 - 特許庁

The medium passage 4 is connected with a water supply pump P at its one side end part, and is connected with a water tank T at the other end part so as to allow cooling water to flow in the inside of the medium passage 4, so that the temperature of the specimen W is thereby controlled by the thermal exchange with the aforesaid cooling water.例文帳に追加

この媒体流路４の一側端部を給水ポンプＰに、他側端部を排水タンクＴに夫々接続して、媒体流路４の内部に冷却水を流し、この冷却水との熱交換により試料Ｗの温度を制御する。 - 特許庁

A pressure receiving part 62 which tilts the support frame 6 against the coil spring 7 in the front side of the vehicle while receiving a load caused by the backward movement of the vehicle of an occupant P is disposed on a lower part of the support frame 6, wherein a fragile part 63 is disposed on the lower side of the spindle 9 of the support frame 6.例文帳に追加

支持フレーム６下部には、乗員Ｐの車両後方移動に伴う荷重を受けて支持フレーム６をコイルバネ７に抗して車両前方に傾動させる受圧部６２が設けられ、支持フレーム６の支軸９下方には、脆弱部６３が設けられている。 - 特許庁

In this device, a loading plate 32 on which a paper sheet P is mounted is journalled at an upstream side end part of a paper sheet feeding direction and a guide plate 30 journalled by an intermediate part 30b of the paper sheet feeding direction is arranged on an upper side of the loading plate 32, within a body of equipment 31 of a paper sheet feeding cassette 20.例文帳に追加

給紙カセット２０の筐体３１内に、用紙Ｐが載置される積載板３２を給紙方向の上流側端部において軸支し、積載板３２の上方に給紙方向の中間部３０ｂで軸支したガイド板３０を配置した。 - 特許庁

A controller 23 sets the line occupancy rate of the network 3 when becoming reserved transmission time, and receives the image data S and the order information C transmitted from the user terminal 11, and obtains the print P by applying print processing to the image data S in a digital mini laboratory 22.例文帳に追加

コントローラ２３は、予約送信時間となるとネットワーク３の回線占有率を設定し、ユーザ端末１１から送信された画像データＳおよび注文情報Ｃを受信し、デジタルミニラボ２２において画像データＳに対してプリント処理を施してプリントＰを得る。 - 特許庁

In such a case, the toner adhesive amount of the toner image on the drum 1 is kept as it is at ordinary toner image forming time without changing the processing condition before the transfer, and the transfer amount from the drum 1 is set to be smaller than that at ordinary transfer time to the material P.例文帳に追加

その際、感光体ドラム１上のトナー像のトナー付着量を、転写前のプロセス条件を変更せずに通常のトナー像形成時そのままとし、感光体ドラム１からの転写量を通常の被転写材Ｐへの転写時より少なくする。 - 特許庁

In each pixel region P, the transmission electrode 14 and a scanning line 11 corresponding thereto are disposed apart from each other and the distance between the transmission electrode 14 and the scanning line 11 corresponding thereto is set to be ≥2 μm, preferably set to be ≥3 μm.例文帳に追加

各画素領域Ｐにおいて、透過電極１４とそれに対応する走査線１１とが離れて配置されていると共に、透過電極１４とそれに対応する走査線１１との距離が２μｍ以上、好ましくは３μｍ以上に設定される。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 11 including n-type silicon, in which a first polarity inversion region 12A and a second polarity inversion region 12B are formed on an upper side with an interval from each other, and introduced with a p-type impurity.例文帳に追加

半導体装置は、上部に互いに間隔をおいて形成され且つｐ型不純物が導入されてなる第１の極性反転領域１２Ａ及び第２の極性反転領域１２Ｂが形成されたｎ型シリコンからなる半導体基板１１を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting element reducing the resistance of a p-type nitride semiconductor layer without degrading the light emission intensity of an active layer in a nitride semiconductor laminate grown on a nonpolar nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、ｐ型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Influence by a resistance value of the paper P is relatively reduced, using a material set as relatively large volume resistivity by including a resistivity control material of an ion conductive system in a resin material, for any of the surface layer material and the conveying belt 53.例文帳に追加

この表層材及び搬送ベルト５３のいずれかに、樹脂材料にイオン導電系の抵抗率制御材を含有させて比較的大きい体積抵抗率とした材料を用いることにより、用紙Ｐの抵抗値による影響を相対的に小さくする。 - 特許庁

The silicon carbide MOSFET has an n-type silicon carbide drift layer, spaced-apart p-type silicon carbide regions existing in the n-type silicon carbide drift layer and having n-type silicon carbide regions therein, and a nitrided oxide layer.例文帳に追加

炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴは、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層と、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層内の間隔を置いて配置されたｐ型炭化ケイ素領域であって、内部にｎ型炭化ケイ素領域を有するｐ型炭化ケイ素領域と、窒化酸化物層とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate capable of manufacturing a semiconductor substrate where hole density is fully improved by fully suppressing deterioration in the characteristics of the semiconductor substrate and activating impurities at a p-type region, and to provide a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の特性の劣化を十分に抑制しつつ、ｐ型領域の不純物を活性化することによりホール密度を十分に向上させた半導体基板を製造することが可能な半導体基板の製造方法、および半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate capable of manufacturing a semiconductor substrate where hole density is fully improved by fully suppressing deterioration in the characteristics of the semiconductor substrate and activating impurities at a p-type region, and to provide a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の特性の劣化を十分に抑制しつつ、ｐ型領域の不純物を活性化することによりホール密度を十分に向上させた半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。 - 特許庁

A turnable abutting member 9 is provided freely to abut on a recording paper surface Pf arranged at the top position of the recording papers P piled on the bottom plate 5, and a sensor for detecting a distance L between the abutting member 9 and the bottom plate 5 is provided in the abutting member 9.例文帳に追加

底板５上に積載された記録紙Ｐの最上位の記録紙紙面Ｐｆに当接可能に当接部材９を回動可能に設けると共に、その当接部材９と底板５との間の距離Ｌを検知するセンサ１３を当接部材９に設ける。 - 特許庁

The ink coating film parts 13i constituting the patterns P and metallic thin film parts 13h having the holographic metallic gloss exist adjacently within the pattern layer 13, by which the contract of the characteristics in the appearance of both parts 13i and 13h is amplified.例文帳に追加

図柄Ｐを構成するインキ塗膜部分１３ｉとホログラフィックな金属光沢を呈する金属薄膜部分１３ｈとが図柄層１３中に相隣接して存在することにより両部分１３ｉ，１３ｈの外観上の特徴の対比が増幅する。 - 特許庁

The contrast medium for magnetic resonance image is characterized by dispersing magnetic nanoparticle complex (C) obtained by covered the surface of magnetic nanoparticle (P) with a protectant (A) having cationic functional group (a), in a water-based dispersant (S) containing anionic polymer (B).例文帳に追加

磁性ナノ粒子（Ｐ）の表面がカチオン性の官能基（ａ）を有する保護剤（Ａ）で被覆されてなる磁性ナノ粒子複合体（Ｃ）が、アニオン性ポリマー（Ｂ）を含有する水性分散媒（Ｓ）中に、分散されてなることを特徴とする磁気共鳴画像用造影剤。 - 特許庁