「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(309ページ目) - Weblio英語例文検索

In a capacitative element, a first electrode 26a is formed on a P-type silicon substrate 11, and a second electrode 30a and a third electrode 35a are sequentially stacked above the first electrode 26a via a first insulating film 29 and a second insulating film 30, respectively.例文帳に追加

本容量素子では、Ｐ型のシリコン基板１１に第１の電極２６ａが形成され、その上部に第２の電極３０ａおよび第３の電極３５ａがそれぞれ第１の絶縁膜２９および第２の絶縁膜３０を介して順次積層されている。 - 特許庁

This surface treated steel sheet having excellent corrosion resistance is obtained by forming a surface reforming layer containing Al, Si and P on a galvanizing layer in a galvanized steel sheet.例文帳に追加

亜鉛系メッキ鋼板にける亜鉛系メッキ層の上に、Ａｌ，Ｓｉ，Ｐを含む表面改質層が形成され、該表面改質層中に含まれるＡｌとＳｉおよびＰとＡｌの質量比率が、下記式(1),(2)の関係を満たす耐食性に優れた表面処理鋼板を開示する。 - 特許庁

When the direction of torque expected to be applied to wheels is the direction P of forward rotation in a stop state of a vehicle, a solenoid 166b is excited and pin 160b is engaged with a portion 110b, which serves as a secondary shoe upon the application of the torque.例文帳に追加

車両の停止状態において、車輪に加えられると予測されるトルクの向きが前進回転方向Ｐである場合には、ソレノイド１６６ｂが励磁され、ピン１６０ｂがトルクが加えられた場合にセカンダリシューとなるもの１１０ｂに係合させられる。 - 特許庁

The invention relates to the electro-optic panel omitting a contact hole CH3 and a holding capacitor HC, in which the drain electrodes of the N channel TFT116n and the P channel TFT 116p are connected by wiring L and the pixel electrode is connected to the wiring L.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホールＣＨ３と保持容量ＨＣを省略した電気光学パネルに関するものであり、ＮチャネルＴＦＴ１１６ｎとＰチャネルＴＦＴ１１６ｐのドレイン電極は配線Ｌで接続され、画素電極は配線Ｌに接続されている。 - 特許庁

The field effect transistor has a hetero-junction structure of a channel layer and a barrier layer made of nitride semiconductor, wherein a p-type InGaN layer is stacked on the barrier layer in a gate area.例文帳に追加

窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、ｐ型ＩｎＧａＮ層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The hydrated hardened body containing a reinforcing bar excellent in salt damage resistance contains at least steelmaking slag and blast furnace slag fine powder, and the reinforcing bar has an oxide layer containing Fe, P and V on its surface.例文帳に追加

鉄筋を内部に有する水和硬化体が、少なくとも製鋼スラグと高炉スラグ微粉末とを含有し、前記鉄筋が表面にＦｅとＰとＶとを含む酸化物層を有することを特徴とする耐塩害性に優れた鉄筋を有する水和硬化体を用いる。 - 特許庁

When an earthquake occurs and vibrations by P wave are detected by a seismometer 110, Meteorological Agency 100 obtains earthquake information, such as predicted arrival time and predicted seismic intensity in each place, on the basis of a detection result and distributes urgent earthquake quick report including the earthquake information.例文帳に追加

気象庁１００は、地震が発生し、地震計１１０により、そのＰ波による振動を検出すると、検出結果に基づいて、各地の予測到達時間、予測震度等の地震情報を求め、その地震情報を含む緊急地震速報を配信する。 - 特許庁

A first drive signal P is applied to the X scanning electrodes X0 to X5 in order, and a second drive signal N is given to the X scanning electrode X0 or X5 that is not adjacent to an X scanning electrode with which the first drive signal is given thereto.例文帳に追加

第１の駆動信号ＰをＸ走査電極Ｘ０ないしＸ５に順番に印加し、第２の駆動信号Ｎは、第１の駆動信号が与えられているＸ走査電極に隣接しないＸ走査電極Ｘ０またはＸ５に与えられる。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor film and an organic semiconductor device, in which an n-channel region and a p-channel region are prepared together without needing particular change of a material for forming the organic semiconductor film, and furthermore threshold voltage can be controlled.例文帳に追加

特に有機半導体薄膜を形成する材料を変更しなくても、ｎチャネル領域とｐチャネル領域とを共に作製することが可能であり、さらには、閾値電圧の制御も可能となる有機半導体膜および有機半導体装置を提供する。 - 特許庁

A dynamic voltage increasing in accordance with increase of the amount of deflection of the electron beam, is put to the focus electrode G3, and a dielectric P is prepared between the final accelerating electrode G4 and the focus electrode G3, and the dielectric is adhered to the middle electrode GM.例文帳に追加

フォーカス電極Ｇ３には、電子ビームの偏向量の増大とともに増加するダイナミック電圧が印加され、最終加速電極Ｇ４とフォーカス電極Ｇ３の間に誘電体Ｐが設けられ、この誘電体が中間電極ＧＭに被着形成されている。 - 特許庁

In this case, the degree of emphasis conversion to the I/P processed image data is made smaller than the degree of emphasis conversion to the inputted image data to suppress the deterioration of picture quality due to the emphasis of an unrequired false signal.例文帳に追加

このとき、Ｉ／Ｐ変換処理された画像データに対する強調変換度合いを、プログレッシブ信号として入力された画像データに対する強調変換度合いより小さくし、不所望な偽信号が強調されて画質が劣化することを抑制する。 - 特許庁

A coating interface is provided between the first and second fluoride prisms, wherein an overall R(s)*T(p) function of the beam splitter varies no more than ±2.74% in the range of 40-50 degrees of incidence.例文帳に追加

これら第１のフッ化物プリズムと第２のフッ化物プリズムとの間にコーティング界面が設けられており、その際、ビームスプリッタの全体的なＲ（ｓ）*Ｔ（ｐ）関数は４０゜〜５０°の入射範囲において±２．７４％以内でしか変化しないように構成されている。 - 特許庁

To enable a semiconductor device and its manufacturing method to realize an ultra high-speed semiconductor device, wherein using Si/SiC Hetero junction in an active region, a suitable strain for n-channel transistor and p-channel transistor respectively is made to be applicable by SiC.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、動作領域にＳｉ／ＳｉＣのヘテロ接合を用い、ＳｉＣに依ってｎチャネル・トランジスタ及びｐチャネル・トランジスタそれぞれに好適な歪みを印加できるようにして超高速の半導体装置を実現しようとする。 - 特許庁

In this structure, a guide rail 66 is rotated, linked with the rise and lowering of the slide rail 74, the release direction of the pachinko ball P is varied, linked with the validation of the long launch passage and the short launch passage 83.例文帳に追加

この構成の場合、スライドレール７４が上昇および下降することに連動してガイドレール６６が回動操作され、長尺な発射通路および短尺な発射通路８３が有効化されることに連動してパチンコ球Ｐの放出方向が変化する。 - 特許庁

If an audience desires to use a remote control transmitter 37 to change the channel in an inside picture display PD, he/she must depress an M/P button only to put the mark 30 on the inside image display.例文帳に追加

視聴者が画内画像表示ＰＤでチャネルを変更するために遠隔制御送信機３７を使用しようと所望するなら、Ｍ／Ｐボタンのみを押下することが必要であり、これは音声／ビデオ制御回路３１が画内画像表示に星印３９を置くようにする。 - 特許庁

A server 1 outputs print data to a printer P designated by a PC 20, and when the print data are printed, a print history such as the user name, printed document name, and used printer name of the PC 20 which instructs printing is stored in a print history table.例文帳に追加

サーバ１は、ＰＣ２０により指定されたプリンタＰに印刷データを出力し、この印刷データが印刷された際に、印刷を指示したＰＣ２０のユーザ名、印刷文書名、及び使用したプリンタ名等の印刷履歴を印刷履歴テーブルに記憶する。 - 特許庁

In this configuration, the paper loading device can lift up and down the tray 32 without using a mechanism adversely affected by horizontal movement of the tray 32, such as a gear mechanism, and can hold the tray 32 at a predetermined height when the tray is replenished with a small number of sheets of paper P.例文帳に追加

これにより、ギア機構ような、トレイ３２の横方向の移動に係る悪影響を受ける機構を利用することなくトレイ３２を昇降させることができ、少量の用紙Ｐを補充したときには所定高さでトレイ３２を保持することが可能である。 - 特許庁

The sealing member 30 has a core part 31 composed of an elastic material and a coating layer 32 provided on the outer peripheral side of the core part 31 to be in tight contact with the inner surface of the cylinder 12, and the coating layer 32 is constituted with poly-p-xylylene or its derivative as a main material.例文帳に追加

このシール部材３０は、弾性材料で構成された芯部３１と、芯部３１の外周側に設けられ、シリンダ１２の内面に密接する被覆層３２とを備え、被覆層３２をポリパラキシリレンまたはその誘導体を主材料として構成した。 - 特許庁

Loop conveying rollers 14 and 15 for making the paper P flex into a loop shape are arranged between the exposure position 24 and processor device A2, and a downstream-side in-exposure conveying roller 13 is arranged between the exposure position 24 and loop conveying rollers 14 and 15.例文帳に追加

上記露光位置２４と上記プロセッサ装置Ａ２との間にペーパーＰをループ状に撓ませるためのループ搬送ローラ１４，１５を配設し、上記露光位置２４と上記ループ搬送ローラ１４，１５との間に下流側露光中搬送ローラ１３を配設する。 - 特許庁

An NMOS (n-pole metal insulator transistor) and a PMOS (p-pole metal insulator transistor), whose gate electrodes 10n, 10p are constituted of a conductive type silicon film reversed to the conductive type semiconductor region for source drain, are formed in a first circumferential circuit unit which requires low consumption operation and a memory unit.例文帳に追加

低消費動作が要求される第１の周辺回路部およびメモリセル部には、ゲート電極１０ｎ，１０ｐがソース・ドレイン用の半導体領域の導電型とは逆の導電型のシリコン膜で構成されたＮＭＯＳ，ＰＭＯＳを形成する。 - 特許庁

When a heat roller 51 and a pressure roller 52 are rotated by external force generated when recording paper P jammed in a fixing part is removed by pulling, a motor is driven according to detection of such rotation to rotate the heat roller 51 and the pressure roller 52.例文帳に追加

定着部に詰まった記録紙Ｐを引っ張って取り除こうとしたときに生じる外力により加熱ローラ５１及び加圧ローラ５２が回転した場合に、その回転の検知に基づいて、モータを駆動させて加熱ローラ５１及び加圧ローラ５２を回転させる。 - 特許庁

To obtain maximum efficient throughput while occurrence of an image margin due to the temperature rise of a paper non-passing part caused when small size paper passes as processing speed gets higher is suppressed the minimum, in a heating device where carried and introduced material P to be heated is heated by a heating part N and ejected.例文帳に追加

搬送導入される被加熱材Ｐを加熱部Ｎで加熱して排出する加熱装置において、プロセススピードの高速化にともなう小サイズ通紙時の非通紙部昇温の像代を最小限に抑えつつ、最大限効率的なスループットを得ること。 - 特許庁

To provide an apparatus for protecting a pump on a liquid spray car and a method of protecting the pump, by which it is prevented that the spray pump continues to be driven in a state that a liquid is absent to prevent the damage of the spray pump P such as seizure caused by the so-called non- load running.例文帳に追加

散布ポンプが液体の無い状態で駆動し続けるのを防止でき、この所謂空回りによって起こる焼きつけなどの散布ポンプＰの損傷を防止することができる液体散布車のポンプ保護装置及びそのポンプ保護方法を提供する。 - 特許庁

When a game ball P winning in a first special symbol starting opening 20 is detected and stopped symbols after the variation of first special symbols of a first special symbol display section 17a lead to a small win, a jackpot winning opening 23 is opened and a small win condition occurs.例文帳に追加

第１特別図柄始動口２０に入賞した遊技球Ｐが検出され、第１特別図柄表示部１７ａの第１特別図柄の変動後の停止図柄が小当りになったとき、大入賞口２３が開放されて小当り状態が発生する。 - 特許庁

A buried current block layer 10 in which a first buried layer 7 made of p-type InP, a second buried layer 8 made of n-type InP and a third buried layer 9 made of semi-insulated Fe-doped InP are sequentially laminated is formed on both sides of the ridge 6.例文帳に追加

リッジ部６の両側には、ｐ型ＩｎＰからなる第１埋め込み層７、ｎ型ＩｎＰからなる第２埋め込み層８、半絶縁性ＦｅドープＩｎＰからなる第３埋め込み層９が順に積層された埋め込み電流ブロック層１０が形成されている。 - 特許庁

In this optical semiconductor element, a light emitting layer 22 having a p-n junction is formed on the upper surface 25 of a transparent substrate 21 having translucency to a light emitting wavelength, and upper- and lower-surface electrodes 23 and 24 are respectively formed on the upper and lower surfaces 25 and 26 of the substrate 21.例文帳に追加

発光波長に対して透光性を有する透明基板２１の上面にｐｎ接合を有する発光層２２を形成し、透明基板２１の上面２５および下面２６に上面電極２３および下面電極２４をそれぞれ形成している。 - 特許庁

A program run signal (p) outputted from the microcomputer 10 is switched by a gate circuit 21 in cycles T2 and the cycles of a signal outputted from the gate circuit 21 are monitored by counter circuits 28 and 29, latch circuits 30 and 31, an OR circuit 32, and an AND circuit 33.例文帳に追加

マイコン１０から出力されたプログラムラン信号ｐｒをゲート回路２１で周期Ｔ２でスイッチングし、カウンタ回路２８、２９とラッチ回路３０、３１とＯＲ回路３２とＡＮＤ回路３３で、ゲート回路２１から出力される信号の周期を監視する。 - 特許庁

The sheet transport device is structured so that the sheet transporting speed of a transverse register correction roller 25 and a slant feeding roll 26 couple becomes higher than the sheet transporting speed of a post-fixation roller 17 and a second roll 19 couple in the timing immediately before the sheet P trailing edge passes through the nip between the post-fixation roller 17 and the second rolls 19.例文帳に追加

シートＰ後端が定着後ローラ１７・第２コロ１９のニップを抜ける直前のタイミングで、横レジ補正ローラ２５・斜送コロ２６対のシート搬送速度が定着後ローラ１７・第２コロ１９対のシート搬送速度よりも速くなるようにする。 - 特許庁

After forming an n-type buffer layer 7, a surface of the n-type buffer layer 7 is covered with a protecting film 8, then flaws 6, which are generated in forming the n-type buffer layer 7, are removed by a mirror polishing, and a p-type base region and an n-type emitter region are formed on the surface.例文帳に追加

ｎ型バッファ層７を形成した後で、このｎ型バッファ層７の表面を保護膜８で被覆し、ｎ型バッファ層７を形成したたきに付いたキズ６を鏡面研磨で除去し、その面に、ｐ型ベース領域やｎ型エミッタ領域を形成する。 - 特許庁

A state transition probability calculation part 20 calculates a state transition probability P that an enemy plane under a state (s) selects an action (k, lau) and consequently transits to a state (s') on all combinations of the state (s), the action (k, lau) and the state (s') in a transition destination.例文帳に追加

状態遷移確率計算部２０が、すべての状態ｓと行動（ｋ，ｌａｕ）と遷移先の状態ｓ’の組み合わせについて、状態ｓにある敵機が行動（ｋ，ｌａｕ）を選択した結果状態ｓ’に遷移する状態遷移確率Ｐを計算する。 - 特許庁

This externally-applied thermal insulation exterior material A is composed of a metallic surface material 1 and a core material 3 composed of a synthetic resin foam body, and is constituted by forming thermal insulation airtight packing P in a reverse joint part γ1, and is setting a heat resistance value (m^2K/W) to 0.8 or more.例文帳に追加

金属製表面材１と合成樹脂発泡体よりなる芯材３より構成されると共に、裏目地部γ１に断熱気密パッキンＰが形成されて熱抵抗値（ｍ^２・Ｋ／Ｗ）を０．８以上とした外張断熱外装材Ａである。 - 特許庁

A method for decomposing scrap woods of pear trees comprises: adding the living fungus body of Polyporus arcularius of Accession No. FERM P-20323 to the scrap woods of pear trees; static culturing the living fungus body at a temperature of 20 to 35°C under aerobic condition in the waste wood of pear tree; and decomposing the waste wood of pear tree.例文帳に追加

受託番号ＦＥＲＭ Ｐ−２０３２３のアミスギタケの生菌体をナシ樹木廃材に添加し、該廃材中で、温度２５〜３５℃、好気的条件下で静置培養し、該廃材を分解させることを特徴とするナシ樹木廃材分解方法。 - 特許庁

The compound of formula (I) (wherein R^1 and R^2 are each independently hydrogen, a 1-16C straight-chain or branched alkyl group or the like; and p, q, and r are each 0 or 1) is used in a liquid crystal mixture.例文帳に追加

式（Ｉ）式中：Ｒ^１、Ｒ^２は、各々、独立して、水素原子又は１〜１６個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分枝状アルキル基等を示し、ｐ、ｑ、ｒは、各々独立して、０または１で表される化合物を、液晶混合物において用いる。 - 特許庁

A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing.例文帳に追加

活性層１を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層１より上部に位置するｎ型電流ブロック層３を選択成長させる際に、ｎ型不純物とＩＩ族ｐ型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。 - 特許庁

Thereby, by simple circuit constitution in which only auxiliary capacitor C is used, potential difference of fall of a (p) well potential is made large, reduction of pump efficiency by back gate effect is prevented when power source voltage is made lower, while latch-up and charge leak are prevented.例文帳に追加

こうして、補助容量Ｃを用いるだけの簡単な回路構成で、ｐウェル電位の突き下がりの電位差を大きくして、電源電圧の低電圧化に際してバックゲート効果によるポンプ効率の低下を無くすと共に、ラッチアップやチャージ漏れを防止する。 - 特許庁

The solid fuel can be dried sufficiently in the course of crushing the mixture of rice hulls and saw dust because the inside of the vertical-type roller mill 30 is provided by a hot blast P taken out of an exhaust gas S of the combustion boiler 25 via a pressurizing fan 27.例文帳に追加

竪型ローラミル３０においては、籾殻および木屑の混合物が粉砕される際に、加圧ファン２７を介して燃焼ボイラ２５の排気ガスＳから取り出された熱風Ｐが内部に供給されるため、固体燃料を十分に乾燥させることができる。 - 特許庁

A movement area detecting process part 3 detects whether or not a set detection processing object block is in the movement area according to encoded mode information (p) of a current frame, prediction error information (a), and movement prediction information (b).例文帳に追加

移動領域検出処理部３は、現フレームの符号化モード情報ｐと、予測誤差情報ａと、動き予測情報ｂを基に、該検出対象設定部２によって設定された検出処理対象ブロックが移動領域に属するか否かを検出する。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

In the super-junction structure wherein an n-type column and a p-type column are repeated, the width of a column where a carrier passes through is 4.5 μm or less, and the concentration of impurity of the column where the carrier passes through is adjusted to be lower than a concentration satisfying the reduced surface field.例文帳に追加

ｎ型コラムとｐ型コラムが繰返されているスーパージャンクション構造において、キャリアが通過するコラムの幅は４．５μｍ以下であり、かつキャリアが通過するコラムの不純物濃度がリサーフ条件を満たす濃度よりも低濃度に調整する。 - 特許庁

The tunnel excavator is formed of the excavator body 20 having the excavator internal cylinder smaller than the internal diameter of an embedded pipe body P by a required value and cutter spokes 25b contractible to a size smaller than the internal diameter by the required value, and the excavator shell 10 for storing therein the excavator internal cylinder and fixing the same in a separable manner.例文帳に追加

被埋設管体Ｐの内径よりも所要小さい掘削機内筒及び小さくなるように縮め得る２８を有する掘削機本体２０と、掘削機内筒を収容し分離可能に固定する掘削機外殻１０を備えている。 - 特許庁

The CPU moves the board recognition camera to the upper side of the printed board P in the coordinate position according to 'a monitor confirmation setting of an electronic component', and the CPU controls the camera to continue to image the printed board for 1 sec by standing still, and continue to display a moving image on a monitor for 1 sec.例文帳に追加

「電子部品のモニタ確認設定」に従い、ＣＰＵは基板認識カメラを当該座標位置のプリント基板Ｐ上方に移動させて、静止して１秒間撮像し続け、モニタに動画画像を１秒間表示し続けるようにＣＰＵが制御する。 - 特許庁

This GaN-based semiconductor light-emitting device (10) has a laminate L where a plurality of GaN-based semiconductor layers are laminated, and the laminate L includes a first n-type layer (2), a light-emitting layer (3), a p-type layer (4) and a second n-type layer (5), in this order.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子（１０）は、複数のＧａＮ系半導体層が積層されてなる積層体Ｌを有し、積層体Ｌには、第１のｎ型層（２）と、発光層（３）と、ｐ型層（４）と、第２のｎ型層（５）とがこの順に含まれている。 - 特許庁

One of these ends, which is located at a first non-display region 102A, has a folded end 127A that is folded and formed continually in a second direction starting from a folded position P of the phosphor layers 127 formed along the first direction.例文帳に追加

これらの端部のうち一方の端部は第１非表示領域１０２Ａに位置し、第１方向に沿って形成された蛍光体層１２７の折曲位置Ｐを基点として第２方向に連続的に折曲形成された折曲端部１２７Ａを有している。 - 特許庁

The relay point P is placed in a position such that the first body side piping is always projecting downwards while the required length of the first body side piping varied by the raising or lowering motion of a boom 31B and the minimal required bending R of a rubber hose of the first body side piping are met.例文帳に追加

継点Ｐは、第１の本体側配管が常に下に凸となるように配置され、ブーム３１Ｂの起伏動作による第１の本体側配管の変動長と、第１の本体側配管のゴムホースの最小曲げＲを満たすような位置に配置される。 - 特許庁

To liquid such as water, a Li (lithium) component, a P (phosphorus) component and A component (here, A is a kind selected from Co, Ni, Mn, Fe, Cu, and Cr.) are added, which are reacted in a subcritical state, a critical state, or a supercritical state to synthesize Li_xA_yPO_4.例文帳に追加

水などの液体にＬｉ（リチウム）成分およびＰ（リン）成分およびＡ成分（ただし、ＡはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｆｅ、Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた１種）を加え、これを亜臨界状態または臨界状態または超臨界状態で反応させ、Ｌｉ_ｘＡ_ｙＰＯ_４を合成する。 - 特許庁